JP5665455B2 - 信号伝送回路、伝送装置及び回路基板 - Google Patents

信号伝送回路、伝送装置及び回路基板 Download PDF

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Description

本発明は、電気・電子機器または制御機器の差動伝送方式に適用されるノイズフィルタを有する信号伝送回路、伝送装置及び回路基板に関するものである。
近年のデジタル複合機やデジタルカメラは、高速化・高精彩化の要求が強いため大容量のデジタル信号を、波形品質を満足しながら高速に伝送する必要がある。これらの大容量データを高速に伝送するためには、伝送線路の数を増やすか、伝送速度を上げる必要がある。前者は、小型化・高密度化している電子基板において、増やすことができる伝送線路には限界がある。
また、ケーブルで伝送する場合には、ケーブル芯数の増加がコスト増加に直結してしまう。さらに、伝送速度の向上に伴いスキューによる信号間タイミングのばらつきが顕著になり、セットアップ/ホールドを満たすことが困難となる。そのため、少ない伝送線路で高速に大容量のデータを伝送することが可能なシリアル伝送が広く用いられるようになっている。
シリアル伝送方式とは、データやアドレス、制御線といった低速なパラレル信号をシリアル化して伝送線路に差動出力し、送られてきたシリアル信号を受信側でデシリアライズしてパラレル信号に変換するものである。このシリアル伝送方式には、以下に示すように大きく2種類の伝送方式がある。
一方は、いくつかのシリアル化されたデータに同期クロック信号を並走させるクロック並走型シリアル伝送である。この方式は、同期クロック信号を並走させるため、各データ信号とクロック信号との同期が重要になり、各ペア間のスキューを最小限に抑える必要がある。
他方は、シリアル化したデータ列にクロックビットを附加し、伝送されるデータ列にクロック信号を埋め込んで伝送し、受信側でクロック信号とデータ信号をリカバリするクロック埋め込み型シリアル伝送である。この伝送方式は、クロック信号がデータ列に埋め込まれるため、前者に比べデータ信号に対するクロック信号の同期制約条件が緩やかとなる。
ところで、ケーブル等の長い有損失伝送線路上に高速な信号が伝送された場合、信号成分の一部がケーブルをアンテナとして放射され、他の機器の動作に影響を与える恐れがある。そのため、機器からのEMI(Electromagnetic interference:不要電磁ノイズ)を抑制する必要がある。
特に差動伝送の場合は、伝送される差動信号の立ち上がりと立ち下りの波形の違いによって発生する同相成分が、システムグラウンドを帰路として流れることがあり、大きなループアンテナとなるケースが少なくないため問題となりやすい。故に、差動信号の同相成分をドライバ側で遮断しておくことが、アンテナサイズを小さくすることにつながるため、差動伝送におけるEMI抑制のためには重要となる。
クロック埋め込み型シリアル伝送におけるEMI抑制を考えると、以下のような特徴がある。クロック埋め込み型シリアル伝送では、差動伝送線路に直列にキャパシタを挿入しAC結合されている。その理由は、ドライバとレシーバ間をケーブルで接続する場合、システム間のグラウンド電位が異なる可能性があり、そのDC電位差を吸収できることや、異なるメーカのドライバとレシーバを使用した場合のスレッショルド差を吸収することができるからである。
しかし、AC結合を行った場合、DCバランスが取れていることが重要となる。そのため、ハイレベルとローレベルの論理遷移率が50%になるように変換表または、数式により符号化されたデータが伝送されるので、伝送されるシリアルデータは、ローレベル又はハイレベルが3〜4ビット以上連続することがない。従って、差動伝送線路を有するシリアル伝送系からのEMIは、差動信号が1ビット周期でレベル遷移する可能性が高く、1ビット周期の整数倍のスペクトラムをもつ同相成分が発生するため、1ビット周期の信号の周波数で強く観測される。
また、矩形波で伝送されるデータのスペクトラムは、sinc関数で表され1ビット周期の整数倍の周波数にはスペクトラムを持たないことが知られている。つまり、差動信号の逆相成分のスペクトラムがヌルとなる周波数において強いEMIが発生することになる。例えば、伝送レートが400Mbpsの場合、1ビット周期は400MHzとなり、その整数倍には伝送信号スペクトラムは無く、強いEMIが発生する。
