JP5663565B2 - 検知システムおよび方法 - Google Patents

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Description

本発明は、センサの分野に関し、より詳細には、混合ガスの飽和点等の物理特性を測定するように構成された光学分析機器に関する。
凝縮物の速度が蒸発と厳密に等しい結露面の温度は、露点温度または飽和点として定義されることが多い。一般に「鏡面冷却式」湿度計と呼ばれる光学式結露型露点湿度計は、ガスの露点または飽和点を検出するように構成され、分析機器の分野では周知である。これらの「鏡面冷却式」湿度計は、通常、結露面が分析ガスと蒸気圧平衡で維持されるように構成される。
図1を参照すると、既知の「鏡面冷却式」湿度計の特徴の1つは、これらの「鏡面冷却式」湿度計の光源4およびフォトディテクタ8が、ミラー2のサンプル6と同じ側にある、というものである。分析ガスと直接接触するミラー2の面は、結露面1と呼ばれる。言い換えれば、「鏡面冷却式」湿度計の光源4からの光は、分析ガス6を通り、ミラー2の結露面1から反射し、分析ガス6を通ってフォトディテクタ8まで移動する。ミラー2は、通常、金、ロジウムまたはプラチナ等の高反射金属の金属板である。既知の「鏡面反射式」湿度計では、分析ガス6は、ミラー2の結露面1、光源4およびフォトディテクタ8と直接接触する。
既知の「表面冷却式」湿度計では、ミラー2は、通常、熱電冷却器またはペルチェ冷却器10により、露または霜がミラー2の結露面1で凝縮し始めるまで冷却される。ペルチェ冷却器10がミラー2の温度を操作する間、「鏡面冷却式」湿度計がミラー2の結露面1を連続的に監視して結露を検出する。結露面1の温度は、通常、ミラー2に組み込まれている熱電対またはサーミスタ12を用いて測定される。凝縮物が結露面1に発生し始めると、結露面1上の凝縮物は、光源4からの光を散乱させ、フォトディテクタ8によって検出される光の量を低減する。フォトディテクタ8がその表面に達する光の強度の変化を検出する時点で、「鏡面冷却式」湿度計はミラー2の温度を記録する。この記録された温度が、分析ガス6の露点である。
既知の「鏡面冷却式」湿度計の問題のうちの1つは、分析ガス6が腐食性である場合、既知の「鏡面冷却式」湿度計のミラー2および他の要素が、分析ガス6と接触することにより急速に劣化する、ということである。他の問題は、露点測定が必要な多くの用途では、試験環境において金属板ミラー2由来の金属が存在することが非常に望ましくない、ということである。
光源4およびフォトディテクタ8は、通常、Mylar(登録商標)フィルム等、エポキシ・シーラントまたは他の保護防湿材によって分析サンプルから遮断されている。しかしながら、分析ガスが、非常に腐食性が高い場合、湿度計のこれらの要素は急速に劣化する。また、金属板ミラー2は分析ガス6と直接接触し、それにより金属が試験環境内に漏出し、そうした接触は多くの用途において許容できない。
本発明は、既知の検知システムの問題に対処する。本発明の検知システムを、ガス・サンプルの物理パラメータを検出するように構成することができる。検知システムは、半導体製造、生物製剤製造、生化学的防御機構、健康管理、石油および原油産業、石油およびガス探査、化学工業、鉱業、食品業界等において有用である。
検知システムは、好ましくは、検知媒体、光源、光検出器、熱モジュール、温度センサおよび処理ユニットを備える。検知媒体は、好ましくは、2つの面、すなわちサンプルと直接接触する検知面と、サンプルから実質的に隔離される背面とを有する。光源および光検出器は、検知媒体の背面と同じ側にあるように配置され、すなわち、光源によって放出される光が検知面に達する前に検知媒体を通過するように配置される。1つの好ましい実施形態によれば、熱モジュールを用いて、検知媒体が徐々に冷却される。検知面の温度がサンプルの露点温度に達すると、検知面と直接接触しているガス・サンプルは検知面上で凝縮を開始する。光源は、検知面に向けられる光を放出する。検知媒体を通過する光を、部分的にまたは全体的に結露面から反射させ光検出器に向けることができる。検知面に凝縮物が発生すると、検知面から光検出器に反射される光の部分が変化する。検知システムは、光検出器に突き当たる光の量または分布の変化を検出し、この変化の時点において検知媒体の温度を登録する。最初に結露が検出された時点での検知面の温度に基づいて、検知システムは、サンプルの露点温度、乾球温度、湿球温度、絶対湿度、相対湿度、水蒸気圧および他の物理パラメータを含む、サンプルの種々の物理パラメータを計算することができる。
いくつかの実施形態では、センサ・システムは、屈折率を確定しそれにより液体の化学的濃度を確定するために光反射率を利用して、検知面に発生している凝縮液の濃度を測定することも可能である。光反射率を使用することによって濃度を測定する方法のうちのいくつかは、米国特許第7,319,523号明細書およびその子特許に記載されており、その方法を、本発明の検知システムのいくつかの実施形態で利用することができる。米国特許第7,319,523号明細書の開示内容はすべて、参照により本明細書に援用される。
本発明のいくつかの実施形態は、添付図面に、より詳細に開示されている。
従来技術による湿度センサを示す。 センサ・ヘッドの実施形態のうちの1つの概略図を示す。 検知面の種々の状態のうちの1つの概略図を示す。 検知面の種々の状態のうちの1つの概略図を示す。 検知面の種々の状態のうちの1つの概略図を示す。 センサ・ヘッドの「蛇行経路」実施形態を示す。 センサ・ヘッドの他の実施形態の概略図を示す。 センサ・ヘッドの他の実施形態の概略図を示す。 センサ・ヘッドの他の実施形態の概略図を示す。 センサ・ヘッドの他の実施形態の概略図を示す。 センサ・ヘッドの他の実施形態の概略図を示す。 センサ・ヘッドの他の実施形態の概略図を示す。 センサ・ヘッドの他の実施形態の概略図を示す。 センサ・ヘッドの他の実施形態の概略図を示す。 センサ・ヘッドの他の実施形態の概略図を示す。 積層フィン・ヒート・シンクを備えたセンサ・ヘッドの種々の実施形態のうちの1つの概略図を示す。 積層フィン・ヒート・シンクを備えたセンサ・ヘッドの種々の実施形態のうちの1つの概略図を示す。 伸長可能なピストンの概略図を示す。 伸長可能なピストンの概略図を示す。 積層フィン・ヒート・シンクを備えたセンサ・ヘッドの種々の実施形態のうちの1つの概略図を示す。 検知システムのブロック図を示す。 電子回路モジュールのブロック図を示す。 検知システムの反射率曲線を示す。
好ましい実施形態では、検知システムは、図2に示すセンサ・ヘッド20を備えている。センサ・ヘッド20は、検知面26および背面27を有する検知媒体24を備えている。検知面26は、サンプル28と直接接触し、背面27は、実質的にサンプルから隔離されている。
好ましくは、センサ・ヘッド20は、少なくとも1つの光源30および少なくとも1つの光検出器32を有し、光検出器32は、その表面に突き当たる光の量を検出することができる。好ましい実施形態では、光源30、検知媒体24および光検出器32は、サンプル28がない場合に、光源30によって放出される光線34が検知媒体24まで進み、検知媒体24を通過して検知面26まで進むように配置されている。光線34は、検知面26に達すると、検知面26から少なくとも部分的に反射され、光検出器32に向けられる。
図2aは、サンプル28がない時に光がどのようにセンサ・ヘッド20内を移動するかを示す。光34は、光源30から検知媒体24まで移動する。検知媒体24の背面27において、光34は、部分的に反射されて、散乱光35を形成する。光34の主な部分は、検知媒体24の背面27を通過し、検知面26に向かって進む。検知面では、光34は、部分的に通過し(光線37を参照)、部分的に反射されて検知媒体24内に戻る。反射光36は、検知媒体24から出て光検出器32まで進む。
図2bを参照すると、検知面26に凝縮物29が存在するが、凝縮物29は検知面26を一様に覆っていない場合、凝縮物29が存在する検知面26にぶつかる光線34に対し、検知面26において光検出器32に戻るように反射されるこの光の部分は、検知面26の凝縮物がない状態に比較して小さくなる。また、この反射光36の方向も変化する可能性がある。しかしながら、凝縮物がない箇所において検知面26にぶつかる光線34は、先の場合と同様に光検出器32に戻るように反射する。要約すると、凝縮物29が検知面26に存在する場合、光検出器32にぶつかる光の強度および/または分布は、システムの凝縮物がない状態に比較して変化する。
図2cは、検知面26が凝縮物29によって実質的に覆われている状況を示す。ここでは、光34の一部が凝縮物29によって屈折しているため、検知面26に凝縮物がない場合より検知面/凝縮物界面から反射される光34の部分が小さくなる。
好ましくは、検知媒体24は板または円盤の形態を有している。検知媒体24は、光源30によって放出される光の波長の少なくとも一部に対して透過性である光透過性材料から作製される。検知媒体24の材料の屈折率が少なくともサンプル28の屈折率と同程度に高いことも好ましい。
実施形態のうちの1つでは、検知媒体24の材料はまた、サンプル28との接触に耐えるように化学的に耐性がある。別の実施形態では、検知媒体24の材料は、センサ・ヘッド20の寿命を長くしかつ検知面26の引掻き傷がつく可能性を最小限にするように、高い機械的強度および引掻き硬度を有している。
多くの用途では、検知媒体24がサンプル8内にいかなる汚染物質も放出しないことが極めて重要である。したがって、好ましい実施形態では、検知媒体24の材料は実質的に化学的に不活性である。
検知媒体に使用される既知の材料には、サファイア、ガラス、石英、ダイアモンド、シリコン、ZnSn、臭化ヨウ化タリウム(thallium bromoiodide)結晶、テルル化カドミウム、ゲルマニウム、AMTIR材料等が挙げられるが、これらに限定されない。サファイアが、化学的侵食に耐える優れた能力、高い耐久性、耐引掻き性および光学的完全性のために目下好ましい。しかしながら、本発明は、サファイア製の検知媒体24に限定されるものでは決してない。
サンプル28は静止しているかまたは流れている可能性がある。好ましくは、サンプル28は、名目速度で流れている。いくつかの実施形態では、サンプル28の流れを確実にするために、センサ・ヘッド20にサンプル・ポンプ(図示せず)が備えられている。サンプル・ポンプは、検知面26上にサンプル28の少なくとも最小限の流れを提供する。
実施形態のうちのいくつかでは、サンプル28は、サンプル28が配置されているチャンバのいくつかの部分におけるサンプルの状態を模倣するために「蛇行経路」を通って結露面26まで移動する。高速に流れるパイプでは、「蛇行経路」の使用により、サンプルの移動の速度を低減することも可能であり、それにより、検知媒体24への損傷の危険を低減し測定の精度を向上させることができる。図3は、サンプル28を搬送しているパイプ510の「蛇行経路」T字型部品500を備えたセンサ・ヘッド20の使用を示す。
好ましくは、光源30および光検出器32は、ハウジング22内に封入され、検知媒体24および/またはハウジング22によってサンプル28から隔離されている。
図4a〜図4eは、ハウジング22および検知媒体24の種々の構成を示す。図4eに示す実施形態では、ハウジング22は開口部を有しており、検知媒体24は、検知媒体24の背面27がハウジング22の開口部を閉鎖し、ハウジング22の内部空間40をサンプル28から封止するように、ハウジング22に結合されている。ハウジング22の内部空間40は、光源30および光検出器32を保持している。好ましくは、背面26とハウジング22との間の封止により、サンプル28の侵入と、ガス、固体微粒子、煙および他の汚染物質がサンプル28からハウジング22の内部空間40へ、およびハウジング22の内部空間40からサンプル28へ侵入することが防止され、それにより、サンプル28が、ハウジング22の内側に位置する検知システムの構成要素から隔離される。
図4bに示す別の実施形態では、ハウジング22は内部空間40を形成し、そこでは、内部空間40は、ハウジング22によって完全に密閉され、光源30および光検出器32を保持している。この実施形態では、検知媒体24は、検知媒体24の背面27がハウジング22の外面に面しており、検知媒体24の検知面26がサンプル28と直接接触するように、ハウジング22の外面のうちの1つに取り付けられている。
図4cに示す別の実施形態では、検知媒体24はハウジング22の壁の1つに組み込まれている。好ましくは、検知媒体24の検知面26はサンプル28に直接接触しており、検知媒体24の背面27はハウジング22の内部空間40に面している。ハウジング22の内部空間40は光源30および光検出器32を保持している。
図4dに示す別の実施形態では、ハウジング22は、光学透明材料のモノリスから形成された光学ハウジングであり、そこでは、光源30および光検出器32等、センサ・ヘッド20の構成要素のうちのいくつかはハウジング22内に埋め込まれている。この実施形態では、検知媒体24は光学ハウジング22の外面のうちの1つに取り付けられており、そこでは、検知媒体24の背面27はハウジング22に面しており、検知媒体24の検知面26はサンプル28と直接接触している。
図4eに示す別の実施形態では、検知媒体24は、サンプル28とセンサ・ヘッド20の他の構成要素との間のバリア内に組み込まれている。この実施形態では、検知媒体24の検知面26がサンプルと直接接触していると同時に、検知媒体24の背面27が光源30および光検出器32に面している。
別の実施形態(図示せず)では、検知媒体24は、このようなバリア22のサンプル側に取り付けられている。好ましくは、検知媒体24の検知面26はサンプル28と直接接触しており、検知媒体24の背面はバリア22に面している。光源30および光検出器32は、バリアのサンプル28および検知媒体24とは反対側にある。
図4fに示す別の実施形態では、光源30および光検出器32が、検知媒体24の背面27に近接して位置していると同時に、検知媒体24の検知面26がサンプル28と直接接触している。
好ましい実施形態では、検知媒体24はハウジング22に取り付けられている。好ましくは、検知媒体24は、光学透明接着剤によってハウジング22に機械的に取り付けられている。他の実施形態では、検知媒体24は、他の材料によってハウジング22に取り付けられている。実施形態のうちの1つでは、検知媒体24はハウジング22上に直接形成されている。たとえば、実施形態のうちの1つでは、検知媒体24は、既知の堆積方法のうちの1つにより、ハウジング22上に直接堆積される。
実施形態のうちのいくつかでは、センサ・ヘッド20は、光源30からの光を光検出器32に向ける少なくとも1つのミラーを備えている。図5a〜図5cは、センサ・ヘッド20の構成のいくつかの例を示す。実施形態のうちの1つでは、光源30によって放出される光34は、検知媒体24に達する前に第1ミラー38から反射される(図5a参照)。別の実施形態では、反射光36は、第2ミラー50に向けられ、その後、光検出器32に再び向けられる(図5b参照)。別の実施形態では、センサ・ヘッド20は、2つのミラー、すなわち第1ミラー28および第2ミラー30を有しており(図5c参照)、光源30から発生している光34は、第1ミラー38に、次いで検知媒体24に進み、反射光36はまず第2ミラー50に、次いで光検出器32に進む。
しかしながら、本発明は、本明細書で具体的に列挙したミラーの構成に限定されない。
図2に戻ると、光源30を、たとえば可視光、着色光、赤外光を生成する光源および光スペクトルの他の部分の光を生成する他のタイプの光源等、種々のタイプの光源によって実装することができる。
実施形態のうちの1つでは、センサ・ヘッド20は2つ以上の光源30を有する。好ましくは、種々の光源が種々のスペクトルの光を生成する。別の方法として、いくつかの実施形態では、複数の光源30が同じタイプの光を生成する。いくつかの実施形態では、複数の光源30がハウジング内に散在し、それにより、より広い屈折率範囲をカバーする。他の実施形態では、光源30は、互いに近接して配置される。
いくつかの実施形態では、光検出器32は、フォトディテクタによって実装される。他の実施形態では、光検出器32は電荷結合素子(CCD)である。光検出器32を、たとえば単一光検出素子、検出素子の1次元アレイまたは2次元アレイによって実装することができる。
別の実施形態では、光検出器32は単一セルのフォトディテクタである。他の一実施形態では、光検出器32は、表面に突き当たる光の量が所定値を超えるか否かを判断することができる光検出器であり、すなわち、この実施形態では光検出器32は2値出力を有する。また、種々のタイプおよび形状の光検出器の組合せを、本発明のシステムで使用することができる。
