JP5686624B2 - 高周波信号接続構造 - Google Patents

Description

この発明は、異種の誘電体基板をバンプで接続している高周波信号接続構造に関するものである。

従来の高周波信号接続構造では、複数の誘電体基板の表層に設けられている信号線導体及び接地導体をバンプ導体で接続することで、異なる誘電体基板間での高周波信号の伝送を実現している（例えば、特許文献１を参照）。
特許文献１に開示されている高周波信号接続構成では、バンプ搭載用に導体表面を覆う絶縁コーティング材（ソルダレジスト）の開口サイズが信号線導体や接地導体のサイズと比べて小さく形成されている。

これにより、絶縁コーティング材と信号線導体及び接地導体との位置ずれによる誤差の影響が吸収されて、安定したバンプ形成が可能になっている。
しかし、特許文献１に開示されている高周波信号接続構成では、信号線導体がバンプ導体の底面と比べて大きくなり、信号線導体と周囲の接地導体との間の寄生容量成分が大きくなるため、高周波信号の伝送特性が劣化することがある。

高周波信号の伝送特性が劣化する課題を解決するために、絶縁コーティング材の開口サイズを信号線導体サイズと比べて大きくする構成が考えられる（例えば、特許文献２を参照）。
この構成を採用すれば、信号線導体サイズをバンプ導体の底面サイズ相当に縮小することが可能であるため、高周波信号の伝送特性の劣化を軽減することができる。
しかし、この構成を信号線導体に採用し、特許文献１に記載されている構造を接地導体に採用すると、信号バンプと接地バンプの形成方法が異なることから、バンプ形状の均一性が損なわれ、機械的な強度についての懸念が生じる。

以下の特許文献３では、接地バンプ用パッドも信号バンプ用パッドと同様に、島状のパッドを採用する構成が開示されている。
この構成において、絶縁コーティング材の開口サイズを信号線導体及び接地導体サイズと比べて大きくすれば、バンプ形状の均一性と寄生容量の低減を実現することができる。

特許第３９３３９４３号 特許第３６６６５９１号 米国特許ＵＳ７３７２１７０Ｂ２

従来の高周波信号接続構造は以上のように構成されているので、接地バンプ用パッドも信号バンプ用パッドと同様に島状のパッドを採用し、絶縁コーティング材の開口サイズを信号線導体及び接地導体サイズと比べて大きくすれば、バンプ形状の均一性と寄生容量の低減を実現することができる。しかし、接地バンプ用パッドは内層接地導体と短絡する必要であり、短絡用の柱状導体（スルーホール、ＶＩＡホール）は接地バンプ用パッドと１対１で対応することから、短絡用の柱状導体のピッチが接地バンプのピッチに制限を受けることになる。このため、高周波信号接続構造から外部に漏洩する不要なエネルギーの抑圧が不十分（シールド効果が不十分）になるなどの課題があった。

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる高周波信号接続構造を得ることを目的とする。

この発明に係る高周波信号接続構造は、第１の誘電体基板の内層又は裏面に施されている平板状接地導体と、第１の誘電体基板の表層に設けられている第１の信号バンプ搭載用パッドと、第１の誘電体基板の表層において第１の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第１の接地バンプ搭載用パッドと、一端が第１の接地バンプ搭載用パッドと接続され、他端が第１の信号バンプ搭載用パッドとの距離が離れる方向に延伸されている形態で第１の誘電体基板の表層に施されている複数の第１の接地導体と、第１の接地導体の他端と平板状接地導体の間に接続されている複数の第１の柱状導体と、複数の第１の柱状導体の間に接続されている形態で第１の誘電体基板の表層に施されている第２の接地導体と、第２の接地導体と平板状接地導体の間に接続されている第２の柱状導体と、第１の接地導体の一部を覆う形態で第１の接地バンプ搭載用パッドの外周を囲んでいる絶縁コーティング材と、第２の誘電体基板の裏層に設けられている第２の信号バンプ搭載用パッドと、第２の誘電体基板の裏層において第２の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第２の接地バンプ搭載用パッドと、第１の信号バンプ搭載用パッドと第２の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている信号バンプと、第１の接地バンプ搭載用パッドと第２の接地バンプ搭載用パッドの間に接続されている複数の接地バンプとを備えるようにしたものである。

