JP5637640B2 - バックコンタクトソーラーセルの製造方法 - Google Patents

バックコンタクトソーラーセルの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5637640B2
JP5637640B2 JP2012556055A JP2012556055A JP5637640B2 JP 5637640 B2 JP5637640 B2 JP 5637640B2 JP 2012556055 A JP2012556055 A JP 2012556055A JP 2012556055 A JP2012556055 A JP 2012556055A JP 5637640 B2 JP5637640 B2 JP 5637640B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type dopant
dopant source
source layer
layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012556055A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013521645A5 (ja
JP2013521645A (ja
Inventor
リ、ボ
スミス、デヴィッド
カズンズ、ピーター
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SunPower Corp
Original Assignee
SunPower Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SunPower Corp filed Critical SunPower Corp
Publication of JP2013521645A publication Critical patent/JP2013521645A/ja
Publication of JP2013521645A5 publication Critical patent/JP2013521645A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5637640B2 publication Critical patent/JP5637640B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • H01L31/02363Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • H01L31/02366Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/182Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546Polycrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明の実施形態は、再生可能エネルギーの分野に関し、特に、バックコンタクトソーラーセルの製造方法およびその装置に関する。
[関連出願の相互参照]
本願は、2010年3月4日出願の米国仮出願第61/310,655号の利益を主張し、その全内容を本明細書に参照として組み込むものとする。
本明細書に記載される発明は、米国エネルギー省により付与された連絡番号DE−FC36−07GO17043の下、政府支援により開発された。政府は本発明に相応の権利を有する。
ソーラーセルとして広く知られる太陽電池は、太陽熱の放射線を電気エネルギーに直接変換するための周知の装置である。一般的に、ソーラーセルは、半導体ウェハもしくは基板の上に、半導体処理技術を用い、基板の表面近傍にp−n接合を形成するようにして製造される。基板の表面に衝突する太陽熱の放射線によって、基板のバルク内に電子およびホールの対が形成され、これらは基板のp型ドープ領域よびn型ドープ領域に移動し、ドープ領域間に電圧差を発生させる。ドープ領域はソーラーセル上の金属コンタクトに接続されており、セルからセルに接続された外部回路に電流が流れるようになっている。
効率性は、ソーラーセルの発電量に直接に関連するので、ソーラーセルの重要な特性である。したがって、ソーラーセルの効率性を高める技術が一般的に望まれている。本発明の実施形態は、新規なソーラーセル構造を製造するプロセスを提供することにより、ソーラーセルの効率性を高めることができる。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造方法に含まれる工程を示すフローチャートである。
本発明の実施形態に係る図4のフローチャートにおける動作402に対応するバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係る図4のフローチャートにおける動作404に対応するバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係る図4のフローチャートにおける動作406に対応するバックコンタクトソーラーセルの製造における段階の断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における追加的段階の断面図である。
本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における追加的段階の断面図である。