本発明のシステムで使用することができるフォトディテクタには、たとえばTSL 1401CS−LF、TSL213、TSL401およびTSL1401(Texas州DallasのTexas Instruments Inc.製)が挙げられる。本発明で使用することができるCCDには、たとえばCCD 111およびCCD 3041(California州MilpitasのFairchild Imaging製)が挙げられる。
好ましくは、光検出器32は、2次元CCDアレイである。しかしながら、本発明は、上述した光検出器の所定のタイプおよび構成に限定されない。
好ましい実施形態では、ハウジング22の少なくとも一部は、可視光および/または、いくつかの実施形態では、他のタイプの放射線に対して不透過性である。好ましくは、ハウジング22は、検知媒体24に直接接触しているハウジング22の領域の少なくとも一部を除き、ハウジング22の外側からのすべての光が内部空間40に入るのを遮断する。センサ・ヘッド20のこの特徴により、外部放射線による光検出器32の読取の妨害が低減する。
センサ・ヘッド20は、また、検知媒体24に近接して配置されかつ検知媒体24の検知面26の温度を検出することができる、少なくとも1つの温度センサ60を有している。好ましい実施形態では、温度センサ60は、検知媒体24と直接接触している。好ましくは、センサ・ヘッド20は、検知面26の温度をより正確に評価するように2つ以上の温度センサ60を有している。いくつかの実施形態では、温度センサ26のうちの少なくとも1つは、サンプル28の温度を測定することができる。いくつかの実施形態では、同じ温度センサ26を用いて、検知面26の温度およびサンプル28の温度が連続してまたは同時に測定される。
センサ・ヘッド20はまた、検知媒体24に近接して配置される少なくとも1つの熱モジュール(TM)70を有している。熱モジュールは、温度勾配に対してデバイスの一方の側から他方の側に熱を移動させるデバイスである。好ましくは、TM70は、検知媒体24を所定速度で所定温度まで加熱および冷却することができる。好ましい実施形態では、TM70は、熱電モジュールまたはペルチェ・モジュールもしくはヒート・ポンプである。いくつかの実施形態では、センサ20は、検知システムの用途範囲を広げるために2段階または3段階TMを備えている。
実施形態のうちの1つでは、センサ・ヘッド20は、検知媒体24のより高速、かつ、より正確な加熱/冷却を達成するために2つ以上のTM70を有している。別の実施形態では、TM70(または複数のTM)は、検知媒体24の背面27を実質的に覆う。
センサ・ヘッド20は、TM70と検知媒体24の背面27との間に配置された少なくとも1つのスラグ80も有することができる。実施形態のうちの1つでは、スラグ80は、アルミニウムまたは銅等、熱伝導率が高い材料からなる板である。スラグ80は、TM70から検知媒体24への熱のより均一な分布に役立つ。
好ましい実施形態では、センサ・ヘッド20は、また、たとえばヒート・シンク、強制空冷装置、対流空冷装置または液体冷却装置等、少なくとも1つの熱管理装置を備えている。好ましくは、センサ・ヘッド20の熱管理は、少なくとも1つのヒート・シンク90によって行われる。ヒート・シンク90は、TM70からの熱を吸収し放散する。図6〜図9は、本検知システムで使用することができるヒート・シンク90の種々の実施形態を示す。しかしながら、本検知システムでは、ヒート・シンクの他の構成を使用することができる。また、この検知システムでは他の熱管理装置を使用することができる。いくつかの実施形態では、ヒート・シンクおよび液体冷却装置等、種々の熱管理装置の組合せを使用することができる。
図6は、積層フィン・ヒート・シンク90を備えたセンサ・ヘッド20の断面図を示す。ヒート・シンク90は、TM側および裏側を有し、TM側はTM70に近接して配置され、裏側はTM70から離れる方向に向いている。この実施形態では、ヒート・シンク90は、互いに噛み合って積層フィン・アレイを形成する複数のフィン100を備えている。好ましくは、フィン100は、中心部150に取り付けられたリング状物体である。中心部150は、好ましくは円筒状である。好ましい実施形態では、フィン100および中心部150は、アルミニウムまたは銅等、熱伝導率の高い材料からなる。好ましくは、中心部150は、TM70に近接して配置されている。
好ましい実施形態では、ヒート・シンク90の中心部150はまた円筒状空洞120も備え、それは、中心部150のコア110を、フィン100および中心部150の外側部分を含むヒート・シンク90の外側部分から分離する間隙を形成する。この空洞120は、ヒート・シンク90のTM側で開始し、フィン・アレイのTM側において少なくとも第1フィン130の上方に伸びている。好ましくは、ヒート・シンク90のコア部分は、TM70と直接接触している。
この空洞120により、ヒート・シンク90の中心部150の外側部分を通るTM70への熱の逆流を防止することによって、TM70からフィン100への熱の除去が促進される。言い換えれば、ヒート・シンク90のコア110は、第1のフィン130の上方でのみヒート・シンク構造の残りの部分と連結しており、このように、コア110からの熱はフィン100に向けられ、その後放散され、この熱がTM70に戻って漏れる可能性はない。
