JPH0530592B2 - - Google Patents

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JPH0530592B2
JPH0530592B2 JP60239362A JP23936285A JPH0530592B2 JP H0530592 B2 JPH0530592 B2 JP H0530592B2 JP 60239362 A JP60239362 A JP 60239362A JP 23936285 A JP23936285 A JP 23936285A JP H0530592 B2 JPH0530592 B2 JP H0530592B2
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JP
Japan
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polishing
wafer
tertiary
wafers
polishing mechanism
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JP60239362A
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JPS62124866A (ja
Inventor
Takao Nakamura
Kyoshi Akamatsu
Takashi Shimura
Masaru Tsukahara
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60239362A priority Critical patent/JPS62124866A/ja
Publication of JPS62124866A publication Critical patent/JPS62124866A/ja
Publication of JPH0530592B2 publication Critical patent/JPH0530592B2/ja
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はウエハ、たとえばシリコンウエハの研
磨装置に係り、特に、ウエハを枚葉式且つ自動的
に研磨して、スクラツチフリー、ヘイズフリーの
高品位のウエハを容易に且つ高歩留りで得るに好
適な研磨装置に関するものである。
〔発明の背景〕 ウエハ、たとえば超LSI用シリコンウエハの研
磨プロセスは、前工程(これは一般にエツチング
工程)で生じた加工変質層(約10〜30μmの層)
を除去するために高能率研磨を実施する1次ポリ
シングと、この1次ポリシング後のウエハの表面
をスクラツチフリーの表面粗さに鏡面仕上げする
2次ポリシングと、この2次ポリシング後のウエ
ハの表面をヘイズフリー(すなわち、くもりのな
い)の表面に研磨する3次ポリシングとからなつ
ている。
従来、前記1次〜3次ポリシングを実施するに
使用されている研磨装置(詳細後述)は、それぞ
れ独立したものであつた。そして、作業者が、そ
れぞれの研磨装置へのウエハの着脱を手作業で行
ない、各次ポリシング間でウエハ表面の洗浄を行
なつていた。したがつて、研磨作業の能率が悪い
のみならず、ウエハにダメージを与えたり、汚染
したりするなどの問題点があつた。しかも、6″φ
以上の大きさのウエハは、手作業による取扱いが
困難になつてきた。
以下、図面を用いて、これらの問題点を説明す
る。
第4図は、従来のウエハの研磨装置(1次ポリ
シング用)の一例を示す略示側面図である。
この研磨装置は、1枚あるいは数枚のウエハ1
を、接着もしくは真空吸着によつて各加圧プレー
ト28に固定し、これら加圧プレート28をポリ
