JP5793101B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
(形態1)本明細書で開示される半導体装置は、第1種類の半導体材料の第1半導体層と第2種類の半導体材料の第2半導体層と第3種類の半導体材料の第3半導体層とを備えていてもよい。第2半導体層は、第1半導体層上に接して設けられていてもよい。第3半導体層は、第2半導体層上に接して設けられていてもよい。
(形態2)第1種類の半導体材料のバンドギャップの幅は、第2種類の半導体材料のバンドギャップの幅よりも広くてもよい。第3種類の半導体材料のバンドギャップの幅は、第2種類の半導体材料のバンドギャップの幅よりも広くてもよい。第1種類の半導体材料のバンドギャップの幅と第3種類の半導体材料のバンドギャップの幅の大小関係は、特に制限されるものではない。このため、第1種類の半導体材料と第3種類の半導体材料が同一の半導体材料でもよく、異なる半導体材料でもよい。
(形態3)第1種類の半導体材料と第2種類の半導体材料と第3種類の半導体材料のいずれもが、窒化物半導体であってもよい。この場合、第1種類の半導体材料が、一般式InX1AlY1Ga1−X1−Y1N(0≦X1≦1,0≦Y1≦1,0≦X1+Y1≦1)で示される。第2種類の半導体材料が、一般式InX2AlY2Ga1−X2−Y2N(0≦X2≦1,0≦Y2≦1,0≦X2+Y2≦1)で示される。第3種類の半導体材料が、一般式InX3AlY3Ga1−X3−Y3N(0≦X3≦1,0≦Y3≦1,0≦X3+Y3≦1)で示される。ここで、X1はX2よりも小さく、Y1はY2よりも大きい。X3はX2よりも小さく、Y3はY2よりも大きい。一例では、第1種類の半導体材料が窒化アルミニウムガリウムであり、第2種類の半導体材料が窒化ガリウムであり、第3種類の半導体材料が窒化アルミニウムガリウムであってもよい。
(形態4)本明細書で開示される半導体装置は、第1電極と第2電極とゲート部と正孔排出電極を備えていてもよい。第1電極は、第3半導体層上に設けられていてもよい。第2電極は、第3半導体上に設けられており、第1電極から離れていてもよい。ここで、第1電極と第2電極はいずれも、第2半導体層と第3半導体層の接合面のうちの第2半導体層側に形成される2次元電子ガス層にオーミック接続していてもよい。ゲート部は、第3半導体層上に設けられており、第1電極と第2電極の間に配置されている。ゲート部は、ショットキーゲート型でもよく、絶縁ゲート型でもよい。正孔排出電極は、第1半導体層に接していてもよい。
(形態5)第2半導体層は、第1半導体層との接合面に形成される2次元正孔ガス層の存在範囲以外の少なくとも一部に、p型の不純物を含むp型部分領域を有していてもよい。
(形態6)p型部分領域は、平面視したときに、ゲート部の存在範囲の少なくとも一部を含むように配置されていてもよい。アバランシェ降伏は、ゲート部近傍で発生することが多い。このため、このゲート部に対応してp型部分領域が設けられていると、アバランシェ降伏で発生した正孔を効率的に排出することができる。
(形態7)p型部分領域の不純物濃度は、第1半導体層と第2半導体層の接合面から第2半導体層と第3半導体層の接合面に向けて減少していてもよい。第2半導体層と第3半導体層の接合面には、2次元電子ガス層が形成されている。このため、この2次元電子ガス層での不純物散乱を抑えることで、オン抵抗が低く抑えられる。
以下、図面を参照して半導体装置1の第1の製造方法を説明する。まず、図5に示されるように、基板2とバッファ層3と高抵抗層4と埋込み層5とノンドープ層6aとp型ドープ層6bが積層した積層基板を用意する。なお、ノンドープ層6aとp型ドープ層6bは、最終的に電子走行層6の一部の領域となる。バッファ層3は、低温下の有機金属気相成長法(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)を利用して、基板2上に結晶成長される。高抵抗層4,埋込み層5,ノンドープ層及びp型ドープ層6bも、MOCVD技術を利用して結晶成長される。高抵抗層4の炭素源の一例としては、アセチレンが用いられる。又は、有機金属ガスのメチル基を炭素源として用いることができる。p型ドープ層6bのマグネシウム源としては、シクロペンタジエニルマグネシウムが用いられる。一例では、ノンドープ層6aの厚みが約10〜20nmであり、p型ドープ層6bの厚みが約10〜20nmである。また、p型ドープ層6bに含まれるマグネシウム濃度は約1×1019〜3×1019cm−3である。
3:バッファ層
4:高抵抗層
5:埋込み層
6:電子走行層
6A:p型部分領域
7:電子供給層
11:ドレイン電極
14:ゲート部
15:ソース電極
16:正孔排出電極
Claims (3)
- 第1種類の半導体材料の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に接して設けられており、第2種類の半導体材料の第2半導体層と、
前記第2半導体層上に接して設けられており、第3種類の半導体材料の第3半導体層と、
前記第3半導体層上に設けられている第1電極と、
前記第3半導体上に設けられており、前記第1電極から離れている第2電極と、
前記第3半導体層上に設けられており、前記第1電極と前記第2電極の間に配置されているゲート部と、
前記第1半導体層に接する正孔排出電極と、を備えており、
前記第1種類の半導体材料のバンドギャップの幅は、前記第2種類の半導体材料のバンドギャップの幅よりも広く、
前記第3種類の半導体材料のバンドギャップの幅は、前記第2種類の半導体材料のバンドギャップの幅よりも広く、
前記第2半導体層は、前記第1半導体層との接合面に形成される2次元正孔ガス層の存在範囲以外の少なくとも一部に、p型の不純物を含むp型部分領域を有しており、
前記p型部分領域は、平面視したときに、前記ゲート部の存在範囲の少なくとも一部を含むように配置されている半導体装置。 - 前記p型部分領域の不純物濃度は、前記第1半導体層と前記第2半導体層の接合面から前記第2半導体層と前記第3半導体層の接合面に向けて減少している請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体層は、窒化アルミニウムガリウムであり、
前記第2半導体層は、窒化ガリウムであり、
前記第3半導体層は、窒化アルミニウムガリウムである請求項1又は2に記載の半導体装置。
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