JP5672269B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5672269B2 JP5672269B2 JP2012127604A JP2012127604A JP5672269B2 JP 5672269 B2 JP5672269 B2 JP 5672269B2 JP 2012127604 A JP2012127604 A JP 2012127604A JP 2012127604 A JP2012127604 A JP 2012127604A JP 5672269 B2 JP5672269 B2 JP 5672269B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- semiconductor
- manufacturing
- irradiation
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 148
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 68
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
2 第2半導体層(Pアノード層)
3 第1電極(アノード電極)
4 第3半導体層(N+カソード層)
5 第2電極(カソード電極)
Claims (10)
- 第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層よりも高濃度で、かつ前記第1半導体層の一方の主面側で同第1半導体層に接する第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層よりも高濃度で、かつ前記第1半導体層の他方の主面側で同第1半導体層に接する第1導電型または第2導電型の第3半導体層と、を備えた半導体装置を製造するにあたって、
第1導電型半導体基板の一方または他方の主面に荷電粒子を照射して前記半導体基板中に結晶欠陥を導入する工程と、
結晶欠陥が導入された半導体基板の前記他方の主面を研削する工程と、
研削により露出した面から前記半導体基板中に第1導電型または第2導電型の不純物をイオン注入法により導入する工程と、
研削により露出した面にレーザ光を照射して、前記半導体基板中に導入された不純物を電気的に活性化させるとともに、前記半導体基板中に導入された結晶欠陥のうち、レーザ光の照射面から所定の深さまでの領域の結晶欠陥を回復させる工程と、
を含み、
レーザ光の照射により結晶欠陥を回復させる領域を、レーザ光の照射面から、研削後の全体の厚さの5%に相当する深さ以上30%に相当する深さ以下の範囲の任意の深さまでとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板中に導入された不純物は第1導電型であり、
レーザ光を照射して前記半導体基板中に導入された第1導電型の不純物を電気的に活性化させることにより、第1導電型の前記第3半導体層を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板中に導入された不純物は第2導電型であり、
レーザ光を照射して前記半導体基板中に導入された第2導電型の不純物を電気的に活性化させることにより、第2導電型の前記第3半導体層を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の一方の主面に前記第2半導体層と前記第2半導体層に電気的に接続する第1電極を形成した後に、荷電粒子の照射によって半導体基板中に結晶欠陥を導入する工程を行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- レーザ光の照射により結晶欠陥を回復させる領域を、レーザ光の照射面から、10μm以上40μm以下の範囲の任意の深さまでとすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- レーザ光の照射エリアごとに、複数のレーザ照射装置から所定の遅延時間だけ照射タイミングをずらして複数のパルスレーザを連続的に照射することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- レーザ光の照射エリアごとに、レーザ光を照射する際のエネルギー密度を合計で1J/cm2以上4J/cm2以下とすることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザ光としてYAGレーザを用いることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記荷電粒子として電子線を用いることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板としてFZウェハーを用いることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012127604A JP5672269B2 (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012127604A JP5672269B2 (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005246037A Division JP5087828B2 (ja) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014144585A Division JP2014220516A (ja) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012199577A JP2012199577A (ja) | 2012-10-18 |
JP5672269B2 true JP5672269B2 (ja) | 2015-02-18 |
Family
ID=47181424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012127604A Active JP5672269B2 (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5672269B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2528073B (en) * | 2014-07-08 | 2016-08-31 | Dynex Semiconductor Ltd | Making diodes |
DE112015000206T5 (de) | 2014-10-03 | 2016-08-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08125200A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH07226405A (ja) * | 1994-12-19 | 1995-08-22 | Meidensha Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2004179409A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP4590880B2 (ja) * | 2003-06-24 | 2010-12-01 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
-
2012
- 2012-06-04 JP JP2012127604A patent/JP5672269B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012199577A (ja) | 2012-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5087828B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7147891B2 (ja) | 半導体装置 | |
US11469297B2 (en) | Semiconductor device and method for producing semiconductor device | |
JP5374883B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7728409B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5754545B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US10176994B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5594336B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5033335B2 (ja) | 半導体装置およびそれを用いたインバータ装置 | |
JP6078961B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6269858B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
CN106887385B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP5396689B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6237915B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
WO2013108911A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007158320A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20150303268A1 (en) | Diode and power conversion device | |
JP2003318412A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5672269B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5162964B2 (ja) | 半導体装置及び半導体電力変換装置 | |
JP2003282575A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2014220516A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014056976A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141125 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5672269 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |