JP7346941B2 - バイアスｔ回路、及び、電力重畳回路 - Google Patents

Description

本発明は、バイアスＴ回路、及び、該バイアスＴ回路を用いた電力重畳回路に関する。

近年、例えば、車載カメラシステムのカメラモジュールからメイン基板（コントロールユニット）に映像信号を送る通信等において、ワイヤハーネスの重量を軽減するため、１本の同軸ケーブルで信号伝送と電力伝送（電源供給）とを実現するＰｏＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｏｖｅｒ Ｃｏａｘ．）の採用が進んでいる。ＰｏＣでは、１本の同軸ケーブルに、メイン基板側の電源ライン及びカメラモジュール側の電源ラインそれぞれが接続される。

そのため、ＰｏＣにおいては、インピーダンスの低い電源ラインに高周波信号（映像信号）が流れていかないように、分岐点においてインピーダンスを高くする必要があり、インダクタを有するバイアスＴ回路が直列接続される。すなわち、バイアスＴ回路は、電源ラインと同軸ケーブルとの間に介装されるインダクタを有し、電源成分（直流・低周波成分）を通し、信号成分（高周波成分）を遮断する。

ここで、特許文献１には、伝送線路上の一端にバイアス電圧またはバイアス電流を供給するバイアス回路であって、伝送線路上を伝送するベースバンド信号の高周波成分を阻止するとともに、直流近傍の周波数成分を通過させるインダクタと、インダクタを実装することによって発生する寄生容量とインダクタのインダクタンスとが共振を起こすことによって生じる伝送線路から見たインピーダンスの低下を防止するためのインピーダンス低下防止素子（抵抗素子）とを備えるバイアス回路が開示されている。

また、特許文献２の図２には、直流近傍の低周波から高周波まで、より広帯域でインピーダンスの低下を防止（すなわち、高インピーダンスを維持）するために、インダクタと抵抗との並列回路を複数段（４段）、直列に接続した４段階広帯域バイアスＴ回路が開示されている。

国際公開第２００５／１０７０６３号 特表２０１７－５１１６３８号公報

特許文献２の４段階広帯域バイアスＴ回路によれば、より広帯域でインピーダンスの低下を防止することができる。しかしながら、インダクタと抵抗との並列回路を多段化することにより、部品点数が増大し、実装面積や実装コストが増大するという問題がある。特に、上述した車載カメラシステム等では、例えば車両のフロントウィンドウ上部に取り付けられるカメラモジュールの配線基板の小型化（すなわち実装面積の狭小化）が要求されており、バイアスＴ回路の部品点数の削減が求められている。

一方、部品点数を減らすために抵抗を取り去ると、すなわち、複数（特許文献２の例では４個）の異なるインダクタを直列に接続すると、反共振が発生し、その周波数でのインピーダンスが低下する。加えて、共振が発生すると、共振周波数におけるインピーダンスと反共振周波数におけるインピーダンスとの間に大きな差が生じ、信号ラインのインピーダンスの不安定化を招くおそれがある。

本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、バイアスＴ回路を構成する部品点数を削減しつつ、インダクタ等に起因する共振・反共振を抑え、共振・反共振によるインピーダンスの低下・変動を抑制することが可能なバイアスＴ回路を提供することを目的とする。

本発明に係るバイアスＴ回路は、電源ラインと信号ラインとの間に介装されるバイアスＴ回路であって、互いに直列に接続され、かつ、共通の磁性体コアを有し、磁気的に結合され、一端が電源ラインに接続され、他端が信号ラインに接続された一対のインダクタと、一対のインダクタと並列に接続された抵抗とを備え、上記一対のインダクタが、電流が流れたときに、磁性体コアに同じ方向に磁束が発生するように構成されていることを特徴とする。

本発明に係るバイアスＴ回路によれば、直列に接続された一対のインダクタが磁気的に結合されているため、反共振を抑制することができる。加えて、一対のインダクタと並列に抵抗が接続されているため、共振を抑えることができる。また、例えば、２段のバイアスＴ回路で比較した場合、従来の構成では、４つの部品、すなわち、２組の並列に接続されたインダクタと抵抗とが必要であるが、本発明に係るバイアスＴ回路では、２つの部品、すなわち、磁気結合した一対のインダクタと抵抗とで構成可能なため、部品点数を削減することができる。さらに、一対のインダクタが磁気結合しているため、磁気結合していないインダクタと比較して、同一のインダクタンスを得るために必要な巻回数（ターン数）を減らすことができ、インダクタの直流抵抗値を低減することも可能となる。

