JP5629977B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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実施の形態1
まず、実施の形態1にかかるFET100の構成について説明する。図1は、FET100の構成を模式的に示す断面図である。FET100は、Siからなる基板1上に、窒化物半導体層からなるバッファ層2、GaNからなるチャネル層3、AlGaNからなる電子供給層4が順に形成されている。
次に、実施の形態2にかかるFET200について説明する。以下で、FET200の構成について説明する。図3は、FET200の構成を模式的に示す断面図である。FET200は、SiNからなる電界緩和層12が、図1に示すFET100よりもドレイン電極側に寄っており、ゲート電極8とオーバーラップしていない。その他の構成については図1と同様であるので、説明を省略する。
次に、実施の形態3にかかるFET300について説明する。以下で、FET300の構成について説明する。図4は、FET300の構成を模式的に示す断面図である。図4では、図1に示すSiNからなる表面保護膜21に代えて、窒化アルミニウム(以下、AlN)からなる表面保護膜22が形成されている。その他の構成については図1と同様であるので、説明を省略する。
次に、実施の形態4にかかるFET400について説明する。以下で、FET400の構成について説明する。図5は、FET400の構成を模式的に示す断面図である。図5では、図1に示すSiNからなる電界緩和層11に代えて、酸化シリコン(以下、SiO2)からなる電界緩和層13が形成されている。その他の構成については、図1と同様であるので、説明を省略する。
2 バッファ層
3 チャネル層
4 電子供給層
5 凹部
6 ソース電極
7 ドレイン電極
8 ゲート電極
9 開口部
11、12、13 電界緩和層
21、22 表面保護膜
51 炭化シリコン基板
52 バッファ層
53 チャネル層
54 電子供給層
55 窒化シリコン(SiN)膜
56 ソース電極
57 ドレイン電極
58 ゲート電極
59 フィールドプレート
100、200、300、400 電界効果型トランジスタ(FET)
Claims (15)
- 半導体からなる基板と、
前記基板上に形成された半導体層と、
前記半導体層に接して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記半導体層の上方において、前記半導体層と接するゲート電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の半導体層に形成された凹部に充填された絶縁体からなる電界緩和層と、
前記ソース電極と前記ゲート電極との間及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記半導体層を覆う表面保護膜と、を備え、
前記電界緩和層と、前記表面保護膜とは、独立して形成され、
前記電界緩和層の上面は前記ゲート電極の下面の一部と接することを特徴とする、
半導体装置。 - 前記電界緩和層は前記半導体層よりも誘電率が小さいことを特徴とする、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電界緩和層は窒化シリコンまたは酸化シリコンからなることを特徴とする、
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記表面保護膜は絶縁体からなることを特徴とする、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記表面保護膜は窒化シリコンからなることを特徴とする、
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記表面保護膜は前記電界緩和層よりも熱伝導率が大きいことを特徴とする、
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記表面保護膜は窒化アルミニウムからなることを特徴とする、
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記ソース電極及び前記ドレイン電極は前記半導体層とオーム性接触していることを特徴とする、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極は前記半導体層とショットキー性接触していることを特徴とする、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体層は、
前記基板と前記半導体層とを格子整合させるバッファ層と、
前記バッファ層上に形成されたチャネル層と、
前記チャネル層上に形成された電子供給層とを備える、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記バッファ層は窒化物半導体からなることを特徴とする、
請求項10に記載の半導体装置。 - 前記チャネル層は窒化ガリウムからなることを特徴とする、
請求項10又は11に記載の半導体装置。 - 前記電子供給層は窒化アルミニウムガリウムからなることを特徴とする、
請求項10乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記基板は、シリコンからなることを特徴とする、
請求項1乃至13のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 半導体層を、半導体からなる基板上に形成する工程と、
前記半導体層を覆う表面保護膜を形成する工程と、
ソース電極及びドレイン電極を前記半導体層に接して形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記半導体層と接するように、ゲート電極を前記半導体層の上方に形成する工程と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の半導体層に形成された凹部に絶縁体を充填して、上面が前記ゲート電極の下面の一部と接する電界緩和層を、前記表面保護膜とは独立して形成する工程と、を備える、
半導体装置の製造方法。
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