JP6996948B2 - 高周波伝送線路 - Google Patents

Description

本開示は、高周波信号を伝送する技術に関する。

下記の特許文献１には、多層の配線基板の両面に形成された信号線パターンを信号ビアで接続し、信号ビアを中心とした円に沿って、接地電位を有するグランドビアを配置することによって、高周波伝送線路を形成する技術が記載されている。このように形成された高周波伝送線路を用いると、高周波信号を配線基板の積層方向へ低損失で伝送することができる。

特開２０１５－５０６８０号公報

信号ビアを介して伝送されてきた信号を基板表面で２分配して２つのアンテナへ伝送したい場合、別途、分配回路を設ける必要が生じ、高周波伝送線路全体の大型化を招く。
本開示は、入力信号を２分配する高周波伝送線路において、当該高周波伝送線路の大型化を抑えつつ入力信号を低損失で２分配することが可能な技術を提供する。

本開示の高周波伝送線路（１，３１，４１，５１，６１，７１，９１，１２１，１４１）は、多層誘電体基板（２，４２，７２，９２，１２２，１４２）と、第１信号線路（３）と、接続導体（４）と、２つの第２信号線路（５，６，６５，６６）と、少なくとも１つの放射抑制部材（７，８，７７，７８，９７，９８，１４７，１４８）と、を備える。
多層誘電体基板は、グランドプレーン（２０，２２，２３，７３～７６）が配置された内層を１層以上含む。第１信号線路は、多層誘電体基板における第１の表面に設けられ、信号が入力されるように構成されている。接続導体は、第１端が第１信号線路の一端に接続される。２つの第２信号線路は、多層誘電体基板における第２の表面に設けられる。これら２つの第２信号線路は、各々の一端が接続導体の第２端に接続される。少なくとも１つの放射抑制部材は、第１信号線路及び第２信号線路のうち少なくとも一方から信号が放射されるのを抑制するように構成される。少なくとも１つの放射抑制部材は、第１の表面及び第２の表面の少なくとも一方に設けられ、接続導体の第１端及び第２端のうちの何れかに接続される。

このような構成の高周波伝送線路によれば、多層誘電体基板の第２の表面において、接続導体から伝送されてきた信号が２つの第２信号線路に分岐される部位、即ち接続導体の第２端に、放射抑制部材が接続されている。放射抑制部材は、高周波信号の放射が抑制されるように機能する。そのため、別途分配回路を設けることなく、入力された信号を低損失で各第２信号線路へ分配することができる。

なお、この欄及び特許請求の範囲に記載した括弧内の符号は、一つの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本開示の技術的範囲を限定するものではない。

第１実施形態の高周波伝送線路の平面図である。 第１実施形態の高周波伝送線路の底面図である。 第１実施形態の高周波伝送線路のIII－III断面図である。 第１実施形態の高周波伝送線路のIV－IV断面図である。 第１実施形態の高周波伝送線路のＶ－Ｖ断面図である。 第２実施形態の高周波伝送線路の平面図である。 第３実施形態の高周波伝送線路の平面図である。 第３実施形態の高周波伝送線路のVIII－VIII断面図である。 第３実施形態の高周波伝送線路のIＸ－IＸ断面図である。 第３実施形態の高周波伝送線路の伝送損失を説明する説明図である。 第４実施形態の高周波伝送線路の平面図である。 第４実施形態の高周波伝送線路のＸII－ＸＩＩ断面図である。 第５実施形態の高周波伝送線路の平面図である。 第６実施形態の高周波伝送線路の平面図である。 第６実施形態の高周波伝送線路のＸＶ－ＸＶ断面図である。 第７実施形態の高周波伝送線路の平面図である。 第７実施形態の高周波伝送線路における内層Ｐ１４の平面図である。 第７実施形態の高周波伝送線路のＸVIII－ＸVIII断面図である。 第８実施形態の高周波伝送線路の平面図である。 高周波伝送線路の他の実施形態の平面図である。

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
［１．第１実施形態］
第１実施形態の高周波伝送線路１は、例えば、２つのアンテナ素子を備える広角アンテナにおける各アンテナ素子への給電に適用可能である。また、高周波伝送線路１は、例えば、周波数が５０ＧＨｚ以上の信号（以下、「高周波信号」と称する）の伝送に適用可能である。

高周波伝送線路１の構成について、図１～図５を参照して説明する。高周波伝送線路１は、多層誘電体基板２と、線路部１０と、グランドプレーン２０とを備える。以下の説明では、多層誘電体基板２の板面に平行な方向をｘ方向及びｙ方向とし、多層誘電体基板２の板面に垂直な方向をｚ方向とする。ｘ方向とｙ方向は互いに垂直な方向である。
多層誘電体基板２は、図３～図５に示すように、導体パターンが配置される３層以上（本実施形態では３層）のパターン層Ｐ１，Ｐ１１，Ｐ２と、これらパターン層Ｐ１，Ｐ１１，Ｐ２に挟まれるように配置される複数層（本実施形態では２層）の誘電体層Ｌ１，Ｌ２とを備える。

