JP5666888B2 - プラズマ処理装置及び処理システム - Google Patents
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Description
また、上記一実施形態においては、処理装置3aに、上記一実施形態に係るプラズマ処理装置を適用した例を示したが、処理装置3a、3bの双方に、上記一実施形態に係るプラズマ処理装置を適用しても良い。また、処理システムにおける処理装置の数もまた、二つに限られることはない。
その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
Claims (7)
- 二以上の被処理体を、プラズマを用いて同時に処理するプラズマ処理装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部に設けられ、前記被処理体を載置する載置面を有する二以上の下部電極と、
前記処理チャンバの内部に設けられ、前記載置面に対向する対向面を有し、対向する前記下部電極と電極対を成す前記下部電極と同数の上部電極と、
前記下部電極各々の前記載置面とは反対側の面の中央部、又は前記上部電極各々の前記対向面とは反対側の面の中央部のいずれか一方に接続された接地線と、
前記下部電極各々の前記載置面とは反対側の面の中央部、又は前記上部電極各々の前記対向面とは反対側の面の中央部のうち、前記接地線が接続されていない他方に接続された高周波供給線と、
前記処理チャンバの内部に設けられ、この処理チャンバの内部において前記接地線、及び前記高周波供給線を収容するシールド部材と、
前記接地線各々に設けられ、前記電極対各々に対して個別にインピーダンス調整を行うインピーダンス調整機構と
を具備し、
前記シールド部材は互いに隣接する前記電極対の間に形成される電極対間の各々に配置され、前記電極対間に設けられた前記接地線及び前記高周波供給線を、前記電極対間の各々において一体の前記シールド部材に収容することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記シールド部材は、前記処理チャンバの内部を貫く棒状の中空部材であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シールド部材は、前記処理チャンバの内部において、前記上部電極の中央部上方、及び前記下部電極の中央部下方を通り、
前記シールド部材の前記上部電極の中央部上方、及び前記下部電極の中央部下方に対応する部分各々に開口が設けられ、
前記接地線、及び前記高周波供給線各々が、前記開口各々を介して前記上部電極の中央部、又は前記下部電極の中央部に接続されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記上部電極は、この上部電極の中央部分と、この上部電極の中央部上方に対応する前記開口との間に設けられた、内部を前記接地線、又は前記高周波供給線が通る中空状の第1の絶縁部材を介して前記シールド部材に固定されていることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下部電極は、この下部電極の中央部分と、この下部電極の中央部下方に対応する前記開口との間に設けられた、内部を前記接地線、又は前記高周波供給線が通る中空状の第2の絶縁部材と、内部を前記接地線、又は前記高周波供給線が通る中空状の伸縮部材とを介して前記シールド部材に伸縮可能に取り付けられていることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シールド部材は前記処理チャンバの内部から気密に遮蔽され、前記シールド部材の内部が大気雰囲気であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 二以上の被処理体に対し、少なくとも一回のプラズマ処理を含んで処理を施す処理システムであって、
各々処理チャンバを備えた二以上の処理装置と、
前記処理チャンバ各々に接続され、内部に、前記二以上の被処理体を同時に搬送する搬送機構が設置された共通搬送チャンバを備えた共通搬送装置と、を備え、
前記二以上の処理装置の少なくとも一つの処理装置に、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置が用いられていることを特徴とする処理システム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010262857A JP5666888B2 (ja) | 2010-11-25 | 2010-11-25 | プラズマ処理装置及び処理システム |
KR1020110123538A KR101351678B1 (ko) | 2010-11-25 | 2011-11-24 | 플라즈마 처리 장치 및 처리 시스템 |
CN201110382582.0A CN102479658B (zh) | 2010-11-25 | 2011-11-24 | 等离子体处理装置及处理系统 |
TW100143046A TWI528427B (zh) | 2010-11-25 | 2011-11-24 | Plasma processing device and processing system |
KR1020130012124A KR20130018360A (ko) | 2010-11-25 | 2013-02-04 | 플라즈마 처리 장치 및 처리 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010262857A JP5666888B2 (ja) | 2010-11-25 | 2010-11-25 | プラズマ処理装置及び処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012113998A JP2012113998A (ja) | 2012-06-14 |
JP5666888B2 true JP5666888B2 (ja) | 2015-02-12 |
Family
ID=46092247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010262857A Active JP5666888B2 (ja) | 2010-11-25 | 2010-11-25 | プラズマ処理装置及び処理システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5666888B2 (ja) |
KR (2) | KR101351678B1 (ja) |
CN (1) | CN102479658B (ja) |
TW (1) | TWI528427B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5947435B1 (ja) * | 2015-08-27 | 2016-07-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0668839A (ja) * | 1992-08-13 | 1994-03-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ装置における高周波給電装置 |
JP3010443U (ja) * | 1994-10-20 | 1995-05-02 | 株式会社プラズマシステム | プラズマ処理装置 |
JP4450883B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4576011B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2010-11-04 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
JP2002329711A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平行平板型電極プラズマ処理装置 |
JP2003100721A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP4158726B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2008-10-01 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 薄膜製造装置 |
JP4553247B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR100710923B1 (ko) * | 2004-06-02 | 2007-04-23 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 임피던스 조정방법 |
JP4623422B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2011-02-02 | 富士電機システムズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2007220594A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置 |
JP4788504B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2011-10-05 | 富士電機株式会社 | プラズマ処理装置の給電構造 |
JP4826483B2 (ja) * | 2007-01-19 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2008235161A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
KR101362813B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2014-02-14 | (주)소슬 | 플라즈마 처리 장치 |
JP4558067B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2010-10-06 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2010
- 2010-11-25 JP JP2010262857A patent/JP5666888B2/ja active Active
-
2011
- 2011-11-24 CN CN201110382582.0A patent/CN102479658B/zh active Active
- 2011-11-24 KR KR1020110123538A patent/KR101351678B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-24 TW TW100143046A patent/TWI528427B/zh active
-
2013
- 2013-02-04 KR KR1020130012124A patent/KR20130018360A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102479658A (zh) | 2012-05-30 |
KR20120056787A (ko) | 2012-06-04 |
KR20130018360A (ko) | 2013-02-20 |
TWI528427B (zh) | 2016-04-01 |
CN102479658B (zh) | 2014-06-25 |
TW201234455A (en) | 2012-08-16 |
KR101351678B1 (ko) | 2014-01-14 |
JP2012113998A (ja) | 2012-06-14 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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