JP5687520B2 - p型のIII族窒化物半導体層を含む半導体装置 - Google Patents
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Description
そのために、p型のIII族窒化物半導体層を貫通するn型の領域を形成する場合、p型のIII族窒化物半導体層を局所的にエッチングして貫通孔を形成し、その後にn型のIII族窒化物半導体を結晶成長させることによって貫通孔を充填するn型のIII族窒化物半導体を形成する。
(特長1)下記の順で製造する:
(1)n型のIII族窒化物半導体層の表面に不純物濃度が濃いp型のIII族窒化物半導体層を結晶成長する。
(2)貫通孔と不純物低濃度範囲となる範囲をエッチングして大型貫通孔を形成する。
(3)再成長法または選択再成長法によって、大型貫通孔の内部に不純物濃度が薄いp型のIII族窒化物半導体を結晶成長する。
(4)貫通孔となる範囲をエッチングして貫通孔を形成する。
(5)再成長法または選択再成長法によって、貫通孔に内部にn型またはi型のIII族窒化物半導体を結晶成長する。
(特長2)
貫通孔の底面に露出するn型のIII族窒化物半導体の不純物濃度は1〜2E16/cm3であり、貫通孔の外側であって大型貫通孔の内側に位置する不純物低濃度範囲のp型のIII族窒化物半導体領域の不純物濃度は1E17/cm3以下であり、大型貫通孔の外側に位置する不純物高濃度範囲のp型のIII族窒化物半導体層の不純物濃度は1E18/cm3以上である。
図示されている半導体装置の場合、下から、ドレイン電極2、n+−GaN層4、n−−GaN層6、p−GaN層8、n−−GaN層14、AlGaN層16、SiO2層18、ゲート電極20の順で積層されている。図示の12,22は、n+−GaN領域であり、10,24はソース電極である。
p−GaN層8の中央範囲には貫通孔8cが形成されている。貫通孔8cは、n−GaN領域7で充填されている。図1に示す実施例の半導体装置の場合、貫通孔8cに臨んでいる範囲8bのp−GaN層8の不純物濃度は薄く、貫通孔8cから離れている範囲8aのp−GaN層8の不純物濃度は濃い。図2に示す従来の半導体装置の場合、不純物濃度が薄い範囲8bが存在しない。
ゲ−ト電極20は、ソ−ス電極10と貫通孔8cの間の範囲と、ソ−ス電極24と貫通孔8cの間の範囲を含む範囲に対向している。
貫通孔8cの側壁で、不純物濃度が1E17/cm3以下のp型領域8bと不純物濃度が5E17/cm3以上のn型領域7が接する場合、半導体装置のオフ時にはpn接合界面から不純物濃度が薄いp型領域8bに向けて空乏層が長く伸びる。この結果、pn接合界面に作用する電界強度が弱められる。pn接合界面に降伏電流が流れてしまうことを防止することができる。
不純物低濃度範囲8bにおける不純物濃度が1E17/cm3以下であると、電流制限機能が不十分となることがある。しかしながら、不純物低濃度範囲8bは、ソース電極10,24ならびにn+−GaN領域12,22から離れた位置にある。不純物低濃度範囲8bと、ソース電極10,24ならびにn+−GaN領域12,22の間には、ゲ−ト電極20に負の電圧をかけたときに電子が消失する領域が存在している。不純物低濃度範囲8bは、半導体装置のオフ時に電流が流れることを規制する必要がある領域外にあり、不純物濃度が薄くてもかまわない位置に形成されている。
貫通孔8cに臨んでいる不純物低濃度範囲8bにおける不純物濃度が1E17/cm3以下であれば、ビルトインポテンシャルだけで100nm程度の空乏層が形成される。不純物低濃度範囲8bにおける不純物濃度が1E17/cm3以下であれば、n−GaN領域7の不純物濃度が高くても、トンネル効果は発生せず、リーク電流が発生することを防止できる。
(1)n−−GaN層6の表面の全域にp−GaN層8を結晶成長させる。このとき、不純物濃度が1E18/cm3以上となる条件で結晶成長させる。
(2)貫通孔8cと不純物低濃度範囲8bとする範囲をエッチングして大型貫通孔を形成する。
(3)再成長法または選択再成長法を用いて、大型貫通孔に内部に、p−GaN層8を結晶成長させる。このときは、不純物濃度が1E17/cm3以下となる条件で結晶成長させる。
(4)貫通孔8cとする範囲をエッチングして貫通孔8cを形成する。
(5)再成長法または選択再成長法を用いて、貫通孔8cの内部に、n型またはi型のIII族窒化物半導体7を結晶成長する。このとき、不純物濃度が薄くなる条件で結晶成長させても、n型不純物の濃度が5E17/cm3程度となってしまう。
したがって、オフ時の耐圧を確保するためには、不純物低濃度範囲8bを確保することが好ましい。
また下記に記載する特許請求の範囲の技術的範囲は、実施例に限定されない。実施例はあくまで実施例を例示するものである。
4:n+−GaN層
6:n−−GaN層
7:n−GaN領域
8:p−GaN層
8a:不純物高濃度範囲
8b:不純物低濃度範囲
8c:貫通孔
10,24:ソース電極
12,22:n+−GaN領域
14:n−−GaN層
16:AlGaN層
18:SiO2層
20:ゲート電極
Claims (1)
- 大型貫通孔が形成されているp型のIII族窒化物半導体層と、
前記大型貫通孔を充填しているとともに貫通孔が形成されているp型のIII族窒化物半導体領域と、
前記貫通孔を充填しているn型のIII族窒化物半導体領域を備えており、
前記大型貫通孔の外側に位置する前記p型のIII族窒化物半導体層の不純物濃度が、前記大型貫通孔の内側に位置する前記p型のIII族窒化物半導体領域の不純物濃度より濃いことを特徴とする半導体装置。
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