上記の結果、本発明によれば、バイアスＴ回路を構成する部品点数を削減しつつ、インダクタ等に起因する共振・反共振を抑え、共振・反共振によるインピーダンスの低下・変動を抑制することが可能となる。さらに、本発明によれば、インダクタの巻回数を減らすことができ、インダクタの直流抵抗値を低減することが可能となる。

実施形態に係るバイアスＴ回路、及び、該バイアスＴ回路を備えたＰｏＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｏｖｅｒ Ｃｏａｘ．）の構成を示す回路図である。 変形例に係るバイアスＴ回路、及び、該バイアスＴ回路を備えたＰｏＣの構成を示す回路図である。 実施形態に係るバイアスＴ回路が接続された同軸ケーブルのＳ２１の一例を示す図である。

以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図中、同一又は相当部分には同一符号を用いることとする。また、各図において、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。なお、本実施形態では、バイアスＴ回路１をＰｏＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｏｖｅｒ Ｃｏａｘ．）３（特許請求の範囲に記載の電力重畳回路に相当）に適用した場合を例にして説明する。

まず、図１を用いて、実施形態に係るバイアスＴ回路１、及び、該バイアスＴ回路１を備えたＰｏＣ３の構成について説明する。図１は、バイアスＴ回路１、及び、該バイアスＴ回路１を備えたＰｏＣ３の構成を示す回路図である。

ＰｏＣ３は、例えば、車載カメラシステムのカメラモジュール３Ｂからメイン基板（コントロールユニット）３Ａに映像信号を送る通信において、１本の同軸ケーブル３１（特許請求の範囲に記載の信号ラインに相当）で信号伝送と電力伝送（電源供給）とを実現する。ＰｏＣ３では、１本の同軸ケーブル３１に、メイン基板３Ａ側の第１電源ライン３０１及びカメラモジュール３Ｂ側の第２電源ライン３０２それぞれが接続される。そのため、ＰｏＣ３においては、インピーダンスの低い第１，第２電源ライン３０１，３０２に高周波信号（映像信号）が流れていかないように、分岐点においてインピーダンスを高くする必要があり、インダクタ１２３を有するバイアスＴ回路１が直列接続される。バイアスＴ回路１は、電源成分（直流・低周波成分）を通し、信号成分（高周波成分）を遮断する。以下、各構成要素について詳細に説明する。

ＰｏＣ３は、主として、同軸ケーブル３１と、同軸ケーブル３１の一端に、第１キャパシタ３３１を介して接続された第１集積回路３２１と、同軸ケーブル３１の他端に、第２キャパシタ３３２を介して接続された第２集積回路３２２と、同軸ケーブル３１及び第１集積回路３２１に電力を供給する第１電源ライン３０１と、同軸ケーブル３１から第２集積回路３２２に電力を供給する第２電源ライン３０２と、同軸ケーブル３１の一端と第１キャパシタ３３１との接続部において、第１電源ライン３０１に直列に接続された一方のバイアスＴ回路１と、同軸ケーブル３１の他端と第２キャパシタ３３２との接続部において、第２電源ライン３０２に直列に接続された他方のバイアスＴ回路１とを備えている。

同軸ケーブル３１は、内部導体（芯線）と、該内部導体を覆う外部導体とを有し、第１集積回路３２１（メイン基板３Ａ側）と第２集積回路３２２（カメラモジュール３Ｂ側）とを通信可能に接続する。同軸ケーブル３１の一端には、直列に接続された第１キャパシタ３３１を介して、第１集積回路（デシリアライザ）３２１が接続されている。第１キャパシタ３３１は、高周波信号（信号成分）を通過させるとともに、第１電源ライン３０１のＤＣ成分の第１集積回路３２１側への流入を遮断する。なお、第１集積回路（デシリアライザ）３２１は、入力されたシリアル信号をパラレル信号に変換する。

同軸ケーブル３１の他端には、直列に接続された第２キャパシタ３３２を介して、第２集積回路（シリアライザ）３２２が接続されている。第２キャパシタ３３２は、高周波信号（信号成分）を通過させるとともに、第２電源ライン３０２のＤＣ成分の第２集積回路３２２側への流入を遮断する。なお、第２集積回路（シリアライザ）３２２は、入力されたパラレル信号をシリアル信号に変換して出力する。

より具体的には、ＰｏＣ３では、１本の同軸ケーブル３１に、第１集積回路３２１側（メイン基板３Ａ側）の第１電源ライン３０１、及び、第２集積回路３２２側（カメラモジュール３Ｂ側）の第２電源ライン３０２それぞれが接続される。同軸ケーブル３１の一端と第１キャパシタ３３１との接続部には、一方のバイアスＴ回路１を介して第１電源ライン３０１が接続されている。第１電源ライン３０１は、ＤＣ電源（以下、単に「電源」という）３０と接続されており、電源３０から供給される電力を、第１集積回路３２１、及び、同軸ケーブル３１に供給する。

同軸ケーブル３１の他端と第２キャパシタ３３２との接続部には、他方のバイアスＴ回路１を介して第２電源ライン３０２が接続されている。第２電源ライン３０２は、同軸ケーブル３１からの電力を、第２集積回路３２２に供給する。

一方のバイアスＴ回路１は、同軸ケーブル３１の一端と、第１キャパシタ３３１との接続部において、同軸ケーブル３１と第１電源ライン３０１との間に介装されている。すなわち、第１電源ライン３０１に直列に接続されている。他方のバイアスＴ回路１は、同軸ケーブル３１の他端と、第２キャパシタ３３２との接続部において、同軸ケーブル３１と第２電源ライン３０２との間に介装されている。すなわち、第２電源ライン３０２に直列に接続されている。

バイアスＴ回路１は、ＤＣ（直流）に対して低インピーダンスを示し、ＡＣ（高周波）に対して高インピーダンスを示す。そして、バイアスＴ回路１は、電源成分（直流・低周波成分）を通し、信号成分（高周波成分）を遮断することにより、同軸ケーブル３１に電源成分を重畳する、又は、同軸ケーブル３１から電源成分を分離する。なお、例えば車載カメラシステムでは、映像信号（最大伝送速度１．５Ｇｂｐｓ）とコントロール信号（数百ｋｂｐｓ）の両方に対して高インピーダンスである必要があり、バイアスＴ回路１には、数百ｋＨｚから１．５ＧＨｚまでの広帯域の特性が要求される。

ここで、第１電源ライン３０１に接続される一方のバイアスＴ回路１と、第２電源ライン３０２に接続される他方のバイアスＴ回路１とは、同じ構成であるので、ここでは、第１電源ライン３０１に接続される一方のバイアスＴ回路１を例にして説明することとし、重複した説明を省略する。

バイアスＴ回路１は、第１のフィルタ回路１１と、第２のフィルタ回路１２とを備え、第１のフィルタ回路１１と、第２のフィルタ回路１２とは、直列に接続されている。

第１のフィルタ回路１１は、インダクタ１１１と、該インダクタ１１１と並列に接続された抵抗１１５（例えばチップ抵抗）とを有している。第２のフィルタ回路１２は、一対（２個）のインダクタ１２３，１２３と、一対（２個）のインダクタ１２３，１２３と並列に接続された抵抗１２５とを有している。

一対のインダクタ１２３，１２３は、互いに直列に接続されている。また、一対のインダクタ１２３，１２３は、共通の磁性体コア１２２を有し、磁気的に結合されている。さらに、一対のインダクタ１２３，１２３は、一端が第１電源ライン３０１に接続され、他端が同軸ケーブル３１に接続されている。一対のインダクタ１２３，１２３は、一対のインダクタ１２３，１２３に電流が流れたときに、磁性体コア１２２に（すなわちインダクタの内側において）同じ方向に磁束が発生するように構成されている。

ここで、本実施形態では、一対のインダクタ１２３，１２３として、共通の磁性体コア１２２に、一対の線材が同一方向に螺旋状に巻回されて形成されたコモンモードチョークコイル（ＣＭＣＣ）１２１を用いた。磁性体コア１２２は、例えば、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライトやＮｉ－Ｚｎ系フェライト等のフェライトで形成されている。

