JP5161152B2 - 可変光減衰器の作製方法 - Google Patents
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Description
との界面など、コア511の内部でない他の経路でも流れてしまい易いという問題がある。このため、上述したシリコン細線型可変光減衰器は、pn間に電圧をかけ流す電流の中に光減衰に関与しない電流が含まれ、光を減衰させるのに無駄に多くの電力を消費してしまうという問題があった。
始めに、本発明の実施の形態1について図1A,図1B,図2A〜図2Hを用いて説明する。なお、図1Aは、本発明の実施の形態1における可変光減衰器の構成を示す断面図であり、図1A,図1Bは、実施の形態1における可変光減衰器の構成を示す平面図であり。図1Aは、図1BのAA’線の断面を示している。また、図2A〜図2Hは、本実施の形態1における可変光減衰器の作製方法を説明するための工程図である。
次に、本発明の実施の形態2について、図4A〜図4Jを用いて説明する。本実施の形態2における可変光減衰器の作製方法を説明するための工程図である。
コア103の側面からスラブ層104,スラブ層105の表面にかけての領域に、この領域を酸化することで形成した酸化シリコン層108,109を備える。このため、上述した電圧印加において、不要な電流の流れが防止でき、低消費電力化を図ることができるようになる。なお、上述した製造方法によれば、酸化シリコン層108,109は、コア103およびスラブ層104,105(n型キャリア供給部104a,p型キャリア供給部105aを含む)の全域に形成さるものとなる。ただし、酸化シリコン層108,109は、このように全域に形成されてる必要はない。例えば、電極141および電極151に挟まれた領域において、コア103側面およびスラブ層104,105の表面に、酸化シリコン層108,109が形成されていてもよい。
Claims (4)
- シリコンよりも屈折率の小さい下部クラッド層を形成する工程と、
前記下部クラッド層の上に、シリコン層を選択的に途中までエッチングすることで、コアおよび前記コアを挟んで配置されて前記コアより薄いスラブ層を形成する工程と、
前記スラブ層の一部領域に前記コアを挟むようにp型キャリア供給部およびn型キャリア供給部を形成する工程と、
前記コアの側面から前記スラブ層の表面にかけての領域および前記コアの上面の少なくとも一方を酸化して酸化シリコン層を形成する工程と、
前記コアおよび前記酸化シリコン層を覆って前記スラブ層の上に上部クラッド層を形成する工程と、
前記n型キャリア供給部及び前記p型キャリア供給部に各々接続する電極を形成する工程と
を少なくとも備えることを特徴とする可変光減衰器の作製方法。 - 請求項1記載の可変光減衰器の作製方法において、
前記酸化シリコン層は、プラズマ酸化法により形成することを特徴とする可変光減衰器の作製方法。 - 請求項2記載の可変光減衰器の作製方法において、
前記酸化シリコン層は、電子サイクロトロン共鳴により発生する酸素ガスのプラズマを用いることを特徴とする可変光減衰器の作製方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の可変光減衰器の作製方法において、
酸化シリコン層の形成は、前記コアを形成した後に行うことを特徴とする可変光減衰器の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009125126A JP5161152B2 (ja) | 2009-05-25 | 2009-05-25 | 可変光減衰器の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010271624A JP2010271624A (ja) | 2010-12-02 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5161152B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5673060B2 (ja) * | 2010-12-14 | 2015-02-18 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP5751088B2 (ja) * | 2011-08-17 | 2015-07-22 | 富士通株式会社 | 光半導体装置とその製造方法 |
JP5831165B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2015-12-09 | 富士通株式会社 | 半導体光素子 |
US11624943B2 (en) * | 2021-08-06 | 2023-04-11 | Silc Technologies, Inc. | Carrier injector having increased compatibility |
CN113721324B (zh) * | 2021-08-30 | 2023-11-10 | 湖南工学院 | 一种光可调与波分复用集成结构 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11237516A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Hitachi Cable Ltd | 石英系ガラス導波路およびその製造方法 |
GB2343293B (en) * | 1998-10-23 | 2003-05-14 | Bookham Technology Ltd | Manufacture of a silicon waveguide structure |
JP3890046B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2007-03-07 | 日本電信電話株式会社 | 平面回路型光学素子の製造方法 |
JP2004258119A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 可変光減衰器 |
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2009
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Publication number | Publication date |
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JP2010271624A (ja) | 2010-12-02 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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