バックコンタクトソーラーセルの製造方法およびその装置が本明細書に記載される。以下の記載においては、本発明の実施形態の完全な理解を促すべく、特定の処理フロー動作等の特定的詳細事項を数多く明示する。本発明の実施形態は、これらの特定的詳細事項がなくても実施できることは、当業者には明らかとなるであろう。他の例では、本発明の実施形態が不要に曖昧とならないように、リソグラフィ技術等の周知の製造技術については記載しない。さらに、図面に示される多様な実施形態は、例示的な図示であり、必ずしも原寸通りに示されていないことは理解されるべきである。
バックコンタクトソーラーセルの製造方法が本明細書に開示される。一実施形態では、本方法は、基板の上に配置された材料層の上に、N型ドーパント源層およびP型ドーパント源層を、N型ドーパント源層がP型ドーパント源層から離間されるように形成する段階を備える。N型ドーパント源層およびP型ドーパント源層を加熱する。その後、N型ドーパント源層とP型ドーパント源層との間の材料層にトレンチを形成する。
バックコンタクトソーラーセルも本明細書に開示される。一実施形態では、バックコンタクトソーラーセルは、基板の上に配置された材料層を備える。材料層には、材料層のN型領域とP型領域とを分離するトレンチが配置される。トレンチに直に隣接する部分におけるP型領域のドーパント濃度は、P型領域の中心部におけるドーパント濃度と略等しい。
本発明の少なくともいくつかの実施形態によると、ソーラーセルは、吸収層のN型領域およびP型領域により形成され、これらの領域は、図2Aから2Eに関連して以下に記載される「出っ張り(ledge)」という特徴物の特性に関連する特性を持たない。いくつかの実施形態では、非常に多い処理工程の数が、従来の処理フローと比較対照される本明細書に記載の処理フローを用いることで削減される。いくつかの実施形態では、本明細書に詳細に記載される処理フロー等の処理フローは、本明細書に記載の処理フローのいくつかにおいて追加的な加熱もしくはアニール工程が含まれるにも拘らず、従来のフローを用いるよりも好ましい。
本発明のある観点においては、出っ張り特徴物に由来する特性を持たないP型およびN型の吸収層領域を有するソーラーセルを形成することが望ましい。図1Aから1Cは、本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における各段階の断面図である。図1Aから1Cの工程によってなんらの処理順序も課されず、むしろ、これらの図についての以下の記載からいくつかの上位概念が抽出されるであろうことは理解されよう。図1Aから1Cについての記載に続けて、より詳細な方法が記載される。
図1Aを参照すると、バックコンタクトソーラーセルの製造方法は、基板102Aの上に配置された材料層104Aの上にN型ドーパント源層108およびP型ドーパント源層106を形成する段階を備える。図1Aに示すように、N型ドーパント源層108は、P型ドーパント源層106から離間されている。トンネル酸化バリア層膜110も示されている。
図1Bを参照すると、バックコンタクトソーラーセルの製造方法は、N型およびP型のドーパント源層108および106の間において、材料層104Aを貫通させて基板102Aの途中までトレンチ112を形成して、パターニングされた材料層104Bおよびパターニングされた基板102Bを設ける段階をさらに備える。
図1Cを参照すると、N型およびP型のドーパント源層108および106からそれぞれN型およびP型のドーパントがパターニングされた材料層104Bに拡散し、パターニングされた基板102Bの上にN型ドープ材料層領域104CおよびP型ドープ材料層領域104Dがそれぞれ設けられる。本発明の実施形態によると、N型ドープ材料層領域104CおよびP型ドープ材料層領域104Dの、それぞれトレンチ112に最隣接する領域におけるドーパント濃度が、N型ドープ材料層領域104CおよびP型ドープ材料層領域104Dの中心部近傍のドーパント濃度に略等しいという点において、N型ドープ材料層104CおよびP型ドープ材料層領域104Dは均質的にドープされている。
しかし、ソーラーセルを形成する方法の全てが、ソーラーセルの吸収層のP型もしくはN型の領域において出っ張り特徴物の特性が形成されるのを回避できるのではないことは理解されるべきである。たとえば、図2Aから2Eは、バックコンタクトソーラーセルの製造における各段階の断面図を示しており、本発明の実施形態において、図3、4、および5Aから5Eに関する以下の詳細な記載との比較として提供される。
図2Aを参照すると、バックコンタクトソーラーセルの製造方法は、パターニングされたP型ドーパント源層204の上と、基板208の上に配置された材料層206の露出部の上とに、N型ドーパント源層202を形成する段階を備える。トレンチパターン212を有するマスク210を、N型ドーパント源層202の上に配置する。トンネル酸化バリア層膜214も示されている。
図2Bを参照すると、マスク210に合わせて、N型ドーパント源層202およびパターニングされたP型ドーパント源層204をエッチングし、図2Bに示すように、パターニングされたP型ドーパント源層204が、材料層206上に接して存在するN型ドーパント源層202の部分から離間した構成を設ける。しかし、同じく図2Bに示すように、パターニングされたP型ドーパント源層204は、マスク210の部分的なリフトオフ218、および/または、エッチング処理の間のマスク210のアンダーカット220により望まれず生じるテーパ状側壁216が形成される場合がある。
図2Cを参照すると、処理ではさらに、マスク210を除去し、パターニングされたP型ドーパント源層204およびN型ドーパント源層202の残留部をエッチングマスクとして用いて、トレンチ222を、材料層206を貫通させて基板208の途中まで形成する。しかし、図2Cに示すように、パターニングされたP型ドーパント源層204の残留部が、エッチング処理の間に、材料層206の、トレンチ222に直に隣接する部分の最縁部から後退してしまう場合がある。これにより、パターニングされたP型ドーパント源層204の残留部により被覆されない材料層206の露出部224が形成される。パターニングされたP型ドーパント源層204の残留部により被覆されない材料層206の露出部224を本明細書では「出っ張り」特徴物と呼ぶが、これは幅Xを有し、その後の処理にとっては望ましくない特徴となり得る。
図2Dを参照すると、図2Cの構造を加熱もしくはアニールして層202および204から材料層206にドーパントを拡散させて、N型ドープ材料領域226およびP型ドープ材料領域228を設ける。しかし、パターニングされたP型ドーパント源層204の残留部により被覆されない材料層206の露出部224、つまり出っ張りは、層204が材料層206の縁部から後退しているので、P型ドープ材料領域228の他の部分よりもドーパント濃度が低くなる可能性がある。P型ドープ材料領域228の端部においてP型ドープ材料領域228の他の部分よりもドーパント濃度が低くなるドーピングの不均一性により、これらから最終的に形成されるソーラーセルの性能に望ましくない影響が及ぼされる。上記の加熱もしくはアニールの間に、図2Dに示すように基板208にN型ドープ領域230を気体ドーパント前駆体から形成してよいことに注意されたい。
図2Eを参照すると、層204および202を除去したソーラーセル232の部分は、出っ張り特徴物、つまりP型ドープ材料領域228の部分224、の特性をいまだに保持している。ある実施形態では、部分224は、そこから製造されるソーラーセル完成品に望ましくない影響を与える。
本発明の観点においては、バックコンタクトソーラーセルは、出っ張り特徴物に由来する特性を保有しない。たとえば、図3は、本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの断面図を示す。
図3を参照すると、バックコンタクトソーラーセル300は、基板304の上に配置された材料層302を備える。材料層302にはトレンチ306が配置されている。トレンチ306により、材料層302のN型領域308およびP型領域310が分離される。P型領域310は、トレンチ306に直に隣接する部分のドーパント濃度312が、P型領域310の中心部のドーパント濃度314と略等しい。つまり、P型領域310には出っ張り特徴物がない。
本発明の実施形態によると、バックコンタクトソーラーセル300の材料層302は多結晶シリコン層(poly−crystalline silicon layer)であり、基板304は単結晶シリコン基板であり、P型領域310はボロンドーパント不純物原子を含み、N型領域はリンドーパント不純物原子を含む。代替的な実施形態では、多結晶材料層302を形成する代わりに、たとえば、非晶質層、高分子層、およびマルチ結晶層を含むがこれらに限定されない非多結晶吸収材料を形成する。別の代替的な実施形態では、単結晶基板304を用いる代わりに、マルチ結晶基板を用いる。
ある実施形態では、バックコンタクトソーラーセル300のトレンチ306は、図3に示すように、材料層302を貫通して基板304の途中まで形成される。一実施形態では、材料層302により被覆されない基板304の表面は、同じく図3に示すように、テクスチャ化表面316を含む。ある実施形態では、バックコンタクトソーラーセル300の基板304は、図3に示すように、材料層302により被覆されない基板304の表面もしくはその近傍にN型ドーパント318を含む。
本発明の別の実施形態によると、バックコンタクトソーラーセル300は、図3に示すように、材料層302と基板304との間に直に配置された誘電体膜320をさらに備える。一実施形態においては、誘電体膜320は二酸化ケイ素から形成され、厚さが約1から2ナノメートルの範囲にある。特定の実施形態においては、誘電体膜320は、トンネル酸化バリア層膜である。
本発明の別の観点においては、バックコンタクトソーラーセルは、出っ張り特徴物を含まないように製造される。たとえば、図4は、本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造方法に含まれる工程を示すフローチャート400である。図5Aから5Cは、本発明の実施形態に係るフローチャート400の工程に対応するバックコンタクトソーラーセルの製造における各段階の断面図である。図5Dおよび5Eは、本発明の実施形態に係るバックコンタクトソーラーセルの製造における追加的な各段階の断面図である。
フローチャート400の工程402と、対応して図5Aとを参照すると、バックコンタクトソーラーセルの製造方法は、基板508の上に配置された材料層506の上に、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を形成する段階を備える。図5Aに示すように、N型ドーパント源層502は、P型ドーパント源層504から離間されている。
