JP5728444B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
1)第1実施形態の半導体装置の構造
図1は、第1実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。
図2〜図4は、第1実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
1)第2実施形態の半導体装置の構造
図5は、第2実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。
図6〜図9は、第2実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
1)第3実施形態の半導体装置の構造
図10は、第3実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。
図11〜図13は、第3実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。なお、第1実施形態と共通の工程については、その説明を一部省略する。
図14は、第4実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。本実施形態の半導体装置は、第1〜第3実施形態のTFETとは異なる構造のFETを備えている。
2:素子分離絶縁膜、3:ウェル領域、4:チャネル領域、
5:高濃度ソース拡散層、6:ドレイン拡散層、7:トンネル接合形成領域、
7a:ソースエクステンション層、7b:拡散抑制層、7c:表面ポケット層、
8:溝、9:半導体層、10:溝、
11:ゲート絶縁膜、11a〜11b:第1〜第2の絶縁膜部分、
12:ゲート電極、12a〜12c:第1〜第3の電極部分、
13:第1の側壁絶縁膜、14:第2の側壁絶縁膜、
15:シリサイド層、16:層間絶縁膜、
21:キャップ絶縁膜、22〜25:レジスト膜、
31:第1の半導体領域、32:第2の半導体領域
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記基板の表面に前記ゲート電極を挟むように形成された、第1導電型のソース拡散層および前記第1導電型と逆導電型の第2導電型のドレイン拡散層と、
前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間に、前記ソース拡散層に接するように形成された接合形成領域とを備え、
前記接合形成領域は、
前記第1導電型のソースエクステンション層と、
前記ソースエクステンション層の上方に形成された、前記第2導電型のポケット層と、
前記ソースエクステンション層と前記ポケット層との間に形成され、炭素およびゲルマニウムを含有しており、前記ソースエクステンション層と前記ポケット層との間での不純物の拡散を抑制する拡散抑制層とを含み、
前記ゲート絶縁膜は、前記基板上に形成された第1の絶縁膜部分と、前記基板上に前記第1の絶縁膜部分と隣接して形成された第2の絶縁膜部分とを含み、
前記ゲート電極は、前記第1の絶縁膜部分上に形成された第1の電極部分と、前記第2の絶縁膜部分上に形成された第2の電極部分と、前記第1の電極部分と前記第2の電極部分とを接続するように形成された第3の電極部分とを含む、
半導体装置。 - 基板と、
前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記基板の表面に前記ゲート電極を挟むように形成された、第1導電型のソース拡散層および前記第1導電型と逆導電型の第2導電型のドレイン拡散層と、
前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間に、前記ソース拡散層に接するように形成された接合形成領域とを備え、
前記接合形成領域は、
前記第1導電型のソースエクステンション層と、
前記ソースエクステンション層の上方に形成された、前記第2導電型のポケット層と、
前記ソースエクステンション層と前記ポケット層との間に形成され、炭素を含有しており、前記ソースエクステンション層と前記ポケット層との間での不純物の拡散を抑制する拡散抑制層と、
を含む半導体装置。 - 前記拡散抑制層はさらに、ゲルマニウムを含有する、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜は、前記基板上に形成された第1の絶縁膜部分と、前記基板上に前記第1の絶縁膜部分と隣接して形成された第2の絶縁膜部分とを含み、
前記ゲート電極は、前記第1の絶縁膜部分上に形成された第1の電極部分と、前記第2の絶縁膜部分上に形成された第2の電極部分と、前記第1の電極部分と前記第2の電極部分とを接続するように形成された第3の電極部分とを含む、
請求項2または3に記載の半導体装置。 - 前記接合形成領域の上面と前記ゲート電極の下面とが対向している領域のゲート長方向の幅は、前記ゲート電極の下面の前記ゲート長方向の幅の半分以上である、
請求項2から4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 基板と、
前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記基板の表面に前記ゲート電極を挟むように形成された、第1導電型の第1のドレイン拡散層および前記第1導電型の第2のドレイン拡散層と、
前記第1のドレイン拡散層と前記第2のドレイン拡散層との間に形成された接合形成領域と、
前記接合形成領域に接するように形成された、前記第1導電型と逆導電型の第2導電型のソース拡散層とを備え、
前記接合形成領域は、
前記第2導電型のソースエクステンション層と、
前記ソースエクステンション層の上方に形成された、前記第1導電型のポケット層と、
前記ソースエクステンション層と前記ポケット層との間に形成され、炭素を含有しており、前記ソースエクステンション層と前記ポケット層との間での不純物の拡散を抑制する拡散抑制層と、
を含む半導体装置。 - さらに、
前記第1のドレイン拡散層と前記接合形成領域との間に介在する、前記第2導電型またはイントリンシック型の第1の半導体領域と、
前記第2のドレイン拡散層と前記接合形成領域との間に介在する、前記第2導電型またはイントリンシック型の第2の半導体領域と、
を備える請求項6に記載の半導体装置。
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