図7に示す別の実施形態では、ヒート・シンク90は、2モジュール装置、すなわち円筒状中心部150およびフィン100を備えるフィン・モジュール105、ならびにフィン・モジュール105の中心に挿入することができるピストン140として実装される。好ましくは、フィン・モジュール105およびピストン140は、熱伝導率の高い材料で作製される。ピストン140を、フィン・モジュール105と同じ材料からまたは異なる材料から作製することができる。好ましくは、ピストン140がフィン・モジュール105の中心に挿入されると、ピストン140の上部がフィン・モジュール105と接触する。同時に、ピストン140の下部とフィン・モジュール105との間に、円筒状空洞120を形成する間隙がある。好ましくは、空洞120は、ヒート・シンク90のTM側から開始し、フィン・モジュール105のTM側において第1フィン130の上方に伸びる。
好ましい実施形態では、ピストン140は、ピストン140のフィン・モジュール105との十分な熱接触を確実にするように伸長可能である。図8aおよび図8bは、伸長可能なピストン140の実施形態のうちの1つを示す。ピストン140は、垂直スリット145を有している。ピストン140が円筒状空洞120内に挿入された後、楔またはねじ等の仕切り要素がスリット145に挿入され、それによりピストン140が伸長する。伸長するピストン140により、フィン・モジュール105とのより優れた金属間接触がもたらされる。
ピストン140およびフィン・モジュール105が空洞120の少なくともいくつかの部分において直接接触しない、いくつかの実施形態では、ピストン140の上部とフィン・モジュールとの間に、それらの熱接触を向上させるために熱伝導性グリースを配置することが好ましい。2モジュール式ヒート・シンクの利点の1つは、空洞120を機械加工しなければならない一体型ヒート・シンク90より製造が容易であるということである。
図9は、ヒート・シンク90の別の実施形態を示す。この実施形態では、ヒート・シンク90は、ヒート・シンク90のTM側からヒート・シンク90の裏側に伸びる中空中心および少なくとも1つのヒート・パイプ160を有している。ヒート・パイプ160は、TM70と接触しているヒート・シンク90のTM側から、ヒート・シンク90の裏側に熱を伝達する。ヒート・シンク90のこの構成により、熱がTM70に戻って漏れることが低減する。
図2に戻ると、いくつかの実施形態では、温度センサ60およびTM70は、サンプル28を搬送するパイプの壁またはサンプル28を収容するチャンバの壁等のバリアによって、サンプル28から隔離される。他の実施形態では、ハウジング22の外側に位置する、温度センサ60、TM70およびセンサ・ヘッド20の他の要素は、既存のバリアによってサンプル28から分離されない。これらの構成では、システムのこれらの要素がサンプル28からさらに隔離されることが好ましい場合もある。これらの要素のサンプル28からの隔離を、種々のタイプのバリア・フィルムおよびエポキシ・シーラントによって実施することができる。たとえば、Mylar(登録商標)フィルムおよびMelinex(登録商標)フィルム等boPETフィルムを使用することができる。
好ましくは、検知システム400は処理ユニットも備えている。好ましい実施形態では、処理ユニットは、電子回路モジュール200(図10参照)として実装される。電子回路モジュール200は、ソフトウェア・コンポーネント、ハードウェア・コンポーネントおよび/またはファームウェア・コンポーネントを含むことができる。センサ・ヘッド20は、電子回路モジュール200にデータを通信し、電子回路モジュール200からデータを受信することができる。好ましくは、センサ・ヘッド20と電子回路モジュール200との間の通信はデジタル信号である。センサ・ヘッドと電子回路モジュール200との間の通信は、無線通信ならびに/もしくは電線および/またはファイバによる通信である。いくつかの実施形態では、電子回路モジュール200は、センサ・ヘッド20と同じ場所にある。他の実施形態では、電子回路モジュール200は、センサ・ヘッド20とは異なる場所にある。いくつかの実施形態では、電子回路モジュール200は、2つ以上のセンサ・ヘッド20と通信する。
好ましくは、電子回路モジュール200は、システム・ユーザにデータを通信することができ、ユーザから命令およびデータを受け取ることができる。ユーザ・インタフェースを、別個のモジュールとすることができ、または電子回路モジュール200に組み込むことができる。ユーザ・インタフェースを、センサ・ヘッド20に物理的に直接配置することができ、またはユーザ・インタフェースは、遠隔地にあって無線で、または電線によりシステムの他の部分と通信することができる。
図11を参照すると、好ましくは、電子回路モジュール200は、光検出器出力処理モジュール210、物理特性計算モジュール202およびセンサ・ヘッド制御モジュール208を備えている。好ましい実施形態では、電子回路モジュール200はデータ記憶モジュール220も有している。
光検出器出力処理モジュール210は、光検出器32の出力信号を分析する。このモジュールは、センサ・ヘッド20から光検出器32の出力を受け取り、それは好ましくは、光検出器32の画素等、検知領域の少なくともいくつかによって生成された信号を含む。これらの信号は、光検出器32の対応する領域に突き当たる放射線の強度に比例している。好ましい実施形態では、光検出器32によって生成される信号はデジタル信号である。他の実施形態では、信号はアナログ信号であり、電子回路モジュール200によってデジタル化される。光検出器32と電子回路モジュール200との間の通信は、無線でかつ/または電線および/またはファイバによって実施される。好ましくは、光検出器出力処理モジュール210はまた、信号を生成する検知領域の位置に関する対応するデータも受け取る。別法として、電子回路モジュール200は、検知領域の位置に関する事前に組み立てられた情報を含むことができる。
