JP2012106293A - ウエーハの研磨方法および研磨装置 - Google Patents

Abstract

【課題】研磨屑の付着を抑制することができるウエーハの研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブルの保持面上に保持されたウエーハの上面をチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研磨送りする研磨パッドによって研磨するウエーハの研磨方法であって、ウエーハを保持したチャックテーブルを回転するとともに、研磨パッドを回転しつつ研磨送りして研磨パッドをウエーハの上面全面に接触させ所定の研磨圧力を付与し、研磨液を供給しつつウエーハの上面を研磨する研磨工程と、研磨工程終了後、チャックテーブルと研磨パッドの回転を維持しつつ研磨パッドによる研磨圧力を開放圧力まで低減するとともに研磨パッドがウエーハに接触している状態で研磨パッドとチャックテーブルを保持面と平行に相対的に所定の移動速度で移動してウエーハの上面を摺動する研削屑払拭工程とを含む。
【選択図】図８

Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを研磨するウエーハの研磨方法および研磨装置に関する。

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。このように複数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。半導体ウエーハの裏面の研削は、通常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固着して形成した研削ホイールを、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行されている。このような研削方式によって半導体ウエーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂加工歪が生成され、これによって個々に分割されたデバイスの抗折強度が低下するという問題がある。

上述した問題を解消するために、研削された半導体ウエーハの裏面を研磨して上記研削歪を除去する研磨装置が下記特許文献１に開示されている。下記特許文献１に開示された研磨装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研磨する研磨パッドを有する研磨手段とを具備し、研磨パッドに研磨液を供給しながら研磨パッドを回転しつつウエーハに押圧することにより、ウエーハの被加工面を研磨する。

特開平８−９９２６５号公報

而して、研削されたウエーハの裏面を研磨すると、研磨屑がウエーハの裏面に付着する。このウエーハの裏面に付着した研磨屑は、研磨作業を実施した後に洗浄しても除去されず、デバイスの品質を低下させるという問題がある。特に、ウエーハの裏面にサブデバイスを形成する場合には、致命的な欠陥となる。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、研磨屑の付着を抑制することができるウエーハの研磨方法および研磨装置を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、チャックテーブルの保持面上に保持されたウエーハの上面をチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研磨送りする研磨パッドによって研磨するウエーハの研磨方法であって、
ウエーハを保持したチャックテーブルを回転するとともに、研磨パッドを回転しつつ研磨送りして研磨パッドをウエーハの上面全面に接触させ所定の研磨圧力を付与し、研磨液を供給しつつウエーハの上面を研磨する研磨工程と、
該研磨工程終了後、チャックテーブルと研磨パッドの回転を維持しつつ研磨パッドによる研磨圧力を開放圧力まで低減するとともに研磨パッドがウエーハに接触している状態で研磨パッドとチャックテーブルを保持面と平行に相対的に所定の移動速度で移動してウエーハの上面を摺動する研削屑払拭工程、とを含む、
ことを特徴とするウエーハの研磨方法が提供される。

上記研磨工程における研磨圧力は２５kPaに設定されており、上記研削屑払拭工程における開放圧力は１〜５kPaに設定されている。
また、上記研削屑払拭工程における移動速度は、１〜４０mm／秒に設定されている。

また、本発明によれば、ウエーハを保持する保持面を備えたチャックテーブルと、チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを研磨する研磨パッドおよび該研磨パッドによる加工領域に研磨液を供給する研磨液供給手段を備えた研磨手段と、該研磨手段をチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研磨送りする研磨送り手段と、該研磨パッドとチャックテーブルを保持面と平行に相対的に移動せしめる移動手段と、チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハに作用する研磨パッドによる研磨圧力を検出するための研磨圧力検出センサーと、該研磨圧力検出センサーからの検出信号に基づいて該研磨送り手段および該移動手段を制御する制御手段と、を具備する研磨装置において、
ウエーハを保持したチャックテーブルを回転するとともに、研磨パッドを回転しつつ研磨送りして研磨液を供給しながら研磨パッドをチャックテーブルに保持されたウエーハの上面に接触させてウエーハを研磨する際に該制御手段は、該研磨圧力検出センサーからの検出信号に基づいて研磨パッドによる研磨圧力が所定値になるように該研磨送り手段を制御し、研磨終了時にチャックテーブルと研磨パッドの回転を維持しつつ該研磨送り手段を制御して研磨パッドによる研磨圧力を開放圧力に低減するとともに研磨パッドがウエーハに接触している状態で該移動手段を制御してウエーハの上面を摺動せしめる、
ことを特徴とする研磨装置が提供される。

本発明によるウエーハの研磨方法および研磨装置によれば、ウエーハを保持したチャックテーブルを回転するとともに、研磨パッドを回転しつつ研磨送りして研磨パッドをウエーハの上面全面に接触させ所定の研磨圧力を付与し、研磨液を供給しつつウエーハの上面を研磨する研磨工程を実施した後に、チャックテーブルと研磨パッドの回転を維持しつつ研磨パッドによる研磨圧力を開放圧力まで低減するとともに研磨パッドがウエーハに接触している状態で研磨パッドとチャックテーブルを保持面と平行に相対的に移動してウエーハの上面を摺動せしめる研削屑払拭工程を実施するので、ウエーハの上面に浮遊している研削屑が払拭され、研削屑が強固に付着することが抑制される。

本発明によって構成された研磨装置の一実施形態を示す斜視図。 図１に示す研磨装置に装備される研磨ユニットを構成する研磨工具を示す斜視図。 図２に示す研磨工具その下面側から見た状態を示す斜視図。 図１に示す研磨装置に装備されるチャックテーブル機構およびチャックテーブル移動機構を示す斜視図。 図１に示す研磨装置に装備される制御手段のブロック構成図。 本発明によるウエーハの研磨方法におけるウエーハ位置付け工程の説明図。 本発明によるウエーハの研磨方法における研磨工程の説明図。 本発明によるウエーハの研磨方法におけるウ研削屑払拭工程の説明図。

以下、本発明によるウエーハの研磨方法および研磨装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。

図１には本発明によるウエーハの研磨方法を実施するための研磨装置の斜視図が示されている。
図１に示す研磨装置１は、全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング２は、細長く延在する直方体形状の主部２１と、該主部２１の後端部（図１において右上端）に設けられ上下方向に配設された直立壁２２とを有している。直立壁２２の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール２２１、２２１が設けられている。この一対の案内レール２２１、２２１に研磨手段としての研磨ユニット３が上下方向に移動可能に装着されている。

研磨ユニット３は、移動基台３１と該移動基台３１に装着されたスピンドルユニット３２を具備している。移動基台３１は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部３１１、３１１が設けられており、この一対の脚部３１１、３１１に上記一対の案内レール２２１、２２１と摺動可能に係合する被案内溝３１２、３１２が形成されている。このように直立壁２２に設けられた一対の案内レール２２１、２２１に摺動可能に装着された移動基台３１の前面には前方に突出した支持部３１３が設けられている。この支持部３１３にスピンドルユニット３２が取り付けられる。

スピンドルユニット３２は、支持部３１３に装着されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に配設された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２を回転駆動するための回転駆動手段としてのサーボモータ３２３とを具備している。回転スピンドル３２２の下端部はスピンドルハウジング３２１の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端には円板形状の工具装着部材３２４が設けられている。なお、工具装着部材３２４には、周方向に間隔をおいて複数のボルト挿通孔（図示していない）が形成されている。この工具装着部材３２４の下面に研磨工具３２５が装着される。研磨工具３２５は、図２および図３に図示すように円形状の支持基台３２６と円形状の研磨パッド３２７とから構成されている。支持基台３２６はアルミ合金によって形成されており、図２に示すように中心部には内径が１０mm程度の研磨液が通る穴３２６ａが形成されている。また、支持基台３２６には、周方向に間隔をおいてその上面から下方に延びる複数の盲ねじ穴３２６bが形成されている。支持基台３２６の下面は円形状の支持面を構成しており、研磨パッド３２７が両面接着テープによって装着されている。

上記支持基台３２６の下面に装着される研磨パッド３２７は、フェルトをウレタンで固めて直径が４５０mmの円形状に形成されており、図３に示すように中心部には内径が１０mm程度の研磨液が通る穴３２７ａが形成されている。また、研磨パッド３２７の下面（研磨面）には格子状に形成された複数の溝３２７bが設けられている。この複数の溝３２７bは、図示の実施形態においては幅が４mm、深さが３mmで１８mmの間隔で形成されている。このように構成された研磨工具３２５は、上記回転スピンドル３２２の下端に固定されている工具装着部材３２４の下面に位置付け、工具装着部材３２４に形成されている貫通孔を通して研磨工具３２５の支持基台３２６に形成されている盲ねじ孔３２６bに締結ボルト３２８（図１参照）を螺着することによって、工具装着部材３２４に装着される。なお、このようにして工具装着部材３２４に装着された研磨工具３２５の研磨パッド３２７に設けられた穴３２７ａは、支持基台３２６に設けられた穴３２６ａを介して図１に示すように回転スピンドル３２２に形成された研磨液供給通路３２２ａに連通されている。この研磨液供給通路３２２ａは、研磨液供給手段３３に接続されている。従って、研磨液供給手段３３が作動すると、研磨液供給通路３２２ａおよび支持基台３２６に設けられた穴３２６ａを介して研磨パッド３２７に設けられた穴３２７ａに研磨砥粒が混入された研磨液が供給される。なお、研磨液としては、コロイダルシリカと水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)や水酸化カリウム(KOH)等のアルカリ溶液とヘキサエチレンセルロース等の親水化処理薬を混合した研磨液を用いることができる。

図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態における研磨装置１は、上記研磨ユニット３を上記一対の案内レール２２１、２２１に沿って上下方向（後述するチャックテーブルの保持面と垂直な方向）に移動せしめる研磨送り手段４を備えている。この研磨送り手段４は、直立壁２２の前側に配設され上下方向に延びる雄ねじロッド４１を具備している。この雄ねじロッド４１は、その上端部および下端部が直立壁２２に取り付けられた軸受部材４２および４３によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材４２には雄ねじロッド４１を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ４４が配設されており、このパルスモータ４４の出力軸が雄ねじロッド４１に伝動連結されている。移動基台３１の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部（図示していない）も形成されており、この連結部には上下方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド４１が螺合せしめられている。従って、パルスモータ４４が正転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ４４が逆転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が上昇即ち後退せしめられる。

図１および図４を参照して説明を続けると、ハウジング２の主部２１にはチャックテーブル機構５が配設されている。チャックテーブル機構５は、支持基台５１と該支持基台５１に配設されたチャックテーブル５２とを含んでいる。支持基台５１は、上記ハウジング２の主部２１上に前後方向（直立壁２２の前面に垂直な方向）である矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向に延在する一対の案内レール２３、２３上に摺動自在に載置されており、後述するチャックテーブル機構移動手段５６によって図１に示す被加工物搬入・搬出域２４（図４において実線で示す位置）と上記スピンドルユニット３２を構成する研磨工具３２５の研磨パッド３２７と対向する研磨域２５（図４において２点鎖線で示す位置）との間で移動せしめられる。

上記チャックテーブル５２は、多孔質セラミッックスの如き適宜の多孔性材料から構成されており、図示しない吸引手段に接続されている。従って、チャックテーブル５２を図示しない吸引手段に選択的に連通することにより、上面である保持面上に載置された被加工物を吸引保持する。なお、チャックテーブル５２は、図示の実施形態においては直径が３００mmのウエーハを保持する大きさに構成されている。また、チャックテーブル５２は、上記支持基台５１に回転可能に支持されている。このチャックテーブル５２は、その下端に装着された回転軸（図示せず）に連結された回転駆動手段としてのサーボモータ５３によって回転せしめられる。なお、図示のチャックテーブル機構５はチャックテーブル５２を挿通する穴を有し上記支持基台５１等を覆うカバー部材５４を備えており、このカバー部材５４は支持基台５１とともに移動可能に構成されている。以上のように構成されたチャックテーブル５２には、図４に示すようにチャックテーブル５２に保持された被加工物に作用する研磨圧力を検出するための研磨圧力検出センサー５２０が配設されている。この研磨圧力検出センサー５２０は、検出信号を後述する制御手段に送る。

図４を参照して説明を続けると、図示の実施形態における研磨装置は、上記チャックテーブル機構５を一対の案内レール２３に沿ってチャックテーブル５２の上面である保持面と平行に矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向に移動せしめるチャックテーブル機構移動手段５６を具備している。チャックテーブル機構移動手段５６は、一対の案内レール２３間に配設され案内レール２３と平行に延びる雄ねじロッド５６１と、該雄ねじロッド５６１を回転駆動するサーボモータ５６２を具備している。雄ねじロッド５６１は、上記支持基台５１に設けられたねじ穴５１１と螺合して、その先端部が一対の案内レール２３、２３を連結して取り付けられた軸受部材５６３によって回転自在に支持されている。サーボモータ５６２は、その駆動軸が雄ねじロッド５６１の基端と伝動連結されている。従って、サーボモータ５６２が正転すると支持基台５１即ちチャックテーブル機構５が矢印２３ａで示す方向に移動し、サーボモータ５６２が逆転すると支持基台５１即ちチャックテーブル機構５が矢印２３ｂで示す方向に移動せしめられる。矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向に移動せしめられるチャックテーブル機構５は、図４において実線で示す被加工物搬入・搬出域と２点鎖線で示す研磨域に選択的に位置付けられる。

図１に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構５を構成する支持基台５１の移動方向両側には、図１に示すように横断面形状が逆チャンネル形状であって、上記一対の案内レール２３、２３や雄ねじロッド５６１およびサーボモータ５６２等を覆っている蛇腹手段６および７が付設されている。蛇腹手段６および７はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段６の前端はハウジング２を構成する主部２１の後半部の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構５の支持基台５１の前端面に固定されている。蛇腹手段７の前端はチャックテーブル機構５の支持基台５１の後端面に固定され、後端は装置ハウジング２の直立壁２２の前面に固定されている。チャックテーブル機構５が矢印２３ａで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段６が伸張されて蛇腹手段７が収縮され、チャックテーブル機構５が矢印２３ｂで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段６が収縮されて蛇腹手段７が伸張せしめられる。

図１に基づいて説明を続けると、装置ハウジング２の主部２１における前半部上には、第１のカセット１１と、第２のカセット１２と、被加工物仮載置手段１３と、洗浄手段１４と、被加工物搬送手段１５と、被加工物搬入手段１６および被加工物搬出手段１７が配設されている。第１のカセット１１は研磨加工前の被加工物を収納し、装置ハウジング２の主部２１におけるカセット搬入域に載置される。第１のカセット１１に収容される被加工物は、例えば半導体ウエーハWであり表面に保護テープTを貼着した状態で裏面を上にして収容される。第２のカセット１２は装置ハウジング２の主部２１におけるカセット搬出域に載置され、研磨加工後の半導体ウエーハWを収納する。被加工物仮載置手段１３は第１のカセット１１と被加工物搬入・搬出域２４との間に配設され、研磨加工前の半導体ウエーハWを仮載置する。洗浄手段１４は被加工物搬入・搬出域２４と第２のカセット１２との間に配設され、研磨加工後の半導体ウエーハWを洗浄する。被加工物搬送手段１５第１のカセット１１と第２のカセット１２との間に配設され、第１のカセット１１内に収納された半導体ウエーハWを被加工物仮載置手段１３に搬出するとともに洗浄手段１４で洗浄された半導体ウエーハWを第２のカセット１２に搬送する。被加工物搬入手段１６は被加工物仮載置手段１３と被加工物搬入・搬出域２４との間に配設され、被加工物仮載置手段１３上に載置された研磨加工前の半導体ウエーハWを被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられたチャックテーブル機構５のチャックテーブル５２上に搬送する。被加工物搬出手段１７は被加工物搬入・搬出域２４と洗浄手段１４との間に配設され、被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられたチャックテーブル５２上に載置されている研磨加工後の半導体ウエーハWを洗浄手段１４に搬送する。また、図示の実施形態における研磨装置は、装置ハウジング２の主部２１における中央部に上記チャックテーブル５２の保持面を洗浄する洗浄水噴射ノズル１８を備えている。この洗浄水噴射ノズル１８は、チャックテーブル機構５が被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられた状態において、チャックテーブル５２に向けて洗浄水を噴出する。

被加工物としての半導体ウエーハWを収容した第１のカセット１１は、装置ハウジング２の主部２１における所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセット搬入域に載置された第１のカセット１１に収容されていた研磨加工前の半導体ウエーハWが全て搬出されると、空のカセット１１に代えて複数個の半導体ウエーハWを収容した新しいカセット１１が手動でカセット搬入域に載置される。一方、装置ハウジング２の主部２１における所定のカセット搬出域に載置された第２のカセット１２に所定数の研磨加工後の半導体ウエーハWが搬入されると、第２のカセット１２が手動で搬出され、新しい空の第２のカセット１２が載置される。

