JP5754296B2 - 膜厚均一性評価方法 - Google Patents
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Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Description
加速電圧:10[kV]
入射電子電流:0.1[μA]
プローブ径:最小サイズ(1[μm]程度)
Dwell時間:50[ms]
測定間隔:0.5[μm]
測定点数:縦300[個]×横300[個]
板厚1.2[mm]の鋼板(SPCG(JIS G 3141(2009))を幅150[mm]および長さ300[mm]の大きさに切り出した鋼板試料表面に対してシリカと樹脂成分とから成る処理液をロールコーターで塗布し、熱風焼き付け炉によって焼き付け温度(到達鋼板温度)250[℃]で焼き付けた後、常温に放冷することによって、皮膜付着量0.5[g/m2]の皮膜を鋼板試料表面上に形成した。そして、このようにして作製した皮膜付き鋼板から30mm角の小片を実施例の試料として切り出し、Feの深さ方向GDSプロファイルをGDS装置で評価した。GDS装置は理学電機工業(株)製System3580を用い、測定条件は以下の通りとした。また、測定されたFeの深さ方向GDSプロファイルを微分し、微分プロファイルをガウス関数でフィッティングしてFe微分半値幅を皮膜の膜厚均一性の評価指標として算出した。
測定モード:直流モード
電極サイズ:φ4[mm]
Arガス流量:250[cc/min]
電流:20[mA]
板厚1.2[mm]の鋼板(SPCG(JIS G 3141(2009))を幅150[mm]および長さ300[mm]の大きさに切り出した鋼板試料表面に対してシリカと樹脂成分とから成る処理液をロールコーターで塗布し、熱風焼き付け炉によって焼き付け温度(到達鋼板温度)250[℃]で焼き付けた後、常温に放冷することによって、皮膜付着量0.5[g/m2]の皮膜を鋼板試料表面上に形成した。そして、このようにして作製した皮膜付き鋼板から10mm角の小片を比較例の試料として切り出し、この比較例の試料の表面におけるSi強度分布をEPMA装置で評価した。EPMA装置は日本電子(株)製JXA−8100を用い、測定条件は以下の通りとした。また、測定されたSi強度分布からSi強度の標準偏差を皮膜の膜厚均一性の評価指標として算出した。
加速電圧:10[kV]
入射電子電流:0.1[μA]
プローブ径:最小サイズ(1[μm]程度)
Dwell時間:50[ms]
測定間隔:0.5[μm]
測定点数:縦300[個]×横300[個]
表1に、算出されたFe微分半値幅とSi強度の標準偏差とを示す。また、図4にFe微分半値幅とSi強度の標準偏差との関係を示す。図4から明らかなように、Fe微分半値幅とSi強度の標準偏差とは相関関係にあり、Si強度の標準偏差が小さい、すなわち皮膜の膜厚均一性が高いほど、Fe微分半値幅は小さくなる。一方、Si強度の標準偏差が大きい、すなわち皮膜の膜厚均一性が低いほど、Fe微分半値幅が大きくなる。従って、グロー放電発光分光法を利用して鋼板の構成元素の深さ方向のプロファイルを測定し、測定されたプロファイルを微分することによって微分プロファイルを算出し、算出された微分プロファイルの主ピークの半値幅を算出することによって、皮膜の膜厚均一性を評価することができる。
Claims (3)
- 金属板表面に形成された皮膜の膜厚均一性を評価する膜厚均一性評価方法であって、
グロー放電発光分光法を利用して金属板の構成元素の深さ方向の発光強度とスパッタ時間との関係を示すGDSプロファイルを測定する測定ステップと、
前記測定ステップにおいて測定されたGDSプロファイルを微分することによって微分プロファイルを算出し、算出された微分プロファイルの主ピークの半値幅を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにおいて算出された主ピークの半値幅を用いて前記皮膜の膜厚均一性を評価する評価ステップと、
を含むことを特徴とする膜厚均一性評価方法。 - 前記算出ステップは、前記微分プロファイルにガウス関数をフィッティングし、フィッティングされたガウス関数の半値幅を前記主ピークの半値幅として算出するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の膜厚均一性評価方法。
- 前記評価ステップは、標準試料について算出された主ピークの半値幅と評価対象の試料について算出された主ピークの半値幅とを比較することによって、該評価対象の試料における前記皮膜の膜厚均一性を評価するステップを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の膜厚均一性評価方法。
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