JP5629736B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
ヘテロ接合を有するGaN系積層体と、
上記GaN系積層体上に形成されているフィンガー状のドレイン電極と、
上記GaN系積層体上に、上記ドレイン電極に対して、上記ドレイン電極がフィンガー状に延在している方向である長手方向と交差する方向に隣り合うように形成されていると共に上記長手方向に延在しているフィンガー状のソース電極と、
平面視において、上記ドレイン電極とソース電極との間に形成されたゲート電極と
を備え、
上記フィンガー状のソース電極の長手方向の一方の端部は、上記フィンガー状のドレイン電極の長手方向の一方の端から上記長手方向と直交する短手方向に伸ばした仮想線よりも長手方向外方に位置しており、
上記ゲート電極下の総ての領域において、上記GaN系積層体に上記ヘテロ接合による2次元電子ガスを残し、
上記ドレイン電極の長手方向の一方の端から上記短手方向に伸ばした仮想線よりも長手方向外方に位置すると共に上記ソース電極の上記端部に対して上記短手方向に隣接する領域の下の上記GaN系積層体に2次元電子ガスが存在しない2次元電子ガス除去領域が形成されていることを特徴とする。
上記ソース電極の長手方向の一端から上記長手方向と直交する短手方向に伸ばした仮想線が、上記ドレイン電極と接しているか、もしくは上記ドレイン電極と交差しており、
上記ソース電極の長手方向の他端から上記長手方向と直交する短手方向に伸ばした仮想線が、上記ドレイン電極と接しているか、もしくは上記ドレイン電極と交差している。
上記フィンガー状のドレイン電極と上記フィンガー状のソース電極との間で長手方向に延在していると共に上記ドレイン電極の長手方向の端部を囲むように延在している。
上記2次元電子ガス除去領域は、
上記ドレイン電極の長手方向の一方の端から上記短手方向に伸ばした仮想線よりも長手方向外方に位置すると共に上記ソース電極の上記端部に対して上記短手方向に隣接する領域の下の上記GaN系積層体に形成されている。
図1は、この発明の第1実施形態であるGaN HFETの平面模式図である。また、図2は図1のB−B線断面を示す図であり、図3は図1のA−A線断面を示す図である。また、図4は図1のC−C線断面を示す図であり、図5は図1のD−D線断面を示す図である。
図8は、この発明の第2実施形態であるGaN HFETの平面模式図である。また、図9は、図8のE−E線断面を示す図である。また、図10は、図8のF−F線断面を示す図である。
図12は、この発明の第3実施形態であるGaN HFETの平面模式図である。また、図13は図12のG−G線断面を示す図であり、図14は図12のH−H線断面を示す図である。また、図15は図12のI−I線断面を示す図であり、図16は図12のJ−J線断面を示す図である。
2,82,202 アンドープGaN層
3,83,203 アンドープAlGaN層
5,85,205 GaN系積層体
6,86,206 2DEG(2次元電子ガス)
7,87,207 SiN保護膜
8,88,208 層間絶縁膜
11,91,211 ドレイン電極
11A,11B,91A,91B,211A 端
12,92,212 ソース電極
12A,12B,92A,92B 端
31,51,111,111A,151,260A,260B 2次元電子ガス除去領域
33,38,93,230 ゲート電極
33A,93A,230B 長手方向延在部
33B,38B,230A 接続部
35,108,109,250A,250B リセス
93B,93C 湾曲部
15,95 ドレイン配線
17,18,97,98 スルーホール
20,103 ソース配線
212A 端部
213 ドレイン電極接続部
214 ソース電極接続部
Claims (3)
- ヘテロ接合を有するGaN系積層体と、
上記GaN系積層体上に形成されているフィンガー状のドレイン電極と、
上記GaN系積層体上に、上記ドレイン電極に対して、上記ドレイン電極がフィンガー状に延在している方向である長手方向と交差する方向に隣り合うように形成されていると共に上記長手方向に延在しているフィンガー状のソース電極と、
平面視において、上記ドレイン電極とソース電極との間に形成されたゲート電極と
を備え、
上記フィンガー状のソース電極の長手方向の一方の端部は、上記フィンガー状のドレイン電極の長手方向の一方の端から上記長手方向と直交する短手方向に伸ばした仮想線よりも長手方向外方に位置しており、
上記ゲート電極下の総ての領域において、上記GaN系積層体に上記ヘテロ接合による2次元電子ガスを残し、
上記ドレイン電極の長手方向の一方の端から上記短手方向に伸ばした仮想線よりも長手方向外方に位置すると共に上記ソース電極の上記端部に対して上記短手方向に隣接する領域の下の上記GaN系積層体に2次元電子ガスが存在しない2次元電子ガス除去領域が形成されていることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。
- 請求項1に記載のヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、
上記ゲート電極は、平面視において、
上記フィンガー状のドレイン電極と上記フィンガー状のソース電極との間で長手方向に延在していると共に上記ドレイン電極の長手方向の端部を囲むように延在していることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。 - 請求項1に記載のヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、
上記ソース電極は、上記短手方向に複数配列され、
各上記ソース電極の長手方向の外方で上記短手方向に延在していると共に上記各ソース電極を電気的に接続するソース電極接続部と、
上記ソース電極接続部と上記ドレイン電極の長手方向の端部との間に設けられたゲート電極接続部と
を有し、
上記2次元電子ガス除去領域は、
上記ゲート電極接続部と上記ソース電極接続部との間の領域を含み、かつ、上記ソース電極接続部と上記ドレイン電極の長手方向の端部との間の領域の下の上記GaN系積層体に上記ヘテロ接合による2次元電子ガスを残していることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。
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JP2012174113A JP5629736B2 (ja) | 2012-08-06 | 2012-08-06 | 電界効果トランジスタ |
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