KR20010041290A - 웨이퍼의 페이스-업 면 처리용 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

반도체 웨이퍼용 폴리싱 장치는 각각의 위치용으로 차등 면 처리 설비를 가지고, 복합 웨이퍼 위치(31-36)를 운반하는 회전형 환형 링(60)이 있는 인덱스 테이블(26)을 구비한다. 테이블의 각각의 인덱스 모션으로, 테이블에 순차적으로 로드 및 언로드되는 반면에, 인덱스 테이블의 잔류 스테이션에 있는 웨이퍼는 이어지는 면 처리 단계를 위해 이동된다. 각각의 위치에 면 처리 공정은 모니터되어, 선택적으로, 이어지는 면 처리 단계가 처리를 받는 기판의 필요한 최종 상태가 달성되도록 변경될 수 있다.

Description

웨이퍼의 페이스-업 면 처리용 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR THE FACE-UP SURFACE TREATMENT OF WAFERS}

양질의 반도체 웨이퍼는, 대량 디바이스를 제공하도록 각각의 웨이퍼가 궁극적으로 분할되는 집적 디바이스의 상업적 생산물에 사용된다. 집적회로 생산 중에는 반복되는 정밀한 공정이 요구된다. 부가적인 조작을 이행하여 반도체 웨이퍼 블랭크의 고유 값을 상당히 높게하여서 효과적으로 증가시킬 수 있다. 집적회로 생산 비용을 절감하기 위한 매리트의 일 면에는 집적회로 디바이스의 수가 특정한 반도체 웨이퍼로부터 획득될 수 있다는 것이다. 전자 부품의 지속적인 소형화로, 집적회로 디바이스의 최종 크기는 더욱 작아지고 있다.

따라서, 반도체 웨이퍼에 회로(또는 회로 밀도)의 수가 증가하여, 인접 전자 구조(예를 들면, 전도 라인) 사이에 공간이 유효하게 크기가 감소되고 있다. 복합 스테이지 매스 동작으로 반도체 웨이퍼에 작업을 하는 것이 안정적인 것으로 알려져 있으며, 각 스테이지는 단일 동작으로 전체 웨이퍼를 통한 회로 층을 발생시킨다. 상기 작업은 일반적으로 포토그래픽 기술을 이용한다. 그러나, 전자 디바이스의 상대적 크기의 감소로, 집적회로를 생산하는데 사용되는 이미징 처리 분야의 촛점 및 심도가 반도체 웨이퍼 기판에 면 변화에 감응성을 증가하게 한다. 이러한 사실은 향상된 면이 있는, 특정하게는 우수한 평탄 면을 가지는 반도체 웨이퍼의 필요도를 증가시키었다. 구조 공정 중에, 층이 기초층의 정상부에 만들어지는 컨덕터와 유전 구조를 가지며, 반도체 웨이퍼 면에 더해지거나 또는 그에 합체된다. 각각의 상기 작업 후에는 생성된 노출 면의 필요한 평면을 재저장할 필요가 있음이 발견되어져 있다. 반도체 웨이퍼의 재저장 평면(flatness)(일반적으로 "편평면(planarization)"으로 언급)이 다양한 웨이퍼 폴리싱 기술을 사용하여 달성된다. 상기 폴리싱 작업은 일반적으로 웨이퍼 캐리어 또는 척크의 플랩 기준 면에 반도체 웨이퍼의 일 측부를 부착하는 단계와 플랩 폴리싱 면에 대하여 웨이퍼의 노출 면을 압압하는 단계를 포함한다. 폴리싱 작업 중에, 폴리싱 면과 웨이퍼 면 모두가 폴리싱 작업이 더욱 향상되도록 회전 또는 상대적 진동을 받도록 만들어진다. 폴리싱 면은 일반적으로 경성 평면 테이블에 부착된 패드를 포함한다. 필요한 연마성 및/또는 화학적 성질을 가진 특정하게 구성된 슬러리(slurry)가 폴리싱 처리부에 유입된다. 패드, 슬러리 및 웨이퍼와 폴리싱 면의 상대적 운동의 합성 효과는 웨이퍼 면의 향상된 화학적/기계적 처리가 이루어지게 한다.

집적회로 생성을 위한 실질적 폴리싱 작업에서의 일 주요한 목적은 저 레벨(예를 들면, 0.1미크론 이하)로 면 변화를 감소시키는 것이다. 대체로 오랜 세월에 걸친 발전으로 상당히 편평한 면을 얻을 수 있는 제조를 이루었다 하더라도, 전체 공정의 거의 모든 부품에 대한 정밀 공정처리에 주의를 기울일 필요는 있는 것이다. 예를 들면, 반도체 기판 면에 기계적 작업을 수행하여 슬러리의 화학적/연마성 부품을 전달할 시에 신뢰받는 폴리싱 패드의 생성물 및 다음 생성물의 향상을 위해 상당한 관심을 기울여 왔다. 폴리싱 공정 중에 발전되는 소비 입자(spent particles)가 정확하게 제어되는 특성을 변경하여 상당히 짧은 기부에 패드 대체를 요구하며, 폴리싱 패드 내에 매립되는 것으로 관찰되어져 왔다. 따라서, 폴리싱 패드는 폴리싱 작업의 소비성 성분인 것으로 이해된다. 그런데, 필요한 평편면을 반도체 웨이퍼에 부여하는데 필요한 정밀한 면 성질의 획득을 위한 폴리싱 패드의 공정 및 다음 공정 처리에는 상당한 비용을 소비하여야 한다. 근래 산업 제안서에서는 8인치 에서 12인치 직경으로 반도체 웨이퍼 사이즈가 대체로 증가할 가능성이 상승되어져 있다고 고시하고 있다. 소요 비용 및 기술면에서 차이는 폴리시 패드 사이즈에 증가 시에 과거에 제안되어져 있는 문제와 직면하게 된다. 웨이퍼 폴리싱의 속도 또는 설정된 생산에서의 웨이퍼 생산량은 항시 관심의 대상으로 있으며 대형 웨이퍼 사이즈가 주게되는 문제를 해결하려는 시도 뒤에 놓이게 된다. 본 발명은, 대형 사이즈 반도체 웨이퍼의 향상된 폴리싱, 특히 급속도 자동 폴리싱을 생산하는 방법 및 장치의 제기된 필요를 해결하는 것이다.

본 발명은 작업 피스의 면 처리에 관한 것으로서, 특히 반도체 웨이퍼에서 수행되는 폴리싱 및 그와 같은 면 처리 작업에 관한 것이다.

도 1은 본 발명의 원리에 따르는 웨이퍼 폴리싱 장치의 사시도.

도 2는 도 1의 2-2선을 따라 취해진 폴리싱 장치의 단면도.

도 3은 도 2의 3-3선을 따라 취해진 폴리싱 장치를 입면으로 나타낸 단면도.

도 4는 확대하여 나타낸 그와 결합 동작하는 폴리싱 헤드를 나타내는, 도 3의 우측 부분을 부분적 단면으로 나타낸 도면.

도 5는 도 1의 5-5선을 따라 취해진 단면도.

도 6은 도 4의 도면과 유사하며 제거되어진 웨이퍼를 나타내는 단면도.

도 7은 확대 도시된, 도 4의 일 부분을 나타내는 부분적 단면으로 나타낸 도면.

도 8은 다른 테이블 디자인을 나타내는 도 3의 것과 유사한 도면.

도 9 내지 도 11은 폴리싱 장치의 작동 시켄스의 흐름을 개략적으로 나타낸 흐름 다이어그램.

본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼 및 유사 성분의 자동 폴리싱 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 면 처리의 다른 모드가 진행중인 루틴 기부에 제공되는, 유연한 운영을 할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 복합 개별적 제어 공정(multiple individually controlled processes)이 각각의 웨이퍼에서 이행되는 웨이퍼의 면 처리(surface treatment)용 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

이하의 설명 및 첨부 도면을 참고로 이해되는 본 발명의 상기 목적 및 그외 다른 목적이 다음을 포함하는 반도체 웨이퍼의 면을 폴리싱하는 설비에 의해 이루어진다.

본원의 장치는: 지지 구조;

중심 축선을 구비하고, 그를 중심으로 회전하는 지지 구조에 의해 전달되며, 반도체 웨이퍼를 지지하는 상부 지지 면을 각각 가지는 복수 웨이퍼-수용 위치를 형성하는 캐리어 테이블;

캐리어 테이블에 있는 반도체 웨이퍼와의 결합부를 안밖으로 가압하는, 캐리어 테이블 쪽으로 이격지게 운동할 수 있는 폴리싱 헤드에 의해 운반되는 폴리시 패드를 각각 구비하는 복수 폴리싱 위치;

반도체 웨이퍼가 일 폴리싱 위치로부터 타 폴리싱 위치로 이동되도록 캐리어 테이블을 인덱싱하는 인덱스 수단 및;

상기 캐리어 테이블에 있는 반도체 웨이퍼가 복수 폴리싱 헤드에 의해 폴리시 되도록 인덱스 테이블과 폴리싱 헤드를 제어하는 제어 수단을 포함한다.

