JP5750311B2 - インバータ駆動装置 - Google Patents
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Description
101 PWM回路
102 モータ
103 電流センサ
104,105,106,107,108,109 スイッチング素子
110,111,112,113,114,115 ゲート駆動回路
200 ドライブ回路
202,203 ミラーエミッタ検出抵抗
204 過電流保護回路
205 過電流検出コンパレータ
206 フォルト信号出力部
207 ブランキングフィルタ
301 ツェナダイオード
302 MOSFET
303 ラッチ回路
305 コンパレータ
307 ブランキングフィルタ
401,402 フィルタ
Claims (3)
- パワー半導体素子により構成されるインバータ回路を駆動するインバータ駆動装置であって、
PWM信号に基づいて前記パワー半導体素子のゲート電圧信号を出力するドライブ回路と、
前記パワー半導体素子のエミッタ電極側の電圧を取得し、当該電圧と予め定められた第1所定電圧値を比較し、前記エミッタ電極側の電圧を取得してから第1所定時間経過後に、当該比較結果に基づいて前記ドライブ回路に前記ゲート電圧信号の出力を停止するためのフォルト信号を出力する過電流保護回路と、
前記パワー半導体素子のエミッタ電極側の電圧を取得し、当該電圧と予め定められた第2所定電圧値を比較し、前記エミッタ電極側の電圧を取得してから第2所定時間経過後に、当該比較結果に基づいて前記ドライブ回路の前記ゲート電圧信号をクランプするツェナクランプ保護回路と、を備え、
前記第2所定電圧値は、第1所定電圧値よりも大きく設定され、
前記第2所定時間は、前記第1所定時間よりも小さくかつ前記パワー半導体素子のリカバリーノイズの幅よりも長く設定され、
前記ツェナクランプ保護回路は、前記第1所定時間の期間よりも大きくかつ前記パワー半導体素子の短絡耐量時間よりも長くさらに前記第1所定時間が終了したタイミングを含む期間、当該ツェナクランプ保護回路によるクランプを継続させるラッチ回路を有するインバータ駆動装置。 - 請求項1に記載されたインバータ駆動装置であって、
前記ラッチ回路は、前記ツェナクランプ保護回路によるクランプの解除タイミングを前記ドライブ回路に入力される前記PWM信号のオフ信号と同期させるインバータ駆動装置。 - 請求項1または2に記載されたインバータ駆動装置であって、
前記パワー半導体素子の前記エミッタ電極側に接続された第1抵抗体と、
前記第1抵抗体に対してグランドに近い側に直列に接続された第2抵抗体と、を備え、
前記過電流保護回路は、前記パワー半導体素子の前記エミッタ電極側の電圧の代わりに、前記第1抵抗体の電圧を取得し、当該電圧と予め定められた第1所定電圧値を比較し、
前記第1抵抗体の電圧を取得してから前記第1所定時間経過後に、当該比較結果に基づいて前記ドライブ回路に前記ゲート電圧信号の出力を停止するためのフォルト信号を出力する 前記ツェナクランプ保護回路は、前記パワー半導体素子の前記エミッタ電極側の代わりに、前記第2抵抗体の電圧を取得し、前記第2抵抗体の電圧を取得してから前記第2所定時間経過後に、当該比較結果に基づいて前記ドライブ回路の前記ゲート電圧信号をクランプするインバータ駆動装置。
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