図示の実施形態における研磨装置１は、図５に示す制御手段１０を具備している。制御手段１０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）１０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）１０２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３と、入力インターフェース１０４および出力インターフェース１０５とを備えている。このように構成された制御手段１０の入力インターフェース１０４には、研磨圧力検出センサー５２０等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース１０５からは上記回転スピンドル３２２を回転駆動するための電動モータ３２３、研磨送り手段４のパルスモータ４４、チャックテーブル５２を回転駆動するための電動モータ５３、チャックテーブル機構移動手段５６のサーボモータ５６２等に制御信号を出力する。

図示の実施形態における研磨装置１は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
第１のカセット１１に収容された研磨加工前の被加工物としての半導体ウエーハWは被加工物搬送手段１５の上下動作および進退動作により搬送され、被加工物仮載置手段１３に載置される。被加工物仮載置手段１３に載置された半導体ウエーハWは、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段１６の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域２４に位置せしめられているチャックテーブル機構５のチャックテーブル５２上に載置される。チャックテーブル５２上に載置された被加工物としての半導体ウエーハWは、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル５２上に吸引保持される（ウエーハ保持工程）。

チャックテーブル５２上に半導体ウエーハWを吸引保持したならば、制御手段１０はチャックテーブル機構移動手段５６を作動してチャックテーブル５２を矢印２３ａで示す方向に移動し、チャックテーブル５２を研磨域２５に位置付ける。このようにチャックテーブル５２が研磨域２５に位置付けられると、図６に示すようにチャックテーブル５２に保持された半導体ウエーハＷが研磨パッド３２７の直下に位置付けられ、半導体ウエーハＷの全面が研磨パッド３２７に覆われた状態となる（ウエーハ位置付け工程）。

次に、図示しない研磨液供給手段を作動し、回転スピンドル３２２に形成された研磨液供給通路３２２ａおよび支持基台３２６に設けられた穴３２６ａを介して研磨パッド３２７に設けられた穴３２７ａに上述した研磨液を３００〜７００ミリリットル／分の流量で供給する。そして、制御手段１０は半導体ウエーハＷを保持したチャックテーブル５２を図７において５２aで示す方向に例えば２００〜５００ｒｐｍの回転速度で回転し、上記サーボモータ３２３を駆動して研磨工具３２５を図７において３２５aで示す方向に例えば２００〜５００ｒｐｍで回転するとともに、上記研磨送り手段４のパルスモータ４４を正転駆動して研磨ユニット３を下降即ち前進せしめ、研磨工具３２５の研磨パッド３２７をチャックテーブル５２上の半導体ウエーハＷの裏面（上面）に２５kPaの研磨圧力で押圧する。そして、制御手段１０は、研磨圧力検出センサー５２０からの検出信号に基づいて、研磨圧力が２５kPaになるように研磨送り手段４のパルスモータ４４を制御する。このようにして研磨作業を実行することにより、半導体ウエーハＷの裏面が所定量研磨され、残留加工歪が除去される（研磨工程）。

上記研磨工程終了後、制御手段１０は図８に示すようにチャックテーブル５２と研磨工具３２５の回転を維持しつつ研磨送り手段４のパルスモータ４４を逆転駆動して研磨ユニット３を上昇即ち後退せしめて研磨パッド３２７による研磨圧力を開放圧力（例えば１〜５kPa）まで低減するとともに、研磨パッド３２７が半導体ウエーハＷの裏面（上面）に接触している状態でチャックテーブル機構移動手段５６を作動してチャックテーブル５２を矢印２３bで示す方向に１〜４０mm／秒の移動速度で移動せしめる。この結果、研磨パッド３２７が半導体ウエーハＷの裏面（上面）を摺動し、半導体ウエーハＷを保持しているチャックテーブル５２が図８において２点鎖線で示す位置まで移動すると、半導体ウエーハＷの裏面（上面）に浮遊している研削屑が払拭された状態で露出される（研削屑払拭工程）。従って、半導体ウエーハＷの裏面（上面）に研削屑が強固に付着することが抑制される。なお、図示の実施形態においては、研磨液には上述したようにヘキサエチレンセルロース等の親水化処理薬が混入されているので、半導体ウエーハＷの裏面（上面）の乾燥が抑制され、半導体ウエーハＷの裏面（上面）に研削屑が強固に付着することが更に抑制される。

上記のようにして、研磨作業が終了したら、研磨送り手段４のパルスモータ４４を逆転駆動してスピンドルユニット３２を所定位置まで上昇させるとともに、研磨工具３２５の回転を停止し、更に、チャックテーブル５２の回転を停止する。次に、チャックテーブル機構５は、矢印２３ｂで示す方向に移動されて被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられる。チャックテーブル機構５が被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられたならば、チャックテーブル５２上の研磨加工された半導体ウエーハの吸引保持が解除され、吸引保持が解除された半導体ウエーハWは被加工物搬出手段１７により搬出されて洗浄手段１４に搬送される。洗浄手段１４に搬送された半導体ウエーハWは、ここで洗浄された後に被加工物搬送手段１５よって第２のカセット１２の所定位置に収納される。

２：装置ハウジング
３：研磨ユニット
３１：移動基台
３２：スピンドルユニット
３２１：スピンドルハウジング
３２２：回転スピンドル
３２３：サーボモータ
３２４：工具装着部材
３２５：研磨工具
３２６：支持基台
３２７：研磨パッド
４：研磨送り手段
４４：パルスモータ
５：チャックテーブル機構
５１：支持基台
５２：チャックテーブル
５２０：研磨圧力検出センサー
５６：チャックテーブル機構移動手段
１０：制御手段
１１：第１のカセット
１２：第２のカセット
１３：被加工物仮載置手段
１４：洗浄手段
１５：被加工物搬送手段
１６：被加工物搬入手段
１７：被加工物搬出手段
１８：洗浄水噴射ノズル
W：半導体ウエーハ

Claims (4)

1. チャックテーブルの保持面上に保持されたウエーハの上面をチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研磨送りする研磨パッドによって研磨するウエーハの研磨方法であって、
   ウエーハを保持したチャックテーブルを回転するとともに、研磨パッドを回転しつつ研磨送りして研磨パッドをウエーハの上面全面に接触させ所定の研磨圧力を付与し、研磨液を供給しつつウエーハの上面を研磨する研磨工程と、
   該研磨工程終了後、チャックテーブルと研磨パッドの回転を維持しつつ研磨パッドによる研磨圧力を開放圧力まで低減するとともに研磨パッドがウエーハに接触している状態で研磨パッドとチャックテーブルを保持面と平行に相対的に所定の移動速度で移動してウエーハの上面を摺動する研削屑払拭工程、とを含む、
   ことを特徴とするウエーハの研磨方法。
2. 該研磨工程における研磨圧力は２５kPaに設定されており、該研削屑払拭工程における開放圧力は１〜５kPaに設定されている、請求項１記載のウエーハの研磨方法。
3. 該研削屑払拭工程における移動速度は、１〜４０mm／秒に設定されている、請求項１記載のウエーハの研磨方法。
4. ウエーハを保持する保持面を備えたチャックテーブルと、チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを研磨する研磨パッドおよび該研磨パッドによる加工領域に研磨液を供給する研磨液供給手段を備えた研磨手段と、該研磨手段をチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研磨送りする研磨送り手段と、該研磨パッドとチャックテーブルを保持面と平行に相対的に移動せしめる移動手段と、チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハに作用する研磨パッドによる研磨圧力を検出するための研磨圧力検出センサーと、該研磨圧力検出センサーからの検出信号に基づいて該研磨送り手段および該移動手段を制御する制御手段と、を具備する研磨装置において、
   ウエーハを保持したチャックテーブルを回転するとともに、研磨パッドを回転しつつ研磨送りして研磨液を供給しながら研磨パッドをチャックテーブルに保持されたウエーハの上面に接触させてウエーハを研磨する際に該制御手段は、該研磨圧力検出センサーからの検出信号に基づいて研磨パッドによる研磨圧力が所定値になるように該研磨送り手段を制御し、研磨終了時にチャックテーブルと研磨パッドの回転を維持しつつ該研磨送り手段を制御して研磨パッドによる研磨圧力を開放圧力に低減するとともに研磨パッドがウエーハに接触している状態で該移動手段を制御してウエーハの上面を摺動せしめる、
   ことを特徴とする研磨装置。

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