JP5722065B2 - 研磨装置 - Google Patents
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Description
一方、被加工物の用途によって中央部を外周部より薄くして中凹状に形成したい場合もある。
該チャックテーブルは、被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持テーブルを支持する支持部材とを備え、該支持部材には中心部から外周に向けて渦巻状に形成された流体通路が設けられており、
該流体通路に温度制御流体を供給し該保持テーブルの中心部から外周部における被加工物の研磨量を多くしたい領域の温度が高くなるように制御する制御流体供給手段を具備している、
ことを特徴とする研磨装置が提供される。
図1に示す研磨装置1は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ上下方向に配設された直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研磨手段としての研磨ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
と円形状の研磨パッド327とから構成されている。支持基板326はアルミ合金によって形成されており、周方向に間隔をおいてその上面から下方に延びる複数の盲ねじ穴326aが形成されている。支持基板326の下面は円形状の支持面を構成しており、研磨パッド327が両面接着テープによって装着されている。
第1のカセット11に収容された研磨加工前の被加工物としての半導体ウエーハWは被加工物搬送手段15の上下動作および進退動作により搬送され、被加工物仮載置手段13に載置される。被加工物仮載置手段13に載置された半導体ウエーハWは、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段16の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域24に位置せしめられているチャックテーブル機構5のチャックテーブル6の吸着チャック612上に載置される。チャックテーブル6の吸着チャック612上に半導体ウエーハWが載置されたならば、図示しない吸引手段を作動することにより上述したように通路632、吸引通路625、円形の吸引室611b、連通溝611f、環状の吸引室611c、連通溝611h、環状の吸引室611dを介して吸着チャック612に負圧が作用し、吸着チャック612上に載置された半導体ウエーハWを吸引保持する(ウエーハ保持工程)。
例えば、上述した実施形態においては、流体通路622をチャックテーブル6を構成する支持部材62の上面に設けた例を示したが、冷却媒体流通路は保持テーブル61の枠体611の下面に設けてもよい。
また、上述した実施形態においては、温度調整手段71は温度制御流体を常温より低い温度に冷却する例を示したが、被加工物の加工形態によっては温度制御流体を60〜80℃に加熱するようにしてもよい。
また、上述した実施形態においては乾式の研磨パッドを用いて乾式研磨する例を示したが、本発明は研磨パッドによる研磨加工部に研磨液を供給しつつ湿式研磨する湿式研磨装置に適用してもよい。
3:研磨ユニット
31:移動基台
32:スピンドルユニット
321:スピンドルハウジング
322:回転スピンドル
323:サーボモータ
324:工具装着部材
325:研磨工具
326:支持基板
327:研磨パッド
4:研磨送り手段
44:パルスモータ
5:チャックテーブル機構
51:移動基台
56:チャックテーブル機構移動手段
6:チャックテーブル
61:保持テーブル
62:支持部材
622:流体通路
63:支持基台
7:制御流体供給手段
71:温度調整手段
72:可変容量形ポンプ
73:モータ
74:温度制御流体送出管
75:温度制御流体戻し管
76:電磁切り替え弁
11:第1のカセット
12:第2のカセット
13:被加工物仮載置手段
14:洗浄手段
15:被加工物搬送手段
16:被加工物搬入手段
17:被加工物搬出手段
18:洗浄水噴射ノズル
W:半導体ウエーハ
Claims (1)
- 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨パッドを備えた研磨手段と、を具備する研磨装置において、
該チャックテーブルは、被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持テーブルを支持する支持部材とを備え、該支持部材には中心部から外周に向けて渦巻状に形成された流体通路が設けられており、
該流体通路に温度制御流体を供給し該保持テーブルの中心部から外周部における被加工物の研磨量を多くしたい領域の温度が高くなるように制御する制御流体供給手段を具備している、
ことを特徴とする研磨装置。
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