この発明によれば、第１の誘電体基板の内層又は裏面に施されている平板状接地導体と、第１の誘電体基板の表層に設けられている第１の信号バンプ搭載用パッドと、第１の誘電体基板の表層において第１の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第１の接地バンプ搭載用パッドと、一端が第１の接地バンプ搭載用パッドと接続され、他端が第１の信号バンプ搭載用パッドとの距離が離れる方向に延伸されている形態で第１の誘電体基板の表層に施されている複数の第１の接地導体と、第１の接地導体の他端と平板状接地導体の間に接続されている複数の第１の柱状導体と、複数の第１の柱状導体の間に接続されている形態で第１の誘電体基板の表層に施されている第２の接地導体と、第２の接地導体と平板状接地導体の間に接続されている第２の柱状導体と、第１の接地導体の一部を覆う形態で第１の接地バンプ搭載用パッドの外周を囲んでいる絶縁コーティング材と、第２の誘電体基板の裏層に設けられている第２の信号バンプ搭載用パッドと、第２の誘電体基板の裏層において第２の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第２の接地バンプ搭載用パッドと、第１の信号バンプ搭載用パッドと第２の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている信号バンプと、第１の接地バンプ搭載用パッドと第２の接地バンプ搭載用パッドの間に接続されている複数の接地バンプとを備えるように構成したので、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果がある。

この発明の実施の形態１による高周波信号接続構造を示す断面図である。 図１（ｂ）に示す誘電体基板１の表層パターンを従来技術で構成した場合の断面図である。 シールド効果を確認するために実施した漏洩エネルギーの計算結果を示す説明図である。 この発明の実施の形態２による高周波信号接続構造を示す断面図である。 この発明の実施の形態３による高周波信号接続構造を示す断面図である。 この発明の実施の形態４による高周波信号接続構造を示す断面図である。 この発明の実施の形態５による高周波信号接続構造を示す断面図である。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による高周波信号接続構造を示す断面図である。
図１（ａ）は図１（ｂ）のＢ−Ｂ’面に相当する断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ’面についての断面図である。また、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＣ−Ｃ’面についての断面図である。
最初に、図１の高周波信号接続構造の構成を簡単に説明する。

誘電体基板１は第１の誘電体基板を構成し、誘電体基板２は第２の誘電体基板を構成しており、誘電体基板１と誘電体基板２は異なる誘電体基板である。
平板状接地導体１１は誘電体基板１の内層に施されている導体である。図１の例では、平板状接地導体１１が誘電体基板１の内層に施されているが、誘電体基板１の裏面に施されていてもよい。
信号バンプ搭載用パッド１２は誘電体基板１の表層に設けられているパッドである。なお、信号バンプ搭載用パッド１２は第１の信号バンプ搭載用パッドを構成している。
信号線導体パターン１３は一端が信号バンプ搭載用パッド１２と接続されている形態で誘電体基板１の表層に施されている導体である。なお、信号線導体パターン１３は第１の信号線導体を構成している。

接地バンプ搭載用パッド１４は誘電体基板１の表層において信号バンプ搭載用パッド１２の周辺に設けられているパッドである。なお、接地バンプ搭載用パッド１４は第１の接地バンプ搭載用パッドを構成している。
接地導体１５は一端が接地バンプ搭載用パッド１４と接続され、他端が信号バンプ搭載用パッド１２との距離が離れる方向に延伸されている形態で誘電体基板１の表層に施されている導体である。なお、接地導体１５は第１の接地導体を構成している。

ランド導体１６は信号線導体パターン１３が配置される領域を除く領域に施されており、接地導体１５の他端と接地導体１８が接続されている。
柱状導体１７はランド導体１６と平板状接地導体１１の間に接続されている導体である。なお、柱状導体１７は第１の柱状導体を構成している。
接地導体１８は隣り合っている柱状導体１７と柱状導体１７の間に接続されている形態で誘電体基板１の表層に施されている導体である。なお、接地導体１８は第２の接地導体を構成している。

ランド導体１９は接地導体１８の一部に配置されている導体である。
柱状導体２０はランド導体１９と平板状接地導体１１の間に接続されている導体である。なお、柱状導体２０は第２の柱状導体を構成している。