光検出器出力処理モジュール210は、光検出器32から受け取られる情報を用いて、光検出器32に突き当たる放射線の強度の変化を検出する。
一実施形態では、光検出器出力処理モジュール210は、光検出器32から受け取られる信号を合計することにより、光検出器32に突き当たる光の変化を認識する。この実施形態では、まず、光検出器出力処理モジュール210は、時刻t1において光検出器32のセグメントから電子回路モジュール200によって受け取られた個々の信号を加算することにより、時刻t1において生成された光検出器32からの全信号S1を計算する。そして、光検出器出力処理モジュール210は、データ記憶モジュール220にS1およびt1を格納する。次に、所定時間Δtが経過した後、光検出器出力処理モジュール210は、時刻t2(t2=t1+Δt)において全信号S2を計算し、データ記憶モジュール220からS1を検索し、S1およびS2を比較する。S1がS2を所定値ΔS以上超える場合、光検出器出力処理モジュール210は光強度の変化を登録する。S1とS2との差がΔSを下回る場合、時間Δtが経過した後、光検出器出力処理モジュール210は、光検出器32から次の信号のセットを取り込み、その対応する全信号を計算し、それを初期全信号S1と比較する。
いくつかの実施形態では、光検出器出力処理モジュール210は、また、対応する時刻における全信号および/または全信号の絶対値の差をデータ記憶モジュール220に格納する。
いくつかの実施形態では、光検出器出力処理モジュール210は、光検出器32のセグメントから受け取られるすべてよりも少ない信号に基づいて、光検出器32から全信号を計算する。いくつかの実施形態では、光検出器出力処理モジュール210は、代表的な画素のセットを事前に選択し、これらの画素からの出力のみを用いて全信号を計算する。好ましい実施形態では、これらの事前に選択される画素は、光検出器32の面のうちの1つにおける画素群である。
いくつかの実施形態では、光検出器32のいくつかの領域は、他の領域より放射線信号の変化に影響を受けにくいことが分かった。光検出器32のこれらの領域が全信号Sの計算から除去される場合、この除去により、本発明の検知システム400の分解能を向上させることができる。
いくつかの実施形態では、Sを計算するために用いられるように選択される光検出器32の領域は、システム400によって分析されているサンプル28の特性に基づいて選択される。好ましくは、検知システム400のユーザは、全信号Sを生成するために用いられる光検出器32の領域を選択することができる。
他の実施形態では、光検出器出力処理モジュール210はまた、光検出器12に突き当たる放射線の分布を分析する。この場合、光検出器出力処理モジュール210は、各個々の画素、または互いに隣接して位置する画素群に対して全信号を計算し、各画素または画素群に対する信号の変化を登録する。
物理特性計算モジュール202は、温度センサ60から温度データを受け取り、それをデータ記憶モジュール220に記録する。光検出器出力処理モジュール210は、時刻tにおいて光強度の変化を登録すると、この事象を物理特性計算モジュール202に通信し、それにより物理特性計算モジュール202は、温度センサ24によって登録される時刻tにおける検知媒体24の温度を、時刻tにおけるサンプル28の生露点温度としてマークする。センサ・ヘッド20が2つ以上の温度センサ24を備えている場合、物理特性計算モジュール202は、これらのセンサによって読み取られた温度の平均、温度測定値のうちの1つまたは他の構成を用いることができる。他の実施形態では、温度センサ24の少なくとも1つはサンプル28の温度を測定する。物理特性計算モジュール202は、検知面26の温度と、いくつかの実施形態では、温度センサ24のうちの1つまたは複数によって登録されたサンプル28の温度とを用いて、露点温度、乾球温度、湿球温度、絶対湿度、相対湿度、水蒸気圧および/または他のもの等、サンプル28の物理的特性のうちの少なくともいくつかを計算する。好ましくは、電子回路モジュール200は、これらの計算した物理特性をシステム400の他の部分にかつ/またはユーザに伝送することができる。
いくつかの実施形態では、物理特性計算モジュール202は、検知面26の温度および/またはサンプル28の温度を含む、温度センサ24からのデータと、光検出器出力処理モジュール210からのデータとを用いて、検知面26に蓄積している液体サンプル28の濃度を計算するように構成される。濃度を計算する方法のうちのいくつかは、米国特許第7,319,523号明細書およびその子特許に記載されており、その方法を、本発明の検知システムのいくつかの実施形態と利用することができる。好ましい実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、センサ・ヘッド20、ならびに/もしくは光源30、光検出器32、温度センサ60および/またはTM70等のセンサ・ヘッド20の構成要素に対する信号を生成することができる。これらの信号は、無線でおよび/または電線またはファイバによりセンサ・ヘッド20および/またはその構成要素に伝送される。好ましい実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、少なくとも部分的にユーザ入力に基づいてこうした信号を生成するように構成される。いくつかの実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、所定の動作方式に基づいてこれらの信号を生成する。他の実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、システム20の他の構成要素からのセンサ・ヘッド・モジュール入力に基づいてこれらの信号を生成する。