도면, 개시적으로는 도 1 내지 도 6을 참고로 하여 설명하며, 장치(10)가 반도체 웨이퍼의 면 처리(특히 폴리싱) 및 면을 가지는 작업피스의 다른 타입을 처리(예를 들면, 평면 처리, 폴리시 처리, 또는 평면으로 처리)하는 것을 나타낸 도면이다. 장치(10)는 처리 모듈(12) 및 입력/출력 모듈(14)을 구비한다. 프로세스 장치(12)는 다양한 방식으로 이용된다. 예를 들면, 웨이퍼 또는 다른 작업피스는 수동적으로 로드 및 언로드 된다. 그런데, 일반적으로 입력/출력 모듈(14)은 자동 대량생산 작업을 목적으로 양호하게 제공된다. 따라서, 입력/출력 모듈(16, 18)은 로보트(20)를 로딩하는 입력부와 입력 카세트(16, 18)를 가진 입력 섹션을 구비한다. 입력 그리퍼(22)는 도 1에 도시된 방식으로 웨이퍼의 엣지(edges)를 파지한다.

웨이퍼는 캐리어 테이블(26)에 적재된다. 양호한 실시예에서 나타낸 바와 같이, 캐리어 테이블(26)은 도 2에서 도면번호 '31'로 나타낸 바와 같은 제 1위치에 있는 로드 아암(22)과 대면하는 위치로 있는 6개 웨이퍼-수용 위치(31-36)를 가진다. 잔류 위치는 도면번호 '32-36'로 식별된다. 본원에 언급된 웨이퍼 위치(31-36)는 고정된 공간 구역을 가지어서, 특정한 웨이퍼가 캐리어의 각각의 타임 인덱싱이 이행되는 웨이퍼 위치에서 변화를 겪게 된다. 6번째 위치(도 2에서 도면번호 '36')는 청소 로보트(44)에 제시되는 캐리어 테이블(26)로부터 웨이퍼를 제거하는 언로드 아암(40)과 반대위치에 배치된다. 다음, 언로드 웨이퍼가 카세트(46, 48)에 저장된다. 양호하게, 입력/출력 모듈(14)이 피처리수(treated water)와 같은 적절한 보호성 유체에 충진되는 입력/출력 모듈의 실내 공동(50)에 잠수 조작에 채택된다.

도 2에는 캐리어 테이블(26)이 6개 웨이퍼 위치(31-36)를 가진 회전식 환형 링(60)을 구비하는 것을 나타내고 있다. 캐리어 링(60)은 화살표(54) 방향으로 그 중앙 축선을 중심으로 하는 회전에 의한 인덱싱용으로 장착되며 그러나 프로세스 모듈(12) 내에 고정 구역에서는 다른 방향으로 고정되어 유지되는 것이다. 도 3은, 중앙 컨트롤 유닛(88)에 컨덕터(102)를 통하여 결합되는 모터(100)에 의해 회전식으로 구동되는 구동 기어(98)와 맞물리는 기어 링(96)을 나타내고 있다. 모터(100)가 에너지를 받게되면, 캐리어 링(60)은 60도로 인덱스 된다. 도 6은 각각의 웨이퍼 위치가 가요성 도관(68)에 의해 제공되는 공기 흐름의 통로용의 중공 실내(66)를 가진 중앙 축(64)을 구비하는 것을 나타내고 있다. 상기 도면에 나타낸 바와 같이, 중앙 축(64)은 그 중심 축선을 중심으로 하는 회전용으로 구동되고 따라서, 상기 가요성 도관(68)에는 회전식 커플링(70)이 설치된다.

중앙 축(64)은 외부 하우징(74) 내에 있다. 외부 하우징(74)은 링(60) 내에서의 회전을 위해 설치된다. 외부 하우징(74)과 중앙 축(64)은 외부 하우징(74)에 구동 기어(82)를 통해 결합된 모터(80)에 의해 도 6에 개략적으로 나타낸 일반적인 구동 배열로 그 공통 중심 축선에 대한 회전을 위해 구동된다. 모터(80)는 중앙 제어 유닛(88)(도 1에 도시)에 도관(86)을 통해 결합된다.

도 6을 다시 참고로 하여, 링(60)에 장착된 복수 작동기(92)에 결합되는 외부방향 플랜지(90)를 외부 하우징(74)이 포함한다. 작동기(92)는 중앙 제어 유닛(88)에 작동기(92)를 결합하는 도관(94)을 따라 전달되는 제어 신호를 받아 작동된다. 에너지가 활성화 되면, 작동기(92)는 파지 아암(22, 40)이 웨이퍼를 로드 및 언로드(load and unload)하도록 도 6에 나타낸 바와 같은 방식으로 미량이 그 위에 지지되는 웨이퍼와 외부 하우징(74)을 상승 시킨다.

도 6을 다시 참고로 하여, 캐리어(106)는 정상 중앙 축(64)에 장착되고 그 상부 노출 면과 교통하는 복수 내부 공기통로(108)를 구비한다. 백 패드(110)가 웨이퍼(114)와 직접적으로 접촉하도록 캐리어(106) 정상에 장착되어 폴리싱 작업 중에 웨이퍼용으로 직접 지지부를 제공한다. 양호한 실시예에서, 백 패드(118)는 중앙 지지부(64)로부터 흐르는 공기가 지나가기에 충분한 다공성으로 이루어진다. 도 3을 참고로, 공기 흐름은 도관(118)을 따라서 중공 중앙 지주(116)에 내부 통로를 통해 도관(68)으로 이동한다.

양호하게, 본원에 나타낸 바와 같이, 유체 슬러리 혼합물을 폴리싱 공정 중에 이용하여 향상된 화학/기계적 폴리싱 성능을 제공한다. 웨이퍼가 폴리싱용 장치에 주어지더라도, 비폴리시 상태에서도 웨이퍼는 상당히 원활한 것으로 예견할 수 있을 것이다. 따라서, 웨이퍼(114)는 진공 흡인력에 의해 백 패드(110)에 부착되어 유지되어져 있다. 도 6 및 다른 도면에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼는 입력/출력 모듈(14)로의 전후방향의 이동을 위해 그 외부 엣지에서 파지된다.

도 6에서 설명되는 바와 같이 공기를 제공하여 언로드 조작을 도와주는 것이 바람직한 것으로 알려져 있다. 압축 공기는 도 6에서 화살표로 나타낸 방향으로 중공 중앙 축(66)을 통하여, 백 패드(110)를 통해 이동되어, 처리 장치로부터의 웨이퍼의 수직이륙에 손상을 주는 흡인력을 차단한다. 필요에 의해, 웨이퍼의 중앙부분에 대한 진공 적용이 필수적인 것이라고 알려져 있지는 않을지라도, 동일한 공기 도관 시스템이 웨이퍼가 그 위에 적재된 후에 백 패드(110)에 미세한 진공을 적용하는데 사용될 수 있다.

도 6에서 설명되는 바와 같이, 부가적인 공기 통로(124)는 진공 흡인 패드(110)의 외부 둘레와 연통(communicate)한다. 도 3을 부가적으로 참고하여, 통로(124)는 중앙 지주(116)에 도관(126)을 통하여 결합된다. 공기 흐름부는 가요성 도관(130)에 튜브(128)를 통하여 결합된다. 가요성 도관(130)에 적용되는 진공 흡인 신호는 도 7에서 설명되는 방식으로 그 위에 배치되는 웨이퍼와 진공흡인 패드(110)의 외부 둘레에 통로(124)를 통하여 적용된다.

도 1을 다시 참고로 하여, 복수 폴리시 헤드 조립체(136)가, 처리 모듈(12)의 지지 구조체(140)의 상부 부분에 장착되며, 하우징(138)에서 계류된다. 양호하게 폴리시 헤드 조립체는 캐리어 테이블의 각 활성 위치(예를 들면, 위치(32-35))에 인접하여 배치되는 고정 작업 스테이션(fixed work station)에 배치된다. 따라서, 각각의 성능이 독립된 폴리싱 동작을 제공하는 4개 작업 스테이션이 하우징(138)과 상관적으로 있다.

도 4 및 도 7을 부가적으로 참고로 하여, 폴리시 헤드 조립체(136)는 외팔보 모양으로 그로부터 연장되는 횡단 아암(146)을 가진 지지부(144)를 구비한다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 폴리시 헤드 조립체(136)는 횡단 아암(146)의 자유 단부에 있는 폴리시 헤드(150)를 구비한다. 폴리시 헤드(152)는 폴리시 휠(150)의 저부 면에 있게 된다. 구동 메카니즘(도시 않음)이 횡단 아암(146) 내에 함유되어 그 중앙 수직축선을 중심으로 폴리시 헤드(150)를 구동시킨다. 횡단 아암(146)의 외측부에는 종래 탐침(probe)(156)이 배치되어 웨이퍼(114)의 상부 면을 모니터 한다. 탐침(156)이 제어 시스템(88)에 결합되어 웨이퍼(114)의 면 특성의 연속적인 업데이트를 제공한다. 예를 들어, 탐침(156)은 폴리싱 단부 포인트 검침에 사용되는 타입의 것이다.