本発明の実施形態によると、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を形成する段階は、インクジェットデポジション技術を用いる段階を有する。一実施形態では、インクジェットデポジション技術を用いる段階は、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を同時に形成する段階を含む。一実施形態では、インクジェットデポジション技術を用いる段階は、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を別々の時間に形成する段階を含む。一実施形態では、基板508の上に配置された材料層506の上に、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を形成する段階は、単結晶シリコン基板の上に配置された多結晶シリコン層の上に接するように、それぞれリンドープケイ酸塩ガラス層およびボロンドープケイ酸塩ガラス層を形成する段階を有する。代替的な実施形態では、多結晶材料層506を形成する代わりに、非晶質層、高分子層、およびマルチ結晶層を含むがこれらに限定されない非多結晶吸収材料を形成する。別の代替的な実施形態では、単結晶基板508を用いる代わりに、マルチ結晶基板を用いる。
本発明のある実施形態では、図5Aに示すように、誘電体膜510が、材料層506の下と基板508の上とに接するように形成される。一実施形態では、誘電体膜510は二酸化ケイ素から形成され、厚さが約1から2ナノメートルの範囲にある。特定の実施形態では、誘電体膜510は、トンネル酸化バリア層膜である。
フローチャート400の工程404と、対応して図5Bとを参照すると、バックコンタクトソーラーセルの製造方法は、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を加熱する段階をさらに備える。
本発明のある実施形態によると、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を加熱する段階は、図5Bに示すように、材料層506の部分512および514に、それぞれN型ドーパントおよびP型ドーパントを移動させる段階を有する。一実施形態では、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を加熱する段階は、摂氏約950℃の温度で加熱する段階を有する。一実施形態では、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層を加熱する段階は、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を硬化させる段階を有する。特定の実施形態では、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504の両方を硬化させることで、その後のトレンチ形成、たとえば以下に記載されるトレンチ形成において、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504のエッチング耐性が高められる。
フローチャート400の工程406と、対応して図5Cとを参照すると、バックコンタクトソーラーセルの製造方法は、工程404における加熱の後に、N型およびP型のドーパント源層502および504の間における材料層506にトレンチ516を形成する段階をさらに備える。
本発明のある実施形態によると、材料層506にトレンチ516を形成する段階は、図5Cに示すように、N型およびP型のドーパント源層502および504の間の間隔に略等しい幅を有するトレンチ516を、材料層506を貫通して基板508の途中まで形成する段階を有する。一実施形態では、トレンチ516を形成する段階は、同じく図5Cに示すように、材料層506により被覆されない基板508の表面を、テクスチャ化表面518によりテクスチャ化する段階を有する。特定の実施形態では、テクスチャ化する段階は、水酸化物系ウェットエッチャントを含むウェットエッチング技術を用いる段階を含む。
ある実施形態では、図5Dを参照すると、バックコンタクトソーラーセルの製造方法は、トレンチ516の形成後に、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を除去する段階をさらに備える。一実施形態では、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504を除去する段階は、フッ化水素酸ウェットエッチング技術を用いる段階を有する。
ある実施形態では、図5Eを参照すると、バックコンタクトソーラーセルの製造方法は、N型ドーパント源層502およびP型ドーパント源層504の除去後に、基板508を加熱する段階をさらに備える。一実施形態では、基板508を加熱する段階は、図5Eのドーパント領域520に示すように、基板508を、材料層506により被覆されない基板508の表面もしくはその近傍において、気体N型ドーパント源の存在下で加熱し、当該気体N型ドーパント源をドープする段階を有する。
バックコンタクトソーラーセルの製造方法およびその装置を開示した。本発明のある実施形態によると、バックコンタクトソーラーセルの製造方法は、基板の上に配置された材料層の上に、N型ドーパント源層およびP型ドーパント源層を形成する段階を備える。N型ドーパント源層は、P型ドーパント源層から離間されている。N型ドーパント源層およびP型ドーパント源層を加熱する。その後、N型およびP型のドーパント源層の間において材料層にトレンチを形成する。追加的な実施形態では、トレンチの形成後に、N型ドーパント源層およびP型ドーパント源層を除去する。別の追加的な実施形態では、N型ドーパント源層およびP型ドーパント源層の除去後に、基板を加熱する。
[項目1]
バックコンタクトソーラーセルの製造方法であって、
基板の上に配置された材料層の上に、N型ドーパント源層およびP型ドーパント源層を、上記N型ドーパント源層が上記P型ドーパント源層から離間されるように形成する段階と、
上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を加熱する段階と、
その後に、上記N型ドーパンsト源層と上記P型ドーパント源層との間において、上記材料層にトレンチを形成する段階とを備える製造方法。
[項目2]
上記トレンチを形成する段階の後に、上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を除去する段階をさらに備える項目1に記載の製造方法。
[項目3]
上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を除去する段階の後に、上記基板を加熱する段階をさらに備える項目2に記載の製造方法。
[項目4]
上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を形成する段階は、インクジェットデポジション技術を用いる段階を有する項目1に記載の製造方法。
[項目5]
上記インクジェットデポジション技術を用いる段階は、上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を同時に形成する段階を含む項目4に記載の製造方法。
[項目6]
上記インクジェットデポジション技術を用いる段階は、上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を別々の時刻に形成する段階を含む項目4に記載の製造方法。
[項目7]
上記基板の上に配置された上記材料層の上に、上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を形成する段階は、単結晶シリコン基板の上に配置された多結晶シリコン層の上に接するように、それぞれリンドープケイ酸塩ガラス層およびボロンドープケイ酸塩ガラス層を形成する段階を有する項目1に記載の製造方法。
[項目8]
上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を加熱する段階は、上記材料層の複数の部分に、N型ドーパントおよびP型ドーパントをそれぞれ移動させる段階を有する項目1に記載の製造方法。
[項目9]
上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を加熱する段階は、摂氏約950℃の温度もしくはその近傍で加熱する段階を有する項目8に記載の製造方法。
[項目10]
上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を加熱する段階は、上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層の両方を硬化させる段階を有する項目8に記載の製造方法。
[項目11]
上記材料層に上記トレンチを形成する段階は、上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層の間隔に実質的に等しい幅を有するトレンチを、上記材料層を貫通させて上記基板の途中まで形成する段階を有する項目1に記載の製造方法。
[項目12]
上記トレンチを形成する段階は、上記材料層により被覆されない上記基板の表面を、テクスチャ化表面によりテクスチャ化する段階を有する項目11に記載の製造方法。
[項目13]
上記N型ドーパント源層および上記P型ドーパント源層を除去する段階は、フッ化水素酸ウェットエッチング技術を用いる段階を有する項目2に記載の製造方法。
[項目14]
上記基板を加熱する段階は、上記基板を、上記材料層により被覆されない上記基板の表面もしくはその近傍において、気体N型ドーパント源の存在下で加熱し、上記気体N型ドーパント源をドープする段階を有する項目3に記載の製造方法。
[項目15]
基板の上に配置された材料層と、
上記材料層内に配置されたトレンチと、
を備え、
上記トレンチは、上記材料層のN型領域およびP型領域を分離し、
上記P型領域は、上記トレンチに直に隣接する部分におけるドーパント濃度が、上記P型領域の中心部におけるドーパント濃度と実質的に等しいバックコンタクトソーラーセル。
[項目16]
上記材料層は、多結晶シリコン層であり、
上記基板は、単結晶シリコン基板であり、
上記P型領域は、ボロンドーパント不純物原子を含み、
上記N型領域は、リンドーパント不純物原子を含む項目15に記載のバックコンタクトソーラーセル。
[項目17]
上記トレンチは、上記材料層を貫通して上記基板の途中まで配置される項目15に記載のバックコンタクトソーラーセル。
[項目18]
上記材料層により被覆されない上記基板の表面は、テクスチャ化表面を含む項目17に記載のバックコンタクトソーラーセル。
[項目19]
上記基板は、上記材料層により被覆されない上記基板の表面もしくはその近傍にN型ドーパントを含む項目15に記載のバックコンタクトソーラーセル。
[項目20]
上記材料層と上記基板との間に直に配置される誘電体膜をさらに備える項目15に記載のバックコンタクトソーラーセル。

Claims (9)

  1. バックコンタクトソーラーセルの製造方法であって、
    基板の上に配置された材料層の上に、N型ドーパント源層およびP型ドーパント源層を、前記N型ドーパント源層が前記P型ドーパント源層から離間されるように形成する段階と、
    前記N型ドーパント源層および前記P型ドーパント源層を加熱する段階と、
    その後に、前記N型ドーパント源層と前記P型ドーパント源層との間において、前記材料層を貫通するトレンチを形成する段階と
    を備える製造方法。
  2. 前記トレンチを形成する段階の後に、前記N型ドーパント源層および前記P型ドーパント源層を除去する段階をさらに備える請求項1に記載の製造方法。
  3. 前記N型ドーパント源層および前記P型ドーパント源層を除去する段階の後に、前記基板を加熱する段階をさらに備える請求項2に記載の製造方法。
  4. 前記N型ドーパント源層および前記P型ドーパント源層を形成する段階は、インクジェットデポジション技術を用いる段階を有する請求項1から3のいずれか一項に記載の製造方法。
  5. 前記基板の上に配置された前記材料層の上に、前記N型ドーパント源層および前記P型ドーパント源層を形成する段階は、単結晶シリコン基板の上に配置された多結晶シリコン層の上に接するように、それぞれリンドープケイ酸塩ガラス層およびボロンドープケイ酸塩ガラス層を形成する段階を有する請求項1から4のいずれか一項に記載の製造方法。
  6. 前記N型ドーパント源層および前記P型ドーパント源層を加熱する段階は、前記材料層の複数の部分に、N型ドーパントおよびP型ドーパントをそれぞれ移動させる段階を有する請求項1から5のいずれか一項に記載の製造方法。
  7. 前記N型ドーパント源層および前記P型ドーパント源層を加熱する段階は、前記N型ドーパント源層および前記P型ドーパント源層の両方を硬化させる段階を有する請求項1から6のいずれか一項に記載の製造方法。
  8. 前記材料層に前記トレンチを形成する段階は、前記N型ドーパント源層および前記P型ドーパント源層の間隔に等しい幅を有するトレンチを、前記材料層を貫通させて前記基板の途中まで形成する段階を有する請求項1から7のいずれか一項に記載の製造方法。
  9. 前記トレンチを形成する段階は、前記材料層により被覆されない前記基板の表面を、テクスチャ化表面によりテクスチャ化する段階を有する請求項1から8のいずれか一項に記載の製造方法。
JP2012556055A 2010-03-04 2010-12-28 バックコンタクトソーラーセルの製造方法 Active JP5637640B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US31065510P 2010-03-04 2010-03-04
US61/310,655 2010-03-04
US12/972,247 US8790957B2 (en) 2010-03-04 2010-12-17 Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof
US12/972,247 2010-12-17
PCT/US2010/062264 WO2011109058A2 (en) 2010-03-04 2010-12-28 Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014213291A Division JP2015062232A (ja) 2010-03-04 2014-10-20 バックコンタクトソーラーセルおよびソーラーセルの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013521645A JP2013521645A (ja) 2013-06-10
JP2013521645A5 JP2013521645A5 (ja) 2013-11-21
JP5637640B2 true JP5637640B2 (ja) 2014-12-10

Family

ID=44530256

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012556055A Active JP5637640B2 (ja) 2010-03-04 2010-12-28 バックコンタクトソーラーセルの製造方法
JP2014213291A Pending JP2015062232A (ja) 2010-03-04 2014-10-20 バックコンタクトソーラーセルおよびソーラーセルの製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014213291A Pending JP2015062232A (ja) 2010-03-04 2014-10-20 バックコンタクトソーラーセルおよびソーラーセルの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8790957B2 (ja)
JP (2) JP5637640B2 (ja)
KR (3) KR20180066275A (ja)
CN (2) CN106057934B (ja)
AU (1) AU2010347232B2 (ja)
DE (1) DE112010005344B4 (ja)
WO (1) WO2011109058A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015062232A (ja) * 2010-03-04 2015-04-02 サンパワー コーポレイション バックコンタクトソーラーセルおよびソーラーセルの製造方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0652434A (ja) * 1992-07-28 1994-02-25 Murata Mfg Co Ltd カップベンダー吐出ノズル
US10011920B2 (en) 2011-02-23 2018-07-03 International Business Machines Corporation Low-temperature selective epitaxial growth of silicon for device integration
US8586397B2 (en) * 2011-09-30 2013-11-19 Sunpower Corporation Method for forming diffusion regions in a silicon substrate
WO2013089473A1 (ko) * 2011-12-16 2013-06-20 주성엔지니어링(주) 태양전지의 제조방법
US20130247967A1 (en) * 2012-03-23 2013-09-26 Scott Harrington Gaseous ozone (o3) treatment for solar cell fabrication
US9059212B2 (en) 2012-10-31 2015-06-16 International Business Machines Corporation Back-end transistors with highly doped low-temperature contacts
US20140130854A1 (en) * 2012-11-12 2014-05-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Photoelectric device and the manufacturing method thereof
US8912071B2 (en) 2012-12-06 2014-12-16 International Business Machines Corporation Selective emitter photovoltaic device
US8642378B1 (en) * 2012-12-18 2014-02-04 International Business Machines Corporation Field-effect inter-digitated back contact photovoltaic device
US9236509B2 (en) * 2013-04-24 2016-01-12 Natcore Technology, Inc. Solar cells with patterned antireflective surfaces
TW201442261A (zh) * 2013-04-30 2014-11-01 Terasolar Energy Materials Corp 矽晶太陽能電池的製造方法以及矽晶太陽能電池
JP6114170B2 (ja) * 2013-12-05 2017-04-12 信越化学工業株式会社 太陽電池の製造方法
US9401450B2 (en) 2013-12-09 2016-07-26 Sunpower Corporation Solar cell emitter region fabrication using ion implantation
US9837259B2 (en) 2014-08-29 2017-12-05 Sunpower Corporation Sequential etching treatment for solar cell fabrication
US9246046B1 (en) * 2014-09-26 2016-01-26 Sunpower Corporation Etching processes for solar cell fabrication
US11355657B2 (en) * 2015-03-27 2022-06-07 Sunpower Corporation Metallization of solar cells with differentiated p-type and n-type region architectures
NL2015534B1 (en) * 2015-09-30 2017-05-10 Tempress Ip B V Method of manufacturing a solar cell.
US9607847B1 (en) * 2015-12-18 2017-03-28 Texas Instruments Incorporated Enhanced lateral cavity etch
US10217878B2 (en) 2016-04-01 2019-02-26 Sunpower Corporation Tri-layer semiconductor stacks for patterning features on solar cells
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
FR3058264B1 (fr) * 2016-10-28 2020-10-02 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de cellules photovoltaiques a contacts arriere.
CN110073504B (zh) 2016-11-15 2023-04-28 信越化学工业株式会社 高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
EP3982421A1 (en) 2020-10-09 2022-04-13 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Method for local modification of etching resistance in a silicon layer, use of this method in the production of passivating contact solar cells and thus-created solar cell
CN113921626A (zh) * 2021-09-30 2022-01-11 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种背接触电池的制作方法
EP4195299A1 (en) 2021-12-13 2023-06-14 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Interdigitated back contact solar cell and method for producing an interdigitated back contact solar cell

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057439A (en) * 1990-02-12 1991-10-15 Electric Power Research Institute Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells
JPH11177046A (ja) 1997-12-09 1999-07-02 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法並びにキャパシタの製造方法
US5888309A (en) 1997-12-29 1999-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lateral etch inhibited multiple for forming a via through a microelectronics layer susceptible to etching within a fluorine containing plasma followed by an oxygen containing plasma
US6287961B1 (en) 1999-01-04 2001-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Dual damascene patterned conductor layer formation method without etch stop layer
JP2005064014A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Sharp Corp 薄膜結晶太陽電池およびその製造方法
DE102004050269A1 (de) 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
US7799371B2 (en) * 2005-11-17 2010-09-21 Palo Alto Research Center Incorporated Extruding/dispensing multiple materials to form high-aspect ratio extruded structures
US7820475B2 (en) * 2005-12-21 2010-10-26 Sunpower Corporation Back side contact solar cell structures and fabrication processes
KR101212198B1 (ko) * 2006-04-06 2012-12-13 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지
US7737357B2 (en) * 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US20080000522A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 General Electric Company Photovoltaic device which includes all-back-contact configuration; and related processes
US7928015B2 (en) * 2006-12-12 2011-04-19 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell fabrication using extruded dopant-bearing materials
CN101743640B (zh) * 2007-07-26 2012-12-19 康斯坦茨大学 具有回蚀刻发射极的硅太阳能电池的制造方法和相应的太阳能电池
JP5236914B2 (ja) 2007-09-19 2013-07-17 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
WO2009052511A2 (en) * 2007-10-18 2009-04-23 Belano Holdings, Ltd. Mono-silicon solar cells
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
KR101472018B1 (ko) * 2008-10-13 2014-12-15 엘지전자 주식회사 후면전극 태양전지 및 그 제조방법
US8790957B2 (en) 2010-03-04 2014-07-29 Sunpower Corporation Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015062232A (ja) * 2010-03-04 2015-04-02 サンパワー コーポレイション バックコンタクトソーラーセルおよびソーラーセルの製造方法
US9406821B2 (en) 2010-03-04 2016-08-02 Sunpower Corporation Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN102870225A (zh) 2013-01-09
DE112010005344B4 (de) 2024-03-21
KR20170076814A (ko) 2017-07-04
US9406821B2 (en) 2016-08-02
AU2010347232A1 (en) 2012-09-27
US20110214719A1 (en) 2011-09-08
CN106057934B (zh) 2018-08-10
WO2011109058A2 (en) 2011-09-09
AU2010347232B2 (en) 2014-08-07
JP2013521645A (ja) 2013-06-10
CN102870225B (zh) 2016-07-06
US8790957B2 (en) 2014-07-29
JP2015062232A (ja) 2015-04-02
WO2011109058A3 (en) 2011-11-17
KR20130004917A (ko) 2013-01-14
KR20180066275A (ko) 2018-06-18
US20140305501A1 (en) 2014-10-16
CN106057934A (zh) 2016-10-26
DE112010005344T5 (de) 2012-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5637640B2 (ja) バックコンタクトソーラーセルの製造方法
JP6209251B2 (ja) バックコンタクト型太陽電池のエミッタの製造方法
EP2619806B1 (en) Method of fabricating an emitter region of a solar cell
US8492253B2 (en) Method of forming contacts for a back-contact solar cell
TWI743663B (zh) 使用離子植入的太陽能電池射極區製造
TWI542028B (zh) 相異摻雜區之圖案的形成方法
WO2015114921A1 (ja) 光電変換装置
JP7182052B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP2014110256A (ja) 太陽電池セルの製造方法および太陽電池セル
KR101385669B1 (ko) 실리콘 기판의 나노 및 마이크로 복합 구조체를 갖는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지
KR101375781B1 (ko) 나노 및 마이크로 실리콘 복합 구조체의 sod 도핑과 패시베이션 공정을 통한 캐리어 수명이 향상된 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지
TW201626585A (zh) 太陽能電池及其製造方法
JP6639169B2 (ja) 光電変換素子及びその製造方法
KR101366737B1 (ko) 번들 제거를 통한 실리콘 나노 및 마이크로 구조체의 무반사 특성이 향상된 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지
KR20140057715A (ko) Au 박막에 급속 열처리 공정을 통한 금속 나노 패턴 형성법
JP2012186402A (ja) 太陽電池の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131003

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131003

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140304

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140603

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140624

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140904

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140924

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141020

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5637640

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250