JP5655675B2 - 電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、電子機器に関する。
この種の技術として、特許文献1は、同軸プラグコネクタと同軸ジャックコネクタを用いて、回路基板上で高周波モジュール同士を接続する技術を開示している。
特許文献2は、相手コネクタと嵌合離脱する軸方向にフローティング機能を持たせた同軸コネクタが開示されている。
特開2011−40334号公報 特開2003−123914号公報
特許文献1の高周波モジュール同士の接続に、特許文献2に開示の軸方向フローティング機能を持たせた同軸コネクタを適用すれば、回路基板上における高周波モジュール間の距離の許容される公差にゆとりを持たせることができる。しかしながら、特許文献2によれば上記の軸方向フローティング機能は軸方向に伸縮可能な圧縮コイルスプリングによって実現されているので、高周波モジュール同士の接続作業は煩雑である。なぜなら、実際に高周波モジュール同士を接続しようとする際は、圧縮コイルスプリングから看過できない反発力を受けることになり、その反発力に抗する力を手で加えて高周波モジュール同士を互いに近づけなければならないからである。
本願発明の目的は、モジュール間の接続作業性を改善する技術を提供することにある。
本願発明によれば、電子機器は、第1同軸コネクタを有する第1モジュールと、前記第1同軸コネクタに対して嵌合離脱可能な第2同軸コネクタを有する第2モジュールと、前記第1モジュール及び前記第2モジュールが搭載される基体と、前記基体上で、前記第1モジュールの前記第1同軸コネクタと前記第2モジュールの前記第2同軸コネクタとを嵌合させるための嵌合手段と、を備える。前記第1同軸コネクタと前記第2同軸コネクタの嵌合方向は、前記基体の面方向に対して実質的に平行である。前記第1同軸コネクタ又は前記第2同軸コネクタのうち少なくとも何れか一方は、前記第1同軸コネクタと前記第2同軸コネクタの嵌合方向におけるフローティング機能を有している。前記嵌合手段は、前記第1モジュールに設けられ、前記第2モジュールから離れるにつれて前記基体に近づくように傾斜する第1モジュール操作面と、前記第1モジュール操作面を前記基体側に押し付けることで前記第1モジュールを前記第2モジュールに向かってスライドさせる押し付け手段と、によって構成されている。
本願発明によれば、前記押し付け手段が前記第1モジュール操作面を介して前記フローティング機能の反発力に抗することになるので、前記第1モジュールを前記第2モジュールに向かって手で直接押し付けておくといったような煩わしい作業から解放される。従って、前記第1モジュールと前記第2モジュールの接続作業性を改善することができる。
図1は、電子機器の斜視図である。 図2は、図1のII-II線断面図である。 図3は、電子機器の第1組立説明図である。 図4は、図3の部分拡大図である。 図5は、図4のV-V線断面図である。 図6は、電子機器の部分断面図である。 図7は、電子機器の第2組立説明図である。 図8は、電子機器の第3組立説明図である。 図9は、図8のIX-IX線断面図である。 図10は、電子機器の第4組立説明図である。 図11は、電子機器の第5組立説明図である。
以下、図1〜11を参照しつつ、本願発明の好適な実施形態を説明する。
(電子機器1の概略説明)
図1〜3に示すように、電子機器1は、第1高周波モジュール2(第1モジュール)と、第2高周波モジュール3(第2モジュール)と、基体4と、嵌合機構E(嵌合手段)と、を備えて構成されている。
第1高周波モジュール2は、第1同軸コネクタ5を有している。
第2高周波モジュール3は、第1同軸コネクタ5に対して嵌合離脱可能な第2同軸コネクタ6を有している。
基体4の搭載面4aには、第1高周波モジュール2と第2高周波モジュール3が搭載される。基体4は、図1において二点鎖線で示す箱型の筐体7の底板に相当している。
嵌合機構Eは、基体4の搭載面4a上で、第1高周波モジュール2の第1同軸コネクタ5と第2高周波モジュール3の第2同軸コネクタ6とを嵌合させるための機構である。
図2に示すように、第1高周波モジュール2の第1同軸コネクタ5と第2高周波モジュール3の第2同軸コネクタ6の嵌合方向Dは、基体4の搭載面4aの面方向に対して実質的に平行である。
本実施形態において、第2同軸コネクタ6は、図2に示すように、圧縮コイルスプリング8を有することにより、第1同軸コネクタ5と第2同軸コネクタ6の嵌合方向Dにおけるフローティング機能を備えている。