３つのパターン層Ｐ１，Ｐ１１，Ｐ１２のうち、パターン層Ｐ１１は、２つの誘電体層Ｌ１，Ｌ２に挟まれるように配置されるパターン層、即ち内層である。よって、以下の説明では、パターン層Ｐ１１を内層Ｐ１１とも称する。内層Ｐ１１には、接地電位に接続された導体パターンであるグランドプレーン２０が配置される。
３つのパターン層Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３のうち、パターン層Ｐ１は、多層誘電体基板２における、外部に露出する面であってｘｙ平面に平行な第１の表面及び第２の表面のうち、第１の表面上に配置されるパターン層であり、パターン層Ｐ２は、第２の表面上に配置されるパターン層である。以下の説明では、パターン層Ｐ１を外層Ｐ１と称し、パターン層Ｐ２を外層Ｐ２と称する。

線路部１０は、高周波信号を伝送する導波路となる、第１信号線路３、信号ビア４、及び２つの第２信号線路５，６を備える。本実施形態では、第１信号線路３に高周波信号が入力される。第１信号線路３に入力された高周波信号は、第１信号線路３から信号ビア４へ伝送され、信号ビア４から、２つの第２信号線路５，６のそれぞれに分岐して伝送される。

第１信号線路３は、多層誘電体基板２における第１の表面上、即ち外層Ｐ１に配置された導体パターンである。２つの第２信号線路５，６は、多層誘電体基板２における第２の表面上、即ち外層Ｐ２に配置された導体パターンである。
第１信号線路３及び２つの第２信号線路５，６は、第１信号線路３の一端と２つの第２信号線路５，６の一端とが多層誘電体基板２の厚さ方向（即ち、ｚ方向）において互いに対向するように配置されている。なお、第１信号線路３、２つの第２信号線路５，６、及びグランドプレーン２０は、例えば、銅箔をエッチング処理等することによって形成されたものであってもよい。

信号ビア４は、例えば金属製の導体であり、図３及び図５に示すように、多層誘電体基板２の内部において、第１の表面と前記第２の表面との間を貫通するように設けられている。多層誘電体基板２の第１の表面及び第２の表面において、信号ビア４の両端の周囲には、ランドが形成されている。
信号ビア４の両端のうち、多層誘電体基板２の第１の表面に面する第１端には、第１信号線路３の一端が接続されている。信号ビア４の両端のうち、多層誘電体基板２の第２の表面に面する第２端には、２つの第２信号線路５，６の各々の一端が接続されている。つまり、信号ビア４は、第１信号線路３と２つの第２信号線路５，６とを接続する。

なお、本実施形態では、第１信号線路３の線幅及び２つの第２信号線路５，６の線幅は、同じである。ただし、各信号線路３，５，６の線幅は同じでなくてもよく、それぞれ適宜決めてよい。また、信号ビア４の外径は、本実施形態では、各信号線路３，５，６の線幅よりも大きい。ただし、信号ビア４の外径を各信号線路３，５，６の線幅よりも大きくすることは必須ではない。

ここで、第１信号線路３について延設方向とは、信号ビア４の第１端から第１信号線路３が延設される方向、即ち、信号ビア４の第１端を起点とした第１信号線路３の接線方向を意味する。同様に、２つの第２信号線路５，６のそれぞれについて延設方向とは、信号ビア４の第２端から第２信号線路５，６が延設される方向、即ち、信号ビア４の第２端を起点とした各第２信号線路５，６の接線方向を意味する。

２つの第２信号線路５，６の延設方向は、第１信号線路３の延設方向を対称軸とした線対称の関係となるように構成されている。具体的に、第１信号線路３の延設方向はｙ方向である。第１信号線路３は、信号ビア４の第１端からｙ方向に沿って延設されている。２つの第２信号線路５，６の延設方向はｘ方向である。２つの第２信号線路５，６は、信号ビア４の第２端からｘ方向に沿って延設されている。より具体的に、２つの第２信号線路５，６は、信号ビア４の第２端から、ｘ方向に沿って互いに反対方向へ延設されている。

グランドプレーン２０は、例えば内層Ｐ１１のほぼ全体に渡って配置される平面状の導体パターンであるが、信号ビア４が配置される部位には、信号ビア４がグランドプレーン２０に接触しないように信号ビア４を挿通させる孔部２０ａが設けられている。孔部２０ａは、例えば、信号ビア４の軸心と同心の円形状に設けられている。なお、孔部２０ａが信号ビア４の軸心と同心であること、及び円形状であることは、いずれも必須ではない。

多層誘電体基板２には、さらに、複数（本実施形態では４つ）のグランドビア１１が設けられている。複数のグランドビア１１は、線路部１０を伝送される高周波信号が信号ビア４を伝送される際に、高周波信号が信号ビア４の周囲から漏洩するのを抑制して高周波信号を信号ビア４の周囲の伝送領域に閉じ込めるための、導体（例えば金属）製の部材である。つまり、信号ビア４とその周囲に配置される複数のグランドビア１１とによって、擬似的な同軸線路が形成される。

各グランドビア１１は、図４に示すように、多層誘電体基板２をその厚さ方向に貫通し、且つ、グランドプレーン２０と導通するように設けられる。各グランドビア１１の両端の周囲には、ランドが形成されている。
各グランドビア１１の外径は、本実施形態では、いずれも同じであって、信号ビア４の外径よりも大きい。ただし、各グランドビア１１の外径を信号ビア４の外径よりも大きくすることは必須ではない。また、各グランドビア１１の外径をいずれも同じにすることも必須ではない。

複数のグランドビア１１は、信号ビア４を囲むように、且つ信号ビア４の軸心からのｘｙ面上における距離がいずれも等しい距離となるように配置される。具体的に、複数のグランドビア１１は、信号ビア４の軸心と同心の円Ｃの外周に沿って９０度間隔で配置される。
また、複数のグランドビア１１は、第１信号線路３におけるその延設方向の中心線を対称軸として線対称の位置関係になるよう、且つ、２つの第２信号線路５，６におけるその延設方向の中心線を対称軸として線対称の位置関係になるように、配置される。

なお、グランドビア１１の数や、信号ビア４に対するグランドビア１１の位置、各信号線路３，５，６に対するグランドビア１１の位置は、適宜決めてよい。
多層誘電体基板２には、さらに、放射抑制部材７が設けられている。放射抑制部材７は、 第１信号線路３及び２つの第２信号線路５，６のうち少なくとも一方から高周波信号が放射されるのを抑制するために設けられている。

放射抑制部材７は、多層誘電体基板２における第２の表面（即ちＰ２層）において、信号ビア４の第２端から延設されている。本実施形態の放射抑制部材７は、一定方向に直線状に延設されたいわゆるオープンスタブである。即ち、放射抑制部材７の第１端は信号ビア４の第２端に接続され、放射抑制部材７の第２端は電気的に開放されている。放射抑制部材７のｙ方向の長さ、即ちスタブ長は、Ｒである。

ここで、放射抑制部材７について延設方向とは、信号ビア４における当該放射抑制部材７が接続される端部（本実施形態では第２端）から放射抑制部材７が延設される方向、即ち、信号ビア４の第２端を起点とした放射抑制部材７の接線方向を意味する。
放射抑制部材７の延設方向は、当該放射抑制部材７が設けられている第２の表面とは反対側の第１の表面に設けられている第１信号線路３の延設方向と平行である。また、放射抑制部材７の延設方向は、第２の表面に設けられている２つの第２信号線路５，６の延設方向に対しては垂直である。

このように構成された高周波伝送線路１を不図示の２つのアンテナの給電に用いる場合、例えば、２つの第２信号線路５，６のそれぞれを２つのアンテナのうちの一方に接続する。そして、第１信号線路３における入力端から高周波信号を入力すると、その高周波信号は、第１信号線路３から信号ビア４を経て各第２信号線路５，６へ分岐して伝送され、各第２信号線路５，６から各アンテナへ給電される。

また、本実施形態では、第１信号線路３から信号ビア４を経て伝送されてきた高周波信号が、２つの第２信号線路５，６において等分配される。
従って、本実施形態の高周波伝送線路１によれば、次の（１ａ）～（１ｅ）の効果を奏する。
（１ａ）多層誘電体基板２の第２の表面において、信号ビア４から伝送されてきた高周波信号が２つの第２信号線路５，６に分岐される部位、即ち信号ビア４の第２端に、放射抑制部材７が接続されている。放射抑制部材７は、線路部１０の特性インピーダンスの整合をとり、これにより線路部１０からの高周波信号の放射が抑制されるように機能する。

放射抑制部材７が接続されることにより、別途分配回路を設けることなく、高周波信号を低損失で各第２信号線路５，６へ分配することができる。
（１ｂ）また、同じ構造、特性の２つの第２信号線路５，６が第１信号線路３に対して線対称に配置されている。そのため、第１信号線路３に入力された高周波信号が、２つの第２信号線路５，６に等分配される。つまり、別途分配回路を必要としない簡素な構成ながら、高周波信号を低損失で等分配させることができる。

（１ｃ）また、高周波信号を低損失で分配させるために別途分配回路を必要としないため、高周波伝送線路１の小型化が可能となる。そのため、分配された高周波信号が供給される複数のアンテナを近接して配置することが可能となる。
（１ｄ）また、放射抑制部材７は、本実施形態では、第２の表面において導体パターンにて形成されたオープンスタブである。放射抑制部材７としてこのようなオープンスタブを採用することで、２つの第２信号線路５，６及び放射抑制部材７を含む外層Ｐ２を効率的に形成することができ、ひいては、高周波伝送線路１を効率的に製造することができる。

（１ｅ）また、放射抑制部材７は、第２の表面において、第１の表面側における第１信号線路３の延設方向と平行な方向に延設されている。そのため、線路部１０からの放射をより効果的に抑制でき、高周波信号をより低損失で各第２信号線路５，６へ分配させることができる。
［２．第２実施形態］
第２実施形態は、基本的な構成は第１実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。なお、第１実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。

前述した第１実施形態の高周波伝送線路１では、多層誘電体基板２における第２の表面に、１つの放射抑制部材７が設けられていた。これに対し、図６に示す第２実施形態の高周波伝送線路３１では、多層誘電体基板２における第２の表面に２つの放射抑制部材７，８が設けられている点で、第１実施形態と相違する。
即ち、第２実施形態の線路部３０は、多層誘電体基板２における第２の表面に設けられた２つの放射抑制部材７，８を備える。放射抑制部材８は、例えば、放射抑制部材７と同じ構造、特性を有するオープンスタブであり、放射抑制部材７と同様、信号ビア４の第２端から延設されている。

放射抑制部材８の延設方向は、放射抑制部材７と同様、第１の表面における第１信号線路３の延設方向と平行である。より具体的に、２つの放射抑制部材７，８は、信号ビア４の第２端からｙ方向に沿って互いに反対方向へ延設されている。２つの放射抑制部材７，８のスタブ長はいずれもＲである。
このように構成された第２実施形態の高周波伝送線路３１によれば、前述した第１実施形態の効果（１ａ）～（１ｅ）を奏する。特に、本実施形態では、２つの放射抑制部材７，８が設けられていることで、高周波信号の放射をより抑制して、高周波信号の伝送損失をより低く抑えることが可能となる。

［３．第３実施形態］
第３実施形態は、基本的な構成は第２実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。なお、第２実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
前述した第２実施形態の高周波伝送線路３１では、多層誘電体基板２が、３つのパターン層Ｐ１～Ｐ３及び２つの誘電体層Ｌ１，Ｌ２を備えていた。これに対し、図７～図９に示す第３実施形態の高周波伝送線路４１では、主に、多層誘電体基板４２におけるパターン層の積層数が異なる点、及び４つの層間ビア４６が設けられている点で、第２実施形態と相違する。

多層誘電体基板４２は、図８、図９に示すように、４層のパターン層Ｐ１，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２と、これらパターン層Ｐ１，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２に挟まれるように配置される３層の誘電体層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３とを備える。パターン層Ｐ１２は、内層である。
２つの誘電体層Ｌ１，Ｌ２の間、即ち内層Ｐ１１には、グランドプレーン２３が配置される。２つの誘電体層Ｌ２，Ｌ３の間、即ち内層Ｐ１２には、グランドプレーン２２が配置される。

２つのグランドプレーン２２，２３はいずれも、基本的に第１，第２実施形態のグランドプレーン２０と同じ構成である。即ち、グランドプレーン２３は、信号ビア４がグランドプレーン２３に接触しないように信号ビア４を挿通させる孔部２３ａが設けられている。グランドプレーン２２も、信号ビア４がグランドプレーン２２に接触しないように信号ビア４を挿通させる孔部２２ａが設けられている。また、各孔部２２ａ，２３ａは、いずれも、信号ビア４の軸心と同心且つ同径の円形状に設けられている。なお、２つの孔部２２ａ，２３ａが同心であること、及び同径であること、円形状であることは、いずれも必須ではない。２つの孔部２２ａ，２３ａがそれぞれ異なる形状、異なる大きさであってもよい。

複数のグランドビア４４は、図７及び図９に示すように、多層誘電体基板４２をその厚さ方向に貫通し、且つ、各グランドプレーン２２，２３と導通するように設けられる。複数のグランドビア４４の外径や形状などは第１実施形態のグランドビア１１と基本的に同じである。また、信号ビア４に対する複数のグランドビア４４の位置関係についても、第１実施形態における信号ビア４に対する複数のグランドビア１１の位置関係と同じである。

さらに、第３実施形態では、多層誘電体基板４２の内部に、４つの層間ビア４６が設けられている。各層間ビア４６は、２つのグランドプレーン２２，２３の間において、誘電体層Ｌ２をその厚さ方向に貫通し、且つ、両端がそれぞれ各グランドプレーン２２，２３に接続されるように設けられる。
各層間ビア４６は、各グランドビア１１と同じ機能を有する。即ち、各層間ビア４６は、線路部３０を伝送される高周波信号が信号ビア４を伝送される際に、高周波信号が信号ビア４の周囲から漏洩するのを抑制して高周波信号を信号ビア４の周囲の伝送領域に閉じ込めるための、導体（例えば金属）製の部材である。つまり、信号ビア４と、その周囲に配置される複数のグランドビア１１及び複数の層間ビア４６とによって、擬似的な同軸線路が形成される。

また、各層間ビア４６は、グランドビア４４と同様、円Ｃの外周に沿って９０度間隔で配置される。より具体的に、第３実施形態では、グランドビア４４と層間ビア４６とが円Ｃの外周に沿って４５度間隔で交互に配置される。
また、各層間ビア４６は、それぞれ、図７に示すように、多層誘電体基板４２の厚さ方向において、第２信号線路５、第２信号線路６、放射抑制部材７及び放射抑制部材８に重なる位置に配置される。つまり、各層間ビア４６は、外層Ｐ１，Ｐ２に導体パターンが設けられていることによって多層誘電体基板４２を貫通させることができない位置に形成されている。

なお、各層間ビア４６を円Ｃに沿って配置することは必須ではない。層間ビア４６の数や、信号ビア４に対する層間ビア４６の位置、各信号線路３，５，６に対する層間ビア４６の位置は、適宜決めてよい。
このように構成された第３実施形態の高周波伝送線路４１によれば、前述した第１、第２実施形態の効果（１ａ）～（１ｅ）を奏する。特に、第３実施形態では、４つのグランドビア４４に加えてさらに４つの層間ビア４６が設けられていることで、第２実施形態よりもさらに高周波信号の放射を抑制して伝送損失を低く抑えることが可能となる。

図１０に、第３実施形態の高周波伝送線路４１における高周波信号の伝送損失の周波数特性例を示す。図１０において、「スタブあり」と表示されている特性波形は、第３実施形態の高周波伝送線路４１における伝送損失を示し、「スタブなし」と表示されている特性波形は、第３実施形態の高周波伝送線路４１から２つの放射抑制部材７，８を取り除いた場合の伝送損失を示す。

図１０から明らかなように、２つの放射抑制部材７，８を設けることによって、伝送損失が効果的に低減されている。図１０の例の場合、特に、高周波信号の周波数が７７ＧＨｚの場合に、伝送損失の低減効果が大きい。
［４．第４実施形態］
第４実施形態は、基本的な構成は第１実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。なお、第１実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。

前述した第１実施形態の高周波伝送線路１では、多層誘電体基板２における第１の表面には放射抑制部材が設けられていなかった。これに対し、図１１，図１２に示す第４実施形態の高周波伝送線路５１では、多層誘電体基板２における第１の表面及び第２の表面の双方に放射抑制部材が設けられている点で、第１実施形態と相違する。
即ち、第４実施形態の線路部５０は、多層誘電体基板２における第２の表面に設けられた２つの放射抑制部材７，８に加えて、さらに、第１の表面に設けられた２つの放射抑制部材５５，５６を備える。

第１の表面における２つの放射抑制部材５５，５６は、例えば、第２の表面における放射抑制部材７、８と同じ構造、特性を有するオープンスタブである。第１の表面における２つの放射抑制部材５５，５６は、信号ビア４の第１端から延設されている。
各放射抑制部材５５，５６の延設方向は、第２の表面における２つの第２信号線路５，６の延設方向と平行である。より具体的に、第１の表面における放射抑制部材５５は、信号ビア４の第１端から、第２の表面における第２信号線路５の延設方向と同方向へ、且つ第２信号線路５と多層誘電体基板２の厚さ方向において重なるように設けられる。第１の表面における放射抑制部材５６は、信号ビア４の第１端から、第２の表面における第２信号線路６の延設方向と同方向へ、且つ第２信号線路６と多層誘電体基板２の厚さ方向において重なるように設けられる。

なお、第１の表面において、放射抑制部材を２つ設けることは必須ではなく、例えば１つだけ設けてもよい。
このように構成された第４実施形態の高周波伝送線路５１によれば、前述した第１実施形態の効果（１ａ）～（１ｅ）を奏する。特に、本実施形態では、第２の表面だけでなく第１の表面にも放射抑制部材５５，５６が設けられていることで、第１実施形態に比べて高周波信号の放射をより抑制し、伝送損失をより低く抑えることが可能となる。

［５．第５実施形態］
第５実施形態は、基本的な構成は第２実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。なお、第２実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
前述した第２実施形態の高周波伝送線路３１では、多層誘電体基板２における第２の表面に設けられた２つの第２信号線路５，６が、いずれもｘ方向に延設されていた。これに対し、図１３に示す第５実施形態の高周波伝送線路６１では、主に、２つの第２信号線路６５，６６がｘ方向とは異なる方向へ延設されている点、及び４つのグランドビア１１が配置される位置が異なる点で、第２実施形態と相違する。

第５実施形態の線路部６０において、各第２信号線路６５，６６は、信号ビア４の第２端から、ｘ方向及びｙ方向の双方に非平行な方向へ延設されている。ただし、各第２信号線路６５，６６は、第１～第４実施形態の各第２信号線路５，６と同様、第１信号線路３の延設方向を対称軸とした線対称の関係となるように構成されている。
つまり、本開示における２つの第２信号線路は、双方ともにｙ方向と平行になるように設けることは必須ではなく、また、双方が平行になるように設けること自体も必須ではない。２つの第２信号線路は、それぞれ、信号ビア４の第２端から、任意の延設方向へ延設されてもよい。

また、第５実施形態では、図１３に示すように、４つのグランドビア１１が、円Ｃに沿って配置されているものの、その具体的配置位置が第２実施形態とは異なる。これは、２つの第２信号線路６５，６６の延設方向が第２実施形態と異なっていることに起因する。
このように構成された第５実施形態の高周波伝送線路６１によれば、第２実施形態と同様の効果を奏する。

［６．第６実施形態］
第６実施形態は、基本的な構成は第２実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。なお、第２実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
前述した第２実施形態の高周波伝送線路３１では、多層誘電体基板２が、３つのパターン層Ｐ１～Ｐ３及び２つの誘電体層Ｌ１，Ｌ２を備えていた。これに対し、図１４，図１５に示す第６実施形態の高周波伝送線路７１では、主に、多層誘電体基板７２におけるパターン層の積層数が異なる点、４つの層間ビア８６が設けられている点、及び線路部７０に接続された放射抑制部材７７，７８の構成が異なる点で、第２実施形態と相違する。

第６実施形態の多層誘電体基板７２は、図１５に示すように、６層のパターン層Ｐ１，Ｐ１１～Ｐ１４，Ｐ２と、これらパターン層Ｐ１，Ｐ１１～Ｐ１４，Ｐ２に挟まれるように配置される５層の誘電体層Ｌ１～Ｌ５とを備える。パターン層Ｐ１１～Ｐ１４は、内層である。
内層Ｐ１１にはグランドプレーン７３が配置され、内層Ｐ１２にはグランドプレーン７４が配置され、内層Ｐ１３にはグランドプレーン７５が配置され、内層Ｐ１４にはグランドプレーン７６が配置される。

内層Ｐ１１～Ｐ１３に配置される３つのグランドプレーン７３～７５はいずれも、基本的に第１実施形態のグランドプレーン２０と同じ構成である。即ち、３つのグランドプレーン７３～７５はそれぞれ、信号ビア４が接触しないように信号ビア４を挿通させる孔部７３ａ～７５ａが設けられている。内層Ｐ１４に配置されるグランドプレーン７６は、他の各グランドプレーン７３～７５と比較して、孔部の外径が大きい。即ち、内層Ｐ１４に配置されるグランドプレーン７６は、信号ビア４に加えて後述する内層スタブ部７７ｃ，７８ｃも配置可能な程度の大きな孔部が形成されている。

４つのグランドビア８８は、図１４に示すように、多層誘電体基板７２をその厚さ方向に貫通し、且つ、各グランドプレーン７３～７６と導通するように設けられる。また、多層誘電体基板７２の内部には、第３実施形態と同様、４つの層間ビア８６が設けられている。各層間ビア８６は、Ｐ１２層のグランドプレーン７４とＰ１３層のグランドプレーン７５との間において、誘電体層Ｌ３をその厚さ方向に貫通し、且つ、両端がそれぞれ各グランドプレーン７４，７５に接続されるように設けられる。

放射抑制部材７７は、表面スタブ部７７ａと、ビア部７７ｂと、内層スタブ部７７ｃとを備える。表面スタブ部７７ａは、第１端が信号ビア４の第２端に接続されて、信号ビア４の第２端からｙ方向へ延設されている。ビア部７７ｂは、第１端が表面スタブ部７７ａの第２端に接続され、表面スタブ部７７ａの第２端から多層誘電体基板７２における内層Ｐ１４へ貫通するように設けられている。内層スタブ部７７ｃは、内層Ｐ１４に配置された導体パターンである。内層スタブ部７７ｃの第１端はビア部７７ｂの第２端に接続され、内層スタブ部７７ｃの第２端は電気的に開放されている。

放射抑制部材７８は、基本的に、放射抑制部材７７と同じ構成である。即ち、放射抑制部材７８は、表面スタブ部７８ａと、ビア部７８ｂと、内層スタブ部７８ｃとを備える。表面スタブ部７８ａは、第１端が信号ビア４の第２端に接続されて、信号ビア４の第２端から、ｙ方向且つ放射抑制部材７７の延設方向とは反対方向へ延設されている。ビア部７８ｂは、第１端が表面スタブ部７８ａの第２端に接続され、表面スタブ部７８ａの第２端から多層誘電体基板７２における内層Ｐ１４へ貫通するように設けられている。内層スタブ部７８ｃは、内層Ｐ１４に配置された導体パターンである。内層スタブ部７８ｃの第１端はビア部７８ｂの第２端に接続され、内層スタブ部７８ｃの第２端は電気的に開放されている。

このように構成された第６実施形態の高周波伝送線路７１によれば、前述した第１、第２実施形態の効果（１ａ）～（１ｅ）を奏する。特に、第６実施形態の高周波伝送線路７１では、２つの放射抑制部材７７、７８が、外層Ｐ２から内層Ｐ１４に渡って三次元的に形成されている。そのため、外層Ｐ２における表面スタブ部７７ａ，７８ａの専有面積を低減できる。或いは、外層Ｐ２における放射抑制部材の専有面積は第１実施形態と同じにしつつ、放射抑制部材全体の長さを第１実施形態よりも長くすることができる。

なお、各内層スタブ部７７ｃ、７８ｃは、それぞれ異なる内層に配置されてもよい。また、各表面スタブ部７７ａ，７７ｂの長さが異なっていてもよい。
［７．第７実施形態］
第７実施形態は、基本的な構成は第６実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。なお、第６実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。

図１６～図１８に示す第７実施形態の高周波伝送線路９１は、第６実施形態の高周波伝送線路７１と比較して、線路部９０に接続された２つの放射抑制部材９７，９８の構成が一部異なる。
第７実施形態において、放射抑制部材９７は、表面スタブ部９７ａと、ビア部９７ｂと、内層スタブ部９７ｃとを備える。このうち表面スタブ部９７ａ及びビア部９７ｂは、第６実施形態における表面スタブ部７７ａ及びビア部７７ｂと同じである。ただし、表面スタブ部９７ａの長さは、第６実施形態の表面スタブ部７７ａの長さよりも短くてもよい。

一方、内層スタブ部９７ｃは、第６実施形態の内層スタブ部７７ｃとは異なり、図１６，図１７に示すように、ビア部９７ｂの第２端から、Ｐ１４層においてｙ方向及びｘ方向の何れにも非平行な方向へ延設されている。
放射抑制部材９８も、放射抑制部材９７と同様、表面スタブ部９８ａと、ビア部９８ｂと、内層スタブ部９８ｃとを備える。このうち表面スタブ部９８ａ及びビア部９８ｂは、第６実施形態における表面スタブ部７８ａ及びビア部７８ｂと同じである。一方、内層スタブ部９８ｃは、第６実施形態の内層スタブ部７８ｃとは異なり、図１６，図１７に示すように、ビア部９８ｂの第２端から、Ｐ１４層においてｙ方向及びｘ方向の何れにも非平行であって且つ放射抑制部材９７の内層スタブ部９７ｃの延設方向と平行な方向へ延設されている。

ｙ方向に対する、放射抑制部材９７の内層スタブ部９７ｃの延設方向がなす角と、ｙ方向に対する、放射抑制部材９８の内層スタブ部９８ｃの延設方向がなす角とは、本実施形態では同じ角度である。ただし、これら両角が異なる角度であってもよい。また、各内層スタブ部９７ｃ，９８ｃの長さは、本実施形態では同じ長さであるが、異なっていてもよい。

このように構成された第７実施形態の高周波伝送線路９１によれば、前述した第６実施形態と同様の効果を奏する。また、第７実施形態の高周波伝送線路９１では、内層Ｐ１４に配置される内層スタブ部９７ｃ，９８ｃの長さが長くても、ｙ方向とは異なる方向２円設されていることで、後述する図１９に例示するように、複数の線路部９０を例えばｙ方向へ狭間隔（例えば高周波信号の実効波長の１／２の間隔）で隣接配置させることが可能となる。

［８．第８実施形態］
図１９に示す第８実施形態の高周波伝送線路１２１は、基本的に、図１６～図１８に示した第７実施形態の高周波伝送線路９１がｙ方向に２つ隣接配置され且つ一体化された構成となっている。なお、図１９において、第８実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。

第８実施形態の高周波伝送線路１２１は、多層誘電体基板１２２の外層Ｐ２において、２つの線路部９０におけるそれぞれの２つの第２信号線路５，６が、ｙ方向へ配置間隔Ｄ隔てて配置されている。多層誘電体基板１２２の層数は、第７実施形態の多層誘電体基板９２（図１８参照）の層数と同じである。
ただし、２つの線路部９０の間における２つのグランドビア８８については、２つの線路部９０のそれぞれにおいて共通化されている。つまり、一方の線路部９０における４つのグランドビア８８のうち、他方の線路部９０に隣接する２つのグランドビア８８と、他方の線路部９０における４つのグランドビア８８のうち、一方の線路部９０に隣接する２つのグランドビア８８は、物理的に同じ２つのグランドビア８８である。

さらに、２つの線路部９０のそれぞれにおける第１信号線路３が信号ビア４の第１端から延設される方向は、互いに逆方向である。
２つの線路部９０の、ｙ方向における配置間隔Ｄは、本実施形態では例えば高周波信号の実効波長の１／２である。
このように構成された第８実施形態の高周波伝送線路１２１によれば、各内層スタブ部９７ｃ，９８ｃがｙ方向とは異なる方向へ延設されていることで、２つの線路部９０をｙ方向へ狭間隔で配置できる。そのため、これら２つの線路部９０に接続される不図示のアンテナを狭間隔で配置することができる。

［９．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されることなく、種々変形して実施することができる。
（９－１）第８実施形態において、ｙ方向へ隣接配置される２つの線路部がそれぞれ異なる構成であってもよい。具体的な例を図２０に示す。図２０に示す高周波伝送線路１４１において、多層誘電体基板１４２に設けられた２つの線路部３０，１４０のうち一方の線路部３０においては、図６に示した第２実施形態の線路部３０と全く同じ構成、即ち、信号ビア４の第２端から２つの放射抑制部材７，８が延設された構成となっている。

これに対し、２つの線路部３０，１４０のうち他方の線路部１４０においては、一方の線路部３０に接続された２つの放射抑制部材７，８とは異なる２つの放射抑制部材１４７，１４８が、いずれもｙ方向に沿って且つ互いに逆方向へ延設されている。
放射抑制部材１４７は、表面スタブ部１４７ａと、ビア部１４７ｂと、内層スタブ部１４７ｃとを備える。このうち表面スタブ部１４７ａ及びビア部１４７ｂは、第６実施形態における表面スタブ部７７ａ及びビア部７７ｂと基本的に同じ構成である。ただし、表面スタブ部１４７ａの長さは、第６実施形態の表面スタブ部７７ａの長さよりも短くてもよい。

一方、内層スタブ部１４７ｃは、第６実施形態の内層スタブ部７７ｃとは異なり、図２０に示すように、ビア部１４７ｂの第２端から、Ｐ１４層においてｙ方向に平行な方向へ延設されている。
放射抑制部材１４８も同様の構成であり、表面スタブ部１４８ａと、ビア部１４８ｂと、内層スタブ部１４８ｃとを備える。そして、内層スタブ部１４８ｃが、第６実施形態の内層スタブ部７８ｃとは異なり、図２０に示すように、ビア部１４８ｂの第２端から、Ｐ１４層においてｙ方向に平行且つ放射抑制部材１４７の内層スタブ部１４７ｃとは逆方向へ延設されている。

図２０に示す構成の高周波伝送線路１４１においても、図１９に示した第８実施形態の高周波伝送線路１２１と同様の効果を奏する。
（９－２）放射抑制部材は、多層誘電体基板における第１の表面及び第２の表面のうち一方のみに設けてもよい。
また、第１の表面及び第２の表面のそれぞれ、放射抑制部材を設ける場合は、放射抑制部材をいくつ設けてもよい。

また、第１の表面に設ける放射抑制部材の数と第２の表面に設ける放射抑制部材の数は、同数であってもよいし、異なっていてもよい。
また、放射抑制部材が複数設けられる場合、例えば、全ての放射抑制部材がオープンスタブであってもよいし、一部の放射抑制部材のみオープンスタブであって他の放射抑制部材はオープンスタブ以外の構成であってもよいし、全ての放射抑制部材がオープンスタブ以外の構成であってもよい。

（９－３）第２の表面に設けられる放射抑制部材の延設方向は、第１の表面に設けられる第１信号線路の延設方向と非平行であってもよい。
（９－４）信号ビア４は、基板の厚さ方向において空洞となっていて内壁に導体が形成された構成であってもよいし、空洞部分が導体以外の他の素材（例えば樹脂）で充填された構成であってもよいし、内壁を含み、空間全体が導体で充填された構成であってもよい。つまり、信号ビアは、導通させるべき導体を導通させることが可能な様々な構成が採用されていてもよい。内層ビアやグランドビアについても同様である。

なお、上記実施形態の信号ビア４は、本開示の接続導体の一例であり、接続導体として信号ビア４とは異なる構成を採用してもよい。
（９－５）上記実施形態における１つの構成要素が有する複数の機能を、複数の構成要素によって実現したり、１つの構成要素が有する１つの機能を、複数の構成要素によって実現したりしてもよい。また、複数の構成要素が有する複数の機能を、１つの構成要素によって実現したり、複数の構成要素によって実現される１つの機能を、１つの構成要素によって実現したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加又は置換してもよい。なお、特許請求の範囲に記載した文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。

１，３１，４１，５１，６１，７１，９１，１２１，１４１…高周波伝送線路、２，４２，７２，９２，１２２，１４２…多層誘電体基板、３…第１信号線路、４…信号ビア、５，６，６５，６６…第２信号線路、７，８，５５，５６，７７，７８，９７，９８，１４７，１４８…放射抑制部材、１１，４４，８８…グランドビア、２０，２２，２３，７３～７６…グランドプレーン、４６，８６…層間ビア、７７ａ，７８ａ，９７ａ，９８ａ，１４７ａ，１４８ａ…表面スタブ部、７７ｂ，７８ｂ，９７ｂ，９８ｂ，１４７ｂ，１４８ｂ…ビア部、７７ｃ，７８ｃ，９７ｃ，９８ｃ，１４７ｃ，１４８ｃ…内層スタブ部、Ｃ…円。

Claims (7)

1. グランドプレーン（２２，２３，７３～７６）が配置された内層を１層以上含む多層誘電体基板（４２，７２，９２，１２２，１４２）と、
   前記多層誘電体基板における第１の表面に設けられ、信号が入力されるように構成された第１信号線路（３）と、
   第１端が前記第１信号線路の一端に接続された接続導体（４）と、
   前記多層誘電体基板における第２の表面に設けられた２つの第２信号線路であって、各々の一端が前記接続導体の第２端に接続された２つの第２信号線路（５，６）と、
   前記第１信号線路及び前記第２信号線路のうち少なくとも一方から前記信号が放射されるのを抑制するように構成された少なくとも１つの放射抑制部材であって、前記第１の表面及び前記第２の表面の少なくとも一方に設けられ、前記接続導体の前記第１端及び前記第２端のうちの何れかに接続された、少なくとも１つの放射抑制部材（７，８，７７，７８，９７，９８，１４７，１４８）と、
   前記多層誘電体基板をその厚さ方向に前記第１の表面から前記第２の表面まで貫通するように設けられ、且つ前記１層以上の内層それぞれの前記グランドプレーンと導通するように設けられたビアである、グランドビア（４４，８８）と、
   を備え、
   前記１層以上の内層は、第１のグランドプレーン（２３，７４）が配置された第１の内層、及び第２のグランドプレーン（２２，７５）が配置された第２の内層を含み、
   さらに、前記第１のグランドプレーンと前記第２のグランドプレーンとの間を前記多層誘電体基板の厚さ方向に貫通するように設けられ、且つ両端がそれぞれ前記第１のグランドプレーン及び前記第２のグランドプレーンに接続されるように設けられたビアである、層間ビア（４６，８６）と、
   を備え、
   前記層間ビアは、前記第１信号線路、前記２つの第２信号線路及び前記少なくとも１つの放射抑制部材、のうちのいずれかと前記多層誘電体基板の厚さ方向において重なる位置に、配置されている、
   高周波伝送線路（４１，６１，７１，９１，１２１，１４１）。
2. 請求項１に記載の高周波伝送線路であって、
   前記接続導体は、前記多層誘電体基板の内部において前記第１の表面と前記第２の表面との間を貫通するように設けられた信号ビアであり、
   前記１層以上の内層に配置される前記グランドプレーンは、それぞれ、前記接続導体に接触しないように構成されている、
   高周波伝送線路。
3. 請求項１又は請求項２に記載の高周波伝送線路であって、
   前記少なくとも１つの放射抑制部材は、第１端が前記接続導体に接続されて第２端が電気的に開放されたオープンスタブである、高周波伝送線路。
4. 請求項３に記載の高周波伝送線路であって、
   前記オープンスタブの前記接続導体からの延設方向は、前記第１の表面及び前記第２の表面のうち当該オープンスタブが設けられている方とは反対側に設けられた前記第１信号線路又は前記第２信号線路の前記接続導体からの延設方向と平行である、高周波伝送線路。
5. 請求項３又は請求項４に記載の高周波伝送線路であって、
   少なくとも１つの前記オープンスタブは、
   前記第１の表面又は前記第２の表面に設けられ、第１端が前記接続導体に接続された表面スタブ部（７７ａ，７８ａ，９７ａ，９８ａ，１４７ａ，１４８ａ）と、
   第１端が前記表面スタブ部の第２端に接続され、前記表面スタブ部の第２端から前記多層誘電体基板におけるいずれかの前記内層へ貫通するように設けられたビア部（７７ｂ，７８ｂ，９７ｂ，９８ｂ，１４７ｂ，１４８ｂ）と、
   前記多層誘電体基板における前記いずれかの内層に設けられ、第１端が前記ビア部に接続されて第２端が電気的に開放された内層スタブ部（７７ｃ，７８ｃ，９７ｃ，９８ｃ，１４７ｃ，１４８ｃ）と、
   を備える高周波伝送線路。
6. 請求項１～請求項５の何れか１項に記載の高周波伝送線路であって、
   前記第１の表面及び前記第２の表面のうち少なくとも一方には、２つの前記放射抑制部材が設けられている、高周波伝送線路。
7. 請求項１～請求項６の何れか１項に記載の高周波伝送線路であって、
   前記２つの第２信号線路における前記接続導体の第２端からの延設方向は、前記第１信号線路における前記接続導体の第１端からの延設方向を対称軸とした線対称の関係となるように構成されている、高周波伝送線路。

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