絶縁コーティング材２１は誘電体基板１の表層に形成されている各種導体の上部に配置されており、絶縁コーティング材２１は、接地導体１５の一部を覆う形態で接地バンプ搭載用パッド１４の外周を囲んでいる。また、信号線導体パターン１３の一部を覆う形態で信号バンプ搭載用パッド１２の外周を囲んでいる。
絶縁コーティング材開口２２は信号バンプ搭載用パッド１２を露出させるための開口である。
絶縁コーティング材開口２３は接地バンプ搭載用パッド１４を露出させるための開口である。
絶縁コーティング材開口２４は柱状導体１７，２０がスルーホールで形成された場合、絶縁コーティング材２１がスルーホールの穴に流入することを防ぐ目的で設けられている開口である。

信号バンプ搭載用パッド３１は誘電体基板２の裏層に設けられているパッドである。なお、信号バンプ搭載用パッド３１は第２の信号バンプ搭載用パッドを構成している。
接地バンプ搭載用パッド３２は誘電体基板２の裏層において信号バンプ搭載用パッド３１の周辺に設けられているパッドである。なお、接地バンプ搭載用パッド３２は第２の接地バンプ搭載用パッドを構成している。

信号バンプ３３は信号バンプ搭載用パッド１２と信号バンプ搭載用パッド３１の間に接続されているバンプである。
接地バンプ３４は接地バンプ搭載用パッド１４と接地バンプ搭載用パッド３２の間に接続されているバンプである。

信号線導体３５は誘電体基板２の表層に施されている導体である。
柱状導体３６は信号バンプ搭載用パッド３１と信号線導体３５の間に接続されている導体である。
接地導体３７は誘電体基板２の内層に施されている導体である。
柱状導体３８は接地バンプ搭載用パッド３２と接地導体３７の間に接続されている導体である。

次に、図１の高周波信号接続構造の具体的な構成と作用について説明する。
この実施の形態１では、図１に示すように、誘電体基板１の内層には平板状接地導体１１が形成され、誘電体基板１の表層には信号バンプ搭載用パッド１２と接地バンプ搭載用パッド１４が形成されており、信号バンプ搭載用パッド１２と接地バンプ搭載用パッド１４は電気的に隔離されている。
また、接地バンプ搭載用パッド１４は、信号バンプ搭載用パッド１２を取り囲むように、４つ配置されている。
信号バンプ搭載用パッド１２は、信号線導体パターン１３と導通しており、信号線導体パターン１３と平板状接地導体１１によってマイクロストリップ線路が構成されている。

接地バンプ搭載用パッド１４は、図１に示すように、接地導体１５と導通しており、接地導体１５は、信号バンプ搭載用パッド１２との距離が離れる方向に延伸して、ランド導体１６と導通している。
ランド導体１６と平板状接地導体１１は、柱状導体１７を介して導通している。
図１では、柱状導体１７が、穴壁面に導体パターンが形成されているスルーホールである例を示しているが、柱状導体１７はスルーホールであるものに限るものではなく、例えば、穴内部を導体によって埋められているＶＩＡホールなどでもよい。

ランド導体１６は、信号線導体パターン１３が配置されている領域を除き、互いに接地導体１８によって導通されている。
接地導体１８の一部にはランド導体１９が配置されており、ランド導体１９と平板状接地導体１１は、柱状導体２０を介して導通している。

誘電体基板１の表層に形成されている各種導体の上部には、絶縁コーティング材２１が施されており、絶縁コーティング材２１には、信号バンプ搭載用パッド１２が露出するように絶縁コーティング材開口２２が設けられ、また、接地バンプ搭載用パッド１４が露出するように絶縁コーティング材開口２３が設けられている。
ここで、絶縁コーティング材開口２２の径Ｗｓ２は、信号バンプ搭載用パッド１２の径Ｗｓ１と比べて大きく、絶縁コーティング材開口２３の径Ｗｇ２は、接地バンプ搭載用パッド１４の径Ｗｇ１と比べて大きい。
また、柱状導体１７，２０がスルーホールで形成された場合、絶縁コーティング材２１がスルーホールの穴に流入することを防ぐ目的で、絶縁コーティング材２１には、絶縁コーティング材開口２４が設けられている。

信号バンプ搭載用パッド１２の上部には信号バンプ３３が形成され、接地バンプ搭載用パッド１４の上部には接地バンプ３４が形成されている。
ここで、信号バンプ３３及び接地バンプ３４の底面サイズは、信号バンプ搭載用パッド１２及び接地バンプ搭載用パッド１４のサイズとほぼ同等である。
これにより、信号バンプ搭載用パッド１２の径Ｗｓ１と接地バンプ搭載用パッド１４の径Ｗｇ１を同等サイズに選び、信号線導体パターン１３の幅Ｗｓ３が信号バンプ搭載用パッド１２の径Ｗｓ１より狭く、接地導体１５の幅Ｗｇ３が接地バンプ搭載用パッド１４の径Ｗｇ１より狭くすることで、信号バンプ３３と接地バンプ３４のバンプ形状の均一性を確保することができる。