好ましい実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、LD出力処理モジュール210、物理特性計算モジュール202、データ記憶装置220および/またはシステム・ユーザからの信号を入力として受け取る。いくつかの実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、センサ・ヘッド20またはその構成要素から入力を受け取る。
たとえば、いくつかの実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、光源30に対する信号を生成するように構成され、光源30は、センサ・ヘッド制御モジュール208から受け取られる信号に基づいて生成信号の強度を変化させる。いくつかの実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、ユーザからの信号に応じて光源30に対するこうした信号を生成する。他の実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、光検出器出力処理モジュール210からの信号に基づいていくつかの信号を生成する。
好ましい実施形態では、光検出器出力処理モジュール210はまた、光検出器出力信号の変化を検出すると、センサ・ヘッド制御モジュール208に信号を送信する。センサ・ヘッド制御モジュール208は、センサ・ヘッド20への制御信号を生成するように構成されている。
実施形態のうちの1つでは、センサ・ヘッド制御モジュール208は、ユーザから予測される露点温度を受け取り、温度センサ24から現温度データを受け取る。このデータを用いて、センサ・ヘッド制御モジュール208は、好ましくは、TM70の温度を予測される露点温度より事前定義された値Tだけ上回るように設定するように、TM70に対するリセット制御信号を生成する。その結果、検知媒体24の温度もまた、予測される露点よりTだけ上昇する。そして、センサ・ヘッド制御モジュール208は、所定速度VでTM温度を徐々に低下させるようにTM70に対する制御信号を生成する(「下り傾斜信号」)。したがって、検知媒体24の温度は徐々に低下する。センサ・ヘッド制御モジュール208は、光検出器出力処理モジュール210から、光検出器32の出力の変化が検出されたという信号を受け取ると、この場合もまた、TMおよび検知媒体24の温度を上昇させるようにリセット制御信号を生成し、その後、そのサイクルを繰り返すように下り傾斜信号を受け取る。
いくつかの実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、所定の時点でリセット制御信号、次いで「下り傾斜信号」を生成する。他の実施形態では、センサ・ヘッド制御モジュール208は、所定間隔でこのサイクルを定期的に繰り返す。いくつかの実施形態では、システムは、ユーザがリセット−下り勾配サイクルを開始することができるように構成される。図12は、全内部反射曲線を示す。この曲線では、個々の画素の光強度が、検知媒体24の画素位置および温度の関数としてプロットされている。これらの曲線において分かるように、左の画素(画素位置113以下)は温度変化により反応しやすい。好ましい実施形態では、センサ・システム400は、光検出器32の種々のセグメントの反応度を分析し、光検出器アレイのいずれの部分が凝縮物の出現により反応しやすいか、したがって光検出器32によって生成される信号のいずれの部分が、光検出器出力処理モジュール210によって全信号Sを生成するために使用されるべきかを確定するように構成される。

Claims (21)

  1. サンプルと直接接触することができる検知面と前記サンプルから隔離され、前記検知面に平行な背面の少なくとも2つの面、を備える検知媒体と、
    前記検知面の温度を確定するために用いられる温度情報を収集するように配置された少なくとも1つのセンサと、
    前記検知面の前記温度を変更するように構成された少なくとも1つの熱モジュールと、
    前記検知媒体を通して前記検知面まで光を放出し、その際、前記検知面が前記サンプルに直接接触していない場合、前記光の少なくとも一部が前記検知面から少なくとも1つの光検出器に反射するように構成された少なくとも1つの光源であって、
    前記少なくとも1つの光検出器が出力を有し、前記光検出器出力が、前記光検出器によって検出される光の測度を示す光検出器信号を含む、光源と、
    前記光検出器信号および前記温度信号を入力として有し、かつ処理ユニット出力を有する処理ユニットであって、前記処理ユニット出力が、前記サンプルの少なくとも1つの物理特性を確定することができる出力情報を含む、処理ユニットと、
    前記熱モジュールのうちの少なくとも1つから熱を少なくとも部分的に除去するように配置されるヒート・シンクであって、フィン・モジュール内の空洞に移動可能に配置され、前記フィン・モジュールと熱接触し、かつ、前記フィン・モジュールとの熱接触を確実にするために拡張可能な中心ピストンを有する2モジュール式ヒート・シンクを備え、前記少なくとも1つの熱モジュールと前記少なくとも1つの光源と前記少なくとも1つの光検出器が、前記中心ピストン内に配置される、ヒート・シンクと、
    を具備し、
    前記出力情報が、前記光検出器信号および前記温度情報に基づき、また、
    前記光源および前記光検出器が、前記検知媒体によって前記サンプルから離され、
