JP5679545B2 - 拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池 - Google Patents
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Description
不純物拡散成分(A)は、一般にドーパントとして太陽電池の製造に用いられる化合物である。不純物拡散成分(A)は、III族(13族)元素の化合物を含むP型の不純物拡散成分、またはV族(15族)元素の化合物を含むN型の不純物拡散成分であり、太陽電池における電極を形成する工程において、半導体基板内にP型またはN型の不純物拡散層(不純物拡散領域)を形成することができる。III族元素の化合物を含むP型の不純物拡散成分は、太陽電池における電極を形成する工程において、N型の半導体基板内にP型の不純物拡散層を形成することができ、P型の半導体基板内にP+型(高濃度P型)の不純物拡散層を形成することができる。不純物拡散成分(A)に含まれるIII族元素の化合物としては、例えば、B2O3、Al2O3などが挙げられ、不純物拡散成分(A)にはこれらの化合物が1種類以上含まれる。また、V族元素の化合物を含むN型の不純物拡散成分は、太陽電池における電極を形成する工程において、P型の半導体基板内にN型の不純物拡散層を形成することができ、N型の半導体基板内にN+型(高濃度N型)の不純物拡散層を形成することができる。不純物拡散成分(A)に含まれるV族元素の化合物としては、例えば、P2O5、Bi2O3、Sb(OCH2CH3)3、SbCl3、As(OC4H9)3などが挙げられる。
ケイ素化合物(B)は、半導体基板上へのケイ素系被覆形成に用いられる従来公知の化合物であればよく、特に限定されない。ケイ素化合物(B)としては、例えば、SiO2微粒子、およびアルコキシシランを加水分解して得られる反応生成物(以下、適宜、アルコキシシランの加水分解生成物という)からなる群から選ばれる少なくとも1種を挙げることができる。以下、SiO2微粒子、およびアルコキシシランの加水分解生成物のそれぞれについて説明する。
SiO2微粒子の大きさは、平均粒径が1μm以下であることが好ましい。平均粒径が1μmを上回ると、スプレー塗布装置を用いて拡散剤組成物を塗布する場合に、スプレーノズルにおける拡散剤組成物の通過が妨げられるおそれがある。SiO2微粒子の具体例としては、ヒュームドシリカなどが挙げられる。
加水分解生成物の出発材料となるアルコキシシランは、下記一般式(1)で表されるSi含有化合物である。
[式(1)中、R1は水素原子、アルキル基、またはアリール基であり、R2はアルキル基またはアリール基であり、nは0、1、または2の整数を表す。R1が複数の場合は複数のR1は同じでも異なってもよく、(OR2)が複数の場合は複数の(OR2)は同じでも異なってもよい。]
[上記式(2)中、R21、R22、R23、およびR24は、それぞれ独立に上記R2と同じアルキル基またはアリール基を表す。a、b、c、およびdは、0≦a≦4、0≦b≦4、0≦c≦4、0≦d≦4であって、かつa+b+c+d=4の条件を満たす整数である。]
[上記式(3)中、R31は、上記R1と同じ水素原子、アルキル基、またはアリール基を表す。R32、R33、およびR34は、それぞれ独立に上記R2と同じアルキル基またはアリール基を表す。e、f、およびgは、0≦e≦3、0≦f≦3、0≦g≦3であって、かつe+f+g=3の条件を満たす整数である。]
[上記式(4)中、R41およびR42は、上記R1と同じ水素原子、アルキル基、またはアリール基を表す。ただし、R41およびR42のうちの少なくとも1つはアルキル基またはアリール基を表す。R43およびR44は、それぞれ独立に上記R2と同じアルキル基またはアリール基を表す。hおよびiは、0≦h≦2、0≦i≦2であって、かつh+i=2の条件を満たす整数である。]
[上記式(5)中、R13は、置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Xはスルホン酸基である。]
溶剤(C)(溶剤成分)は、沸点が100℃以下である溶剤(C1)、沸点が120〜180℃である溶剤(C2)、および沸点が240〜300℃である溶剤(C3)を含む。以下、各溶剤(C1)〜(C3)のそれぞれについて説明する。
溶剤(C1)は、沸点が100℃以下の溶剤であり、常圧での沸点がこの条件にあてはまるものであれば、いかなる溶剤であってもよい。溶剤(C1)を含むことで、拡散剤組成物中で不純物拡散成分(A)が溶解した状態とすることができ、また、拡散剤組成物の乾燥速度が速くなって、塗布後のパターンの滲みや広がりを防止することができる。このような溶剤(C1)の具体例としては、メタノール(沸点:64.7℃)、エタノール(沸点:78.4℃)、酢酸エチル(沸点:77.1℃)、酢酸メチル(沸点:56.9℃)、メチルエチルケトン(沸点:79.5℃)、アセトン(沸点:56.5℃)等を挙げることができる。これらの溶剤は、単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。溶剤(C1)としては、特にエタノールが好ましい。
溶剤(C2)は、沸点が120〜180℃、すなわち120℃以上かつ180℃以下の溶剤であり、常圧での沸点がこの条件にあてはまるものであればいかなる溶剤であってもよい。溶剤(C2)を含むことで、拡散剤組成物の塗膜形成性が向上して、塗布後に形成される拡散剤組成物層(不純物拡散剤層)の塗りムラの発生を防止することができる。このような溶剤(C2)の具体例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)(沸点:120℃)、プロピレングリコールモノエチルエーテル(沸点:132℃)、プロピレングリコールモノブチルエーテル(沸点:170℃)、プロピレングリコールモノプロピルエーテル(沸点:150℃)、3−メトキシブチルアセテート(沸点:171℃)等を挙げることができる。これらの溶剤の中でもグリコール類は、溶剤の粘度が用途に適しているため好ましい。これらの溶剤は、単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
溶剤(C3)は、沸点が240〜300℃、すなわち240℃以上かつ300℃以下の溶剤であり、常圧での沸点がこの条件にあてはまるものであればいかなる溶剤であってもよい。溶剤(C3)を含むことで、拡散剤組成物の過度の乾燥を抑えることができ、これによりスプレーノズルの目詰まりを防ぐことができる。その結果、拡散剤組成物の吐出安定性が向上して、スプレー塗布法による安定的な不純物拡散剤層の形成が可能となる。また、溶剤(C3)を添加することで不純物拡散性能が向上する。これは、溶剤(C3)が有する、不純物拡散成分(A)中の不純物化合物の還元機能によるものであると推測される。このような溶剤(C3)の具体例としては、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル(TPGM)(沸点:242℃)、テキサノール(沸点:244℃)、グリセリン(沸点:290℃)、トリエチレングリコールモノブチルエーテル(沸点:271℃)等を挙げることができる。これらの溶剤の中でもグリコール類は、溶剤の粘度が用途に適しているため好ましい。これらの溶剤は、単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施の形態に係る拡散剤組成物は、その他の成分(D)として一般的な界面活性剤や消泡剤等を含有してもよい。例えば、界面活性剤を含むことによって、塗布性、平坦化性、展開性を向上させることができ、塗布後に形成される拡散剤組成物層の塗りムラの発生を減少させることができる。このような界面活性剤として、従来公知のものを用いることができるが、シリコーン系の界面活性剤が好ましい。また、界面活性剤は、拡散剤組成物全体に対し、500〜3000質量ppm、特に600〜2500質量ppmの範囲で含まれることが好ましい。さらに2000質量ppm以下であると、拡散処理後の拡散剤組成物層の剥離性に優れるため、より好ましい。界面活性剤は単独で用いてもよく、組み合わせて用いてもよい。
本実施の形態に係る拡散剤組成物は、上述した各成分を従来公知の方法により、任意の順番で、均一な溶液となるように混合することにより調製することができる。この際、全固形分濃度が6質量%以下になるように調製することが好ましい。このような濃度にすることにより、吐出後に形成されるパターンを適切な厚さに調整することができる。
図1(A)〜図2(D)を参照して、N型の半導体基板にスプレー塗布法を用いてP型の不純物拡散層を形成する方法と、これにより不純物拡散層が形成された半導体基板を備えた太陽電池の製造方法について説明する。図1(A)〜図1(D)、および図2(A)〜図2(D)は、実施の形態に係る不純物拡散層の形成方法を含む太陽電池の製造方法を説明するための工程断面図である。
任意のスプレー塗布装置を用いて、当該スプレー塗布装置のスプレーノズルから拡散剤組成物2を吐出して、拡散剤組成物2を半導体基板1の表面に吹き付けることで、半導体基板1の表面に拡散剤組成物2を印刷する。このようにして所定パターンの不純物拡散剤層を形成した後、オーブンなどの周知の手段を用いて塗布した拡散剤組成物2を乾燥させる。
参考例I−1,I−2,I−4、実施例I−3、比較例I−1〜I−5に係る拡散剤組成物の成分および含有比を表1に示す。表中の各数値の単位は質量%であり、各成分の割合は拡散剤組成物の全質量に対する割合である。なお、ケイ素化合物(B)の含有比は、SiO2換算での値である。
PPG:ポリプロピレングリコール
EtOH:エタノール
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
HG:ヘキシレングリコール
MFTG:メチルプロピレントリグリコール
<ドーパント液の作成>
エタノールに不純物拡散成分(A)としてのB2O3を添加し、60℃の湯浴にて3時間加熱攪拌してB2O3をエタノールに溶解させて、ドーパント液を作成した。ドーパント液は、B2O3濃度が10%となるように調製した。
エタノール、ケイ素化合物(B)としてのテトラエトキシシラン、および濃塩酸を混合して、SiO2系被膜形成用塗布液(塗布原液)を作成した。
添加剤(D)としてのポリプロピレングリコール(商品名:サンニックス・PP−4000、三洋化成工業株式会社製)をエタノールで2倍希釈し、ポリプロピレングリコール濃度が50%であるエタノール溶液(添加剤溶液)を作成した。
上述のドーパント液、塗布原液、および添加剤溶液を混合し、溶剤(C1)としてのエタノール、溶剤(C2)としてのプロピレングリコールモノメチルエーテル、および溶剤(C3)としてのメチルプロピレントリグリコール(日本乳化剤株式会社製、TPGMに相当)を含む溶剤(C)を混合液に添加して拡散剤組成物を調製した。拡散剤組成物におけるSiO2固形分濃度は8.1質量%、B2O3固形分濃度は1.9質量%、添加剤濃度は7.0質量%とした。溶剤(C)の組成比は、溶剤(C1):溶剤(C2):溶剤(C3)=8:1:1とした。
参考例I−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。SiO2固形分濃度は7.0質量%、B2O3固形分濃度は2.2質量%、溶剤(C)の組成比は、溶剤(C1):溶剤(C2):溶剤(C3)=7:2:1とした。
参考例I−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。SiO2固形分濃度は7.0質量%、B2O3固形分濃度は2.2質量%、溶剤(C)の組成比は、溶剤(C1):溶剤(C2):溶剤(C3)=7:1:2とした。
参考例I−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。SiO2固形分濃度は7.0質量%、B2O3固形分濃度は2.2質量%、溶剤(C3)をメチルプロピレントリグリコールに替えてテキサノールとした。
参考例I−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。溶剤(C)の組成は、溶剤(C1)としてのエタノールのみとした。
参考例I−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。溶剤(C)の組成は、溶剤(C1)としてのエタノール、および溶剤(C3)としてのメチルプロピレントリグリコールとし、その組成比を溶剤(C1):溶剤(C3)=8:2とした。
参考例I−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。溶剤(C)の組成は、溶剤(C1)としてのエタノール、および溶剤(C2)としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルとし、その組成比を溶剤(C1):溶剤(C2)=8:2とした。
参考例I−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。SiO2固形分濃度は7.0質量%、B2O3固形分濃度は2.2質量%とした。また、溶剤(C)の組成は、溶剤(C1)としてのエタノール、および溶剤(C2)としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルとし、その組成比を溶剤(C1):溶剤(C2)=8:2とした。
参考例I−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。SiO2固形分濃度は7.0質量%、B2O3固形分濃度は2.2質量%とした。また、溶剤(C)の組成は、溶剤(C1)としてのエタノール、溶剤(C2)に対する比較溶剤としてのヘキシレングリコール(沸点:198℃)、および溶剤(C3)としてのメチルプロピレントリグリコールとし、その組成比を溶剤(C1):比較溶剤:溶剤(C3)=8:1:1とした。
各参考例、実施例および各比較例の拡散剤組成物を、一般的なスプレー塗布装置を用いてN型半導体基板に塗布した。塗布条件は次の通りである。すなわち、ノズルは2流体ノズル(SUJ1A:スプレーイングシステムス社製)を使用し、吐出量:0.1g/min、エア流量:20L/min、スキャン速度:400mm/sで塗布した。また、温度:23℃、湿度:40%とした。そして、スプレー塗布装置のノズル詰まりを観察して、拡散剤組成物の吐出安定性を評価した。ノズル先端に拡散剤組成物の結晶物の発生が見られないか、発生した結晶物が極少量であって、長時間(例えば、1時間以上)の塗膜形成が可能であると推定された場合を「○」とし、ノズル先端に結晶物の発生が見られ、長時間(例えば、1時間以上)の塗膜形成が困難であると推定された場合を「△」とし、結晶物の発生によって塗膜形成が不可能であった場合を「×」とした。評価結果を表1に示す。なお、前記「長時間の塗膜形成が困難である」ことの判断基準は、当業者が実験等によって適宜設定することができる。
表1に示すように、溶剤(C2)、溶剤(C3)を含まない比較例I−1では、吐出安定性が著しく低く、そのため塗膜を形成できなかった(すなわち、塗膜形成性も低かった)。また、溶剤(C2)を含まない比較例I−2,I−5では、塗膜形成性が低かった。また、溶剤(C3)を含まない比較例I−3,I−4では、吐出安定性が低かった。これに対し、溶剤(C1)、溶剤(C2)、および溶剤(C3)を含む参考例および実施例では、いずれも良好な吐出安定性と塗膜形成性を有していることが確認された。
拡散剤組成物には、半導体基板の所定の領域に均一に拡散して拡散領域の抵抗値を所望の値まで低減できること、すなわち拡散性が高いことが求められる。そこで、本実施の形態に係る拡散剤組成物の拡散性を評価した。参考例II−1,II−3,II−4、実施例II−2,比較例II−1に係る拡散剤組成物の成分および含有比を表2に示す。表中の各数値の単位は質量%であり、各成分の割合は拡散剤組成物の全質量に対する割合である。なお、ケイ素化合物(B)の含有比は、SiO2換算での値である。また、表2中の略語は表1と同様である。
参考例I−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。SiO2固形分濃度は7.0質量%、B2O3固形分濃度は2.2質量%、溶剤(C)の組成比は、溶剤(C1):溶剤(C2):溶剤(C3)=7:2:1とした。
参考例II−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。溶剤(C)の組成比は、溶剤(C1):溶剤(C2):溶剤(C3)=7:1:2とした。
参考例II−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。溶剤(C3)をメチルプロピレントリグリコールに替えてテキサノールとし、溶剤(C)の組成比は、溶剤(C1):溶剤(C2):溶剤(C3)=8:1:1とした。
参考例II−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。溶剤(C3)をメチルプロピレントリグリコールに替えてグリセリンとし、溶剤(C)の組成比は、溶剤(C1):溶剤(C2):溶剤(C3)=8:1:1とした。
参考例II−1と同様にして、拡散剤組成物を調製した。溶剤(C)の組成は、溶剤(C1)としてのエタノール、および溶剤(C2)としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルとし、その組成比を溶剤(C1):溶剤(C2)=8:2とした。
評価試験Iと同様にして、各参考例、実施例および比較例の拡散剤組成物をN型半導体基板の表面にスプレー塗布した。次いで、半導体基板をホットプレート上に載置して、150℃で5分間ベーク処理を施した。続いて、半導体基板を電気炉内に載置し、O2雰囲気下、600℃で30分間加熱して半導体基板を焼成し、その後、N2雰囲気下、1000℃で30分間加熱して不純物拡散成分(A)を熱拡散させた。そして、50%濃度のHF溶液に半導体基板を1分間浸漬して、熱拡散によって半導体基板表面に形成された酸化膜を剥離した。半導体基板に形成された不純物拡散層のシート抵抗値を、シート抵抗測定器(VR−70:国際電気株式会社製)を用いて四探針法により測定した。シート抵抗値(Ω/sq.)の測定結果を表2に示す。
表2に示すように、いずれの参考例および実施例も比較例II−1と比べて低いシート抵抗値を示した。また、参考例II−1と実施例II−2との比較から、溶剤(C2)に対して溶剤(C3)の含有量が多い方が、シート抵抗値をより低減することができると予想される。
Claims (7)
- 半導体基板への不純物拡散剤層の形成に用いられる拡散剤組成物であって、
不純物拡散成分(A)と、
ケイ素化合物(B)と、
沸点が100℃以下である溶剤(C1)、沸点が120〜180℃である溶剤(C2)、および沸点が240〜300℃である溶剤(C3)を含む溶剤(C)と、
を含有し、
前記溶剤(C1)を拡散剤組成物の溶剤成分の全質量に対して70質量%以上となるように含み、前記溶剤(C2)を拡散剤組成物の溶剤成分の全質量に対して10質量%以上となるように含み、前記溶剤(C3)を拡散剤組成物の溶剤成分の全質量に対して10質量%以上となるように含み、且つ前記溶剤(C2)に対して前記溶剤(C3)の含有量が多いことを特徴とする拡散剤組成物。 - 前記不純物拡散成分(A)は、III族元素の化合物またはV族元素の化合物を含む請求項1に記載の拡散剤組成物。
- スプレー塗布による不純物拡散剤層の形成に用いられる請求項1または2に記載の拡散剤組成物。
- 前記溶剤(C2)、および前記溶剤(C3)は、グリコール類である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の拡散剤組成物。
- 前記ケイ素化合物(B)は、SiO2微粒子、および下記一般式(1)で表されるアルコキシシランを加水分解して得られる反応生成物からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の拡散剤組成物。
R1 nSi(OR2)4−n (1)
[式(1)中、R1は水素原子、アルキル基、またはアリール基であり、R2はアルキル基またはアリール基であり、nは0、1、または2の整数を表す。R1が複数の場合は複数のR1は同じでも異なってもよく、(OR2)が複数の場合は複数の(OR2)は同じでも異なってもよい。] - 半導体基板に、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の拡散剤組成物をスプレー塗布により印刷して所定パターンの不純物拡散剤層を形成するパターン形成工程と、
前記拡散剤組成物の不純物拡散成分(A)を前記半導体基板に拡散させる拡散工程と、
を含むことを特徴とする不純物拡散層の形成方法。 - 請求項6に記載の不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備えたことを特徴とする太陽電池。
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