このクロック埋め込み型シリアル伝送方式のEMI抑制手段としては、伝送に必要な逆相信号スペクトラムがヌルとなる周波数でEMIが発生するため、例えば、差動伝送線路にバンドエリミネーションフィルタ又はノッチフィルタを使用することが考えられる。その理由は、差動伝送に必要な逆相信号スペクトラムが無い周波数近傍の帯域を遮断するため、伝送信号スペクトラムにほとんど影響を与えることなく、積極的にEMIの原因となる同相成分を遮断することが出来るからである。
そこで、従来、バンドエリミネ−ションフィルタは、伝送線路に並列に、インダクタとキャパシタの直列回路を設けることが知られている(非特許文献1参照)。具体的に説明すると、図6(a)に示すように、一対の伝送線路107a,107bには、インダクタ102,102とキャパシタ103,103の直列回路106,106が設けられている。各直列回路106,106によりLC共振回路が形成されている。
佐藤利三郎著「伝送回路」コロナ出版 (1963年6月30日、P277)
しかしながら、各直列回路106,106のインダクタ102,102とキャパシタ103,103はチップ部品等により構成されるのが一般的であるが、各チップ部品には±5%程度の精度誤差がある。そのため、差動伝送線路に配された2つの直列回路106,106間で共振周波数f,fのズレが発生してしまう。
従って、図6(b)に示すように、それぞれの直列回路106,106の共振周波数f,fが、共振させる目標周波数を中心に高周波側と低周波側に発生してしまった場合には、共振させる目標周波数において反共振が発生する。この反共振が発生した場合には、同相成分であるノイズを遮断する効果が低減するという問題があった。
そこで、本発明は、差動伝送線路において同相成分を遮断したい周波数で反共振を発生させずに同相成分を遮断できる信号伝送回路、伝送装置及び回路基板を提供することを目的とするものである。
本発明の信号伝送回路は、差動信号を送信する送信回路と前記差動信号を受信する受信回路と、前記送信回路と受信回路とを接続する一対の差動伝送線路と、前記差動伝送線路に設けられたノイズフィルタとを有する信号伝送回路において、前記ノイズフィルタは、前記一対の差動伝送線路のそれぞれに一端が接続され、他端同士が短絡して接続され、前記一対の差動伝送線路を伝送する同相成分に対しては磁束が打ち消し合い、前記一対の差動伝送線路を伝送する逆相成分に対しては磁束が強め合う電磁結合状態である一対のコイルと、前記一対のコイルとグラウンドとの間に直列接続されたインダクタ及びキャパシタを有する直列回路と、を備えており、前記一対のコイル及び前記直列回路による前記同相成分による共振周波数は、前記差動伝送線路を伝搬する差動信号の1ビット周期の整数倍の周波数のいずれかの周波数の±5%の範囲の周波数であることを特徴とする。
また、本発明の伝送装置は、差動信号を送信する送信回路が設けられた第1の基板と、前記差動信号を受信する受信回路が設けられた第2の基板と、前記送信回路と前記受信回路とを接続する一対の差動伝送線路とを有し、前記一対の差動伝送線路は、前記第1の基板に形成された一対の第1の差動伝送線路と、前記第2の基板に形成された一対の第2の差動伝送線路と、前記一対の第1の差動伝送線路と前記一対の第2の差動伝送線路とを接続するケーブルとからなり、前記第1の基板の第1の差動伝送線路にはノイズフィルタが設けられており、前記ノイズフィルタは、前記一対の第1の差動伝送線路のそれぞれに一端が接続され、他端同士が短絡して接続され、前記一対の第1の差動伝送線路を伝送する同相成分に対しては磁束が打ち消し合い、前記一対の第1の差動伝送線路を伝送する逆相成分に対しては磁束が強め合う電磁結合状態である一対のコイルと、前記一対のコイルとグラウンドとの間に直列接続されたインダクタ及びキャパシタを有する直列回路と、を備えており、前記一対のコイル及び前記直列回路による前記同相成分による共振周波数は、前記第1の差動伝送線路を伝搬する差動信号の1ビット周期の整数倍の周波数のいずれかの周波数の±5%の範囲の周波数であることを特徴とする。
また、本発明の回路基板は、差動信号を送信する送信回路と、前記送信回路に接続された一対の差動伝送線路とを有し、前記差動伝送線路にはノイズフィルタが設けられており、前記ノイズフィルタは、前記一対の差動伝送線路のそれぞれに一端が接続され、他端同士が短絡して接続され、前記一対の差動伝送線路を伝送する同相成分に対しては磁束が打ち消し合い、前記一対の差動伝送線路を伝送する逆相成分に対しては磁束が強め合う電磁結合状態である一対のコイルと、前記一対のコイルとグラウンドとの間に直列接続されたインダクタ及びキャパシタを有する直列回路と、を備えており、前記一対のコイル及び前記直列回路による前記同相成分による共振周波数は、前記差動伝送線路を伝搬する差動信号の1ビット周期の整数倍の周波数のいずれかの周波数の±5%の範囲の周波数であることを特徴とする。
本発明によれば、一対のコイルは差動信号の逆相成分と同相成分に対して入出力間のインピーダンスが、それぞれ高インピーダンスと低インピーダンスとなるように動作する。そのため、同相成分に対しては鋭い共振特性を得ることができ、より確実に同相成分を遮断することができ、EMI抑制効果を向上させることができる。
本発明の第1実施形態に係るノイズフィルタを有する伝送装置の概略構成を示す説明図である。 本発明の第1実施形態に係るノイズフィルタを有する伝送装置の説明図であり、(a)はディファレンシャルモードフィルタ用の四端子回路網を使用した場合のノイズフィルタを有する伝送装置の回路図である。(b)はミクスドモードSパラメータの計算結果を示す図である。 本発明の第2実施形態に係るノイズフィルタを有する伝送装置の説明図であり、(a)はコモンモードフィルタ用の四端子回路網を使用した場合のノイズフィルタを有する伝送装置の回路図、(b)はミクスドモードSパラメータの計算結果を示す図である。 本発明の第3実施形態に係るノイズフィルタを有する伝送装置の説明図であり、(a)はノイズフィルタを複数接続した場合の伝送装置の回路図、(b)は直列回路を複数接続した場合の伝送装置の回路図である。(c)はミクスドモードSパラメータの計算結果を示す図である。 本発明の第4実施形態に係るノイズフィルタを有する伝送装置の説明図であり、(a)はコモンモードフィルタを追加した伝送装置の回路図、(b)はコモンモードフィルタ及びキャパシタを追加した伝送装置の回路図である。(c)はミクスドモードSパラメータの計算結果を示す図である。 従来のノイズフィルタの説明図であり、(a)は従来のノイズフィルタの回路図、(b)はミクスドモードSパラメータの計算結果を示す図である。
以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態に係るノイズフィルタを有する伝送装置の概略構成を示す説明図である。本第1実施形態の伝送装置100は、シリアル化したデータ列にクロックビットを附加し、伝送されるデータ列にクロック信号を埋め込んで伝送し、受信側でクロック信号とデータ信号をリカバリするクロック埋め込み型シリアル伝送を行うように構成されている。
本第1実施形態の伝送装置100は、第1の基板101と、第1の基板101に実装された送信回路4と、第2の基板102と、第2の基板102に実装された受信回路5aとを備えている。また、伝送装置100は、送信回路4と受信回路5aとを接続する一対の伝送線路7a,7bを備えている。そして、一対の伝送線路7a,7bの間であって、受信回路5aの近傍(即ち第2の基板102)には、差動終端回路(終端抵抗)5bが接続されている。なお、受信回路5aと差動終端回路5bとは別チップとしたが、受信回路5aと差動終端回路5bが1チップで構成されていてもよい。
送信回路4は、一対の伝送線路7a,7bを介して受信回路5aに差動信号を送信する。各伝送線路7a,7bは、各基板101,102に設けられた配線と、各基板101,102上の配線間を接続するケーブルとから構成されている。なお、各伝送線路が基板の配線又はケーブルだけで構成されている場合等であってもよく、伝送線路の形態は、送信回路と受信回路の配置状況によって決まる。
更に伝送装置100は、一対の伝送線路7a,7bに設けられたノイズフィルタ200を備えている。ノイズフィルタ200は、送信回路4の近傍、即ち第1の基板101に設けられている。
図2は、ノイズフィルタ200を有する伝送装置100の説明図であり、図2(a)にノイズフィルタ200を有する伝送装置100の電気回路図を示す。図2(a)に示すように、ノイズフィルタ200は、一対のコイル11,12からなる四端子回路網1Aを備えている。
一対のコイル11,12は、一対の伝送線路7a,7bにおける送信回路4の近傍に一端1a,1bが接続される。具体的には、一方のコイル11の一端1aが一方の伝送線路7aに接続され、他方のコイル12の他端1bが他方の伝送線路7bに接続される。そして、コイル11,12の他端同士、つまりコイル11の他端1cとコイル12の他端1dとが短絡して接続される。
また、ノイズフィルタ200は、一対のコイル11,12(四端子回路網1A)とグラウンドGNDとの間に直列接続された、インダクタ2及びキャパシタ3を有する直列回路6を備えている。つまり、直列回路6の一端6aが一対のコイル11,12の他端1c,1dに接続され、直列回路6の他端6bがグラウンドGNDに接続される。ここで、グラウンドGNDは、第1の基板101(図1)に設けられたグラウンド配線である。
ところで、一対の伝送線路7a,7bを伝播する差動信号において、逆相成分は差動信号に含まれる信号成分であり、同相成分は差動信号に含まれるノイズ成分である。したがって、四端子回路網1Aは、ディファレンシャルモードフィルタとして機能させるために、図2(a)に示すような巻線方向で各コイル11,12が形成されている。これにより、一対のコイル11,12は、一対の伝送線路7a,7bを伝送する同相成分に対しては磁束が打ち消し合い、一対の伝送線路7a,7bを伝送する逆相成分に対しては磁束が強め合う電磁結合状態となる。
具体的には、コイル11の自己インダクタンスをL,コイル12の自己インダクタンスをL,コイル11,12間の相互インダクタンスをMとすると、一対のコイル11,12の実効インダクタンスは、L+L±2Mで表される。
そして、一対の伝送線路7a,7bを伝送する逆相成分に対しては磁束が強め合う一対のコイル11,12の実効インダクタンスは、L+L+2Mである。これに対し、一対の伝送線路7a,7bを伝送する同相成分に対しては磁束が打ち消し合う一対のコイル11,12の実効インダクタンスは、L+L−2M(=L1Aとする)である。
したがって、一対のコイル11,12からなる四端子回路網1Aは、同相成分に対するインピーダンスが、逆相成分に対するインピーダンスより低くなる。また、四端子回路網1Aは、同相成分に対するインピーダンスが、差動終端回路5bのインピーダンスよりも低くなり、逆相成分に対するインピーダンスが、差動終端回路5bのインピーダンスよりも高くなる。
なお、四端子回路網1Aは、差動信号の同相成分に対するインピーダンスが、逆相成分に対するインピーダンスより低くなるように磁気結合しているものであれば良く、特に限定されない。例えば、同相の信号成分に対しては磁束が打ち消し合い、逆相の信号成分に対しては、磁束が強め合うようにコアに2つの導線が巻回されているものや、フィルムで積層形成されているものが使用される。
ノイズフィルタ200のノイズの遮断周波数Fc(即ち、一対のコイル11,12及び直列回路6による同相成分に対する共振周波数)は、以下の式(1)により決定される。
Figure 0005665455
ここで、Lは四端子回路網1Aのコモンモードのインダクタンス(一対のコイル11,12の同相成分に対するインダクタンス)L1Aと、インダクタ2のインダクタンスLとの合成インダクタンスである。また、Cはキャパシタ3の容量である。
したがって、本実施形態では、合成インダクタンスLの値とキャパシタ3の容量Cの値とが、遮断周波数(共振周波数)Fcが目標周波数となる値に設定されている。ここで、目標周波数は、発生するノイズを遮断させようとする周波数、即ち同相成分(ノイズ)をグラウンドGNDに透過させる周波数であり、差動信号の逆相成分のスペクトラムがヌルとなる周波数である。例えば伝送レートが400Mbpsの場合、目標周波数は400MHzである。
なお、インダクタ2やキャパシタ3は、チップ品ではなく、パターン素子によって形成しても良い。しかしながら、チップ部品を使用する場合には、±5%程度の精度誤差があるため、少なくとも遮断周波数Fcの10%以上のバンド幅を持つように設定するのが良い。ここでバンド幅BWは、式(2)で決定される。
Figure 0005665455
式(2)において、Rは差動伝送線路である一対の伝送線路7a,7bを2つのシングルエンド伝送線路とみなし、ノイズフィルタ200の入力側と出力側の並列特性インピーダンスである。例えば、入出力側の特性インピーダンスが共に50Ωである場合、Rは25Ωとなる。
バンド幅BWが決まると全体のインダクタンスLの値が決定され、式(1)よりキャパシタ3の容量Cの値が決定される。また、式(2)によって決定されたインダクタンスLの値より、使用する四端子回路網1AのインダクタンスL1Aの値を引いた値がインダクタ2のインダクタンスLの値となる。さらに、インダクタ2のインダクタンスLの値は、キャパシタ3の等価直列インダクタンスやパターン素子のインダクタンスの値を考慮して決定するのが良い。