コモンモードチョークコイル１２１を用いる場合、部品外部又は部品内部で、一対の線材（インダクタ１２３，１２３）を構成する一方の線材の他端と他方の線材の一端とが接続される。そのため、上述したように、コモンモードチョークコイル１２１を構成する一対のインダクタ１２３，１２３に電流が流れたときに、磁性体コア１２２に同じ方向に磁束が発生する。なお、コモンモードチョークコイル１２１としては、巻線型のコモンモードチョークコイルでもよいし、積層型のコモンモードチョークコイルでもよい。そして、一方の線材の一端と他方の線材の他端に、抵抗１２５が接続される。すなわち、コモンモードチョークコイル１２１を構成する一対のインダクタ１２３，１２３に、抵抗１２５が並列に接続される。

（変形例）
ここで、図２を参照しつつ、変形例に係るバイアスＴ回路１Ｂについて説明する。図２は、変形例に係るバイアスＴ回路１Ｂ、及び、該バイアスＴ回路１Ｂを備えたＰｏＣ３の構成を示す回路図である。バイアスＴ回路１Ｂは、コモンモードチョークコイル１２１に代えて、ディファレンシャルモードインダクタ（ＤＭＩ）１２１Ｂを有している点で、上述したバイアスＴ回路１と異なっている。

ディファレンシャルモードインダクタ１２１Ｂは、共通の磁性体コア１２２Ｂと、該共通の磁性体コア１２２Ｂに一対の線材が互いに反対方向に巻回されることにより形成された一対のインダクタ１２３Ｂ，１２３Ｂとを含んで構成されている。

ディファレンシャルモードインダクタ１２１Ｂを用いる場合、部品外部又は部品内部で、一対の線材（インダクタ１２３Ｂ，１２３Ｂ）を構成する一方の線材の他端と他方の線材の他端とが接続される。そのため、ディファレンシャルモードインダクタ１２１Ｂを構成する一対のインダクタ１２３Ｂ，１２３Ｂに電流が流れたときに、磁性体コア１２２Ｂに同じ方向に磁束が発生する。そして、一方の線材の一端と他方の線材の一端に、抵抗１２５Ｂが接続される。すなわち、ディファレンシャルモードインダクタ１２１Ｂを構成する一対のインダクタ１２３Ｂ，１２３Ｂに、抵抗１２５Ｂが並列に接続される。なお、その他の構成は、上述したバイアスＴ回路１と同一又は同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。

上述したように構成されることにより、電力は、電源３０から、第１電源ライン３０１、一方のバイアスＴ回路１（一対のインダクタ１２３，１２３）、同軸ケーブル３１、他方のバイアスＴ回路１（一対のインダクタ１２３，１２３）、第２電源ライン３０２へと伝送される。一方、信号は、第２集積回路（シリアライザ）３２２から、第２キャパシタ３３２、同軸ケーブル３１、第１キャパシタ３３１、第１集積回路（デシリアライザ）３２１へと伝送される。

ここで、図３を参照しつつ、バイアスＴ回路１を用いたＰｏＣ３の同軸ケーブル３１のＳ２１について説明する。図３は、バイアスＴ回路１を用いた同軸ケーブル３１のＳ２１の一例を示す図である。図３の横軸は周波数（ＭＨｚ）であり、縦軸はＳ２１（ｄＢ）である。なお、Ｓ２１は、バイアスＴ回路１が接続された同軸ケーブル３１の一端（ｐｏｒｔ１）に信号を入力したときに他端（ｐｏｒｔ２）に伝達される割合、すなわち順方向の伝達係数である。よって、このＳ２１の値が大きいほど（０ｄＢに近いほど）、挿入損失が小さく、すなわち、信号が減衰されない（伝達されやすい）と評価することができる。