シ定盤3上に押圧しながら前記ウエハ1を研磨す
るに使用されるものである(エレクトロニクス用
結晶材料の精密加工技術、p242、サイエンスフ
オーラム出版、昭和60年1月30日に記載のもの)。
この研磨方法を詳しく説明すると、ポリシ定盤
3がその回転駆動軸3aのまわりに回転させ、ま
た加圧プレート28を、その回転駆動軸28aの
まわりに回転駆動させるとともに、ウエハ1をポ
リシングクロス3bへ押圧しながら、ノズル5か
ら研磨剤4を供給することによつて、ウエハ1の
1次ポリシングを行ない加工変質層を除去する。
この1次ポリシングののち、作業者が、ウエハ
1を加圧プレート28から取外し、あるいは加圧
プレート28のまま該ウエハ1を洗浄し、2次ポ
リシング用の研磨装置へ装着する。この研磨装置
の構成は、前記1次ポリシング用の研磨装置とほ
とんど同じであつて、ポリシングクロス、研磨剤
などが異なるのみである。そして、この研磨装置
によつて2次ポリシングして、ウエハ表面をスク
ラツチフリーの表面粗さに仕上げる。
この2次ポリシングののち、作業者が、さきと
同様にしてウエハ1を洗浄し、3次ポリシング用
の研磨装置へ装着する。この研磨装置の構成は、
前記1次、2次ポリシング用の研磨装置とほとん
ど同じであつて、ポリシングクロス、研磨剤など
が異なるのみである。そして、この研磨装置によ
つて3次ポリシングして、ヘイズフリーの表面に
研磨する。研磨終了後、ウエハ1を洗浄する。
このように、従来のウエハの研磨装置を使用し
た研磨方法によれば、作業者が、ウエハ1、ある
いはウエハ1を接着した加圧プレート28を、各
ポリシング間で搬送し、洗浄し、装着するのであ
るから、研磨作業の能率が悪いのみならず、作業
ミスによつてウエハ1にダメージを与えて歩留り
を悪くしたり、ウエハ1表面を汚染させたりする
などの問題点があつた。また、近年5″φから6″φ、
8″φへとウエハの大口径化にともない、作業者が
そのウエハ自体を取扱うことも難しくなつてきて
いる。
上記した理由から、ウエハを1枚ずつ研磨して
処理する枚葉式で、且つその研磨を自動化した研
磨装置の開発が行なわれているが、それらの多く
は1次ポリシングのみを実施することができる研
磨装置であり、前記した超LSI用シリコンウエハ
の研磨プロセスに適用できるものではない。
1次ポリシングと2次ポリシングとを実施する
ことができる研磨装置として、第5図に示す研磨
装置が開発されている。
第5図は、従来の研磨装置の他の例(1次ポリ
シングと2次ポリシングとを実施可能)を示す略
示平面図である。
この研磨装置は、ポリシ定盤30を、外周部2
0と内周部21とに分離し、ウエハ1を吸着する
ことができる真空チヤツク29をアーム29aに
よつて揺動可能に保持したものである。
このように構成した研磨装置を使用することに
より、真空チヤツク29によつてウエハ1を吸着
し、まずその真空チヤツク29を外周部20上で
揺動させることによりウエハ1の1次ポリシング
を行なつたのち、継続して前記真空チヤツク29
を内周部21上で揺動させることにより2次ポリ
シングを実施することができる。しかしこの研磨
装置を使用したとしても、3次ポリシングまでの
研磨プロセスを自動的に実施することはできな
い。
以上述べたように、従来の研磨装置は、1次ポ
リシングのみ、あるいは1次および2次ポリシン
グまでを、枚葉式且つ自動的に実施することがで
きるものの、半導体素子の超集積を達成するため
に必要な、ヘイズフリーの高品位の超LSI用シリ
コンウエハを枚葉式に且つ自動的に加工すること
ができる研磨装置がなかつた。
〔発明の目的〕
本発明は、上記した従来技術の問題点を改善し
て、ウエハを枚葉式且つ自動的に研磨して、スク
ラツチフリー、ヘイズフリーの高品位のウエハ
を、容易に且つ高能率に得ることができる研磨装
置の提供を、その目的とするものである。
〔発明の概要〕
本発明に係る研磨装置の構成は、それぞれに、
ポリシ定盤、このポリシ定盤上へ研磨剤を供給す
るノズル、前記ポリシ定盤に対向して配設され、
ウエハを保持した状態で前記ポリシ定盤上を揺動
することができるウエハ保持手段、このウエハ保
持手段によつて保持された前記ウエハを前記ポリ
シ定盤上へ押圧することができるエアシリンダを
具備せしめた、1次ポリシング用の1次研磨機
構、2次ポリシング用の2次研磨機構、3次ポリ
シング用の3次研磨機構をその順に並べて配設
し、前記1次研磨機構側から3次研磨機構側へ移
動しその方向へウエハを搬送する搬送ベルトを収
納することができ、且つ3次研磨機構側から1次
研磨機構側へ清浄水を流すことができる流路を有
し、この流路の途中に洗浄具を具備した搬送兼洗
浄装置を前記1次、2次、3次研磨機構に沿つて
配設し、この搬送兼洗浄装置の1次研磨機構側
に、複数個のウエハを収納することができる研磨
前ウエハ用カセツトと、この研磨前ウエハ用カセ
ツトから前記搬送ベルト上へウエハを1個ずつ供
給することができる供給手段とを有する供給装置
を設け、前記搬送兼洗浄装置の3次研磨機構側
に、複数個のウエハを収納することができる研磨
後ウエハ用カセツトと、前記3次研磨機構によつ
て3次ポリシングを終了したウエハを前記搬送ベ
ルト上から前記研磨後ウエハ用カセツトへ1個ず
つ収納することができる収納手段とを有する収納
装置を設け、前記各次研磨機構の近傍に、前記搬
送ベルト上を移動してきたウエハを把持しこれを
当該研磨機構のウエハ保持手段へ渡し、当該研磨
機構によつて研磨したウエハをウエハ保持手段か
ら受取りこれを前記搬送ベルト上へ戻すことがで
きるロボツトを設けるようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例によつて説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る研磨装置を
示す略示平面図、第2図は、第1図に係る研磨装
置の略示正面図、第3図は、第1図における搬送
兼洗浄装置の要部を示す部分断面図である。
本実施例の研磨装置の概要は、それぞれ、1次
ポリシング、2次ポリシング、3次ポリシングを
実施することができる1次研磨機構7、2次研磨
機構8、3次研磨機構9を並べて配設し、前記1
次研磨機構7側から3次研磨機構9側へ向かつて
ウエハ1を1枚ずつ搬送しながら該ウエハ1を洗
浄することができる搬送兼洗浄装置27を前記1
次研磨機構7〜3次研磨機構9に沿つて配設し、
この搬送兼洗浄装置27の1次研磨機構7側に、
ウエハ1を1枚ずつ供給することができる供給装
置17を設け、前記搬送兼洗浄装置27の3次研
磨機構9側に、3次ポリシングまで終了したウエ
ハ1を1枚ずつ収納することができる収納装置1
8を設け、前記搬送兼洗浄装置27の搬送ベルト
10上を搬送されてきたウエハ1を把持し、該ウ
エハ1をそれぞれ、前記1次研磨機構7、2次研
磨機構8、3次研磨機構9の真空チヤツク2へ渡
し、当該研磨機構で研磨した前記ウエハを真空チ
ヤツク2から受取り再び搬送ベルト10上へ戻す
ことができるロボツト11a,11b,11cを
設けたものである。
つぎに、この研磨装置の構成を詳細に説明す
る。
7は、1次研磨機構であつて、この1次研磨機
構7は、表面にポリシングクロス(図示せず)を
接着したポリシ定盤3と、このポリシ定盤3を回
転させる駆動モータ(図示せず)と、ポリシ定盤
3の前記ポリシングクロス上へ研磨剤4を供給す
るノズル5と、ポリシ定盤3に対向して上下動可
能に配設され、ウエハ1を保持した状態で該ポリ
シ定盤3上を揺動することができる、アーム2a
の先端に真空チヤツク2を取付けてなるウエハ保
持手段と、真空チヤツク2に吸着されたウエハ1
をポリシ定盤3上へ押圧することができるエアシ
リンダ6とを有している。
2次研磨機構8、3次研磨機構9の構成も、前
記1次研磨機構7と同一であるが、ポリシ定盤3
に接着するポリシングクロスの材質が異なる。た
とえば、シリコンウエハを研磨する場合には、1
次研磨機構7用のポリシングクロスは硬質のポリ
ウレタン含浸のポリエステル繊維からなるクロス
を、2次研磨機構8用は軟質の発泡ポリウレタン
表層のポリウレタン含浸のポリエステル繊維から
なるクロスを、3次研磨機構9用は前記2次研磨
機構8用のクロスと同一のクロスを、それぞれ使
用する。そして、これら1次研磨機構7、2次研
磨機構8、3次研磨機構9は、その順に並べて配
設されている。
27は、搬送兼洗浄装置であつて、この搬送兼
洗浄装置27は、1次研磨機構7側から3次研磨
機構9側へ移動しその方向へウエハ1を搬送す
る、モータ10aによつて駆動されるエンドレス
の搬送ベルト10を収納することができ、且つ3
次研磨機構9側から1次研磨機構7側へ清浄水1
9を流すことができる、溝形断面の流路24を有
し、この流路24の途中に洗浄具に係るロールブ
ラシ15a,15b,15cを具備したものであ
り、前記1次研磨機構7、2次研磨機構8、3次
研磨機構9に沿つて配設されている。
26は、清浄水製造装置、25は、この清浄水
製造装置26から出た清浄水19を搬送兼洗浄装
置27の流路24の3次研磨機構9側へ送り、こ
の流路24内を1次研磨機構7側へ流した清浄水
19を再び清浄水製造装置26へ戻して循環させ
るポンプである。清浄水19を3次研磨機構9側
から1研磨機構7側へ流すことにより、3次ポリ
シング終了のウエハ1の洗浄時における清浄度を
高くすることができる。
17は、搬送兼洗浄装置27の1次研磨機構7
側に配設された供給装置であつて、この供給装置
17は、複数個のウエハ1を上下方向に収納する
ことができる、上下動可能な研磨前ウエハ用カセ
ツト12と、この研磨前ウエハ用カセツト12か
ら搬送ベルト10上へウエハ1を1枚ずつ供給す
ることができる供給手段に係るプツシヤ14aと
を有しており、前記研磨前ウエハ用カセツト12
は、プツシヤ14aによつてウエハ1を1枚供給
するごとに1段ずつ上昇して、次のウエハ1を供
給することができるように位置決めされるように
なつている。
18は、搬送兼洗浄装置27の3次研磨機構9
側に配設された収納装置であつて、この収納装置
18は、複数個のウエハ1を上下方向に収納する
ことができる、上下動可能な研磨後ウエハ用カセ
ツト13と、3次研磨機構9によつて3次ポリシ
ングを終了し搬送ベルト10上を移動してきたウ
エハ1を把持してこれを研磨後ウエハ用カセツト
13へ1個ずつ収納することができる収納手段に
係る、ハンド部(図示せず)を具備した把持装置
14bとを有しており、前記研磨後ウエハ用カセ
ツト13は、把持装置14bによつてウエハ1を
1枚収納するごとに1段ずつ下降して、次のウエ
ハ1を収納することができるように位置決めされ
るようになつている。
11aは、1次研磨機構7の近傍に配設され
た、腕23aの先端に視覚機能を有するハンド部
22aを取付けてなるロボツトであり、このロボ
ツト11aは、搬送ベルト10上を移動してきた
ウエハ1を前記視覚によつて検知したとき搬送ベ
ルト10を停止させ、前記ウエハ1をハンド部2
2aで把持しこれを1次研磨機構7の真空チヤツ
ク2の下まで搬送し、そのウエハ1を該真空チヤ
ツク2へ渡すことができ、また、この1次研磨機
構7によつて1次ポリシングを終了したウエハ1
を真空チヤツク2からハンド部22aで受取りこ
れを搬送ベルト10上へ戻すことができるもので
ある。
ロボツト11b,11cは、それぞれ2次研磨
機構8、3次研磨機構9の近傍に配設されてお
り、その構成は前記ロボツト11aと同様であ
る。
図示してないが、この研磨装置には、前記各次
研磨機構7〜9、搬送兼洗浄装置27、供給装置
17、収納装置18、ロボツト11a,11b,
11cの動作を制御することができる制御装置が
装備されている。
7a,8a,9aは、それぞれ1次研磨機構
7、2次研磨機構8、3次研磨機構9をその内部
に収納し、ダクト16a,16b,16cを接続
したクリーン室であつて、これらダクト16a,
16b,16cの先には、前記各クリーン室7a
〜9a内の空気を独立に清浄にすることができる
清浄装置(図示せず)が取付けられている。
このように構成した研磨装置の動作を説明す
る。
研磨剤4としては、たとえばシリコンウエハを
研磨する場合には、1次研磨機構7用にアルカリ
性PH≒11のクロイダルシリカを、2次研磨機構8
用に前記1次研磨機構7用のものよりアルカリ性
が若干弱いPH≒10.5のクロイダルシリカを、3次
研磨機構9用に微細シリカ粒子をアンモニア水中
に分散させた研磨剤を、それぞれ使用する。
まず、前記制御装置に、研磨するウエハ1の枚
数、各研磨装置7〜9における研磨圧力、研磨時
間、ポリシ定盤3の回転速度、ウエハ保持手段の
アーム2aの揺動角と時間当りの揺動回数、搬送
ベルト10の移動速度を設定する。
ここで研磨装置をONにすると、ポンプ25が
回転して、清浄水製造装置26から出た清浄水1
9が搬送兼洗浄装置27の流路24内を3次研磨
機構9側から1次研磨機構7側へ流れたのち、再
び清浄水製造装置26へ戻つて循環する。搬送ベ
ルト10が設定移動速度で右側(第1図において
右側)へ移動を開始する。各研磨装置7〜9のク
リーン室7a〜9aのダクト16a〜16cに接
続されている前記清浄装置が稼動し、各クリーン
室7a〜9a内の空気が、それぞれ独立に清浄に
保持される。
プツシヤ14aが前進し、研磨前ウエハ用カセ
ツト12内から1枚のウエハ1が押出されて搬送
ベルト10上に置かれ、そのウエハ1が搬送ベル
ト10上を、清浄水19で洗浄されながら右側へ
送られる。研磨前ウエハ用カセツト12が1段上
昇する。初期位置(第1図に示す位置)にあつ
た、1次研磨機構7のロボツト11aが、搬送ベ
ルト10上を送られてきたウエハ1を、その視覚
によつて検知したとき、搬送ベルト10が停止す
る。そして、そのウエハ1がロボツト11aのハ
ンド部22aによつて把持され、該ロボツト11
aの腕23aが矢印方向へ旋回する。ウエハ1が
真空チヤツク2の下にきたとき前記腕23aの旋
回が停止する。真空チヤツク2が下降し、前記ウ
エハ1が真空チヤツク2に吸着されて、ロボツト
11aのハンド部22aから離れる。ロボツト1
1aの腕23aは旋回して初期位置へ戻る。エア
シリンダ6によつて真空チヤツク2が押圧され、
ウエハ1がポリシ定盤3上に設定研磨圧力(この
1次ポリシングの研磨圧力は0.2Kgf/cm2以上)
で加圧される。ノズル5から研磨剤4が供給さ
れ、ポリシ定盤3が設定回転速度で回転するとと
もに、ウエハ保持手段のアーム2aが設定揺動角
および揺動回数で揺動運動を行ない、ウエハ1の
表面の1次ポリシングが行なわれる。この1次ポ
リシングにおいてウエハ1は10〜30μm研磨され
る。
設定研磨時間が経過すると、ポリシ定盤3の回
転およびウエハ保持手段のアーム2aの揺動運動
が停止し、ノズル5からの研磨剤4の供給も停止
して、アーム2aによつて真空チヤツク2が上昇
してその初期位置へ戻る。ロボツト11aの腕2
3aが旋回し、ハンド部22aが真空チヤツク2
の下へきて停止する。真空チヤツク2が下降し、
1次ポリシングを終了したウエハ1がロボツト1
1aのハンド部22aで把持される。真空チヤツ
ク2は再び初期位置へ戻る。ロボツト11aの腕
23aが旋回し、ウエハ1が搬送ベルト10の上
にきたとき、その旋回を停止する。このとき搬送
ベルト10が移動しておれば、これを停止させ
る。ウエハ1がロボツト11aのハンド部22a
から離れて、搬送ベルト10上へ置かれる。これ
と同時に、プツシヤ14aが前進し、研磨前ウエ
ハ用カセツト12から次の1枚のウエハ1が押出
され、搬送ベルト10上へ置かれる。搬送ベルト
10が移動し、ロールブラシ15aが回転する。
前記両ウエハ1は、搬送ベルト10に乗つて右側
へ移送される。すなわち、1次ポリシングを終了
したウエハ1は、清浄水19で洗われ、ロールブ
ラシ15aでさらに表面を洗浄されて、2次研磨
機構8側へ移送される。一方、新たに供給された
ウエハ1は、清浄水19で洗浄されながら右側へ
送られる。そして、さきと同様にして、ロボツト
11aがウエハ1を検知したとき、搬送ベルト1
0が停止し、そのウエハ1がロボツト11aのハ
ンド部22aによつて把持され、1次研磨機構7
へ運ばれそこで1次ポリシングされる。2次研磨
機構8側へ移送されたウエハ1については、ロボ
ツト11bがそのウエハ1を検知したとき、搬送
ベルト10が移動しておればこれを停止させ、ロ
ボツト11bが該搬送ベルト10上のウエハ1を
把持し、これを2次研磨機構8へ運び、ここで前
記1次研磨機構7におけると同様にして、2次ポ
リシングされる。この2次ポリシングの研磨圧力
は前記1次ポリシングの研磨圧力よりも小さく、
また研磨時間も短い。
2次ポリシングを終了したウエハ1はロボツト
11bによつて把持され、搬送ベルト10の上ま
で運ばれる。このとき搬送ベルト10が移動して
おればこれを停止させ、そのウエハ1を搬送ベル
ト10上に置く。搬送ベルト10が移動し、ロー
ルブラシ15bが回転し、そのウエハ1は清浄水
19で洗われ、ロールブラシ15bで洗浄されて
3次研磨機構9側へ移送される。ロボツト11c
がそのウエハ1を検知したとき、搬送ベルト10
が移動しておればこれを停止させ、ロボツト11
cが該搬送ベルト10上を移送されてきたそのウ
エハ1を把持し、これを3次研磨機構9へ運び、
ここで3次ポリシングされる。この3次ポリシン
グの研磨圧力は前記2次ポリシングの研磨圧力よ
りも小さく、また研磨時間も短い。
3次ポリシングを終了したウエハ1はロボツト
11cによつて把持され、搬送ベルト10の上ま
で運ばれる。このとき搬送ベルト10が移動して
おればこれを停止させ、そのウエハ1を搬送ベル
ト10上に置く。搬送ベルト10が移動し、ロー
ルブラシ15cが回転し、そのウエハ1は清浄水
19で洗われ、ロールブラシ15cで洗浄されて
右側へ移送される。
把持装置14bが作動し(このとき搬送ベルト
10が移動しておればこれを停止させ)、前記ハ
ンド部によつて、搬送ベルト10上の3次ポリシ
ングまで終了したウエハ1を把持し、これを研磨
後ウエハ用カセツト13内へ収納する。そして、
研磨後ウエハ用カセツト13が1段下降する。こ
の間、研磨前ウエハ用カセツト12から搬送ベル
ト10上へ、前述したようにして、ウエハ1が逐
次1枚すつ供給され、各次ポリシングが実施され
る。設定枚数だけのウエハ1が研磨後ウエハ用カ
セツト13内へ収納されたとき研磨装置がOFF
になり、ポンプ25、搬送ベルト10、前記清浄
装置が停止し、所望枚数の研磨したウエハ1が得
られる。
以上説明した実施例によれば、ウエハ1を1
次、2次、3次ポリシングと一貫して自動研磨で
き、スクラツチフリー、ヘイズフリーのウエハ1
を自動的に研磨前ウエハ用カセツト12から研磨
後ウエハ用カセツト13へ収納することができる
ように構成したので、大口径の超LSI用の高品位
ウエハを容易に、高能率に、且つ高い歩留りで得
ることができるという効果がある。また、1次、
2次、3次ポリシング用の研磨機構7,8,9を
一体化して構成したことにより、従来の大型研磨
装置をそれぞれの工程に設ける必要がなく、且つ
各工程間の洗浄設備のスペースも縮減されるの
で、省スペースの効果がきわめて大きい。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によれば、ウ
エハを枚葉式且つ自動的に研磨して、スクラツチ
フリー、ヘイズフリーの高品位のウエハを、容易
に且つ高能率に得ることができる研磨装置を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る研磨装置を
示す略示平面図、第2図は、第1図に係る研磨装
置の略示正面図、第3図は、第1図における搬送
兼洗浄装置の要部を示す部分断面図、第4図は、
従来のウエハ研磨装置(1次ポリシング用)の一
例を示す略示側面図、第5図は、従来の研磨装置
の他の例(1次ポリシングと2次ポリシングとを
実施可能)を示す略示平面図である。 1……ウエハ、2……真空チヤツク、2a……
アーム、3……ポリシ定盤、4……研磨剤、5…
…ノズル、6……エアシリンダ、7……1次研磨
機構、8……2次研磨機構、9……3次研磨機
構、10……搬送ベルト、11a,11b,11
c……ロボツト、12……研磨前ウエハ用カセツ
ト、13……研磨後ウエハ用カセツト、14a…
…プツシヤ、14b……把持装置、15a,15
b,15c……ロールブラシ、17……供給装
置、18……収納装置、19……清浄水、24…
…流路、27……搬送兼洗浄装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 それぞれに、ポリシ定盤、このポリシ定盤上
    へ研磨剤を供給するノズル、前記ポリシ定盤に対
    向して配設され、ウエハを保持した状態で前記ポ
    リシ定盤上を揺動することができるウエハ保持手
    段、このウエハ保持手段によつて保持された前記
    ウエハを前記ポリシ定盤上へ押圧することができ
    るエアシリンダを具備せしめた、1次ポリシング
    用の1次研磨機構、2次ポリシング用の2次研磨
    機構、3次ポリシング用の3次研磨機構をその順
    に並べて配設し、前記1次研磨機構側から3次研
    磨機構側へ移動しその方向へウエハを搬送する搬
    送ベルトを収納することができ、且つ3次研磨機
    構側から1次研磨機構側へ清浄水を流すことがで
    きる流路を有し、この流路の途中に洗浄具を具備
    した搬送兼洗浄装置を前記1次、2次、3次研磨
    機構に沿つて配設し、この搬送兼洗浄装置の1次
    研磨機構側に、複数個のウエハを収納することが
    できる研磨前ウエハ用カセツトと、この研磨前ウ
    エハ用カセツトから前記搬送ベルト上へウエハを
    1個ずつ供給することができる供給手段とを有す
    る供給装置を設け、前記搬送兼洗浄装置の3次研
    磨機構側に、複数個のウエハを収納することがで
    きる研磨後ウエハ用カセツトと、前記3次研磨機
    構によつて3次ポリシングを終了したウエハを前
    記搬送ベルト上から前記研磨後ウエハ用カセツト
    へ1個ずつ収納することができる収納手段とを有
    する収納装置を設け、前記各次研磨機構の近傍
    に、前記搬送ベルト上を移動してきたウエハを把
    持しこれを当該研磨機構のウエハ保持手段へ渡
    し、当該研磨機構によつて研磨したウエハをウエ
    ハ保持手段から受取りこれを前記搬送ベルト上へ
    戻すことができるロボツトを設けたことを特徴と
    する研磨装置。
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