도 4로 돌아가서 보면, 상기 도면은 배급 슬러리용 배열을 설명하는 도면이다. 도 4에서, 내부 통로는 폴리시 헤드(150) 내에 설치되고 그리고 가요성 도관(164)은 도시된 방식으로 폴리시 헤드(150)에 결합된다. 도 4에서, 슬러리는 웨이퍼(114)의 상부 면과 폴리시 패드 사이로 도입되도록 폴리시 패드(152)를 통해 이동한다.

본원에서 볼 수 있는 바와 같이, 반도체 웨이퍼는 순차적으로 이행되는 가법 복합 공정(different multiple process)으로 일 공정 스테이션으로부터 타 공정 스테이션으로 전환된다. 상술된 바와 같이, 가법 공정은 차등 pH값을 요구할 것이다. 따라서, 도 4에 개략적으로 나타낸 바와 같이, 공급밸브(170)는 제어 유닛(88)의 제어를 받아 작동되어 공급 라인(172, 174)을 경유하여 도관(164)에 슬러리(slurry) 또는 린스 워터(rinse water)의 어느 하나가 배급된다. 따라서, 만일 폴리싱 처리의 말단에서 시간이 허용된다면, 공급 밸브(170)가 작동되어 활성 폴리시 영역으로부터 대부분의 슬러리를 제거하도록 반도체 웨이퍼를 린스 워터에 침수시키어 폴리시 헤드와 폴리시 패드로 공급수가 향하도록 동작한다. 직접적으로 말해서 반도체 웨이퍼가 다음 폴리시 린스에 의해 전체적으로 청정하게 되지 않을지라도, 일 작업 스테이션으로부터 타 작업 스테이션으로의 이동은 상당히 저하된다.

이제 도 8을 참고로, 택일적 캐리어 테이블 설비(200)를 나타내었다. 캐리어 테이블(202)은 지지 기부(204)에 의해 밑으로부터 지지를 받게된다. 기부(204)는 기어(210)를 통하여 모터(208)에 의해 구동되는 기어(206)를 구비한다. 테이블(202)은 지지 베이스(214)를 중심으로 회전하도록 '212'에 설치된다. 이전 실시예에서와 같이, 6개 위치가 캐리어 테이블에 설치되며, 도 8에는 설명의 간략화를 기하기 위해서 1개 위치만을 나타내었다.

안내 링(218)은 하우징(220) 내에 배치된다. 반도체 웨이퍼(114)는 도면 번호 '116'로 지시된 테이블 및 압력 패드 설비 정상에 설치된다. 백 테이블(116)은 종래 볼 베어링 설비(226)에 의해 그 중앙 축선(224)을 중심으로 한 회전을 목적으로 배치된다. 선택적 구동 모터(230)는 소정방향으로 적절한 속도로의 회전을 위해 백 패드를 구동한다. 제어 유닛(88)(도 1에 도시)은 도관(232)을 경유하여 모터(230)에 결합되고 그리고 도관(234)을 경유하여 테이블 구동 모터(208)에 결합된다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 모터(230)는 장착 레그(240)에 의해 테이블(202)의 하측부에 장착된다. 도관(242)은 기반(204) 내에 배치되는 압축공기원(도시 않음)에 슬립 링을 통하여 결합된다. 압축공기는 백 패드로부터 반도체 웨이퍼를 제거하는데 도움을 주도록 도 6에 나타낸 바와 같은 방식으로 사용된다. 양호하게, 종래 솔레노이드(도시 않음)가 웨이퍼 엣지에 파지 아암(22, 40)이 자유로운 접근이 허용되도록 도 6에 도시된 방식으로 주변 부재(220) 위로 웨이퍼(214)를 상승시키도록 테이블(202)에 장착된다.

임의적 작동에 대해서 이하에 설명한다. 다음의 작동 시켄스는 폴리싱 장치를 통하여 단일 반도체 웨이퍼의 패쓰(path)로 나아간다. 상술된 바와 같이, 캐리어 테이블(26)과 그 상관 동작식 링(60)은 폴리시 처리를 받는 반도체 웨이퍼를 수용하는 6개 위치를 구비한다. 4개 폴리싱 설비가 캐리어 테이블의 4개 웨이퍼 위치에 정렬배치되어 캐리어 테이블 위에 하우징(138)에 장착된다. 각각의 4개 폴리싱 사이트에는, 쌍으로 이루어진 폴리싱 설비와 웨이퍼 위치의 조합물이 일정하게 이격분리된 작업 스테이션으로서의 기능을 한다. 처리를 받게되는 웨이퍼를 가진 카세트는 16, 18에 로드되며 그리고 도 2에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 위치(31)에 아암(22)을 로드하도록 로보트(20)에 의해 전달된다. 상술된 바와 같이, 본원에 사용되는 웨이퍼 위치 번호(31-36)는 인덱스 링(60)의 회전에도 불구하고 구역에 고정 잔류한다. 양호한 실시예에서, 4개 폴리싱 아암은 웨이퍼 로드 및 언로드용으로 저장되는 웨이퍼 위치(31, 36)로 웨이퍼 위치(32-35) 위에 배치된다.

양호한 실시예에서, 웨이퍼는 일시에 4개가 동시적으로 폴리시를 받게 되지만 각각의 개별적인 웨이퍼의 폴리싱은 웨이퍼가 적어도 2개, 가장 양호하게는 모두 4개의 폴리싱 작업 스테이션에서 폴리시되어져 있을 때만 완성된다. 따라서, 폴리싱 장치를 시동(始動)하고 그리고 제 1웨이퍼가 위치(31)에서 인덱스 링(60)에 적재한 후에, 인덱스 구동 모터(100)를 제어 시스템(88)의 관리 하에서 전압을 가하여 화실표(54)의 역시계방향으로 인덱스 링(60)을 이동 시킨다. 따라서, 위치(31)에 적재된 웨이퍼가 하우징(138)에서 계류된 제 1폴리싱 장비 밑에 위치(32)로 새롭게 이동된다.(도 1에 도시) 폴리시 헤드(150)는 반도체 웨이퍼와 접촉하여 놓여져 있는 폴리시 패드(152)를 가지고 하강하고 그리고 슬러리는 반도체 웨이퍼 면에 폴리싱 패드를 통하여 유입된다.

장치와 제어 시스템(88)에서의 개시 과정에 따라서, 폴리싱 작업부가 제 1폴리싱 사이클 중에 작업 스테이션(33-35)에서 현수되고 반면에, 폴리싱은 작업 스테이션(32)에서만 이행된다. 이러한 때에, 제 2웨이퍼가 로드 아암(22)에 의해 위치(31)에 적재된다. 스테이션(32)에서의 폴리싱 공정은 탐침(156)에의해 양호하게 연속적으로 모니터 된다. 상술된 바와 같이, 폴리싱 작업이 위치(32)에서 완성되지 않음을 이해할 수 있으며 그리고 부가로 작업 스테이션(32)에 할당된 폴리싱 단계의 파트도 필요에 의해 완성되지 않을 것이고 그리고 위치(33-35)에 다운스트림 작업에 대한 조정이 필요하게 될 것임이 이해될 것이다. 임의적인 경우에서, 웨이퍼 위치(32)에서의 폴리싱 공정을 지시하는 데이터는 제어 시스템(88)에 저장된다. 위치(32)에서의 진행 폴리싱 작업(ongoing polishing operation)은, 할당된 폴리싱 마감 지점이 읽혀져(read) 있는 결과 판단치를 가진 모니터링 탐침으로부터의 데이터를 처리하여, 제어 시스템(88)에 의해 마감된다. 다르게는, 위치(32)에서의 진행 폴리싱 작업은 웨이퍼 캐리어 링이 인덱스 되어 웨이퍼가 다음 폴리싱 스테이션으로 전진되는 제어 시스템(88)이 위임하는 타임-아웃 상태에서 종결될 수 있다.

다음 사이클의 작업 중에, 캐리어 링(60)이 화살표(54) 방향으로 인덱스 되고 위치(32)에서 이전에 주어진 웨이퍼가 위치(33)로 이동된다. 상기 위치(32, 33)에 배치된 폴리싱 작업 스테이션은 유닛(88)의 제어를 받아서 작업부 쪽으로 하강되며 그리고 다음, 위치(33)에 웨이퍼에 제 2폴리싱 단계가 이행된다. 제어 유닛(88)은 일 폴리싱 사이클로부터 다른 사이클로 변경되지 않고 양호하게 잔류하는 앞서 프로그램된 배열에 따르는 위치(33)에서 폴리싱 작업을 이행한다.

다르게는, 제어 유닛(88)은 제어 프로그램이 위치(32)에서의 이전 폴리싱 사이클 중에 수집되는 데이타에 기본하여, 위치(33)에서 폴리싱 작업용으로 예비 할당된 프로그램을 효과적으로 조정하도록 그 자신을 재기재(rewrite)하도록 콜(call) 한다. 예를 들어, 만일 위치(32)에서의 폴리싱이 불완전한 것으로 보여진다면, 프로그램 컨트롤은 위치(33)에서(그리고 아마도 다른 다운스트림 위치에서) 증가 폴리싱이 소요되는 것의 인식에 의해 반응한다. 따라서, 웨이퍼 및 폴리시 패드의 상대적 회전 율 또는 웨이퍼에 적용되는 폴리싱 압력, 또는 그 양쪽이 업스트림 위치(32)에서 처리되는 웨이퍼에 쇼트 폴(short fall)용으로 구성되도록 증가될 것이다.

일반적으로 양호하게, 위치(33)에서의 폴리싱은 그 위치에 놓여진 탐침(156)에의해 연속적으로 모니터 되고 그리고 폴리싱 사이클이 완성된 시에는 위치(33)에서의 폴리싱 공정을 지시하는 결과 데이타가 제어 유닛(88)에 저장된다. 다시, 위치(33)에서의 폴리싱은 폴리싱 마감 지점의 성공적으로 획득된 탐침 데이타에 의한 지시가 나타날 시에 마감되거나 또는 다르게는 폴리싱 작업이 타임-아웃 상태에서 조기에 마감된다. 어느 일 경우에서, 제어 유닛(88)은 캐리어 링(60)이 신규 위치(34)로 위치(33)에 웨이퍼가 이동하는 화살표(54)방향으로 인덱스 되도록 콜 한다.

위치(34)에 폴리싱 작업은 예비 조절된 프로그램에 따라서 또는 업스트림 위치에 폴리싱 결과를 나타내는 탐침 데이타에 따라서 변경되는 프로그램의 제어를 받아서 지속된다. 테이블 위치(34)에 웨이퍼의 폴리싱 작업이 완료되면, 컨트롤 유닛(88)은 테이블 위치(35) 위에 최종 작업 스테이션으로 웨이퍼를 전달하며, 화살표(54) 방향으로 캐리어 링(60)이 인덱스되도록 콜 한다. 면 처리가 업스트림 작업 스테이션에 면 처리 결과에 따라 변경되는 프로그램 단계에 따라서 또는 예비 설정된 프로그램 단계에 따라서 이행된다. 양호한 실시예에서, 테이블 위치(35)는 폴리싱 작업보다 우수하게 클린되게 한다. 상술된 바와 같이, 린스 워터는 업스트림 위치에 폴리싱 헤드에 유입될 수 있다. 그런데, 상기 린스 작업 동작은 다운 스트림 작업 스테이션으로의 이송 전에 웨이퍼의 슬러리를 세척하는데 사용되며 그리고 반도체 웨이퍼의 필요한 클린작업에 의지하지 않는다. 따라서, 양호하게 테이블 위치(35)에서 이용되는 특정한 웨이퍼 클린 장비를 이용한다.

테이블 위치(35)에서의 작업 완료 시에, 컨트롤 유닛(88)은 화살표(54)방향으로 캐리어 링(50)을 인덱스하도록 콜하고 다음, 반도체 웨이퍼가 양호한 실시예에서 대향 위치 전달 아암(40)이 놓여진 출력 위치를 포함하는 테이블 위치(36)로 이동된다. 스크러버 로보트(44)는 전달 아암(40)으로부터 출력 카세트(46, 48)로 최종 웨이퍼를 이송한다. 따라서, 캐리어 링의 순차적 인덱싱 시에, 공 캐리어(empty carrier)가 작업의 다음 사이클 중에 적재 단계용으로 준비된 입력 테이블 위치(31)에 주어진다.

동반되는 작업 사이클 중에, 전달 아암(22)은 테이블 위치(31)에서 캐리어 장비에 플러시 반도체 웨이퍼를 적재하여서, 웨이퍼가 다음 폴리싱 사이클과 캐리어 링의 인덱싱에 준비된다.

본 발명은 모든 작업 스테이션의 관리를 동시적으로 하여 획득되는 경제적인 작업을 이루는 것이다. 예를 들면, 특정한 작업 시프트 중에 처리되는 웨이퍼의 평균 생산비율을 모니터하는데 공지된 프로그램 기술을 사용할 수 있는 것이다. 만일, 예를 들어 폴리싱 공정이 예기치 않게 천천히 서행하는 특정된 작업 스테이션에서 문제가 발생하면, 전체 장치의 일치된 평균 생산비율을 획득하려는 노력으로 작업 스테이션에서의 부가적인 폴리싱 작업으로 마감하는 이점이 있을 것이다. 에러 플래그(error flag)는 웨이퍼의 출력 데이타용으로 주목을 받으며 그리고 연속적인 작업 사이클 중에 소요되는 폴리싱 작업으로 구성하려는 노력으로 이어지는 작업 스테이션으로 전달된다. 필요에 의해서는, 최대 평균 생산비를 얻기 위해서, 문제의 웨이퍼가 스트림 작업에서 이탈되도록 '태그(tagged)' 된다.

부가적인 가능성으로, 특정한 작업 스테이션 위치에서 폴리싱 공정이 예견치 않게 서행으로 이행될 수 있다. 가능한 작업으로서, 작업 스테이션용의 폴리싱 패드가 그 사용 수명의 마감부에 인접하는 폴리싱 데이타의 소프트웨어를 검사하여 확인한다. 본 발명이 클린 룸 환경에서 이용될 수 있는 것이라면, 예를 들어 작업 시프트의 단부로 일부 시간 기간용의 폴리싱 패드의 대체에 선행하는 이점이 있는 것이다. 이러한 경우에는 문제의 작업 스테이션을 무시하는 새로운 예비-프로그램된 작업으로 전체 장치를 변경시킬 수 있다. 상기 다른 선택적인 작업은 필연적으로 낮은 평균 생산율을 초래하지만, 제안된 바와 같은 경우에, 이러한 방식으로 작업을 하는 때에 보다 바람직한 것이 된다.

상술된 바와 같이, 본 발명에 따라 처리되는 반도체 웨이퍼 또는 다른 작업 피스는 2개 또는 그 이상의 연속적 작업 스테이션에서 조작된다. 상기 설명은 유사한 폴리싱 장비를 사용하는 유사한 폴리싱 단계를 이행하는 전체 작업 스테이션에 집중된다. 본 발명은 또한 보다 복잡한 계획된 작업에 사용되기도 한다. 예를 들면, 다양한 작업 스테이션이 차등 연마 및/또는 화학성질, 특정하게는 차등 pH 값의 슬러리를 폴리싱 작업하는데 이용될 수 있다. 차등 작업 스테이션은 또한 차등 연마부를 가진 폴리싱 헤드, 백 패드 탄성, 쿠션 탄성 및 다른 물리적 또는 기계적 면 처리 성질을 이용하기도 한다. 더우기, 차등 작업 스테이션은 차등 속도 및/또는 다른 방향으로 동작하는 폴리시 헤드 및/또는 웨이퍼 캐리어를 구비한다.

본 발명은 각 작업 스테이션에 폴리싱 압력을 연속적으로 모니터링 하면서,차등 작업 스테이션이 폴리싱 압력의 차등 범위에서 동작하는 것이다. 또한, 폴리싱 패드 및/또는 폴리싱 헤드가 변경식 독립적 제어 시간을 위한 차등 곡률의 패드로 웨이퍼를 폴리싱 작업하여 획득되는 국부적인 차등 곡률 그리고 보다 특정하게는 구형 평면을 가진다. 예를 들면, 웨이퍼 폴리싱은 먼저 볼록 커브 폴리시 패드를 사용하여 이행되고 그리고 다음 스테이션이 오목 곡선진 폴리시 패드를 사용하여 폴리시 된다. 명확하게, 상기 변화의 조합은 폴리싱 장비에 의해 제공된다.

다른 변화도 가능하다. 예를 들면, 4개 폴리싱 스테이션을 가진 포개진 폴리시 헤드 장비와 6개 웨이퍼 위치를 가진 캐리어 링을 들수 있다. 웨이퍼 캐리어 위치와 폴리시 스테이션의 차등 수를 수용하는 캐리어 테이블 및 폴리싱 스테이션이 개별적으로 가능하다. 부가하여, 축선을 중심으로 하는 회전용으로 캐리어 링이 장착되었지만, 난형 또는 레이스 트랙 구조를 가진 컨베이어 벨트에는 컨베이어 벨트를 전체에 배치된 웨이퍼 캐리어가 설치될 수 있다. 폴리싱 스테이션은 필요에 따라 컨베이어 벨트 위에 다양한 위치에 배치된다.

도 9 내지 도 11을 참고로 하여, 폴리싱 설비의 동작을 다양한 개략적으로 나타낸 흐름 다이어그램을 참고로 기술한다. 도 9에, 폴리싱 장비를 통한 단일 웨이퍼의 공정의 개략적 흐름 다이어그램을 설명한다. 컨트롤 시스쳄(88)은 양호하게 유용한 상관 메모리를 가진 종래 마이크로컴퓨터와, 생산 공정을 제어 및 감지하는 적절한 입력/출력 인터페이스를 구비한다. 블록(300)으로 나타낸 조립체의 파워 온 지점에서, 컴퓨터는 시스템(88)의 소프트웨어의 제어를 받아서, 상관 데이타 입력 디바이스가 연속적으로 동작하고 그리고 시스템의 일명 하드웨어 성분(블록 304를 참고)이 그 "홈" 또는 "준비"위치로 개시되거나 또는 설정된 상태에서 개시된다. 예를 들면, 캐리어 링(60)은 미리 정해진 "홈"위치로 설정되고, 그리고 선택적으로 반도체 웨이퍼의 부재가 각각의 캐리어 위치에서 확인된다. 부가적인 하드웨어 초기화 단계로서, 웨이퍼 전달 스테이션(14)에서의 출력 카세트의 공(empty) 상태와 입력 카세트에서의 웨이퍼의 존재가 전달 아암(22, 40)의 소정 동작에 따라서 확인된다. 또한, 작업 스테이션이 개시되어, 폴리시 헤드가 캐리어 테이블로부터 이격지게 후퇴되는 것을 확인하고, 그리고 선택적으로 필요한 범위의 동작으로 전후방으로 폴리시 헤드(150)를 진동하는 아암(146)의 성능을 변경시킨다. 더우기, 만일 웨이퍼 캐리어가 회전식으로 구동된다면, 소정의 회전 속도를 획득하려는 캐리어의 성질이 필요한 방식으로 인덱스 하는 캐리어 링의 성질에 따라서 변경될 것이다.

다음, 단계(306)에서 나타낸 바와 같이, 오퍼레이터는 컨트롤 시스템(88)에서 가변적인 공정을 유입한다. 도 1에서 설명된 바와 같이, 컨트롤 시스템은 오퍼레이터와의 출력 데이타의 통신을 위한 비디오 모니터를 구비한다. 비디오 모니터는 양호하게 소프트웨어 제어 시스템에 오퍼레이터가 정보를 입력할 수 있는 터치스크린 타입의 것이다. 오퍼레이터에 의해 유입되는 상기 공정 변경은 예를 들어 각각의 작업 시프트에 적합한 임의적 폴리싱 스펙을 인식할 수 있는 것이다. 예를들어, 상대적 경도, 면 특성 및 재료 타입이 처리를 받게되는 웨이퍼용으로 도입된다. 개시적으로, 또는 부가적인 운영 기간에서, 오퍼레이터는 예를 들어 전체 기본치로서 또는 각각의 개별적인 작업 스테이션용으로 시스템 폴리싱 압력 또는 속도를 조정할 수 있다.

또한, 오퍼레이터는 작업 모드가 이행되도록 하여 만일, 특정한 작업 스테이션이 운영되거나 또는 다른 특정한 조건이 소프트웨어 제어로 고려하여 취해져야 한다면 컨트롤 시스템을 지시한다. 일반적으로 양호하게, 특정한 공정의 회전속도인 폴리시 압력과 같은 공정 매개변수가 하이 레벨 명령을 제공하는 오퍼레이터가 컨트롤 시스템(88)의 관리 하에서 유지된다. 그런데, 오퍼레이터가 그 후에 소프트웨어 제어를 받아 반복적으로 또는 자동적으로 조정될 수 있는 다양한 운영 프로그램을 배우도록 폴리싱 장비를 "트레인(train)"하는 것을 나타낼 수도 있다.

폴리싱 시스템의 운영이 이제 개시되도록 준비되며, 제 1 또는 입력 위치(도 2에서 도면 번호 '31' 참고)에 웨이퍼 케리어가 도 6에 나타낸 방식으로 상승되어 블록(308)으로 나타낸 바와 같이 입력 전달 아암(22)에 의해 웨이퍼 캐리어 수용용으로 준비된다. 다음 단계(310)에서, 캐리어 링(50)은 제 1작업 스테이션 밑에 다음 위치로 새롭게 적재된 반도체 웨이퍼가 전해지도록 인덱스 한다. 다음, 폴리싱 작업이 블록(312)으로 나타낸 바와 같은 제 1작업 스테이션에서 개시된다. 상술된 바와 같이, 모든 작업 스테이션 위치가 기계가공 처리의 지속으로 반도체 웨이퍼로 충진될 것이다. 블록(312)은 이용 가능한 반도체 웨이퍼를 가진 작업 스테이션이 프로그램된 공정에 따라 처리되어 결국적으로 모두 4개 작업 스테이션(32-35)이 동시적으로 동작 가능하게 있는 것을 나타낸다. 면 처리 공정은 블록(314)에서 점검되고 그리고 공정은 엔드 지점에 이를 때까지 연속된다. 이러한 지점에서, 캐리어 링(60)은 인덱스로서 있고 그리고 비적재 위치(도 2에 위치(36))가 상승되고 그리고 웨이퍼가 도 6에 나타낸 방식으로 또는 블록(316)으로 나타낸 바와 같이 그로부터 언로드 된다.

반도체 웨이퍼가 캐리어(36)로부터 언로드된 후에, 캐리어 링(60)이 인덱스되고, 따라서 공 캐리어가 입력 전달 아암(22)과 대향 위치인 위치(31)로 이동된다. 화살표(318)에 의해 도 9에 나타낸 바와 같이, 운영 처리 위상은 위치(31)에 웨이퍼 캐리어의 상승 및 로드를 블록(308)에서 반복한다.

블록(314)에서, 판단은 문제의 반도체 웨이퍼가 소정의 모든 처리 작업 스테이이션을 횡단하는지에 따라서 행해진다. 만일 그렇지 않다면, 제어는 캐리어 링이 새로운 다운스트림 작업 스테이션으로 배급되는 웨이퍼가 인덱스되는 블록(310)으로 전해진다. 신규 작업 스테이션에 공정은 블록(312)의 제어를 받아 지속된다. 결국적으로, 판단 블록(314)은, 반도체 웨이퍼가 최종 작업 스테이션(35)(도 2에 도시)에서 성공적으로 처리되어져 있음을 검출하고 그리고 캐리어 링의 순차적 인덱싱으로 마무리된 웨이퍼가 웨이퍼 개리어의 도 6에 나타낸 바와 같은 방식으로 상승 및 로드되는 지점에 위치(36)(도 2에 도시)에 주어진다.

만일 추가 웨이퍼를 처리할 시에는, 캐리어 링(60)이 컨트롤 블록(320)으로 지시된 바와 같이 인덱스 되고 다음, 컨트롤은 화살표(318)로 나타낸 바와 같이 블록(308)에 전달된다. 모든 웨이퍼가 처리되어 졌으면, 컨트롤은 도 9의 저부에 화살표(324)로 나타낸 바와 같이 지속된다. 화살표(324)로 나타낸 셧-다운 단계는 예를 들어 관측된 성능 데이타의 평균에 기본하여 컨트롤 프로그램에 대한 최종 보정치를 구비한다. 다르게는, 셧-다운 공정은 단지 웨이퍼가 제거되어져 있으며 위치가 비워 있음을 입증하는 캐리어 위치의 점검을 포함한다. 또한 셧 다운 과정은 세척수로 슬러리 라인을 세척하여 폴리시 헤드가 홈 위치로 복귀하는 단계를 포함한다.

다시, 도 10을 참고로 설명하면, 상기 도면은 전체 폴리싱 장비의 간략한 동작을 개략적으로 나타낸 다이어그램 이다. 시스템은 블록(360)에서 파워 업 되고, 컴퓨터와 컨트롤 시스템은 블록(362)에서 개시되며, 장치는 블록(364)에서 개시되고, 가변성 공정은 도 9의 블록(300-306)을 참고로 기술된 바와 같이 블록(366)에 유입된다. 다음, 캐리어 링(60)은 블록(368)으로 나타낸 개시 단계에서 인덱스 된다.

다음, 컨트롤이 지지 패드(110)를 상승하도록 솔레노이드(92)에 지시를 보내는 블록(370)으로 전달된다.(도 6에 도시) 로드 아암(22)은 백 패드 위에 위치로 웨이퍼를 전달한다. 필요에 따라서는, 진공 흡인 신호가 도관(58)에 적용되어 로딩 공정 중에 웨이퍼의 컨트롤을 확립하고 유지하는 것을 도와줄 수 있다. 다음, 솔레노이드(92)는 에너지를 받아서 도 7에서 설명되는 바와 같은 위치를 획득하도록 가이드 링(116) 내에 캐리어 지지부와 웨이퍼를 낮게 한다. 웨이퍼는 폴리싱 작업을 할 수 있는 준비가 된 것이다.

블록(372)에서, 임의적으로 필요한 개시 초기 단계가 이행되어 폴리싱 작업을 위한 장치 성분이 준비된다. 예를 들면, 컨트롤 유닛(88)은 만일 이것이 앞서 행해져 있지 않다면 각각의 관심 작업 스테이션에서 폴리싱 작업을 제어하기 위한 프로그램 모듈을 로드 한다. 회전에 소요되는 장치가 일정 속도에 이르게 되면 슬러리 공급 라인이 적절한 슬러리 성분으로 충진된다. 또한, 공급 도관(164)에 슬러리 공급 라인(172)을 접속하는데 소요되는 스위치(170)의 위치는 변경될 수 있는 것이다. 폴리싱 장치의 초기 운영 중에, 조정 플래그가 주어지지 않아야 하며 그리고 따라서, 컨트롤 블록(374)이 프로그램 컨트롤 패스트 블록(376)으로 향해져야 한다. 실재 폴리싱 공정은 컨트롤 블록(380)에서 이행된다.

폴리싱 헤드(150)는 도 4에 나타낸 바와 같은 위치로 이동되고 그리고 소정의 폴리싱 압력이 웨이퍼 면에 적용된다. 만일 캐리어 지지부의 회전이 필요하게 되면, 컨트롤 유닛(88)이 구동 모터(80)에 에너지를 활성화 하여 도 6에서 설명하는 방식으로 웨이퍼 지지부를 회전한다. 또한, 양호하게, 폴리싱 작업 중에, 모니터링 탐침(156)을 연속적으로 또는 지정된 시간 간격으로 제어 유닛(88)에 백 데이타가 공급된다. 이러하게 수집된 데이타는 즉시 사용되어 폴리시 공정을 조정한다. 예를 들면, 폴리싱이 필요한 또는 "타겟" 폴리시 비율보다 큰 또는 작은 비율로 처리되는지를 판단할 수 있다. 상대적 회전 속도 및/또는 헤드(150)에 의해 발휘되는 폴리시 압력이 작업 스테이션을 향하는 방향으로 필요한 단부 지점이 피배당 시간 내에서 달성될 수 있도록 "온 더 플라이(on the fly)"가 조정될 수 있다.

폴리시 공정은 블록(380)에서 모니터 되어서 소정의 단부 지점에 도달되어져 있는지(블록 382)가 정해진다. 필요에 따라서, 폴리싱 작업이 블록(384)으로 나타낸 바와 같이 시간 베이직으로 제어될 수 있다. 예를 들면, 전체 시스템 관리부가 컨트롤 유닛(88)에 제공되어, 최고 생산비율이 가능한 전체 시스템용으로 유지되는 것을 보장한다. 다양한 작업 스테이션에 폴리싱 작업이 캐리어 링(60)(도 2에 도시)의 인덱스로 웨이퍼가 다운스트림 작업 스테이션으로 이동하기 전에 제어 방식으로 완성되거나 또는 다르게 종결되어야 한다. 따라서, 시간 간격 유지동작에 대한 작업 스테이션에서 공정을 점검하고 그리고 각각의 작업 스테이션용으로 예비 설정 시간 제한치를 확립하는 것이 요망된다.

일부 순간에서는 특정하게, 일 작업 스테이션으로부터의 슬러리가 타 작업 스테이션으로 전달되는 장소에서, 폴리싱 작업 공정은 피배당된 시간 간격의 전진으로 마감되어, 웨이퍼가 인덱싱으로 전달되기 전에 웨이퍼로부터 슬러리가 세척되거나 씻겨지게 허용한다. 만일 컨트롤 블록(386)에의한 연산으로 충분한 시간을 유지하면, 컨트롤은 공정이 지속되는 블록(378)을 제어하도록 화살표(388)를 경유하여 전달된다. 만일 단부 지점 상태가 허용된 시간 주기 밖의 시간에 앞서 블록(382)에서 검출된다면, 컨트롤이 블록(390)으로 전달되어 제 1작업 스테이션 위치용의 시간 결과를 기록한다. 부가적으로, 폴리싱 작업이 캐리어 링(60)의 인덱싱으로 다음 작업 스테이션으로 웨이퍼를 전달하기 위한 준비상태로 컨트롤 블록(392)에서 보류된다. 필요에 의해서, 웨이퍼로부터의 슬러리의 플러시 작업이 인덱싱의 선행 상태로 이행될 수 있다.

다시 컨트롤 블록(386)을 참고로, 만일 타임-아웃 상태가 폴리싱 단부 지점 전에 도달된다면, 컨트롤은 공정 결과가 컨트롤 시스템(88)에 의해 기록되는 블록(396)으로 전달되어서, 공정 쇼트 폴이 필요에 따라서 다운스트림 작업 스테이션으로 구성된다. 따라서, 조정 플래그는 컨트롤 블록(398)에서 설정되어 필요한 결과가 진행 작업에서 획득되어져 있지 않은 다운스트림 작업 스테이션으로 나타난다. "조정" 플래그는 예를 들어 다운스트림 작업 스테이션용 운영 프로그램이 특정한 공정 쇼트 폴을 이루도록 조정되는 프로그램 자기-개보 루틴을 트리거하는데 사용된다. 다음, 컨트롤은 모든 작업 스테이션이 홈 위치로 설정되어져 있고 그리고 폴리시 헤드가 웨이퍼 캐리어로부터 클리어 되는 것을 보장하는 블록(402)으로 전달된다. 다음, 컨트롤은 필요에 의해 처리되는 웨이퍼를 마무리하는데 필요한 부가적인 웨이퍼 처리 컨트롤 블록으로 화살표(404)로 나타낸 바와 같이 전달된다.

도 11을 참고로, 특정한 반도체 웨이퍼에 의해 경험하게 되는 컨트롤 단계를 상세하게 검토해 본다. 블록(410-416)에서, 시스템은 파워 온 되고, 컴퓨터 및 상관 디텍터의 컨트롤 시스템이 개시되고, 장치는 개시되어 홈 위치로 설정되며, 그리고 가변성 공정이 상술된 바와 같이 유입된다. 다음, 캐리어 링이 공 캐리어를 제 1로드 위치(도 2에서 도면 번호 '31' 참고)로 배급되도록 블록(418)의 제어 하에서 인덱스 된다. 다음, 로드 위치에 캐리어가 상승되어 지지 패드(110)가 컨테이너 링(116) 위로 상승된다.(도 6을 참고) 필요에 따라서, 진공 흡인이 지지 패드(110)에 웨이퍼를 디포짓 하며 제 1 캐리어 위치로 웨이퍼를 입력 전달 아암(22)이 배급하는 위치에 웨이퍼가 고정되도록 백 패드에 적용된다. 다음, 캐리어가 하강되어 설명된 운영 위치를 획득하여 예를 들어 도 7에서와 같이 컨트롤 블록(420)에서 요구하는 단계를 완성한다.

컨트롤 블록(422)에서, 컨트롤 시스템(88)은 캐리어 링을 인덱스하여 제 1작업 스테이션에 위치로 웨이퍼가 전해지게 된다.(도 2에 도면 번호 '32'를 참고) 필요에 따라서, 제 1작업 스테이션용의 운영 프로그램이 로드 되고 그리고 처리 장치는 제 1작업 스테이션을 운영할 준비가 있게 만들어진다. 진행 작업으로부터의 조정 플래그는 컨트롤 블록(424)에서 검출되는 것으로 예견되지 않으며, 따라서 컨트롤은 패스트 컨트롤 블록(426)으로 전달된다. 필요에 따라서, 전달 아암(22), 로드 로보트(20) 또는 입력 매거진(16, 18)의 기능장애로 인한 반도체 웨이퍼에 공급시에 에러는 조정 플래그가 설정되어 웨이퍼의 부재를 지시하는 컨트롤 블록(24)에서 검출되도록 한다.

일반적으로, 컨트롤은 처리 공정이 웨이퍼 면에서 이행되는 블록(428)으로 전달된다. 예를 들면, 폴리시 헤드(150)는 필요한 폴리시 압력을 가지는 웨이퍼 면에 대하여 가압되는 폴리시 패드를 가지고 도 4에서 설명되는 바와 같은 위치에 설정된다. 슬러리는 도관(64)을 통해 도입되고 그리고 폴리시 패드와 폴리시 헤드와 캐리어는 필요한 속도로 회전한다. 컨트롤 블록(430)에서, 면 처리 공정은 탐침(156)에 의해 모니터 되고 그리고 진행 성능은 미리 정해진 데이타 세트에 대하여 대비된다. 필요에 따라서, 블록(430)에 대비 단계는 예상되는 타겟 성능으로부터의 임의적 변화를 확인하여 정량화 하도록 배치된다. 만일 가변성이 충분하게 크다면, 프로그램된 컨트롤이 컨트롤 블록(426)에서의 프로그램된 폴리싱 비율이 증가 또는 감소하도록 조정 플래그를 설정할 수 있다.

만일 블록(430)에서의 대비가 획득되어져 있는 단부 포인트 상태를 나타내야만 한다면, 컨트롤이 제 1공정 단계용 시간이 앞으로의 사용을 위해 기록되는 블록(432)에 전달된다. 만일 예를 들어 단부 포인트 상태가 조기에 일정하게 도달되면, 작업 스테이션 장치와 특정한 상관 센서가 가능한 오류 동작을 위해 분석된다. 다음, 컨트롤이 캐리어 인덱싱용으로 준비된 웨이퍼를 유지하는 블록(434)으로 전달된다. 컨트롤 블록(434)은 슬러리가 다운스트림 구역으로 전달되는 것을 방지하도록 폴리시 헤드를 통해 흐르는 물로 웨이퍼 린스 작업을 개시한다. 다음, 폴리시 헤드는 홈 위치로 철수되고 그리고 웨이퍼 위치는 컨트롤 블록(436)에서 캐리어 링의 인덱싱 동작이 이행되기 위한 준비 상태로 비작용 상태를 유지한다

블록(431)으로 다시 돌아와서, 만일 단부 포인트 상태에 도달되지 않았다면, 작업 스테이션용의 프로그램 타이머가 컨트롤 블록(440)에서 점검되어 컨트롤 블록(442)에 의해 정해지는 처리 작업을 지속하기에 충분한 시간을 유지하는지를 판단하고, 이러한 경우에 컨트롤은 컨트롤 블록(428)으로 화살표(444)로 나타낸 바와 같이 전달된다. 컨트롤 블록(442)은 예를 들어 다운스트림 구역으로의 슬러리의 이동을 방지하도록 반도체 웨이퍼를 린스하는데 필요한 시간을 고려하여야 할 것이다. 만일 타임-아웃 상태가 컨트롤 블록(442)에서 검출되면, 공정은 조기에 정지되고 그리고 불완전한 공정 결과가 블록(446)에 기록되어 조정 플래그가 블록(448)에 설정된다.

그 홈 위치로 철수된 폴리싱 헤드를 가지고, 캐리어 링(60)이 실질적으로 예를 들어 도 2에 도면 번호 '33'으로 나타낸 제 2작업 스테이션 위치에 대한 블록(436)의 컨트롤을 받게 된다. 컨트롤 블록(452)에서, 제 2작업 스테이션이 신규 공정 운영용으로 준비된다. 필요에 따라서, 소정의 개별적 모듈러 프로그램 지시들이 배치되고 로드 된다. 만일 '조정' 플래그가 컨트롤 블록(454)에서 검출된다면, 제 2작업 스테이션용 프로그램이 선행 작업 스테이션에 공정처리 쇼트 폴(processing short fall)용으로 구성되는 양호한 방식으로 컨트롤 블록(456)에서 조정된다. 다음, 컨트롤은 제 2작업 스테이션에 처리 공정이 이행되는 블록(458)으로 전달된다. 예를 들어, 만일 제 2작업 스테이션이 제 1작업 스테이션의 슬러리와는 다르너 슬러리를 요구한다면, 웨이퍼가 업스트림 작업 스테이션에서 양호하게 린스되어져 신규 슬러리를 수용하도록 준비되게 만들어진다.

폴리싱 헤드의 위치가 정해지면 슬러리가 도 4에 나타낸 방식으로 공급된다. 다음, 공정 매개변수(예를 들면, 성능 인디케이터)가 컨트롤 블록(460)에서 검토되고 단부 포인트 상태가 블록(462)에서 점검된다. 필요에 따라서, 컨트롤 블록(460)이 조정 플래그를 설정하는데 사용되며 성능 데이타는 컨트롤이 블록(456)으로 전달될 시에 사용용으로 저장된다. 만일 단부 포인트 상태가 검출되면, 컨트롤이 시간 결과가 기록되는 블록(464)으로 전달되고 다음, 웨이퍼가 컨트롤 블록(466)에 아이들 위치에서 유지된다. 만일 단부 포인트 상태가 도달되지 않았다면, 잔류 시간이 컨트롤 블록(470)에서 평가되며 그리고 타임 아웃 상태는 컨트롤 블록(472)에서 점검된다. 만일 충분한 시간이 잔류하면, 컨트롤은 화살표(474)로 지시된 방향으로 블록(456)으로 백(back) 전달 된다. 만일 컨트롤 블록(460)이 프로그램 조정을 위한 준비상태로 조정 플래그를 설정하는데 사용된다면, 화살표(474)가 컨트롤 블록(454)으로 컨트롤을 전달하도록 코스가 변경된다.

만일 타임 아웃 상태가 컨트롤 블록(472)에서 검출되면, 부가적인 공정 처리가 중지되고 그에 따라서 획득된 결과치가 컨트롤 블록(478)에 기록된다. 공정 처리 쇼트 폴의 표식은 컨트롤 블록(480)에 조정 플래그를 설정하여 주어지게 되고 그리고 컨트롤은 다음 작업 스테이션 위치(예를 들면, 도 2에 위치(34) 위에 배치된 3번 작업 스테이션)로 웨이퍼가 전해지도록 인덱스 되는 캐리어 링(60)을 가진 블록(482)으로 전달된다.

다음, 컨트롤은 컨트롤 블록(452-482)용으로 상술된 바와 대체로 동일한 각각의 작업 스테이션에서 컨트롤 단계로서, 연속적 다운스트림 작업 스테이션에서 연속된다. 양호한 실시예에서, 6개 캐리어 위치가 캐리어 테이블에 제공되고 그리고 그 2개 위치는 로딩 및 언로딩 용으로 사용된다. 또한, 양호한 실시예에서, 도 2에 대향위치에 배치된 제 4작업 스테이션이 위치(36)로 최종 인덱싱을 하기 위해 준비된 반도체 웨이퍼의 최종 클리닝 작업에 전념하여 매가진(46, 48)에 저장을 위해 웨이퍼의 언로딩 한다.

양호한 실시예에서, 컨트롤은 도 2에 위치에 대향하여 놓인 제 3작업 스테이션의 개시화가 컨트롤 블록(492)에의해 이행되는 블록(492)으로 직접 블록(42)으로부터 전해진다. 만일 조정 플래그가 블록(494)에서 검출된다면, 컨트롤이 최종 작업 스테이션(여기에서는 도 2에 대향위치(34)에 배치된 3번 작업 스테이션으로 가정)용의 프로그램을 개조하는 블록(496)으로 전달된다. 다음, 공정이 상술된 바와 같이 제공되어진 슬러리 공급 및 상대적 회전속도 그리고 필요한 폴리시 압력으로 컨트롤 블록(498)에서 이행된다.

성능 공정은 탐침(156)으로 모티터 되고 컨트롤 블록(502)에서 검토 된다. 만일 단부 포인트 상태가 블록(504)에서 검출되면, 컨트롤은 공정 시간이 미래 분석을 위해 저장되는 블록(506)으로 전달된다. 다음, 컨트롤은 최종 린스 위치로 인덱싱 하기 위해 캐리어와 웨이퍼를 준비하게 만드는 블록(508)으로 전달된다. 블록(508)에서, 린스 워터는 워터 면으로부터 대부분의 슬러리를 세척하도록 폴리싱 헤드를 통하는 방향으로 향해지고, 필요에 따라서는 그 후에 폴리시 헤드가 제거되어 웨이퍼가 '스핀 드라이(spin dry)' 속도로 가속된다. 그 후, 웨이퍼는 블록(510)의 제어 하에서 최종 인덱싱을 기다리는 비활동 상태로 유지된다.

만일 단부 포인트 상태가 블록(504)에서 검출되지 않으면, 잔류 시간은 블록(514)에서 평가되고 시간 아웃 상태는 블록(516)에서 테스트 된다. 만일 충분한 시간이 잔류하면, 컨트롤은 화살표(520)로 나타낸 방향으로서 블록(498)으로 전달된다. 만일 블록(502)에 대비 공정이 부가적으로 프로그램된 공정처리에 대한 조정이 필요함을 나타내는데 사용되면, 화살표(520)가 컨트롤 블록(494)으로 코스 변경될 수 있다.

만일 타임 아웃 상태가 블록(516)에서 검출되면, 컨트롤이 공정 결과가 미래 사용을 위해 기록되는 블록(524)으로 전달되고 그리고 조정 플래그는 컨트롤 블록(526)으로 설정된다. 컨트롤 블록(526)이 최종 폴리싱 작업 스테이션(34)에서 획득되너 공정의 평가와 상관되는 양호한 실시예에서, 컨트롤 블록(526)은 안정된 최종 웨이퍼 상태가 달성되어져 있음을 보장하도록 오퍼레이터가 프로그램된 컨트롤을 압도하기를 희망하는 경우에 요구되는 오퍼레이터로 에러 메시지를 전송할 수 있다. 필요에 따라서는, 획득된 최종 결과가 불안정함을 컨트롤 블록(526)에서 나타나서 '태그(tag)'되어, 매가진(46, 48)에 최종 웨이퍼 저장 위치를 초래한다.

다음, 컨트롤이 상술된 바와 같이 양호한 실시예에서의 최종 클리닝 스테이션을 포함하는 최종 작업 스테이션으로 웨이퍼를 인덱스 하는 블록(510)으로 전달된다. 다음, 컨트롤은 위치(35)(도 2 참고)에 웨이퍼의 최종 클리닝을 제어하는 블록(512)으로 전달되고 그리고 그 후에 도 2에 언로드 위치(36)로 웨이퍼가 전해지도록 캐리어 링(60)의 순차적 인덱싱 작업을 대기한다. 그 후, 블록(512)의 제어를 받는 전달 아암(40)이 청소 로보트(44)로 캐리어 위치로부터 웨이퍼를 제거하여 매거진(46 또는 48)에 웨이퍼를 저장한다.

본 발명은 컨트롤 시간으로 이행되는 인덱스 동작으로 모든 작업 스테이션의 동시적인 전체 컨트롤을 예상하는 것이다. 예를 들면, 도 2에 위치(35, 36) 사이에 도 11에서 추적되는 웨이퍼용 최종 인덱싱이 작업 스테이션(32-34)에 공정의 마스터 컨트롤 개요가 상기 작업 스테이션도 인덱스를 발생할 준비도 되어있음을 나타낼 때에만 이행되는 것이다. 이러한 경우에는 상술된 다양한 컨트롤 블록의 '인덱스 테이블' 신호가 소위 '허용(permissive)'신호의 포함된 작업 스테이션의 각각으로부터 수신 시에 이행되는 실질적 인덱싱 명령을, '허용'신호로서 고려할 수 있는 것이다.

상기 내용으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼 각각이 복합 작업 스테이션을 가로질러 확장되도록 노동을 효율적으로 나눌 수 있게 만드는 것이다. 상기 설명은 전체 시스템의 최대 생산율이 제어 운영되는 것을 전제로 하고 기술된 것이다. 그리고, 다른 운영 모드를, 예를 들면 필요한 시간량을 고려하지 않고 특정한 작업 스테이션에서의 필요한 부분적 공정처리 단계를 완전하게 달성하기를 원할 수도 있을 것이다. 이러한 경우에는, 다양한 작업 스테이션에서 소요되는 본질적으로 상이한 처리공정 시간을 고려하지 않거나 약간 고려하여야 할 것이다.

부가적인 변경도 가능하다. 예를 들면, 차등 웨이퍼 곡률을 원하게 되면, 차등 곡률의 폴리싱 헤드 및/또는 차등 곡률의 폴리시 패드를 이용한다. 그리고, 도한 필요한 차등 곡률을 가짐으로서 웨이퍼 지지부(108)(도 6에 일 예를 도시) 또는 웨이퍼 패드(110)를 제공할 수도 있다. 필요에 따라서, 지지 패드(110)와 웨이퍼 캐리어(108)가 캐리어 테이블로부터 용이하게 제거 가능하게 제조될 수 있으며 그리고 차등 곡률을 가진 다양한 성분이 운영 구역에 저장될 수 있다. 만일 상기 치수가 이용되면, 각각의 개별적 웨이퍼 캐리어의 위치의 트랙이 지켜질 필요가 있을 것이며, 이것은 상술된 개시 및 인덱싱 단계 중에 종래의 장비를 사용하여 용이하게 획득될 수 있을 것이다.

Claims (28)

1. 반도체 웨이퍼 면을 폴리싱하는 장치에 있어서, 상기 장치는:

   지지 구조체;

   반도체 웨이퍼를 지지하는 상부 지지 면을 각각 가진 복수 웨이퍼-수용 위치를 형성하며, 중심 축선이 있으며, 그 중심 축선을 중심으로 회전하는 지지 구조체에 의해 운반되는 캐리어 테이블;

   각각의 폴리싱 위치가, 상기 캐리어 테이블에서 운반되는 반도체 웨이퍼와의 안밖으로 가압 결합을 하며, 캐리어 테이블로부터 전후방향으로 이동할 수 있는 폴리싱 헤드에 의해 운반되는 폴리시 패드를 구비하는, 복수 폴리싱 위치;

   일 폴리싱 위치로부터 타 폴리싱 위치로 반도체 웨이퍼가 이동하도록 캐리어 테이블을 인덱싱하는 인덱스 수단 및;

   복수 폴리싱 헤드에 의해 캐리어 테이블에서 운반되는 반도체 웨이퍼가 폴리시 되도록 인덱스 테이블과 폴리싱 헤드를 제어하는 컨트롤 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
2. 제 1항에 있어서, 캐리어 테이블에서 폴리시되도록 웨이퍼를 로딩하는 로드 수단을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
3. 제 2항에 있어서, 상기 캐리어 테이블로부터 웨이퍼를 언로딩하는 언로드 수단을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
4. 제 3항에 있어서, 상기 로드 수단과 상기 언로드 수단은 동시적으로 동작되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
5. 제 4항에 있어서, 상기 로드 수단과 상기 언로드 수단은, 상기 로드 수단, 상기 언로드 수단 및 상기 폴리싱 헤드가 동시적으로 동작하도록 폴리싱 위치에 대하여 정렬 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
6. 제 1항에 있어서, 반도체 웨이퍼 면과 폴리시 헤드에서 운반되는 폴리시 패드 사이에 폴리싱 모션을 확립하도록 지지 면과 폴리시 헤드의 적어도 하나를 구동하는 폴리시 구동 수단을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
7. 제 1항에 있어서, 상기 폴리싱 위치는 반도체 웨이퍼 면에 대하여 폴리싱 패드를 가압하는 지지 아암을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
8. 제 7항에 있어서, 폴리시 헤드와 그에 따른 반도체 웨이퍼 면에 대한 폴리시 패드를 회전적으로 구동하는 구동 수단을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
9. 제 8항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 면은 미리 정해진 크기를 가지고 그리고 상기 폴리시 패드는 소형 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
10. 제 9항에 있어서, 폴리시 헤드와 그에 따른 반도체 웨이퍼 면을 전후방향으로 횡단하는 폴리싱 패드를 이동시키는 진동 수단을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
11. 제 5항에 있어서, 상기 폴리싱 위치, 상기 로드 수단 및 상기 언로드 수단이 공통 원형 패쓰(path)에 대하여 이격공간진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
12. 제 11항에 있어서, 상기 복수 지지 면은 공통 원형 패쓰에 대하여 이격공간진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
13. 제 1항에 있어서, 상기 폴리싱 스테이션은 서로 독립적으로 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
14. 제 1항에 있어서, 상기 폴리싱 패드와 상기 폴리싱 헤드의 적어도 1개는 다른 외형면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
15. 제 1항에 있어서, 폴리싱 슬러리를 복수 폴리싱 위치로 공급하는 슬러리 공급 수단을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
16. 제 16항에 있어서, 상기 폴리싱 슬러리는 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
17. 제 16항에 있어서, 상기 폴리싱 슬러리는 차등 pH값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
18. 제 1항에 있어서, 상기 폴리싱 헤드는 차등 폴리싱 압력을 적용하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
19. 제 6항에 있어서, 상기 폴리싱 헤드는 차등속도로 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
20. 제 1항에 있어서, 처리를 받는 반도체 웨이퍼 면을 모니터하도록 폴리싱 위치와 상관된 모니터링 탐침을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
21. 제 19항에 있어서, 상기 모니터링 탐침은 상기 캐리어 테이블의 인덱싱 시에 미리 정해진 반도체 웨이퍼를 수용하는 다운스트림 스테이션에서 폴리싱 헤드의 제어를 변경하는데 이용되는 일 폴리싱 스테이션의 모니터링 탐침으로부터의 데이타를 가진 컨트롤 수단에 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
22. 제 15항에 있어서, 폴리싱 위치에서 폴리싱 동작에 이어서 순차적으로 슬러리 공급 수단으로 클린 워터의 흐름이 향해지게 하는 클린 워터 흐름 수단을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
23. 반도체 웨이퍼 면을 폴리싱하는 장치에 있어서, 상기 장치는:

    지지 구조체;

    반도체 웨이퍼를 지지하는 상부 지지 면을 각각 가진 복수 웨이퍼-수용 위치를 형성하며, 중심 축선이 있으며, 그 중심 축선을 중심으로 회전하는 지지 구조체에 의해 운반되는 캐리어 테이블;

    각각의 폴리싱 위치가, 상기 캐리어 테이블에서 운반되는 반도체 웨이퍼와의 안밖으로 가압 결합을 하며, 캐리어 테이블로부터 전후방향으로 이동할 수 있는 폴리싱 헤드에 의해 운반되는 폴리시 패드를 구비하는, 캐리어 테이블 위치의 개별적인 위치에 인접하여 놓여지도록 캐리어 테이블에 정렬 배치된 복수 폴리싱 위치;

    캐리어 테이블에 그리고 그로부터 웨이퍼가 로딩 및 언로딩하는 캐리어 테이블 위치의 적어도 하나와 인접한 수단 및;

    일 폴리싱 위치로부터 타 폴리싱 위치로 반도체가 동작하도록 캐리어 테이블을 인덱싱하는 인덱스 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
24. 제 23항에 있어서, 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하는 수단은 일 캐리어 테이블 위치에 인접한 로드 수단과 제 2캐리어 테이블 위치에 인접한 웨이퍼를 언로딩하는 언로드 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
25. 제 24항에 있어서, 상기 로드 수단과 상기 언로드 수단은 동시적으로 동작되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
26. 제 23항에 있어서, 상기 폴리싱 위치는 반도체 웨이퍼 면에 대하여 폴리시 패드를 가압하는 지지 아암을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
27. 제 26항에 있어서, 폴리시 헤드와 그에 따른 반도체 웨이퍼 면을 전후방향으로 횡단하는 폴리싱 패드가 이동하도록 하는 진동 수단을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.
28. 제 23항에 있어서, 처리를 받는 반도체 웨이퍼 면을 모니터하도록 폴리싱 위치와 상관된 모니터링 탐침을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 면 폴리싱 장치.