    センサ・ヘッドが、前記検知媒体と、前記検知媒体の背面に結合する前記温度センサと、前記熱モジュールと、前記検知媒体の背面に結合するハウジングとを備え、かつ、前記光源および前記光検出器が、前記ハウジング内に隔離され、前記処理ユニットが、2つ以上の前記センサ・ヘッドと通信する、
    システム。
  2. 前記出力情報を用いて前記サンプルの露点を確定することができる、請求項1に記載のシステム。
  3. 前記出力情報を用いて前記検知面上に蓄積している液体サンプル内の濃度を確定することができる、請求項1に記載のシステム。
  4. 前記出力情報を用いて前記サンプルの露点および前記検知面上に蓄積している液体サンプル内の濃度を確定することができる、請求項1に記載のシステム。
  5. 前記検知媒体が、誘電体材料からなる、請求項1に記載のシステム。
  6. 前記検知媒体が、サファイアからなる、請求項1に記載のシステム。
  7. 前記検知媒体が、石英からなる、請求項1に記載のシステム。
  8. 前記検知媒体が、ガラスからなる、請求項1に記載のシステム。
  9. 前記検知媒体と前記熱モジュールのうちの少なくとも1つとの間に配置された少なくとも1つのスラグをさらに具備する、請求項1に記載のシステム。
  10. 前記光検出器が光検出器アレイを備え、前記処理ユニットが光検出器出力処理モジュールを備えるシステムであって、前記処理ユニットが凝縮物の出現に対する前記光検出器アレイの種々のセグメントの反応度を分析し、光検出信号のどの部分が前記光検出器出力処理モジュールによって使用されるべきかを確定するように構成される、請求項1に記載のシステム。
  11. 前記処理ユニットが、物理特性計算モジュールを備える、請求項1に記載のシステム。
  12. 前記処理ユニットが、熱モジュール制御モジュールを備える、請求項1に記載のシステム。
  13. 記処理ユニットが前記2つ以上のセンサ・ヘッドと通信する、請求項1に記載のシステム。
  14. サンプルと直接接触することができる検知面と前記サンプルから隔離され、前記検知面に平行な背面からなる少なくとも2つの面、を備える検知媒体と、
    前記検知面の温度を確定するために用いられる温度情報を収集するように配置された少なくとも1つのセンサと、
    前記検知面の前記温度を変更するように構成された少なくとも1つの熱モジュールと、
    前記検知媒体を通して前記検知面まで光を放出し、その際、前記検知面が前記サンプルに直接接触していない場合、前記光の少なくとも一部が前記検知面から少なくとも1つの光検出器に反射するように構成された少なくとも1つの光源であって、
    前記少なくとも1つの光検出器が出力を有し、前記光検出器出力が、前記光検出器によって検出される光の測度を示す光検出器信号を含む、光源と、
    前記光検出器信号および前記温度信号を入力として有し、かつ処理ユニット出力を有する処理ユニットであって、前記処理ユニット出力が、前記サンプルの少なくとも1つの物理特性を確定することができる出力情報を含む、処理ユニットと、
    前記熱モジュールのうちの少なくとも1つから熱を少なくとも部分的に除去するように配置されるヒート・シンクであって、フィン・モジュール内の空洞に移動可能に配置され、前記フィン・モジュールと熱接触し、かつ、前記フィン・モジュールとの熱接触を確実にするために拡張可能な中心ピストンを有する2モジュール式ヒート・シンクを備え、前記少なくとも1つの熱モジュールと前記少なくとも1つの光源と前記少なくとも1つの光検出器が、前記中心ピストン内に配置される、ヒート・シンクと、
    を備えるセンサを有し、
    センサ・ヘッドが、前記検知媒体と、前記検知媒体の背面に結合する前記温度センサと、前記熱モジュールと、前記検知媒体の背面に結合するハウジングとを備え、かつ、前記光源および前記光検出器が、前記ハウジング内に隔離され、前記処理ユニットが、2つ以上の前記センサ・ヘッドと通信する、
    検知方法であって、
    前記検知媒体の前記検知面の温度を、所定レベルを上回るように上昇させるステップであって、前記検知媒体の前記検知面がサンプルと直接接触する、ステップと、
    前記検知面の前記温度を徐々に低下させるステップと、
    光源によって前記検知媒体を通して前記検知媒体の前記検知面まで放出される光を検出するステップと、
    前記検出された光に基づいて検出光信号を生成するステップと、
    前記検知面の温度を検出するステップと、
    前記検出された温度に基づいて検出温度信号を生成するステップと、
    前記サンプルの少なくとも1つの物理特性を確定することができるサンプル情報を出力するステップと、
    を含み、
    前記サンプル情報が、前記検出光信号および前記検出温度信号に少なくとも部分的に基づく、検知方法。
  15. 前記サンプル情報を用いて前記サンプルの露点を確定することができる、請求項14に記載の方法。
  16. 前記サンプル情報を用いて前記検知面上に蓄積している液体サンプル内の濃度を確定することができる、請求項14に記載の方法。
  17. 前記サンプル情報を用いて前記検知面上に蓄積している液体サンプル内の露点および濃度を確定することができる、請求項14に記載の方法。
  18. 前記検知媒体が、誘電体材料からなる、請求項14に記載の方法。
  19. 前記検知媒体が、サファイアからなる、請求項14に記載の方法。
  20. 前記検知媒体が、石英からなる、請求項14に記載の方法。
  21. 前記検知媒体が、ガラスからなる、請求項14に記載の方法。
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