以下、図3〜6を参照しつつ、電子機器1の構成を詳細に説明する。
(基体4:図3)
図3に示すように、基体4には、嵌合機構E向けの3つのメネジ9と、第2高周波モジュール3向けの4つメネジ10と、が形成されている。嵌合機構E向けの3つのメネジ9は、平面視で嵌合方向Dに対して直交する方向に並べて形成されている。
(第1高周波モジュール2:図3〜5)
図3〜5に示すように、第1高周波モジュール2は、第1高周波モジュール本体11と、第1高周波モジュール台座12と、前述の第1同軸コネクタ5と、を主たる構成として備えている。第1高周波モジュール本体11は、第1高周波モジュール台座12上に固定されている。第1同軸コネクタ5は第1高周波モジュール本体11に取り付けられている。第1同軸コネクタ5は、嵌合方向Dに突出している。
第1高周波モジュール台座12には、第1高周波モジュール操作面13(第1モジュール操作面)が形成されている。第1高周波モジュール操作面13は、第1高周波モジュール台座12のうち最も第2高周波モジュール3から遠い箇所に形成されている。第1高周波モジュール操作面13は、第2高周波モジュール3から離れるにつれて基体4に近づくように傾斜する傾斜面である。第1高周波モジュール操作面13には、3つの長孔14が形成されている。3つの長孔14は、平面視で嵌合方向Dに対して直交する方向に等間隔に並べられている。各長孔14は、図3に示すように、基体4の搭載面4aに対して直交する方向に第1高周波モジュール台座12を貫通すると共に、平面視で嵌合方向Dに沿った扁平状となるように形成されている。
また、第1高周波モジュール台座12には、図5に示すように、第1高周波モジュール係合面15(第1モジュール係合面)が形成が形成されている。第1高周波モジュール係合面15は、第1高周波モジュール台座12のうち最も第2高周波モジュール3に近い箇所に形成されている。第1高周波モジュール係合面15は、第2高周波モジュール3に近づくにつれて基体4に近づくように傾斜する傾斜面である。
(第2高周波モジュール3:図3、図6)
図3及び図6に示すように、第2高周波モジュール3は、第2高周波モジュール本体16と、第2高周波モジュール台座17と、前述の第2同軸コネクタ6と、を主たる構成として備えている。第2高周波モジュール本体16は、第2高周波モジュール台座17上に固定されている。第2同軸コネクタ6は第2高周波モジュール本体16に取り付けられている。第2同軸コネクタ6は、嵌合方向Dと反対の方向に突出している。
第2高周波モジュール台座17には、図6に示すように、第2高周波モジュール係合面18(第2モジュール係合面)が形成されている。第2高周波モジュール係合面18は、第2高周波モジュール台座17のうち最も第1高周波モジュール2に近い箇所に形成されている。第2高周波モジュール係合面18は、第1高周波モジュール2に近づくにつれて基体4から離れるように傾斜すると共に、第1高周波モジュール係合面15に対して対向可能な傾斜面である。
また、第2高周波モジュール3の平面視における四隅には、第2高周波モジュール3を基体4に固定するための固定用オネジ19が取り付けられている。
(嵌合機構E)
嵌合機構Eは、図4及び図5に示すように、第1高周波モジュール2の第1高周波モジュール台座12の第1高周波モジュール操作面13と、押し付け機構20(押し付け手段)と、によって構成されている。
押し付け機構20は、第1高周波モジュール操作面13を基体4側に押し付けることで第1高周波モジュール2を第2高周波モジュール3に向かって基体4上でスライドさせるものである。この押し付け機構20は、ブロック体21と、近接機構22(近接手段)と、によって構成されている。
ブロック体21は、平面視で嵌合方向Dに対して直交する方向に延びており、図5に示すように、第1高周波モジュール操作面13に対して対向するブロック傾斜面23を有している。近接機構22は、ブロック体21を基体4側に近接させるものである。本実施形態において、近接機構22は、ブロック体21を貫通しつつ、基体4に形成されたメネジ9にねじ込まれる3つのオネジ24によって構成されている。各オネジ24の頭部25は、ブロック体21を挟んで第1高周波モジュール2の第1高周波モジュール台座12と反対側に位置している。
(作動)