本実施形態に係るバイアスＴ回路１として、並列接続された６５０ｎＨのインダクタ１１１（ＬＱＷ１８ＣＮＲ６５Ｊ０Ｚ）及び１５００Ωの抵抗１１５と、並列接続されたコモンモードチョークコイル１２１（ＤＬＷ２１ＳＺ４９１ＸＱ２：１００ＭＨｚで４９０Ωのインピーダンスを示す）及び１５００Ωの抵抗１２５とが、直列に接続されたものを用いた。また、比較例として、従来のバイアスＴ回路、すなわち、並列接続された６５０ｎＨのインダクタＬ１（ＬＱＷ１８ＣＮＲ６５Ｊ０Ｚ）及び１５００Ωの抵抗Ｒ１と、並列接続された２．２μＨのインダクタＬ２（ＬＱＷ３２ＦＴ２Ｒ２Ｍ０Ｈ）及び１５００Ωの抵抗Ｒ２と、並列接続された２．２μＨのインダクタＬ３（ＬＱＷ３２ＦＴ２Ｒ２Ｍ０Ｈ）及び１５００Ωの抵抗Ｒ３とが、直列に接続されたものを用いた。そして、それぞれのＳ２１を求め、その結果から、本実施形態に係るバイアスＴ回路１を用いた同軸ケーブル３１の信号の伝わり易さを評価した。

図３に示されるように、本実施形態に係るバイアスＴ回路１では、略６ＭＨｚ以上の領域でＳ２１が低下しておらず、すなわち、略０ｄＢとなっており、信号が殆ど減衰せず、伝達されやすいことが確認された。また、本実施形態に係るバイアスＴ回路１と、比較例の（従来の）バイアスＴ回路とで、略同等のＳ２１が得られた。よって、本実施形態に係るバイアスＴ回路１によれば、バイアスＴ回路を構成する部品点数を減らしたとしても、信号伝達に悪影響はなく、従来と同等以上の通信品質を得ることができることが確認された。

以上、詳細に説明したように、本実施形態に係るバイアスＴ回路１によれば、直列に接続された一対のインダクタ１２３，１２３が磁気的に結合されているため、結合していない隣り合ったインダクタで生じ得る反共振を抑制することができる。加えて、一対のインダクタ１２３，１２３と並列に抵抗１２５が接続されているため、共振を抑えることができる。また、例えば、３段のバイアスＴ回路で比較した場合、従来の構成では、６つの部品、すなわち、３組の並列に接続されたインダクタと抵抗とが必要であるが、本実施形態では、４つの部品、すなわち、磁気結合した一対のインダクタ１２３，１２３（コモンモードチョークコイル１２１）と抵抗１２５、及び、インダクタ１１１と抵抗１１５とで構成可能なため、部品点数を削減することができる。さらに、一対のインダクタ１２３，１２３が磁気結合しているため、磁気結合していないインダクタと比較して、同一のインダクタンスを得るために必要な巻回数（ターン数）を減らすことができ、インダクタ１２３の直流抵抗値を低減することも可能となる。その結果、バイアスＴ回路１を構成する部品点数を削減しつつ、インダクタ１２３等に起因する共振・反共振を抑え、共振・反共振によるインピーダンスの低下・変動を抑制することが可能となる。さらに、本実施形態によれば、インダクタ１２３の巻回数を減らすことができ、インダクタ１２３の直流抵抗値を低減することが可能となる。

また、本実施形態によれば、互いに直列に接続され、かつ、共通の磁性体コア１２２を有し、磁気的に結合された一対のインダクタ１２３，１２３として、コモンモードチョークコイル１２１を好適に用いることができる。又は、互いに直列に接続され、かつ、共通の磁性体コア１２２Ｂを有し、磁気的に結合された一対のインダクタ１２３Ｂ，１２３Ｂとして、ディファレンシャルモードインダクタ１２１Ｂを好適に用いることができる。

また、特に、本実施形態によれば、基板の小型化や部品点数の削減、及び、広帯域で高インピーダンスを維持することが要求されるＰｏＣに好適に適用することが可能となる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、本発明に係るバイアスＴ回路１（１Ｂ）を、ＰｏＣ３（車載カメラシステム）に適用した場合を例にして説明したが、本発明に係るバイアスＴ回路１（１Ｂ）の適用先は、ＰｏＣ３（車載カメラシステム）に限られることなく、ＰｏＣ３（車載カメラシステム）以外の電子機器にも適用することができる。

上記実施形態では、一つの第１のフィルタ回路１１と、一つの第２のフィルタ回路１２（１２Ｂ）とを用いてバイアスＴ回路１を構成したが、一つの第２のフィルタ回路１２（１２Ｂ）のみの構成（すなわち、第１のフィルタ回路１１を有しない構成）としてもよい。また、直列に接続された一の第１のフィルタ回路１１と複数の第２のフィルタ回路１２（１２Ｂ）とを備える構成、複数の第１のフィルタ回路１１と一の第２のフィルタ回路１２（１２Ｂ）とを備える構成、又は、複数の第１のフィルタ回路１１と複数の第２のフィルタ回路１２（１２Ｂ）とを備える構成としてもよい。

１、１Ｂ バイアスＴ回路
３ ＰｏＣ（電力重畳回路）
３０ 電源
３０１ 第１電源ライン
３０２ 第２電源ライン
３１ 同軸ケーブル（信号ライン）
３２１ 第１集積回路（デシリアライザ）
３２２ 第２集積回路（シリアライザ）
３３１ 第１キャパシタ
３３２ 第２キャパシタ
１１ 第１のフィルタ回路
１２，１２Ｂ 第２のフィルタ回路
１２１ コモンモードチョークコイル
１２１Ｂ ディファレンシャルモードインダクタ
１２２，１２２Ｂ 磁性体コア
１２３，１２３Ｂ インダクタ（線材）
１１１ インダクタ
１１５，１２５ 抵抗

Claims (5)

1. 電源ラインと信号ラインとの間に介装されるバイアスＴ回路であって、
   互いに直列に接続され、かつ、共通の磁性体コアを有し、磁気的に結合され、一端が前記電源ラインに接続され、他端が前記信号ラインに接続された一対のインダクタと、
   前記一対のインダクタと並列に接続された抵抗と、を備え、
   前記一対のインダクタは、電流が流れたときに、前記磁性体コアに同じ方向に磁束が発生するように構成されており、
   前記一対のインダクタは、前記磁性体コアに、一対の線材が同一方向に巻回されて形成されたコモンモードチョークコイルであり、
   前記一対の線材を構成する一方の線材の他端と他方の線材の一端とが接続されており、
   前記一方の線材の一端と前記他方の線材の他端に、前記抵抗が接続されていることを特徴とするバイアスＴ回路。
2. 電源ラインと信号ラインとの間に介装されるバイアスＴ回路であって、
   互いに直列に接続され、かつ、共通の磁性体コアを有し、磁気的に結合され、一端が前記電源ラインに接続され、他端が前記信号ラインに接続された一対のインダクタと、
   前記一対のインダクタと並列に接続された抵抗と、を備え、
   前記一対のインダクタは、電流が流れたときに、前記磁性体コアに同じ方向に磁束が発生するように構成されており、
   前記一対のインダクタは、前記磁性体コアに、一対の線材が互いに反対方向に巻回されて形成されたディファレンシャルモードインダクタであり、
   前記一対の線材を構成する一方の線材の他端と他方の線材の他端とが接続されており、
   前記一方の線材の一端と前記他方の線材の一端に、前記抵抗が接続されていることを特徴とするバイアスＴ回路。
3. インダクタと、該インダクタと並列に接続された抵抗と、を有する第１のフィルタ回路と、
   前記一対のインダクタと、前記一対のインダクタと並列に接続された前記抵抗と、を有する第２のフィルタ回路と、を備え、
   前記第１のフィルタ回路と、前記第２のフィルタ回路とは、直列に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のバイアスＴ回路。
4. 一又は複数の前記第１のフィルタ回路と、
   一又は複数の前記第２のフィルタ回路と、を備え、
   前記一又は複数の第１のフィルタ回路と、前記一又は複数の第２のフィルタ回路とは、直列に接続されていることを特徴とする請求項３に記載のバイアスＴ回路。
5. 信号ラインと、
   前記信号ラインの一端に、第１キャパシタを介して接続された第１集積回路と、
   前記信号ラインの他端に、第２キャパシタを介して接続された第２集積回路と、
   前記信号ライン及び前記第１集積回路に電力を供給する第１電源ラインと、
   前記信号ラインから前記第２集積回路に電力を供給する第２電源ラインと、
   一対の請求項１～４のいずれか１項に記載のバイアスＴ回路と、を備え、
   一方のバイアスＴ回路は、前記信号ラインの一端と、前記第１キャパシタとの接続部において、前記信号ラインと前記第１電源ラインとの間に介装されており、
   他方のバイアスＴ回路は、前記信号ラインの他端と、前記第２キャパシタとの接続部において、前記信号ラインと前記第２電源ラインとの間に介装されていることを特徴とする電力重畳回路。

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