図2(b)は、ミクスドモードSパラメータの計算結果を示している。図2(b)に示すScc21は、入力側から出力側への同相成分の透過特性、つまりノイズの遮断特性を示している。Sdd21は、逆相成分の透過特性である。図2(b)より、逆相成分は減衰することなく透過しているのに対して、同相成分は、目標周波数帯域で遮断されていることが分かる。
第1実施形態のノイズフィルタ200によれば、四端子回路網1Aは差動信号の逆相成分と同相成分に対して入出力間のインピーダンスが、それぞれ高インピーダンスと低インピーダンスとなるように動作する。この作用は、四端子回路網1Aの出力端子対1c,1dを電気的に短絡しても変わらないため、伝送線路7a,7b間に並列に接続された四端子回路網1Aは、同じく伝送線路7a,7b間に接続された差動終端回路5bのインピーダンスに比べ十分高い。よって、差動伝送に必要な逆相成分は受信回路5aにスムーズに伝送されるため信号伝送には影響を与えない。
これに対し、差動伝送には不必要でありEMIの原因となる同相成分に対しては、四端子回路網1Aが低インピーダンスになるように一対のコイル11,12が電磁結合しているため、四端子回路網1Aを一つのコイルとみなすことができる。
故に、四端子回路網1Aに直列にキャパシタ3を追加することで同相成分に対する共振回路として作用するため、共振回路を一つにまとめることができ、目標周波数で反共振が発生しない。ところが、四端子回路網1Aの同相成分に対するインダクタンス値L1Aは、非常に小さいため、四端子回路網1Aだけでは十分な共振特性が得られない。
そこで、本実施形態では、四端子回路網1A及びキャパシタ3と直列にインダクタ2を追加して四端子回路網1Aとの合成インダクタとすることで、より鋭い共振特性を得ることができる。これにより、差動信号である逆相成分は受信回路5aに伝送され、ノイズである同相成分は、送信回路4の近傍の四端子回路網1A及び直列回路6を通じてグラウンドGNDへ透過されるので、同相成分を遮断することができ、EMI抑制効果が向上する。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態に係るノイズフィルタを有する伝送装置について、図3を参照しながら説明する。なお、上記第1実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
図3(a)に示す伝送装置100Bのノイズフィルタ200Bは、上記第1実施形態のノイズフィルタ200と四端子回路網の構成が異なるものである。図3(a)に示す四端子回路網1Bは、入力端子1a1,1a2と出力端子1b1,1b2とを備えたコモンモードフィルタ用の一対のコイル12B,11Bである。
一般に、コモンモードフィルタは、差動信号の同相成分に対しては磁束が強め合い、逆相成分に対しては磁束が弱め合うように巻回又は積層されたものである。従って、一方の入出力子対、例えば、入力端子1a2と直流的に導通のある出力端子1b2を入れ替えて結線することで、差動信号の同相成分に対しては低インピーダンスとなり、逆相成分に対しては高インピーダンスとなるように電磁結合するように動作する。
具体的に説明すると、コイル12Bの一端は端子1a1であり、他端は端子1b1であるが、コイル11Bの一端は端子1b2であり、他端は端子1a2である。そして、コイル11Bの端子1b2は、一方の伝送線路7aに接続され、コイル12Bの端子1a1は、他方の伝送線路7bに接続される。また、一対のコイル11B,12Bの他端同士である端子1b1と端子1a2とは電気的に短絡して接続されている。そして、直列回路6の一端6aは、端子1b1,1a2と電気的に接続され、他端6bは、グラウンドGNDに電気的に接続されている。
したがって、一対のコイル12B,11Bは、一対の伝送線路7a,7bを伝送する同相成分に対しては磁束が打ち消し合い、一対の伝送線路7a,7bを伝送する逆相成分に対しては磁束が強め合う電磁結合状態となる。
このように、一般的に使用されているコモンモードフィルタ用の四端子回路網1Bで、上記第1実施形態の四端子回路網1Aと同様に、ディファレンシャルモードフィルタとして機能させることができる。これにより、部品コストを下げることができ、また上記第1実施形態と同様に、差動信号の同相成分に対して目標周波数でノイズを遮断することができる。
さらに、使用するコモンモードフィルタ用の一対のコイル11B,12Bとしては、損失が少ないものを選定するのがよい。その理由は、共振周波数で伝送線路7a,7bとグラウンドGND間の同相成分に対するインピーダンスをより低くすることがノイズ遮断効果を大きくすることにつながるが、共振周波数でのインピーダンスの下限を決定するファクタが損失であるためである。なお、コモンモードインピーダンスが低い方が、巻回回数や積層に使用されるパターンが短くてすむため一般的に損失が小さい傾向がある。そのため、例えば、100MHzで100Ω以下のものが良いが、特に制限はない。
図3(b)は、ミクスドモードSパラメータの計算結果を示している。Scc21は、入力側から出力側への同相成分の透過特性で、Sdd21は、逆相成分の透過特性である。図3(b)より、逆相成分は減衰することなく透過しているのに対して、同相成分は、目標周波数帯域で遮断されていることが分かる。
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態に係るノイズフィルタを有する伝送装置について、図4を参照しながら説明する。なお、上記第1実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
問題となるノイズの周波数が複数存在する場合には、複数の共振周波数が必要となる。そこで、本第3実施形態の伝送装置100Cでは、伝送線路7a,7bに対して、ノイズフィルタが複数設けられている。例えば図4(a)に示すように、2つのノイズフィルタ200,200’が設けられている。
ここで、ノイズフィルタ200’は、ノイズフィルタ200と同様に、一対のコイルからなる四端子回路網1A’と、インダクタ2’及びキャパシタ3’を有する直列回路6’とを備えているが、各合成インダクタンスの値及び各容量の値が異なる。つまり、互いに異なるそれぞれの目標周波数に対して、各ノイズフィルタ200,200’による複数(本実施形態では2つ)の共振周波数が設定されている。これにより、図4(c)に示すように、各共振周波数において、ノイズの遮断効果が得られる。
次に、別のノイズフィルタを有する伝送装置について、図4(b)を参照しながら説明する。図4(b)に示す伝送装置100Dのノイズフィルタ200Dは、上記第1実施形態と同様に、一対のコイル11,12からなる四端子回路網1Aを備えている。更に、ノイズフィルタ200Dは、一対のコイル11,12とグラウンドGNDとの間に直列接続されたインダクタ及びキャパシタを有する直列回路を複数備えている。具体的には、ノイズフィルタ200Dは、一対のコイル11,12とグラウンドGNDとの間に直列接続されたインダクタ2及びキャパシタ3を有する直列回路6を備えている。
更に、ノイズフィルタ200Dは、一対のコイル11,12とグラウンドGNDとの間に直列接続されたインダクタ2’及びキャパシタ3’を有する直列回路6’を備えている。つまり、直列回路6’は、直列回路6に並列に接続されている。従って、一対のコイル11,12による同相成分に対する実効インダクタンスと、各インダクタ2,2’の各インダクタンスとで各合成インダクタンスが決定される。
そして、四端子回路網1Aと直列回路6’とで設定される同相成分に対する共振周波数は、四端子回路網1Aと直列回路6とで設定される同相成分に対する共振周波数とは異ならせてある。つまり、複数(本実施形態では2つ)の共振周波数が互いに異なる目標周波数となるように、各合成インダクタンスの値と、各キャパシタの各容量の値とが設定されている。これによっても、図4(a)のノイズフィルタ200,200’と同様の効果を奏する。
また、四端子回路網1Aは、差動伝送に必要な差動信号の逆相成分に対して伝送線路7a,7b間のインピーダンスが差動終端回路5bのインピーダンスに比べて高インピーダンスとなる。そのため、図4(c)に示すように、複数の直列回路6,6’を設けたとしても、差動伝送波形には、ほとんど影響を与えない。
なお、図4は、2つの周波数に関する回路図であるが、2つ以上の周波数に関しても同様に伝送線路7a,7bに並列にノイズフィルタを接続するか、直列回路に並列に直列回路を複数段設ければ良く、さらには、これらを組み合わせて使用してもよい。さらに言えば、同相成分に対して高インピーダンスで、逆相成分に対して低インピーダンスとなるように、巻回又は積層されたコモンモードフィルタであっても、結線方法を考慮すれば代用できる。
以上、ノイズフィルタ200Dによれば、四端子回路網1Aに直列接続された直列回路6に対して、新たに直列回路6’を並列に多段接続することで、一つの四端子回路網1Aで、複数の周波数においてノイズ遮断効果を奏する。
[第4実施形態]
次に、本発明の第4実施形態に係るノイズフィルタについて、図5を参照しながら説明する。なお、上記第1実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
本第4実施形態において伝送装置100Eのノイズフィルタ200Eは、図5(a)に示すように上記第1実施形態のノイズフィルタ200と同様に、一対のコイル11,12からなる四端子回路網1A及びインダクタ2及びキャパシタ3の直列回路6を備えている。更に、ノイズフィルタ200Eは、一対の伝送線路7a,7bであって、一対のコイル11,12の一端1a,1bと受信回路5aとの間に設けられ、受信回路5aに同相成分が通過するのを遮断するコモンモードフィルタ8を備えている。
このコモンモードフィルタ8は、一対の巻線である一対のコイル8a,8bを有し、差動信号の同相成分に対しては磁束が強め合い、逆相成分に対しては磁束が弱め合う電磁結合状態で巻回又は積層されたものである。そして、一方のコイル8aが一方の伝送線路7aに直列接続されており、他方のコイル8bが他方の伝送線路7bに直列接続されている。コモンモードフィルタ8は、30MHzから1.数GHz程度の周波数帯域において同相成分に対するインピーダンスが高いものを選定するのが良い。
以上、コモンモードフィルタ8は、差動信号の逆相成分に対しては低インピーダンスとなりEMIの原因となる同相成分に対して高インピーダンスとなるように動作する。そのため、同相成分であるノイズは、より確実に一対のコイル11,12及び直列回路6を通過するようになるため、より効果的にノイズを遮断することができる。
更に別の実施形態として、目標周波数においてノイズの遮断効果を高めるために、図5(b)に示す伝送装置100Fのノイズフィルタ200Fでは、コモンモードフィルタ8の各コイル8a,8bにキャパシタ9a,9bを並列接続させている。この並列接続させるキャパシタ9a,9bの容量値Cは、式(3)によって決定される。
Figure 0005665455
ここで、容量値Cは、挿入するキャパシタ9a,9bのキャパシタンスであり、Lはコモンモードフィルタ8の同相成分に対する実行インダクタンスであり、ωは、目標角周波数である。伝送線路7a,7bに挿入されるそれぞれのキャパシタ9a,9bは同じ容量値のものが好ましく、各キャパシタ9a,9bは、一対のコイル11,12及び直列回路6の共振周波数と同じ周波数で共振するように容量値Cが設定されている。
図5(c)は、ミクスドモードSパラメータの計算結果を示す図である。この図5(c)に示すように、ノイズフィルタ200Fは、同相信号成分に対して高インピーダンスとなるコモンモードフィルタ8及びキャパシタ9a,9bを追加した結果、上記第1実施形態のノイズフィルタ200よりも同相成分(ノイズ)の遮断効果が大きい。
したがって、このノイズフィルタ200Fによれば、コモンモードフィルタ8及びキャパシタ9a,9bからなるフィルタ回路を目標周波数で同相成分に対して、さらに高インピーダンスにするができる。そのため、目標周波数において受信回路5aへのノイズの伝搬を抑制する効果が高まり、さらに効果的にノイズを遮断することができる。
2 インダクタ
3 キャパシタ
4 送信回路
5a 受信回路
6 直列回路
7a,7b 伝送線路
100,100B,100C,100D,100E,100F 伝送装置
200,200’,200B,200D,200E,200F ノイズフィルタ

Claims (11)

  1. 差動信号を送信する送信回路と前記差動信号を受信する受信回路と、前記送信回路と受信回路とを接続する一対の差動伝送線路と、前記差動伝送線路に設けられたノイズフィルタとを有する信号伝送回路において、
    前記ノイズフィルタは、前記一対の差動伝送線路のそれぞれに一端が接続され、他端同士が短絡して接続され、前記一対の差動伝送線路を伝送する同相成分に対しては磁束が打ち消し合い、前記一対の差動伝送線路を伝送する逆相成分に対しては磁束が強め合う電磁結合状態である一対のコイルと、前記一対のコイルとグラウンドとの間に直列接続されたインダクタ及びキャパシタを有する直列回路と、を備えており、
    前記一対のコイル及び前記直列回路による前記同相成分による共振周波数は、前記差動伝送線路を伝搬する差動信号の1ビット周期の整数倍の周波数のいずれかの周波数の±5%の範囲の周波数であることを特徴とする信号伝送回路。
  2. 前記ノイズフィルタにおける前記直列回路は、前記一対のコイルとグラウンドとの間に複数個設けられていることを特徴とする請求項1に記載の信号伝送回路。
  3. 前記差動伝送線路とグラウンドとの間には、複数個の前記ノイズフィルタが並列に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の信号伝送回路。
  4. 前記一対の差動伝送線路において、前記一対のコイルの一端が接続された接続部と、前記受信回路との間には、前記受信回路に前記同相成分が通過するのを遮断するコモンモードフィルタが設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の信号伝送回路。
  5. 前記コモンモードフィルタは、前記一対の差動伝送線路のそれぞれに直列に配置された2つのコイルからなり、前記2つのコイルのそれぞれには、前記2つのコイルに並列に接続され、前記共振周波数と同じ周波数で共振する容量値に設定されたキャパシタが備えられていることを特徴とする請求項4に記載の信号伝送回路。
  6. 差動信号を送信する送信回路が設けられた第1の基板と、
    前記差動信号を受信する受信回路が設けられた第2の基板と、
    前記送信回路と前記受信回路とを接続する一対の差動伝送線路とを有し、
    前記一対の差動伝送線路は、前記第1の基板に形成された一対の第1の差動伝送線路と、前記第2の基板に形成された一対の第2の差動伝送線路と、前記一対の第1の差動伝送線路と前記一対の第2の差動伝送線路とを接続するケーブルとからなり、
    前記第1の基板の第1の差動伝送線路にはノイズフィルタが設けられており、
    前記ノイズフィルタは、前記一対の第1の差動伝送線路のそれぞれに一端が接続され、他端同士が短絡して接続され、前記一対の第1の差動伝送線路を伝送する同相成分に対しては磁束が打ち消し合い、前記一対の第1の差動伝送線路を伝送する逆相成分に対しては磁束が強め合う電磁結合状態である一対のコイルと、前記一対のコイルとグラウンドとの間に直列接続されたインダクタ及びキャパシタを有する直列回路と、を備えており、
    前記一対のコイル及び前記直列回路による前記同相成分による共振周波数は、前記第1の差動伝送線路を伝搬する差動信号の1ビット周期の整数倍の周波数のいずれかの周波数の±5%の範囲の周波数であることを特徴とする伝送装置。
  7. 前記ノイズフィルタにおける前記直列回路は、前記一対のコイルとグラウンドとの間に複数個設けられていることを特徴とする請求項6に記載の伝送装置。
  8. 前記第1の差動伝送線路とグラウンドとの間には、複数個の前記ノイズフィルタが並列に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の伝送装置。
  9. 前記一対の第1の差動伝送線路において、前記一対のコイルの一端が接続された接続部と前記受信回路との間には、前記受信回路に前記同相成分が通過するのを遮断するコモンモードフィルタが設けられていることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の伝送装置。
  10. 前記コモンモードフィルタは、前記一対の第1の差動伝送線路のそれぞれに直列に配置された2つのコイルからなり、前記2つのコイルのそれぞれには、前記2つのコイルに並列に接続され、前記共振周波数と同じ周波数で共振する容量値に設定されたキャパシタが備えられていることを特徴とする請求項9に記載の伝送装置。
  11. 差動信号を送信する送信回路と、前記送信回路に接続された一対の差動伝送線路とを有し、前記差動伝送線路にはノイズフィルタが設けられており、
    前記ノイズフィルタは、前記一対の差動伝送線路のそれぞれに一端が接続され、他端同士が短絡して接続され、前記一対の差動伝送線路を伝送する同相成分に対しては磁束が打ち消し合い、前記一対の差動伝送線路を伝送する逆相成分に対しては磁束が強め合う電磁結合状態である一対のコイルと、前記一対のコイルとグラウンドとの間に直列接続されたインダクタ及びキャパシタを有する直列回路と、を備えており、
    前記一対のコイル及び前記直列回路による前記同相成分による共振周波数は、前記差動伝送線路を伝搬する差動信号の1ビット周期の整数倍の周波数のいずれかの周波数の±5%の範囲の周波数であることを特徴とする回路基板。
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