JP5752590B2 - 温度検出素子 - Google Patents
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Description
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12:基板
14:電極
16:電極
20:コンタクト領域
22:コンタクト領域
24:温度検出領域
26:分離領域
28:ベース領域
30:ドリフト領域
Claims (4)
- SiC基板を有する温度検出素子であって、
導電型が同じであり、活性化エネルギーが異なる2種類以上の不純物がドープされたドープ領域がSiC基板に形成されており、
SiC基板の表面に、前記ドープ領域と導通する2つの電極が形成されている、
温度検出素子。 - 前記ドープ領域に、ボロンとアルミニウムがドープされている請求項1に記載の温度検出素子。
- 前記ドープ領域において、ボロンのドーズ量が、アルミニウムのドーズ量の4.54倍以上である請求項1または2に記載の温度検出素子。
- 前記2つの電極のそれぞれが、直接、または、前記ドープ領域と同じ導電型の領域を介して、前記ドープ領域と導通している請求項1〜3のいずれか一項に記載の温度検出素子。
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JP2011288041A JP5752590B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 温度検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2011288041A JP5752590B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 温度検出素子 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPS63310157A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
DE4322650A1 (de) * | 1993-07-07 | 1995-01-12 | Siemens Ag | Temperatursensor mit einem p-n-Übergang |
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