次に、電子機器1の組立方法を説明する。先ず、図3の状態で、図6の各固定用オネジ19を図3の各メネジ10にねじ込むことで、図7に示すように第2高周波モジュール3を基体4に対して固定する。
次に、図4に示す第1高周波モジュール2の第1高周波モジュール台座12の各長孔14が、図3に示す基体4の各メネジ9に対してオーバーラップするように、図8及び図9に示すように第1高周波モジュール2を基体4上に載せる。このとき、図9に示すように第1高周波モジュール2の第1高周波モジュール台座12の第1高周波モジュール係合面15と、第2高周波モジュール3の第2高周波モジュール台座17の第2高周波モジュール係合面18と、の間には隙間gが存在している。また、このとき、第1高周波モジュール2の第1同軸コネクタ5は、第2高周波モジュール3の第2同軸コネクタ6内に若干挿入された状態となっている。この状態で、第1高周波モジュール2は、第2高周波モジュール3の第2同軸コネクタ6の圧縮コイルスプリング8から未だ反発力を受けていない。
次に、図4に示す嵌合機構Eの押し付け機構20の近接機構22を構成する各オネジ24を、図9に示す第1高周波モジュール2の第1高周波モジュール台座12に形成された各長孔14に貫通させつつ、図10に示すように、基体4の各メネジ9にねじ込む。すると、嵌合機構Eの押し付け機構20のブロック体21のブロック傾斜面23は、第1高周波モジュール2の第1高周波モジュール台座12の第1高周波モジュール操作面13に対して面接触する。
次に、図10の状態から嵌合機構Eの押し付け機構20の近接機構22を構成する各オネジ24を、基体4の各メネジ9に更にねじ込んでいく。すると、嵌合機構Eの押し付け機構20のブロック体21のブロック傾斜面23と、第1高周波モジュール2の第1高周波モジュール台座12の第1高周波モジュール操作面13と、の相互作用により、図10及び図11に示すように、第1高周波モジュール2は嵌合方向Dへスライドし、第1同軸コネクタ5は第2同軸コネクタ6に対して嵌合する。このとき、第1高周波モジュール2は、第2高周波モジュール3の第2同軸コネクタ6の圧縮コイルスプリング8を圧縮させつつ、圧縮コイルスプリング8から受ける反発力に抗するかたちで嵌合方向Dにスライドすることになる。そして、このスライドの結果、図10に示す隙間gは消失し、図11に示すように、第1高周波モジュール2の第1高周波モジュール台座12の第1高周波モジュール係合面15は、第2高周波モジュール3の第2高周波モジュール台座17の第2高周波モジュール係合面18と、基体4の搭載面4aと、の間に挟まれて、基体4の搭載面4aに対して直交する方向において強力に拘束される。
以上に、本願発明の好適な実施形態を説明したが、上記実施形態は、要するに、以下の特長を有している。
電子機器1は、第1同軸コネクタ5を有する第1高周波モジュール2(第1モジュール)と、第1同軸コネクタ5に対して嵌合離脱可能な第2同軸コネクタ6を有する第2高周波モジュール3(第2モジュール)と、第1高周波モジュール2及び第2高周波モジュール3が搭載される基体4と、基体4上で、第1高周波モジュール2の第1同軸コネクタ5と第2高周波モジュール3の第2同軸コネクタ6とを嵌合させるための嵌合機構Eと、を備える。第1同軸コネクタ5と第2同軸コネクタ6の嵌合方向Dは、基体4の搭載面4aの面方向に対して実質的に平行である。第2同軸コネクタ6は、第1同軸コネクタ5と第2同軸コネクタ6の嵌合方向Dにおけるフローティング機能を有している。そして、嵌合機構Eは、第1高周波モジュール2に設けられ、第2高周波モジュール3から離れるにつれて基体4に近づくように傾斜する第1高周波モジュール操作面13(第1モジュール操作面)と、第1高周波モジュール操作面13を基体4側に押し付けることで第1高周波モジュール2を第2高周波モジュール3に向かってスライドさせる押し付け機構20(押し付け手段)と、によって構成されている。以上の構成によれば、押し付け機構20が第1高周波モジュール操作面13を介してフローティング機能の反発力に抗することになるので、第1同軸コネクタ5と第2同軸コネクタ6を嵌合させる際に、第1高周波モジュール2を第2高周波モジュール3に向かって手で直接押し付けておくといったような煩わしい作業から解放される。従って、第1高周波モジュール2と第2高周波モジュール3の接続作業性を改善することができる。
なお、「第1同軸コネクタ5と第2同軸コネクタ6を嵌合させる際に、第1高周波モジュール2を第2高周波モジュール3に向かって手で直接押し付けておくといったような煩わしい作業」とは、例えば、第1同軸コネクタ5と第2同軸コネクタ6を嵌合させる際に、第1高周波モジュール2を第2高周波モジュール3に向かって手で直接押し付けておいて、その状態で第1高周波モジュール2を基体4の搭載面4aに対して固定する、という作業を意味する。
また、上記実施形態において第2同軸コネクタ6がフローティング機能を備えるとしたが、これに代えて、第1同軸コネクタ5がフローティング機能を備えてもよいし、第1同軸コネクタ5と第2同軸コネクタ6の双方がフローティング機能を備えてもよい。
また、押し付け機構20は、第1高周波モジュール操作面13に対して対向するブロック傾斜面23を有するブロック体21と、ブロック体21を基体4側に近接させる近接機構22(近接手段)と、によって構成されている。
また、近接機構22は、ブロック体21を貫通しつつ、基体4に形成されたメネジ9にねじ込まれるオネジ24によって構成されている。
また、第1高周波モジュール2には、第2高周波モジュール3に近づくにつれて基体4に近づくように傾斜する第1高周波モジュール係合面15(第1モジュール係合面)が形成されている。第2高周波モジュール3には、第1高周波モジュール2に近づくについれて基体4から離れるように傾斜すると共に、第1高周波モジュール係合面15に対して対向可能な第2高周波モジュール係合面18(第2モジュール係合面)が形成されている。以上の構成によれば、押し付け機構20によって第1高周波モジュール2が第2高周波モジュール3に向かってスライドした際、第1高周波モジュール係合面15と第2高周波モジュール係合面18が係合することで、第1高周波モジュール2が第2高周波モジュール3によって基体4に押し付けられることになる。従って、第1高周波モジュール2を基体4に固定するための構成を簡素に実現することができる。即ち、第1高周波モジュール2を基体4に固定するためのネジの数を減らすことができる。
1 電子機器
2 第1高周波モジュール
3 第2高周波モジュール
4 基体
5 第1同軸コネクタ
6 第2同軸コネクタ
E 嵌合機構

Claims (4)

  1. 第1同軸コネクタを有する第1モジュールと、
    前記第1同軸コネクタに対して嵌合離脱可能な第2同軸コネクタを有する第2モジュールと、
    前記第1モジュール及び前記第2モジュールが搭載される基体と、
    前記基体上で、前記第1モジュールの前記第1同軸コネクタと前記第2モジュールの前記第2同軸コネクタとを嵌合させるための嵌合手段と、
    を備え、
    前記第1同軸コネクタと前記第2同軸コネクタの嵌合方向は、前記基体の面方向に対して実質的に平行であり、
    前記第1同軸コネクタ又は前記第2同軸コネクタのうち少なくとも何れか一方は、前記第1同軸コネクタと前記第2同軸コネクタの嵌合方向におけるフローティング機能を有しており、
    前記嵌合手段は、
    前記第1モジュールに設けられ、前記第2モジュールから離れるにつれて前記基体に近づくように傾斜する第1モジュール操作面と、
    前記第1モジュール操作面を前記基体側に押し付けることで前記第1モジュールを前記第2モジュールに向かってスライドさせる押し付け手段と、
    によって構成されている、
    電子機器。
  2. 請求項1に記載の電子機器であって、
    前記押し付け手段は、
    前記第1モジュール操作面に対して対向するブロック傾斜面を有するブロック体と、
    前記ブロック体を前記基体側に近接させる近接手段と、
    によって構成されている、
    電子機器。
  3. 請求項2に記載の電子機器であって、
    前記近接手段は、前記ブロック体を貫通しつつ、前記基体に形成されたメネジにねじ込まれるオネジによって構成されている、
    電子機器。
  4. 請求項1〜3の何れかに記載の電子機器であって、
    前記第1モジュールには、前記第2モジュールに近づくにつれて前記基体に近づくように傾斜する第1モジュール係合面が形成されており、
    前記第2モジュールには、前記第1モジュールに近づくについれて前記基体から離れるように傾斜すると共に、前記第1モジュール係合面に対して対向可能な第2モジュール係合面が形成されている、
    電子機器。
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