信号バンプ３３は、誘電体基板１とは別の誘電体基板２の裏面に設けられている信号バンプ搭載用パッド３１に導通し、接地バンプ３４は、誘電体基板２の裏面に設けられている接地バンプ搭載用パッド３２に導通している。
誘電体基板２の表層には信号線導体３５が施されており、信号バンプ搭載用パッド３１と信号線導体３５は、柱状導体３６によって導通している。
誘電体基板２の内層には、接地導体３７が施されており、接地バンプ搭載用パッド３２と接地導体３７は、柱状導体３８によって導通している。
以上の構成により、誘電体基板１を伝送する高周波信号と、誘電体基板２を伝送する高周波信号との高周波信号接続が実現される。

平板状接地導体１１と誘電体基板１の表層に配置されている各種接地導体との間、あるいは、平板状接地導体１１と誘電体基板２の裏面に配置されている接地導体との間には、不要な平行平板モードが発生し得る。
この平行平板モードは、図１の高周波信号接続構造の外部への漏洩エネルギーの増加に起因しており、この平行平板モードによって、他の端子への不要な結合による不安定動作や、信号伝送特性の劣化を招く可能性がある。
漏洩エネルギーを抑圧し、シールド効果を高めるためには、接地バンプ３４のピッチに相当する接地バンプ搭載用パッド１４のピッチＰｂ１と、柱状導体１７，２０のピッチの最小ピッチＰｔ１とを、伝送させる高周波信号の波長と比べて、十分に小さくすることが必要である。

図２は図１（ｂ）に示す誘電体基板１の表層パターンを従来技術で構成した場合の断面図である。各部の符号については図１と同様である。
図２の構成では、接地バンプ搭載用パッド１４と柱状導体１７が１対１で対応しており、各々が図１における平板状接地導体１１に相当する接地導体に接続される。
柱状導体１７がスルーホールで構成されている場合、バンプ構成用はんだがスルーホールの内部へ流入することを防ぐため、図２に示すように、柱状導体１７は接地バンプ搭載用パッド１４の位置から隔離距離Ｌｐｔ２だけ隔てた位置に設けられる。また、柱状導体１７がＶＩＡホールである場合でも、パッドの平坦性を確保する目的で、同様に隔離距離Ｌｐｔ２を確保する場合がある。

図２では、計４箇所の接地用導体１５の形状が同一であり、接地バンプ搭載用パッド１４は一辺のピッチがＰｂ２の正方形形状に配置されている。また、柱状導体１７も同様に一辺ピッチがＰｔ２の正方形形状に配置されており、Ｐｂ２＝Ｐｔ２である。
つまり、従来技術においては、柱状導体１７のピッチＰｔ２は、接地バンプ搭載用パッド１４のピッチＰｂ２に制限される。
局所的にＰｔ２＜Ｐｂ２を実現することは可能であるが、他の部分において、Ｐｔ２＞Ｐｂ２となる箇所が発生するため、柱状導体１７のピッチＰｔ２をピッチＰｂ２以下に配置することが困難である。

また、接地バンプの形成領域が中空である場合、誘電体基板１の内部は基板の誘電率による波長短縮が起こるため、接地バンプ搭載用パッド１４のピッチと比べて、柱状導体１７のピッチはより密に配置する必要があり、図２の構成では、これの実現が困難である。
また、隔離距離Ｌｐｔ２を確保するため、接地バンプ搭載用パッド１４のピッチＰｂ２を小さくすることにも限界がある。

一方、図１の構成では、柱状導体１７，２０のピッチＰｔ１は、接地バンプ搭載用パッド１２のピッチＰｂ１の影響を受けずに、Ｐｔ１＜Ｐｂ１の実現が可能であり、誘電体基板１の内部における漏洩エネルギーを低減することが可能になる。
また、接地バンプ搭載用パッド１４のピッチは、図２に示す隔離距離Ｌｐｔ２の影響を受けないため、Ｐｂ１＜Ｐｂ２の実現が可能であり、バンプ形成部における漏洩エネルギーを低減することが可能になる。
以上より、従来構造と比べて、シールド効果を高めることが可能になる。

図３はシールド効果を確認するために実施した漏洩エネルギーの計算結果を示す説明図である。
この計算には有限要素法を用いた３次元電磁界シミュレーションを適用している。
図３において、実線は図１の高周波信号接続構造による計算結果を示し、破線は図２の従来技術の構造による計算結果を示している。
ここで、誘電体基板１の比誘電率は３．４、バンプ形成部は中空、Ｐｂ１＝Ｐｂ２＝Ｐｔ２＝１．８ｍｍ、Ｐｔ１＝１．１ｍｍの条件で計算している。
グラフ横軸は周波数であり、グラフ縦軸は入力電力と漏洩電力の比をｄＢで表記している。図３より、本発明の構造を採用することで、漏洩エネルギーレベルが１．５ｄＢ程度低減されて、改善していることが確認される。

この実施の形態１では、ランド導体１６，１９の径と比べて、接地導体１５，１８の幅が狭い例を示したが、逆の関係でもよく、接地導体１８がランド導体１６，１９を含有していてもよい。
また、この実施の形態１では、接地導体１５が信号バンプ搭載用パッド１２から放射状に離れる方向へ延伸している例を示したが、二つの接地導体１５が平行に延伸していても構わない。
また、この実施の形態１では、接地バンプ搭載用パッド１４を４つ配置している例を示したが、接地バンプ搭載用パッド１４を２つ又は３つ配置するようにしてもよいし、接地バンプ搭載用パッド１４を５つ以上配置するようにしてもよい。

この実施の形態１では、信号線導体パターン１３と平板状接地導体１１によってマイクロストリップ線路を構成する例を示したが、他の線路形式を適用してもよく、例えば、信号線導体パターン１３が誘電体基板１の内層に配置される埋め込み型マイクロストリップ線路、あるいは、信号線導体パターン１３の上下層に接地導体を有するストリップ線路を適用してもよい。
また、この実施の形態１では、隣り合う柱状導体１７の間に２つの柱状導体２０を３箇所に配置している例を示したが、柱状導体２０の個数は、これに限るものではなく、少なくとも一組の隣り合う柱状導体１７の間に少なくとも１つの柱状導体２０を配置するようにすればよい。

この実施の形態１では、絶縁コーティング材２１の形状が、接地導体１５，１８がほぼ全て覆われている形状である例を示したが、バンプ形成が可能であれば、これ以外の形状でもよく、バンプ形成用に接地導体１５の一部を覆う構成を適用してもよい。
また、この実施の形態１では、信号線導体３５を誘電体基板２の表層に施している例を示したが、誘電体基板２の内層に施されていてもよい。また、接地導体３７は誘電体基板２の内層に施している例を示したが、誘電体基板２の表層に施されていてもよい。

以上より、この実施の形態１によれば、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果を奏する。

実施の形態２．
図４はこの発明の実施の形態２による高周波信号接続構造を示す断面図である。
図４（ａ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ’面に相当する断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ−Ａ’面についての断面図である。
図４では、図１における平板状接地導体１１が除去されており、これに伴って、柱状導体１７，２０が除去されている。
接地導体１５は信号バンプ搭載用パッド１２との距離が離れる方向へ延伸しており、接地導体１５は、信号線導体パターン１３が配置される領域を除き、互いに接地導体１８によって導通されている。信号線導体パターン１３と接地導体１８によってコプレーナ線路が構成されている。
その他の構造については、図１の構造と同様である。

図４の構造では、誘電体基板１の内層及び裏面に平板状接地導体１１が施されていないため、誘電体基板１内での平行平板モードの伝搬を排除することが可能になる。
また、上記実施の形態１でも述べたように、接地バンプ搭載用パッド１４のピッチＰｂ１が、図２に示す隔離距離Ｌｐｔ２の影響を受けずに、Ｐｂ１＜Ｐｂ２の実現が可能になる。
このため、バンプ形成部における漏洩エネルギーを低減することが可能になる。
また、図４の構造では、信号バンプ３３と接地バンプ３４の形状均一性を維持することができる。
以上より、この実施の形態２によれば、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果を奏する。

実施の形態３．
図５はこの発明の実施の形態３による高周波信号接続構造を示す断面図である。
図５（ａ）は図５（ｂ）のＢ−Ｂ’面に相当する断面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるＡ−Ａ’面についての断面図である。また、図５（ｃ）は図５（ａ）におけるＣ−Ｃ’面についての断面図であり、図５（ｄ）は図５（ｂ）におけるＤ−Ｄ’面についての断面図である。
図５において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。

信号線導体４１は誘電体基板１の平面方向に延伸されている形態で誘電体基板１の内層に施されている導体である。なお、信号線導体４１は第２の信号線導体を構成している。
ランド導体４２は信号線導体パターン１３と接続されている導体である。
柱状導体４３はランド導体４２と信号線導体４１の間に接続されている導体である。なお、柱状導体４３は第３の柱状導体を構成している。
図５の例では、柱状導体４３がランド導体４２と信号線導体４１の間に接続されているが、柱状導体４３が信号バンプ搭載用パッド１２と信号線導体４１の間に接続されていてもよい。

信号線導体４４は誘電体基板１の平面方向に延伸されている形態で誘電体基板１の裏層又は内層に施されている導体（誘電体基板１の内層に施される場合、信号線導体４１より下部の層に施される）である。なお、信号線導体４４は第３の信号線導体を構成している。
柱状導体４５は信号線導体４１と信号線導体４４の間に接続されている導体である。なお、柱状導体４５は第４の柱状導体を構成している。
平板状接地導体４６は誘電体基板１の内層に施されている導体である。

次に、図５の高周波信号接続構造の具体的な構成と作用について説明する。
信号線導体パターン１３は、ランド導体４２と導通しており、ランド導体４２は、柱状導体４３を介して、誘電体基板１の内層に施されている信号線導体４５と導通している。
誘電体基板１の内層には板状接地導体１１が施されており、平板状接地導体１１、信号線導体４１，４４からストリップ線路が構成されている。

図１の構造では、誘電体基板１の表層に施されている信号線導体パターン１３との干渉を防ぐために、信号線導体パターン１３が配置されている領域には、接地導体１８を配置しない構成であったが、図５の構造では、信号線導体パターン１が内層に潜る構成となっているため、該部（図５（ｂ）の左側）においても、接地導体１８によってランド導体１６が接続され、柱状導体２０によって平板状接地導体１１と導通する構造となっている。
この結果、ランド導体１６、接地導体１８及びランド導体１９の形状が、信号バンプ搭載用パッド１２を取り囲むように閉じた導体形状となっている。
その他の構造については、上記実施の形態１と同様である。

図５の構造では、柱状導体１７，２０によって、高周波信号接続構造の周囲を囲むことが可能になり、誘電体基板１の内部における漏洩エネルギー低減効果をさらに高めることが可能となる。
以上より、この実施の形態３によれば、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果を奏する。

実施の形態４．
図６はこの発明の実施の形態４による高周波信号接続構造を示す断面図である。
図６（ａ）は図６（ｂ）のＢ−Ｂ’面に相当する断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）におけるＡ−Ａ’面についての断面図である。また、図６（ｃ）は図６（ａ）におけるＣ−Ｃ’面についての断面図である。

上記実施の形態１〜３では、信号バンプ搭載用パッド１２と信号線導体パターン１３が１組だけ設けられているものを示したが、図６に示すように、２組の信号バンプ搭載用パッド１２及び信号線導体パターン１３が隣接して配置されていてもよい。
これにより、一対の信号線導体パターン１３によって差動信号を伝送することが可能である。
その他の構造については、上記実施の形態１と同様である。

図６の構造において、差動信号を伝送する際でも、図１の構造で不平衡伝送を行う場合と同様に、柱状導体１７，２０のピッチＰｔ１は、接地バンプ搭載用パッド１４のピッチＰｂ１の影響を受けずに、誘電体基板１の内部における漏洩エネルギーの低減が可能になる。
図６の例では、誘電体基板１の表層に信号線導体パターン１３が施されているが、上記実施の形態３のように、誘電体基板１の内層に信号線導体パターン１３が施されていてもよい。また、上記実施の形態２のように、平板状接地導体１１が取り除かれた構成を採用してもよい。
以上より、この実施の形態４によれば、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果を奏する。

実施の形態５．
図７はこの発明の実施の形態５による高周波信号接続構造を示す断面図である。
図７（ａ）は図７（ｂ）のＢ−Ｂ’面に相当する断面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）におけるＡ−Ａ’面についての断面図である。また、図７（ｃ）は図７（ａ）におけるＣ−Ｃ’面についての断面図である。
図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。

信号線導体５１は誘電体基板２の平面方向に延伸されている形態で誘電体基板２の内層に施されている導体である。なお、信号線導体５１は第４の信号線導体を構成している。
柱状導体５２は信号線導体５１の一端と信号バンプ搭載用パッド３１の間に接続されている導体である。なお、柱状導体５２は第５の柱状導体を構成している。

信号線導体５３は誘電体基板２の平面方向に延伸されている形態で誘電体基板２の表層又は内層に施されている導体（誘電体基板２の内層に施される場合、信号線導体５１より上部の層に施される）である。なお、信号線導体５３は第５の信号線導体を構成している。
柱状導体５４は信号線導体５１の他端と信号線導体５３の一端の間に接続されている導体である。なお、柱状導体５４は第６の柱状導体を構成している。
柱状導体５５は信号線導体５３の他端と信号線導体３５の間に接続されている導体である。

図７の構造では、図１の柱状導体３６が複数に分かれており、柱状導体５２が信号バンプ搭載用パッド３１と導通し、柱状導体５４が信号線導体５１を介して柱状導体５２と導通し、柱状導体５５が信号線導体５３を介して柱状導体５４と導通し、柱状導体５５が信号線導体３５と導通する構造である。
その他の構造については、上記実施の形態１と同様である。

図７の構造では、柱状導体５２と柱状導体５４を誘電体基板２の平面方向内において異なる領域に配置し、柱状導体５２と柱状導体５４を信号線導体５１によって誘電体基板２の平面方向へ接続する構造であることから、信号線導体５１により構成される伝送線路の特性インピーダンスを誘電体基板２の厚み方向へ伝送する伝送線路の特性インピーダンスと比べて高く設計することが可能になる。信号線導体５３についても同様に、高い特性インピーダンスに設計することが可能になる。

バンプ接続部は、信号バンプ搭載用パッド１２及び信号バンプ搭載用パッド３１と周囲の接地導体との間に寄生の容量成分が発生し、周波数が高くなるにつれて、その影響が顕著になり、高周波特性に影響を与える。
図７の構成を用いることにより、高インピーダンス線路により得られる誘導性素子が、上記の寄生容量成分を打ち消すため、高周波領域の伝送特性劣化の更なる改善が可能である。

この実施の形態５では、誘電体基板２内の２箇所に信号線導体５１，５３を配置している例を示したが、１箇所あるいは３箇所以上に配置するようにしてもよい。
また、誘電体基板１の内部に同様の構成を配置してもよく、誘電体基板１、誘電体基板２の双方に同様の構成を採用してもよい。
以上より、この実施の形態５によれば、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果を奏する。

なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

１ 誘電体基板（第１の誘電体基板）、２ 誘電体基板（第２の誘電体基板）、１１ 平板状接地導体、１２ 信号バンプ搭載用パッド（第１の信号バンプ搭載用パッド）、１３ 信号線導体パターン（第１の信号線導体）、１４ 接地バンプ搭載用パッド（第１の接地バンプ搭載用パッド）、１５ 接地導体（第１の接地導体）、１６ ランド導体、１７ 柱状導体（第１の柱状導体）、１８ 接地導体（第２の接地導体）、１９ ランド導体、２０ 柱状導体（第２の柱状導体）、２１ 絶縁コーティング材、２２，２３，２４ 絶縁コーティング材開口、３１ 信号バンプ搭載用パッド（第２の信号バンプ搭載用パッド）、３２ 接地バンプ搭載用パッド（第２の接地バンプ搭載用パッド）、３３ 信号バンプ、３４ 接地バンプ、３５ 信号線導体、３６ 柱状導体、３７ 接地導体、３８ 柱状導体、４１ 信号線導体（第２の信号線導体）、４２ ランド導体、４３ 柱状導体（第３の柱状導体）、４４ 信号線導体（第３の信号線導体）、４５ 柱状導体（第４の柱状導体）、４６ 平板状接地導体、５１ 信号線導体（第４の信号線導体）、５２ 柱状導体（第５の柱状導体）、５３ 信号線導体（第５の信号線導体）、５４ 柱状導体（第６の柱状導体）、５５ 柱状導体。

Claims (9)

1. 第１の誘電体基板の内層又は裏面に施されている平板状接地導体と、上記第１の誘電体基板の表層に設けられている第１の信号バンプ搭載用パッドと、上記第１の誘電体基板の表層において上記第１の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第１の接地バンプ搭載用パッドと、一端が上記第１の接地バンプ搭載用パッドと接続され、他端が上記第１の信号バンプ搭載用パッドとの距離が離れる方向に延伸されている形態で上記第１の誘電体基板の表層に施されている複数の第１の接地導体と、上記第１の接地導体の他端と上記平板状接地導体の間に接続されている複数の第１の柱状導体と、上記複数の第１の柱状導体の間に接続されている形態で上記第１の誘電体基板の表層に施されている第２の接地導体と、上記第２の接地導体と上記平板状接地導体の間に接続されている第２の柱状導体と、上記第１の接地導体の一部を覆う形態で上記第１の接地バンプ搭載用パッドの外周を囲んでいる絶縁コーティング材と、第２の誘電体基板の裏層に設けられている第２の信号バンプ搭載用パッドと、上記第２の誘電体基板の裏層において上記第２の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第２の接地バンプ搭載用パッドと、上記第１の信号バンプ搭載用パッドと上記第２の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている信号バンプと、上記第１の接地バンプ搭載用パッドと上記第２の接地バンプ搭載用パッドの間に接続されている複数の接地バンプとを備えた高周波信号接続構造。
2. 第１の誘電体基板の表層に設けられている第１の信号バンプ搭載用パッドと、上記第１の誘電体基板の表層において上記第１の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第１の接地バンプ搭載用パッドと、一端が上記第１の接地バンプ搭載用パッドと接続され、他端が上記第１の信号バンプ搭載用パッドとの距離が離れる方向に延伸されている形態で上記第１の誘電体基板の表層に施されている複数の第１の接地導体と、上記複数の第１の接地導体の他端の間に接続されている形態で上記第１の誘電体基板の表層に施されている第２の接地導体と、上記第１の接地導体の一部を覆う形態で上記第１の接地バンプ搭載用パッドの外周を囲んでいる絶縁コーティング材と、第２の誘電体基板の裏層に設けられている第２の信号バンプ搭載用パッドと、上記第２の誘電体基板の裏層において上記第２の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第２の接地バンプ搭載用パッドと、上記第１の信号バンプ搭載用パッドと上記第２の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている信号バンプと、上記第１の接地バンプ搭載用パッドと上記第２の接地バンプ搭載用パッドの間に接続されている複数の接地バンプとを備えた高周波信号接続構造。
3. 第１の接地導体の幅が第１の接地バンプ搭載用パッドの径より狭いことを特徴とする請求項１または請求項２記載の高周波信号接続構造。
4. 一端が第１の信号バンプ搭載用パッドと接続されている第１の信号線導体が第１の誘電体基板の表層に施され、上記第１の信号線導体の一部を覆う形態で上記第１の信号バンプ搭載用パッドの外周が絶縁コーティング材で囲まれており、上記第１の信号線導体の幅が上記第１の信号バンプ搭載用パッドの径より狭いことを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の高周波信号接続構造。
5. 第２の接地導体の導体形状が閉じた形状であり、上記第２の接地導体が第１の信号バンプ搭載用パッドを取り囲んでいることを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の高周波信号接続構造。
6. 第１の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第１の誘電体基板の内層に施されている第２の信号線導体と、上記第２の信号線導体の一端と第１の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている第３の柱状導体と、上記第１の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第１の誘電体基板の裏層又は内層に施されている第３の信号線導体と、上記第２の信号線導体の他端と上記第３の信号線導体の間に接続されている第４の柱状導体とを備えていることを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１項記載の高周波信号接続構造。
7. 第１の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第１の誘電体基板の内層に施されている第２の信号線導体と、上記第２の信号線導体の一端と第１の信号線導体の間に接続されている第３の柱状導体と、上記第１の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第１の誘電体基板の裏層又は内層に施されている第３の信号線導体と、上記第２の信号線導体の他端と上記第３の信号線導体の間に接続されている第４の柱状導体とを備えていることを特徴とする請求項４記載の高周波信号接続構造。
8. ２つの第１の信号バンプ搭載用パッドが隣接して設けられていることを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか１項記載の高周波信号接続構造。
9. 第２の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第２の誘電体基板の内層に施されている第４の信号線導体と、上記第４の信号線導体の一端と第２の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている第５の柱状導体と、上記第２の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第２の誘電体基板の表層又は内層に施されている第５の信号線導体と、上記第４の信号線導体の他端と上記第５の信号線導体の間に接続されている第６の柱状導体とを備えていることを特徴とする請求項１から請求項８のうちのいずれか１項記載の高周波信号接続構造。

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