JP5751088B2 - 光半導体装置とその製造方法 - Google Patents
光半導体装置とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5751088B2 JP5751088B2 JP2011178357A JP2011178357A JP5751088B2 JP 5751088 B2 JP5751088 B2 JP 5751088B2 JP 2011178357 A JP2011178357 A JP 2011178357A JP 2011178357 A JP2011178357 A JP 2011178357A JP 5751088 B2 JP5751088 B2 JP 5751088B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- film
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
図3〜図9は、本実施形態に係る光半導体装置の製造途中の断面図であり、図10〜図12はその平面図である。
第1実施形態では、図11の点線円内に示したように、変調領域Iと導波路領域IIの両方に酸化防止膜22を形成した。
前記コアの一方の側面と他方の側面の各々に酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜が形成された状態で、前記コアの両脇の前記半導体基板の表面を熱酸化する工程と、
前記コアの前記一方の側面の横の前記半導体基板に第1の不純物領域を形成する工程と、
前記コアの前記他方の側面の横の前記半導体基板に第2の不純物領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
前記酸化防止膜を形成する工程において、前記酸化シリコン膜の上に前記酸化防止膜を形成することを特徴とする付記2に記載の光半導体装置の製造方法。
前記第1の不純物領域を形成する工程は、前記サイドウォールをマスクにして前記半導体基板に第1の不純物をイオン注入することにより行われ、
前記第2の不純物領域を形成する工程は、前記サイドウォールをマスクにして前記半導体基板に第2の不純物をイオン注入することにより行われることを特徴とする付記1乃至付記4のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
前記第1の熱酸化膜を除去した後、前記コアの両脇の前記半導体基板の前記表面を熱酸化して第2の熱酸化膜を形成する工程とを更に有し、
前記サイドウォールを形成する工程において、前記第2の熱酸化膜の上に前記サイドウォールを形成することを特徴とする付記5に記載の光半導体装置の製造方法。
前記第1のY分岐又は前記第2のY分岐において分岐する前の一本の前記コアの横の前記酸化防止膜を除去する工程を更に有することを特徴とする付記1乃至付記7のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
前記コアの一方の側面と他方の側面の各々に形成された酸化防止膜と、
前記コアの前記一方の側面の横の前記半導体基板に形成された第1の不純物領域と、
前記コアの前記他方の側面の横の前記半導体基板に形成された第2の不純物領域とを備え、
前記酸化防止膜が、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜であることを特徴とする光半導体装置。
Claims (5)
- 半導体基板を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコアを前記半導体基板に形成する工程と、
前記コアの一方の側面と他方の側面の各々に酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜が形成された状態で、前記コアの両脇の前記半導体基板の表面を熱酸化する工程と、
前記コアの前記一方の側面の横の前記半導体基板に第1の不純物領域を形成する工程と、
前記コアの前記他方の側面の横の前記半導体基板に第2の不純物領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 前記酸化防止膜として、窒素含有絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記酸化防止膜を形成した後、前記コアの前記一方の側面と前記他方の側面の横にサイドウォールを形成する工程を更に有し、
前記第1の不純物領域を形成する工程は、前記サイドウォールをマスクにして前記半導体基板に第1の不純物をイオン注入することにより行われ、
前記第2の不純物領域を形成する工程は、前記サイドウォールをマスクにして前記半導体基板に第2の不純物をイオン注入することにより行われることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光半導体装置の製造方法。 - 前記熱酸化により前記半導体基板の前記表面に形成された第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去した後、前記コアの両脇の前記半導体基板の前記表面を熱酸化して第2の熱酸化膜を形成する工程とを更に有し、
前記サイドウォールを形成する工程において、前記第2の熱酸化膜の上に前記サイドウォールを形成することを特徴とする請求項3に記載の光半導体装置の製造方法。 - 断面形状が凸状のコアが形成された半導体基板と、
前記コアの一方の側面と他方の側面の各々に形成された酸化防止膜と、
前記コアの前記一方の側面の横の前記半導体基板に形成された第1の不純物領域と、
前記コアの前記他方の側面の横の前記半導体基板に形成された第2の不純物領域と、
前記酸化防止膜と前記第1の不純物領域との間の前記コアの前記一方の側面の横の前記半導体基板の表面と、前記酸化防止膜と前記第2の不純物領域との間の前記コアの前記他方の側面の横の前記半導体基板の表面との各々に形成された熱酸化膜とを備え、
前記酸化防止膜が、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜であることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011178357A JP5751088B2 (ja) | 2011-08-17 | 2011-08-17 | 光半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011178357A JP5751088B2 (ja) | 2011-08-17 | 2011-08-17 | 光半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013041143A JP2013041143A (ja) | 2013-02-28 |
JP5751088B2 true JP5751088B2 (ja) | 2015-07-22 |
Family
ID=47889582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011178357A Active JP5751088B2 (ja) | 2011-08-17 | 2011-08-17 | 光半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5751088B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6102381B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2017-03-29 | 富士通株式会社 | 光スイッチ及びその製造方法 |
JP6427992B2 (ja) | 2014-06-30 | 2018-11-28 | 富士通株式会社 | 光伝送システム、送信機、受信機、及び、光伝送方法 |
JP2016180860A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2017081748A1 (ja) | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム、及び、ストレージ管理方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5757986A (en) * | 1993-09-21 | 1998-05-26 | Bookham Technology Limited | Integrated silicon pin diode electro-optic waveguide |
JPH1152312A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体光機能素子およびその製造方法 |
JP2000151016A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子の作製方法 |
JP2004258119A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 可変光減衰器 |
JP5369737B2 (ja) * | 2009-02-10 | 2013-12-18 | 日本電気株式会社 | 光通信システムとその製造方法 |
JP5065333B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2012-10-31 | 日本電信電話株式会社 | 可変光減衰器 |
JP5161152B2 (ja) * | 2009-05-25 | 2013-03-13 | 日本電信電話株式会社 | 可変光減衰器の作製方法 |
-
2011
- 2011-08-17 JP JP2011178357A patent/JP5751088B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013041143A (ja) | 2013-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5751088B2 (ja) | 光半導体装置とその製造方法 | |
TW200950077A (en) | Optical communication integration | |
JP5609672B2 (ja) | リブ型光導波路デバイス及びその製造方法 | |
US9618776B2 (en) | Electro-absorption optical modulation device and method of fabricating the same | |
JP2015162500A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5824929B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
JP5673060B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
KR100480636B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
JP2015015393A (ja) | 半導体基板および異種半導体基板の製造方法 | |
JP6130284B2 (ja) | 光導波路の作製方法 | |
US20110058782A1 (en) | Optical waveguides and methods of making the same | |
JP2013044803A (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
KR100821364B1 (ko) | 보호막을 이용한 자기정렬 릿지 도파로 반도체 레이저다이오드 및 광 모드 변환기의 제조방법 | |
JPWO2019026943A1 (ja) | 光半導体素子の製造方法および光半導体素子 | |
KR100565751B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
JP6048138B2 (ja) | 光導波路素子の製造方法 | |
KR101098439B1 (ko) | 반도체 소자의 트리플 게이트 형성방법 | |
KR100237749B1 (ko) | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 | |
KR20080060348A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR100274349B1 (ko) | 반도체소자의필드산화막형성방법 | |
KR100838374B1 (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 | |
KR100735607B1 (ko) | 패드폴리 형성방법 | |
JP2011253989A (ja) | 集積化光半導体装置の製造方法 | |
CN111354824A (zh) | 单片同层光电结构及其制备方法 | |
KR100507380B1 (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150421 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150504 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Ref document number: 5751088 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |