JP5719303B2 - センサ素子及びセンサ素子の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は高温用センサ素子及び当該高温用センサ素子の製造方法に関する。
高温用センサ素子は、TminからTmaxまでの温度範囲の高温環境下で用いられるものであって、Tminは−55℃〜約+25℃の範囲とすることができ、Tmaxは約+300℃〜+1000℃の範囲とすることができる。高温用センサ素子は、高精度で、できる限り速やかに周囲の温度を検出する能力を有していなければならない。温度を検出するには、抵抗値の計測といった単純な温度検出方法をセンサ素子に用いる必要がある。
高温用センサ素子は、重大な劣化を生じることなく、長期にわたり高温環境中に存続しなければならない。高温環境は、周囲の空気中に含まれる酸素によって酸化雰囲気となる可能性が高い。従って、センサ素子は、製造コストを低く抑えつつ、頑丈で耐久性を有するように構成されなければならない。
本発明の高温用センサ素子は、NTC素子またはPTC素子とすることが可能な少なくとも1つのサーミスタ素子を備えており、当該サーミスタ素子は、少なくとも2つの接続領域を有している。略称であるNTCサーミスタは、負温度係数サーミスタ(Negative Temperature Coefficient Thermistor)を表すものである。従って、このようなセンサ素子は、少なくとも特定の温度範囲内において、電気抵抗に負の温度係数を有したセンサ素子ということになる。また、略称であるPTCサーミスタは、正温度係数サーミスタ(Positive Temperature Coefficient Thermistor)を表すものである。このようなセンサ素子は、少なくとも特定の温度範囲内において、電気抵抗に正の温度係数を有したセンサ素子ということになる。NTC素子として形成されたサーミスタ素子について以下に述べる態様だけではなく、更なる態様として、NTC素子をPTC素子に置き換えることも可能である。
高温用センサ素子は、高絶縁性を有するのが好ましいセラミックス基体と、少なくとも2つの導電線路とを備えた少なくとも1つの接続部材を備える。そして、NTC素子の接続領域は、導電性ブリッジにより接続部材の導電線路に接続されている。絶縁性セラミックス基体は上面と下面とを有し、少なくとも2つの導電線路は、1つが下面に配設され、他の1つが上面に配設されている。導電性ブリッジは、サーミスタ素子の接続領域を接続部材の導電線路に電気的に接続する電線部材からなり、電線部材は、導電性焼結材により接続領域及び導電線路に固定され、サーミスタ素子は、耐熱性接続体を介し、接続部材に接続される。
別の態様として、接続部材は、パネル状または薄板状に形成されたセラミックス基体を備える。セラミックス基体を構成するセラミックスは、酸化アルミニウム(Al)を主成分とするのが好ましい。接続部材は、スクリーン印刷によってセラミックス基体に形成された金属製の導電線路を更に備える。
一態様として、NTC素子と、接続部材のNTC素子側の一部とは、周囲を取り囲む封止体によって密封されている。
一態様として、封止体はセラミックス及び/またはガラスからなる。
封止体の材料は、NTC素子の電気的特性に影響を及ぼすものではないのが好ましい。
上述したセンサ素子の製造方法として、NTC素子を耐熱性接続体によって接続部材に接続し、電線部材を、導電性焼結材により接続領域及び導電線路に固定して、サーミスタ素子の接続領域を導電線路に電気的に接続することにより、導電性ブリッジを形成し、NTC素子と接続部材のNTC素子側の一部とを、周囲を取り囲む封止体によって密封する。
製造方法の一態様として、NTC素子は、絶縁性の高耐熱型接着剤により、一時的に接続部材に固定される。
一時的に固定されたNTC素子は、次に、接続領域において、導電性ブリッジにより接続部材の導電線路に恒久的に接続される。
製造方法の別の態様として、NTC素子と接続部材のNTC素子側の一部とは、ガラス管内に配設される。その後、ガラス管は、ガラス管がつぶれて封止体となるまで加熱される。
別の態様として、NTC素子と接続部材のNTC素子側の一部とは、セラミックス材またはガラス材によって密封される。
高温用センサ素子のNTC素子は、当該NTC素子の対向する2つの面に接続領域を備えた矩形の薄板状に形成されてもよい。NTC素子への接続を行うため、高絶縁性のセラミックス基体を備えた接続部材が用いられる。接続部材は、セラミックス基体の対向する2つの面に導電線路を備えている。NTC素子の接続領域、及びセラミックス基体における接続部材の導電線路は、銀、銀白金、金、及び白金のいずれかの化合物を用いて形成される。導電線路の材料は、NTC素子の接続領域の材料と異なっていてもよい。金属化合物がスクリーン印刷によってセラミックス基体に塗布され、焼結されてセラミックス材となる。
接続部材のセラミックス基体は、例えば酸化アルミニウム(Al)を主成分とするセラミックスで形成してもよい。NTC素子と接続部材との接続は、接続部材の金属面と、NTC素子の金属面とで行うのが好ましい。
一態様として、NTC素子と接続部材との接続は、NTC素子の上面及び下面において当該NTC素子を接続部材と電気的且つ機械的に連結する、高温で安定的な金属製短絡電線部材を用いて行ってもよい。この金属製短絡電線部材とセラミックス材の金属面との接続は、導電性化合物を用いて行うようにしてもよい。この導電性化合物により、接続部材の金属面及びNTC素子の金属面と、これらの間にある金属電線とを接続するのが好ましい。導電性化合物は、焼結されることによって、金属製短絡電線部材と接続部材の金属面との電気的接続、及び金属製短絡電線部材とNTC素子の金属面との電気的接続を行うのが好ましい。
接続部材とNTC素子との間の接続における機械的安定性を向上させるため、NTC素子と接続部材との間に、高温にて安定的な接着剤を塗布するようにしてもよい。このような接着剤は、例えば、酸化ジルコニウムまたは酸化アルミニウムを主成分とするものであってもよい。
接続部材とNTC素子との間の接続を支持するため、NTC素子と接続部材のNTC素子側の一部とを、封止体で取り囲むようにしてもよい。このような封止体は、ガラスまたはセラミックスを主成分とする接着剤などの封止材を用いるのが好ましい。
一態様として、高温用センサ素子はガラスにより密封される。高温用センサ素子の頭部は、ガラス管内に配設することができる。ガラス管は潰れるまで加熱され、NTC素子と接続部材のNTC素子側の一部とを包囲するガラス球が生成される。ガラス管は、溶融ガラスまたはガラス粉から製造することが可能である。
別の態様として、ガラススラリーを用いることも可能である。NTC素子と接続部材のNTC素子側の一部とがガラススラリーに浸され、或いはガラススラリー中に封入成形される。そして、続く加熱工程により、固体のガラス製封止体が得られる。
別の態様として、NTC素子と接続部材のNTC素子側の一部とは、セラミックス封止材中に浸され、或いはセラミックス系接着剤によって覆われる。そして、続く加熱処理により、硬い被覆を有した固体の封止体が得られる。
封止されたNTC素子は、外部環境温度におけるNTC素子の抵抗率やいわゆるB値などといった電気的特性が時間の経過に伴い大きく変動しないような極めて安定した温度特性を備えていなければならない。NTC素子の導電面は、セラミックス基体に対する導電極めて安定した接着力を備えつつ、NTC素子のセラミックス基体との電気的接続抵抗がさほど大きくないのが好ましい。NTC素子の導電面は、封止体によって覆われている場合に、高温に対して安定的となる。
接続部材は、外部環境温度の上限領域において、十分に高い抵抗値を有するのが好ましい。
NTC素子と接続部材とは、互いに並列に接続されているのが好ましい。感温NTC素子の信号が不正確にならないようにするため、高温用センサ素子の構成部品の抵抗値は、最低温度と最高温度との間の温度範囲に適応したものとする必要がある。接続部材の抵抗値は、最低温度と最高温度との間の温度範囲において、NTC素子の抵抗値より大きいのが好ましい。
接続部材の導電面は、空気中の酸素などによる酸化雰囲気において安定的であるのが好ましい。導電性ブリッジを形成するための導電性化合物の焼結の際、或いは高温用センサ素子の頭部を密封する際には、高温用センサ素子の頭部における最高温度より高い温度に達する可能性がある。
接続部材の導電面は、上述した処理によって生じうる悪影響に耐えるべく、高温において安定的であるのが好ましい。更に、接続部材の導電面は、接続部材のセラミックス基体に対して高い機械的安定性を有した接着力を備えているのが好ましい。
接続部材の導電面の抵抗は、対象温度領域の全域において、NTC素子の抵抗値と同様に低い値を有するようにしてもよい。接続部材の熱膨張係数は、温度変化によるクラックの発生を防止するため、高温用センサ素子の封止体に応じて調整するのが好ましい。導電性ブリッジは、高温に対して安定的な被覆状態にあるのが好ましい。
封止体の材料がガラスの場合、高温に対して安定的であるのが好ましい。ガラスの変態温度は、高温用センサ素子の最大温度より高いのが好ましい。
また、封止体の熱膨張係数は、機械的な損傷を防止するため、NTC素子の熱膨張係数及び高温用センサ素子の接続部材の熱膨張係数に応じて調整するのが好ましい。
感温NTC素子の信号に対する影響をなくすため、封止体は、少なくともTminからTmaxの温度範囲において、NTC素子の抵抗値より大きい抵抗値を有するのが好ましい。
従来のセンサ素子とは異なり、上述した高温用センサ素子は、周囲温度の検出に高い感度を有するだけではなく、簡素で頑丈な構造を有している。その簡素な構成により、上述の高温用センサ素子は、他のセンサ素子と同様に、極めて安価に製造することが可能である。
NTC素子及び接続部材の配置を示すべく、NTC素子及び接続部材の基本的構成を示す斜視図である。 図1に示すNTC素子及び接続部材に電線部材が取り付けられた状態を示す斜視図である。 別の実施形態として電線部材が導電性化合物によって固定されたセンサ素子の斜視図である。 NTC素子と接続部材のNTC素子側の一部とがガラス管内に配設されたセンサ素子を図3と同様に示す斜視図である。 図4のセンサ素子において、ガラス管が加熱されてガラス球を形成した状態を示す斜視図である。 別の実施形態として、NTC素子と接続部材とが、導電性焼結材により互いに接続されたセンサ素子を示す斜視図である。
以下、添付図面に基づき、センサ素子の特徴について、更に詳細に説明する。
図1〜図6において、NTC素子1はサーミスタ素子として示されている。以下に述べる実施形態の代替として、図1〜図6に示すNTC素子1に代えてPTC素子を用いることも可能である。
図1は、NTC素子1と接続部材4との相対的な配置を示す斜視図である。図1に示すNTC素子1は直方体の形状を有する。別の実施形態として、NTC素子1は薄板状などの様々な外形形状とすることが可能である。接続部材4は、棒状の直方体形状で示されている。接続部材4の形状も様々に変更可能である。NTC素子1及び接続部材4の厚み及び幅は、互いに一致していなくてもよい。NTC素子1と接続部材4との間には隙間を設けることが可能である。一実施形態として、NTC素子1と接続部材4との間に隙間を設けなくてもよい。
別の実施形態として、NTC素子1と接続部材4との間の隙間に高温で安定的な接着剤を充填し、NTC素子1を接続部材4に結合するようにしてもよい。このような場合、接着剤がNTC素子1と接続部材4との間の隙間に位置することになる。NTC素子1は、その上面及び下面に接続領域2及び3を有している。接続部材4は、セラミックス基体5と、当該セラミックス基体5の上面及び下面に形成された金属製の導電線路6及び7とを備える。
図2には、短絡電線部材12及び13が示されている。短絡電線部材12及び13は、NTC素子1と接続部材4との間に導電性ブリッジを形成する。短絡電線部材12及び13は、NTC素子1の接続領域2及び3、並びに接続部材4の金属製導電面となる導電線路6及び7に配設される。
図3には、NTC素子1及び接続部材4への短絡電線部材12及び13の接続状態が示されている。図3に示す実施形態では、短絡電線部材12及び13と導電性化合物とを用いて接続が行われ、この導電性化合物は、NTC素子1の金属面及び接続部材4の金属面において乾燥され焼結される。短絡電線部材12及び13並びに導電材料は、NTC素子1と接続部材4との間に導電性ブリッジ8及び9を形成する。一実施形態として、短絡電線部材12及び13は、溶接またはボンディングによってNTC素子1及び接続部材4に固定するようにしてもよい。
図4は、NTC素子1と接続部材4のNTC素子1側の部分10とがガラス管14内に配設されたセンサ素子の一実施形態を示す。ガラス管14は、NTC素子1と接続部材4のNTC素子1側の部分10とを覆うように配設される。その後、ガラス管14が加熱されて潰れることにより、図5に示すように、NTC素子1と接続部材4のNTC素子1側の部分10との周囲に封止体11が形成される。
これに代わる実施形態として、NTC素子1と接続部材4のNTC素子1側の部分10とが、ガラススラリーに浸されるようにしてもよいし、ガラス中に封入成形されるようにしてもよい。その後の加熱処理により、ガラススラリーがNTC素子1と接続部材4のNTC素子1側の部分10との周囲に固体の封止体11を形成する。
これに代わる実施形態として、セラミックスを主成分とする封止材、またはセラミックス系接着剤を用いることも可能である。この場合、硬化処理の後に、セラミックスがセンサ素子の頭部の周囲に固体の封止体11を形成する。
図6は、センサ素子の別の実施形態として、NTC素子1の金属面と接続部材4の金属面との間の導電性ブリッジ8が導電性化合物によって設けられたセンサ素子を示すものであり、この場合、導電性化合物がNTC素子1の金属面と接続部材4の金属面とにおいて焼結される。
図1〜図6に示す実施形態は、高い温度の計測に好適に用いることができる。

Claims (10)

  1. 少なくとも2つの接続領域を有し、NTC素子またはPTC素子である少なくとも1つのサーミスタ素子と、
    絶縁性セラミックス基体、及び少なくとも2つの導電線路を有した接続部材とを備え、
    前記サーミスタ素子の前記少なくとも2つの接続領域は、導電性ブリッジにより前記接続部材の前記少なくとも2つの導電線路と接続されており、
    前記絶縁性セラミックス基体は上面と下面とを有し、
    前記少なくとも2つの導電線路は、1つが前記下面に配設され、他の1つが前記上面に配設されており、
    前記導電性ブリッジは、前記サーミスタ素子の前記接続領域を前記接続部材の前記導電線路に電気的に接続する電線部材からなり、
    前記電線部材は、導電性焼結材により前記接続領域及び前記導電線路に固定され、
    前記サーミスタ素子は、耐熱性接続体を介し、前記接続部材に接続される
    ことを特徴とする高温用センサ素子。
  2. 前記サーミスタ素子と、前記接続部材の前記サーミスタ素子側の一部とは、封止体によって密封されていることを特徴とする請求項1に記載の高温用センサ素子。
  3. 前記接続部材は、
    Al2O3を主成分としてパネル状または薄板状に形成されたセラミックス基体と、
    スクリーン印刷によって前記セラミックス基体に形成された導電線路と
    を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の高温用センサ素子。
  4. 前記封止体は、セラミックス及び/またはガラスからなることを特徴とする請求項2に記載の高温用センサ素子。
  5. 前記封止体は、前記サーミスタ素子の電気的特性に影響を及ぼすものではないことを特徴とする請求項2に記載の高温用センサ素子。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の高温用センサ素子の製造方法であって、
    前記耐熱性接続体を介し、前記サーミスタ素子を前記接続部材に接続する工程と、
    前記電線部材を、前記導電性焼結材により前記接続領域及び前記導電線路に固定して、前記サーミスタ素子の前記接続領域を前記導電線路に電気的に接続することにより、前記導電性ブリッジを形成する工程と、
    前記サーミスタ素子と、前記接続部材の前記サーミスタ素子側の一部とを封止体によって密封する工程と
    を備えることを特徴とする高温用センサ素子の製造方法。
  7. 前記サーミスタ素子は、絶縁性の高温耐熱型接着剤により、一時的に前記接続部材に固定されることを特徴とする請求項に記載の高温用センサ素子の製造方法。
  8. 一時的に固定された前記サーミスタ素子は、前記接続領域において、導電性ブリッジにより前記接続部材に恒久的に接続されることを特徴とする請求項に記載の高温用センサ素子の製造方法。
  9. 前記サーミスタ素子と、前記接続部材の前記サーミスタ素子側の一部とは、ガラス管内に配設され、前記ガラス管を溶融して封止体を形成することを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の高温用センサ素子の製造方法。
  10. 前記サーミスタ素子と、前記接続部材の前記サーミスタ素子側の一部とは、セラミックス材により密封されることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の高温用センサ素子の製造方法。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008029192A1 (de) 2008-03-13 2009-09-24 Epcos Ag Fühler zum Erfassen einer physikalischen Größe und Verfahren zur Herstellung des Fühlers
KR20120095786A (ko) * 2011-02-21 2012-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환 장치
DE102012110849A1 (de) * 2012-11-12 2014-05-15 Epcos Ag Temperaturfühler und Verfahren zur Herstellung eines Temperaturfühlers
DE102012110822A1 (de) * 2012-11-12 2014-05-15 Epcos Ag Temperatursensorsystem und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensorsystems
DE102014110560A1 (de) * 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und einer Sensoranordnung
DE102014110553A1 (de) 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
DE102016101246A1 (de) 2015-11-02 2017-05-04 Epcos Ag Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
JP6276477B2 (ja) * 2015-12-18 2018-02-07 Semitec株式会社 サーミスタ及びサーミスタを用いた装置
DE102016107931A1 (de) * 2016-04-28 2017-11-02 Epcos Ag Elektronisches Bauelement zur Einschaltstrombegrenzung und Verwendung eines elektronischen Bauelements
DE102016108604A1 (de) * 2016-05-10 2017-11-16 Epcos Ag Vielschichtbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements
DE102016115642A1 (de) * 2016-08-23 2018-03-01 Epcos Ag Keramikmaterial, Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Bauelements
WO2019014934A1 (zh) * 2017-07-21 2019-01-24 深圳和而泰智能控制股份有限公司 电磁加热线圈盘及电磁加热装置
DE102018102132B3 (de) * 2018-01-31 2019-01-03 Tdk Electronics Ag Verfahren zur Befestigung eines Kontaktelements bei einem elektrischen Bauteil und elektrisches Bauteil mit Kontaktelement
CN111863363B (zh) * 2020-06-03 2023-02-17 中科立民新材料(扬州)有限公司 一种高温热敏电阻的封装方法及其封装的电阻和应用

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4321577A (en) * 1980-02-25 1982-03-23 General Electric Company Integral humidity sensor/heater configurations
US4314230A (en) * 1980-07-31 1982-02-02 Raychem Corporation Devices comprising conductive polymers
US4447799A (en) 1981-01-30 1984-05-08 General Electric Company High temperature thermistor and method of assembling the same
JPS57187630A (en) 1981-05-14 1982-11-18 Shibaura Denshi Seisakusho:Kk Thermistor
DE3206903A1 (de) * 1982-02-26 1983-09-15 Bosch Gmbh Robert Gassensor, insbesondere fuer abgase von brennkraftmaschinen
JPS5919827A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 温度センサ
JPS6325339U (ja) * 1986-08-01 1988-02-19
DE3733193C1 (de) * 1987-10-01 1988-11-24 Bosch Gmbh Robert NTC-Temperaturfuehler sowie Verfahren zur Herstellung von NTC-Temperaturfuehlerelementen
US4841273A (en) * 1987-12-18 1989-06-20 Therm-O-Disc, Incorporated High temperature sensing apparatus
JPH0310131A (ja) * 1989-06-07 1991-01-17 Ngk Spark Plug Co Ltd 高温用サーミスタ
JP3203803B2 (ja) * 1992-09-01 2001-08-27 株式会社デンソー サーミスタ式温度センサ
JPH06331453A (ja) * 1993-05-21 1994-12-02 Yamamoto Binitaa Kk 温度センサ
JPH07318435A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Tdk Corp ガラス封止型サーミスタ素子の製造方法
JP3590157B2 (ja) * 1995-09-20 2004-11-17 テルモ株式会社 電子体温計用プリント基板、それを用いた電子体温計、及びその製造方法
JPH09105677A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Isuzu Ceramics Kenkyusho:Kk セラミックシース型部品及びその製造方法
JP3297269B2 (ja) * 1995-11-20 2002-07-02 株式会社村田製作所 正特性サーミスタの実装構造
JP3275739B2 (ja) 1996-11-15 2002-04-22 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ素子及びその製造方法
DE19736855A1 (de) * 1997-08-23 1999-02-25 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung mit einem SMD-Bauelement, insbesondere Temperatursensor und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensors
DE19750123C2 (de) * 1997-11-13 2000-09-07 Heraeus Electro Nite Int Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung für die Temperaturmessung
JP2002048655A (ja) * 2000-05-24 2002-02-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 温度センサ及びその製造管理方法
JP2002057003A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Nippon Soken Inc 耐還元性サーミスタ素子とその製造方法および温度センサ
JP2002188966A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Ngk Spark Plug Co Ltd 温度センサ及びその製造方法並びに製造管理方法
JP4552564B2 (ja) * 2004-08-26 2010-09-29 三菱マテリアル株式会社 薄型温度センサ及びその製造方法
JP2006090704A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Ishizuka Electronics Corp 温度センサ
DE102006031344A1 (de) 2006-07-06 2008-01-10 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit einem Sensorelement, Verfahren zur Verkapselung eines Sensorelements und Verfahren zur Herstellung einer Plattenanordnung
DE102008036837A1 (de) 2008-08-07 2010-02-18 Epcos Ag Sensorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung

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