JP6003672B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6003672B2 JP6003672B2 JP2013010345A JP2013010345A JP6003672B2 JP 6003672 B2 JP6003672 B2 JP 6003672B2 JP 2013010345 A JP2013010345 A JP 2013010345A JP 2013010345 A JP2013010345 A JP 2013010345A JP 6003672 B2 JP6003672 B2 JP 6003672B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor device
- anode
- semiconductor
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
第2アノード層の形態は、上記に説明した形態に限定されない。例えば、図4,5に示す半導体装置20のように、半導体基板200のセル領域21において、長手方向がy方向である複数のトレンチ220が、x方向の間隔が相違するように配置されていてもよい。この場合、x方向の両端に位置する周辺領域21に近い側においてx方向の間隔を狭くし、周辺領域21から遠い側においてx方向の間隔を広くすることが好ましい。このように、半導体基板の平面方向において第2アノード層を配置する密度を変える場合には、リカバリ耐量を向上させるために周辺領域に近い側で第2アノード層を高密度に配置し、順方向電圧を低くするためにセル領域の中央部で第2アノード層を低密度に配置することが好ましい。なお、半導体装置20のその他の構成は、半導体装置10と同様であるため、同一の参照番号を付することによって説明を省略する。
11,21,31,41 :周辺領域
12,22,32,42 :セル領域
100,200,300,400 :半導体基板
101 :カソード層
102 :ドリフト層
111,112 :FLR層
115 :絶縁膜
120,220,320,420,720 :トレンチ
121,221,321,421,721,921 :第1アノード層
122,222,322,422,722,822 :第2アノード層
131 :裏面電極
132 :表面電極
723 :半導体層
Claims (1)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられる表面電極と、
前記半導体基板の裏面に設けられる裏面電極と、を備える半導体装置であって、
前記半導体基板は、
単結晶シリコンを材料とする第2導電型のカソード領域と、
前記カソード領域の表面に積層されており、その表面が前記表面電極に接しており、単結晶シリコンを材料とする第1導電型の単結晶半導体層を有する第1アノード領域と、
前記半導体基板の表面から前記第1アノード領域を貫通し、前記カソード領域に達するトレンチに充填されており、その表面が前記表面電極に接しており、多結晶シリコンを材料とする多結晶半導体層を有する第2アノード領域と、を備える半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013010345A JP6003672B2 (ja) | 2013-01-23 | 2013-01-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013010345A JP6003672B2 (ja) | 2013-01-23 | 2013-01-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014143277A JP2014143277A (ja) | 2014-08-07 |
JP6003672B2 true JP6003672B2 (ja) | 2016-10-05 |
Family
ID=51424365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013010345A Active JP6003672B2 (ja) | 2013-01-23 | 2013-01-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6003672B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016114138A1 (ja) | 2015-01-14 | 2016-07-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2016162776A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51123069A (en) * | 1975-04-21 | 1976-10-27 | Hitachi Ltd | High voltage rating semiconductor device |
JPS53104156A (en) * | 1977-02-23 | 1978-09-11 | Hitachi Ltd | Manufacture for semiconductor device |
JPS57201070A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
JPS6229177A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | New Japan Radio Co Ltd | ダイオ−ド |
JP5341373B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2013-11-13 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | ダイオード |
-
2013
- 2013-01-23 JP JP2013010345A patent/JP6003672B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014143277A (ja) | 2014-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5580150B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5568036B2 (ja) | Igbt | |
JP6022774B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6003961B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5482886B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5991020B2 (ja) | 炭化珪素単結晶を主材料とする半導体装置 | |
JP6304221B2 (ja) | Igbt | |
JPWO2013030943A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008543044A (ja) | 終端構造を有する半導体デバイス | |
US9318590B2 (en) | IGBT using trench gate electrode | |
US20160087094A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2010232335A (ja) | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
JP2013143522A (ja) | スイッチング素子 | |
JP5182376B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5605230B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017098359A (ja) | 逆導通igbt | |
JP5741069B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5941214B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6003672B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4686580B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2011054881A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017037921A (ja) | Igbt | |
JP2016213421A (ja) | 半導体装置 | |
JP5884772B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7297976B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160809 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160822 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6003672 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |