JP5623008B2 - プラズマ装置 - Google Patents

プラズマ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5623008B2
JP5623008B2 JP2008172951A JP2008172951A JP5623008B2 JP 5623008 B2 JP5623008 B2 JP 5623008B2 JP 2008172951 A JP2008172951 A JP 2008172951A JP 2008172951 A JP2008172951 A JP 2008172951A JP 5623008 B2 JP5623008 B2 JP 5623008B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
coil
wall
enclosure
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008172951A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009016837A (ja
Inventor
エイ ソーレンセン カール
エイ ソーレンセン カール
クデラ ジョセフ
クデラ ジョセフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2009016837A publication Critical patent/JP2009016837A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5623008B2 publication Critical patent/JP5623008B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853Hygiene
    • H01J37/32862In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

発明の背景
(発明の分野)
本発明の実施形態は、主に、処理チャンバへ導入されるプラズマを生成するためのリモートプラズマソースに関する。
(関連技術の説明)
プラズマプロセスは、様々なデバイス製造の応用において数多くの製造ステップのために用いられる。ソーラーパネル若しくはフラットパネルディスプレイのために、基板のサイズは最近増大しつつある。基板のサイズが大きくなるにつれ、より多くのプラズマが必要となる。更に、処理の間、材料物質が処理チャンバの露出部分に堆積するかもしれない。その材料物質が溜まると、その物質が剥がれ落ち基板を汚染する危険性がある。プロセスチャンバを定期的にクリーニングすることにより、不要な堆積がチャンバから取り除かれ基板の汚染を少なくする。
より増加する需要により、基板のサイズが大きくなるので、より多くのプラズマ、いくつかの場合においては、より濃度の高いプラズマがプロセスチャンバを効率的にクリーニングするために必要とされ得る。
従って、改善されたリモートプラズマソースの技術が必要となる。
発明の概要
本発明は、主に、リモートプラズマソース及びリモートプラズマソース内でプラズマを生成するための方法を含む。クリーニングガスは、離れた場所においてプラズマに点火され、プロセスチャンバへと供給される。冷却されたRFコイルの外側にこのクリーニングガスを流すことにより、プラズマはコイルに対して高いRFバイアスを供給する一方で、高い又は低い圧力のいずれかの圧力でプラズマが点火され得る。RFコイルを冷却することによりコイルのスパッタリングは低減され、不要な汚染がクリーニングガスプラズマを有するプロセスチャンバへと流れることを少なくする。コイルからのスパッタリングを少なくすることにより、リモートプラズマソースの有用可能な寿命を延ばすことができる。
一実施形態において、リモートプラズマソースが開示される。このソースはエンクロージャ、このエンクロージャに結合されたガス供給口、このエンクロージャに結合されたプラズマ排出口、エンクロージャ内に設けられた金属コイルを含む。この金属コイルは外側表面及び内側表面を有する。RF入力は外側表面に結合される。第1の冷却流体供給口は内側表面に結合される。
別の実施形態において、プラズマ発生方法が開示される。この方法はガス供給口を介してチャンバにガスを流し、チャンバを通る金属コイル内に冷却流体を流し、金属コイルの外側表面に沿ってRF電流を流し、チャンバ内でプラズマを点火し、プラズマ排出口を介して、チャンバの外にプラズマを排出することを含む。
別の実施形態において、プラズマ装置が開示される。この装置はプロセスチャンバ、RFマッチングネットワーク、及び、このプロセスチャンバ及びRFマッチングネットワークに接続されたリモートプラズマソースを含む。このリモートプラズマソースはエンクロージャと、このエンクロージャ内に設けられた金属コイルを含む。この金属コイルは冷却流体供給口及び排出口に接続される。RFマッチングネットワークは金属コイルに接続される。
別の実施形態においてリモートプラズマソースが開示される。このソースはエンクロージャ及びこのエンクロージャ内に設けられた冷却流体通路を含む。この通路はRFマッチングネットワークに接続される。ガス供給口はこのエンクロージャに接続される。ガス供給口はエンクロージャにガスを供給し、ガスは冷却流体通路の外側を流れる。
別の実施形態において、プラズマ発生方法が開示される。この方法は金属コイル内に冷却流体を流し、金属コイルの外側に沿ってRF電流を流し、金属コイルの外側に流れるガスからのプラズマを点火することを含む。
詳細な説明
本発明はリモートプラズマソース及びリモートプラズマソース内のプラズマを生成するための方法を含む。クリーニングガスは、離れた場所においてプラズマに点火され、処理チャンバに供給される。冷却されたRFコイルの外側にクリーニングガスを流すことにより、プラズマが高い若しくは低い圧力のいずれの圧力においても点火され、その一方でコイルに高いRFバイアスが供給される。RFコイルを冷却することはコイルのスパッタリングを低減し、不要なコンタミがクリーニングガスプラズマを有する処理チャンバに流れ込むことを少なくする。コイルからのスパッタリングを低減することにより、リモートプラズマソースの有用な寿命を延ばすことができる。本発明はカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズインクの子会社、AKTから市販されているプラズマエンハンスド化学蒸着堆積(PECVD)に関連して以下に説明される。物理的蒸着堆積(PVD)チャンバを含む、RF電流を用いたプラズマにガスを励起することを必要とする、いかなるチャンバにも同等に本発明は適用可能であることに留意されたい。また、以下に記述される発明はPECVDチャンバ及び他のチャンバ、他の製作者により製作されたものにも同等に適用可能である。
図1は本発明の一実施形態による処理装置100の概略断面図である。この装置100はPECVDチャンバ102を含む。サセプタ106はチャンバ102の底104に接続された接地ストラップ126により接地されている。基板108はサセプタ103の上に置かれ、チャンバ102内のシャワーヘッド110の反対側に置かれる。シャワーヘッド110はブラケット114によりチャンバ102内に支持されている。基板108はスリットバルブ118を介してチャンバ102内に挿入され、リフトピン142の上に置かれる。サセプタ106は上昇して基板108に保持する。サセプタ106はアクチュエーター122によりステム120上で、もち上げられる。真空ポンプ124はチャンバ102を排気する。
ガスは、ガスソース132からシャワーヘッド110へと供給される。このガスは、クリーニングの目的のためにプラズマに励起されるか、若しくは、単にチャンバ100内へと通過することが許されるリモートプラズマソース130を通過する。このガスはRF電源128から供給されるRF電流によってチャンバ102内でプラズマに点火される。このガスは初期的にはリッド112及びシャワーヘッド110の上流側138との間に設けられたプレナム領域136に供給される。ガスは実質的にはプレナム領域に実質的にほぼ均等に分配され、上流側138及び下流側140の間に延びるシャワーヘッド110内のガス通路116を通過する。一実施形態においてこのガスの通路116はホローカソードキャビティを含む。プラズマがリモートプラズマソース130内において遠隔的に生成されるときはいつも、RF電流が、RFマッチングネットワーク134からリモートプラズマソース130の対向する端において供給される。
図2は本発明の一実施形態によるリモートプラズマソース200の概略平面図である。このリモートプラズマソース200はその中に1つ以上の冷却チャネル206を有するウォール204を備えたチャンバ202を含む。冷却流体は冷却供給口210を介して冷却チャネル206に供給され、冷却排出口208を介して冷却チャネル206から排出される。ウォール204はプラズマの形成を助けるためチャンバ202の内部に導電性の表面248を有する。ウォール204を冷却することにより、ウォール202からの潜在的なスパッタリングが低減され、リモートプラズマソース200の寿命は増加する。
ガスは、ガス供給口214を介して、プラズマへと点火されるチャンバ202に導入され、プロセスチャンバへのプラズマ排出口216から排出される。このガスはRF電流によりプラズマに点火される。RF電流はチャンバ202内のコイル238の外側に沿って流れる。コイル238は導電性であり金属を含む。ウォール204及びコイル238の両者は導電性である。プラズマがチャンバ202内で点火されると、そのプラズマは、絶縁性材料ではなく、コイル238及びカベ204の導電性材料により取り囲まれる。コイル238は導電性のウォール204の内側にあり、プラズマはウォール204とコイル238との間に形成されるので、プラズマは接地されずリモートプラズマソース200を損失せしめる。さらに、コイル238の外側でプラズマが形成されるので、リモートプラズマソース200の寿命は延びる。
一実施形態においてガスはNF、F及びSF等のクリーニングガスを含む。他の実施形態において、ガスはエッチングガスを含む。さらに他の実施形態において、ガスは堆積ガスを含む。
RF電流は、マッチングネットワーク236からコイル238へ供給される。マッチングネットワーク238はリモートプラズマソース200の対向する端224、230にRF電流を供給するために2つの出力端を有する。このRF電流はRFカップリング228、234を介して各端224、230に接続されている。RFカップリング234に結合されるRF電流は、RFカップリング228に結合されるRF電流と180度位相がずれている。相互に180度位相がずれして2つの場所にRF電流を供給することにより、より低いRF電流が供給される。一実施形態において1つのRFカップリング228、234は接地され、他方のRFカップリング228、234はバイアスされる。1つのRFカップリング228、234を接地すると、他方のRFカップリング228、234に供給されるRF電流は、RF電流が相互に位相がずれた両端224、230のところに入力されたRF電流を2倍にする。
RF電流は金属チューブ244、246の外側及び2つの端224、230との間のコイル238に沿って流れる。チャンバ202の外側では、チューブ244、246は絶縁チューブ240、242に囲まれる。金属チューブ244、246は、RF電流がチューブ244、246の内部に貫通しないようにするために十分に厚いものである。RF電流はチャンバ202内のコイル238の外側に沿って流れ、チャンバ202内でプラズマガスを点火してプラズマにする。コイル238はアルミニウムのような金属を含む。
RF電流はチャンバ202内でプラズマを点火するので、コイル238は十分に熱いものであり、コイル238の不要なスパッタリングをもたらす。コイル238はスパッタされると、コイルの材料がチャンバのウォール204の内側に堆積する。または、スパッタされたコイルの材料はリモートプラズマソース200を出て、プラズマを有した処理チャンバの中に入る。冷却流体を備えたコイル238を冷却することによって、不要なスパッタリングが低減される。冷却媒体は冷却供給口232を介してコイル238に供給され、冷却排出口226を介してコイル238から排出される。一実施形態において冷却流体は水を含む。別の実施形態において、冷却流体はグリコールを含む。入力される所要のRF電流に基づいて、コイル238及びメタル金属チューブ244、246の厚さが、RF電流の貫通深さより厚くなるように予め設定される。このようにRF電流への冷却流体の結合が低減される。
図2に示されるように、冷却流体は、チャンバ202へのガスの流れとは反対方向に、コイル238の内側を沿って流れる。この反対の流れは、ガス供給口214に比べ、プラズマの排出口216の近傍に予期される、より高い温度を冷却するのを助ける。プラズマ排出口216を介してプラズマが排出されると、冷却流体はプラズマチューブ216を冷却する冷却チューブ218に供給され、プラズマ排出口216のスパッタリング若しくは損失を低減する。冷却流体は冷却供給口222を介して供給され、冷却排出口220を介して冷却チューブ218から排出される。
冷却されたRFコイルの外側上の導電性のエンクロージャ内にプラズマを発生させることにより、高い密度のプラズマが高い若しくは低い圧力において形成され、プロセスチャンバに供給される。冷却されたコイル及び冷却された導電性のウォールはコイル及びウォールのスパッタリングを低減せしめる。リモートプラズマソースの導電性のウォール及びコイルは、リモートプラズマソース内の接地された絶縁表面が最小化されるので、リモートプラズマソースのあり得る損失を低減する。これにより、リモートプラズマソースはより長寿命となる。
本発明の実施形態に基づいて説明されてきたが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本範囲を逸脱することなく考えられ、その範囲は特許請求の範囲に基づいて定められる。
上述された本発明の構成が詳細に理解されるように、上述のように短く要約された本発明のより特定の説明が実施形態を参照してなされ、それらのいくつかは添付図面に図示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態のみを説明するものであり、その範囲を限定するものではなく、本発明は他の同等に効果的な実施形態をも含み得る。
本発明の一実施形態による処理装置の概略断面図である。 本発明の一実施形態によるリモートプラズマソースの概略平面図である。
理解を容易にするために、同じ参照番号が可能な限り図面に共通な同一要素を示すために用いられている。一実施形態において開示される要素は他の実施形態において特定の引用なしに有用に用いられる。

Claims (1)

  1. サセプタを内部に配置したプロセスチャンバと、
    RFマッチングネットワークと、
    前記プロセスチャンバの外部に配置され、前記プロセスチャンバおよび前記RFマッチングネットワークに結合されたリモートプラズマソースとを含み、
    前記リモートプラズマソースは、
    少なくとも1つの導電性のウォールと、前記少なくとも1つのウォール内に延びる少なくとも1つの冷却通路とを有するエンクロージャと、
    前記少なくとも1つの導電性のウォールに隣接する第1のウォールで前記エンクロージャに結合するガス供給口と、
    前記少なくとも1つの導電性のウォールに隣接し、前記第1のウォールに対向する第2のウォールで前記エンクロージャに結合するプラズマ排出口と、
    前記プラズマ排出口の周りに巻かれた冷却チューブと、
    前記エンクロージャを貫通して延び、前記第1のウォールの外側に配置された第1位置から、前記第2のウォールの外側の第2位置まで延びる、金属コイルを含み、前記金属コイルは、冷却流体供給口と排出口に結合され、前記RFマッチングネットワークは、前記第1位置及び前記第2位置で前記金属コイルに結合され、前記エンクロージャ内で前記金属コイルの外側を前記冷却流体の方向とは反対方向に流れるガスからプラズマを点火し、前記金属コイルはRF電流の貫通深さよりも厚い所要の厚さを有するプラズマ装置。
JP2008172951A 2007-07-06 2008-07-02 プラズマ装置 Expired - Fee Related JP5623008B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US94829007P 2007-07-06 2007-07-06
US60/948,290 2007-07-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009016837A JP2009016837A (ja) 2009-01-22
JP5623008B2 true JP5623008B2 (ja) 2014-11-12

Family

ID=40212583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008172951A Expired - Fee Related JP5623008B2 (ja) 2007-07-06 2008-07-02 プラズマ装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8075734B2 (ja)
JP (1) JP5623008B2 (ja)
KR (1) KR100971847B1 (ja)
CN (2) CN101338413A (ja)
TW (1) TWI388244B (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007536474A (ja) * 2004-05-06 2007-12-13 ナタサ、エンタープライジズ、リミテッド 自動モーター駆動インラインピストンポンプ潤滑装置
US8987678B2 (en) 2009-12-30 2015-03-24 Fei Company Encapsulation of electrodes in solid media
US8642974B2 (en) 2009-12-30 2014-02-04 Fei Company Encapsulation of electrodes in solid media for use in conjunction with fluid high voltage isolation
US9017486B2 (en) 2010-09-09 2015-04-28 International Business Machines Corporation Deposition chamber cleaning method including stressed cleaning layer
US9398680B2 (en) 2010-12-03 2016-07-19 Lam Research Corporation Immersible plasma coil assembly and method for operating the same
US20130098871A1 (en) 2011-10-19 2013-04-25 Fei Company Internal Split Faraday Shield for an Inductively Coupled Plasma Source
CN103088315A (zh) * 2011-11-03 2013-05-08 无锡华润上华科技有限公司 化学气相淀积设备
CN103456660A (zh) * 2012-06-05 2013-12-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 等离子体增强清洗装置、系统及清洗晶圆的方法
CN103572253B (zh) * 2012-07-30 2016-02-10 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室和具有它的半导体设备
CN103547054A (zh) * 2013-10-21 2014-01-29 芜湖鼎恒材料技术有限公司 一种等离子处理设备冷却用连接管
JP6582391B2 (ja) 2014-11-05 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20160070929A (ko) * 2014-12-10 2016-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 제조 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN106435470A (zh) * 2016-11-09 2017-02-22 上海华力微电子有限公司 一种实现自动清洗的烘烤腔结构及其自动清洗方法
CN106783691A (zh) * 2016-12-30 2017-05-31 昆山龙腾光电有限公司 一种离子传输装置及气相沉积设备
TWI713414B (zh) * 2017-10-23 2020-12-11 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
WO2020110262A1 (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 カンケンテクノ株式会社 プラズマ生成ユニットおよびこれを用いた排ガス除害装置
GB2582948B (en) * 2019-04-10 2021-12-08 Thermo Fisher Scient Bremen Gmbh Plasma source chamber for a spectrometer
CN110158056A (zh) * 2019-05-17 2019-08-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 真空镀膜装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4362632A (en) * 1974-08-02 1982-12-07 Lfe Corporation Gas discharge apparatus
US4810935A (en) * 1985-05-03 1989-03-07 The Australian National University Method and apparatus for producing large volume magnetoplasmas
US4623417A (en) 1985-08-23 1986-11-18 Texas Instruments Incorporated Magnetron plasma reactor
US5036252A (en) * 1988-04-26 1991-07-30 Hauzer Holding Bv Radio frequency ion beam source
US4988644A (en) * 1989-05-23 1991-01-29 Texas Instruments Incorporated Method for etching semiconductor materials using a remote plasma generator
JPH06256958A (ja) * 1993-03-04 1994-09-13 Anelva Corp 低圧高温プラズマを利用した薄膜の形成方法および装置
US5309063A (en) * 1993-03-04 1994-05-03 David Sarnoff Research Center, Inc. Inductive coil for inductively coupled plasma production apparatus
JPH07230898A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
JP3473121B2 (ja) * 1994-09-14 2003-12-02 ソニー株式会社 プラズマcvd装置およびプラズマcvd方法
JPH09219295A (ja) * 1996-01-30 1997-08-19 Applied Materials Inc 液冷式リモートプラズマアプリケータ
US6144984A (en) 1996-07-22 2000-11-07 Debenedictis; Erik P. Method and apparatus for controlling connected computers without programming
US5844195A (en) 1996-11-18 1998-12-01 Applied Materials, Inc. Remote plasma source
US5902404A (en) 1997-03-04 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Resonant chamber applicator for remote plasma source
US6109206A (en) 1997-05-29 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Remote plasma source for chamber cleaning
US6116186A (en) * 1998-03-19 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Apparatus for cooling a plasma generator
US6080287A (en) * 1998-05-06 2000-06-27 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6436303B1 (en) 1999-07-21 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Film removal employing a remote plasma source
US6603269B1 (en) 2000-06-13 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Resonant chamber applicator for remote plasma source
US6828241B2 (en) 2002-01-07 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Efficient cleaning by secondary in-situ activation of etch precursor from remote plasma source
JP4175021B2 (ja) * 2002-05-01 2008-11-05 株式会社島津製作所 高周波誘導結合プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置
JP2004165345A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Pearl Kogyo Kk 堆積チャンバーのリモートプラズマ方式クリーニング装置
CN1260387C (zh) 2004-01-08 2006-06-21 西安交通大学 热等离子体雾态气化制备薄膜的装置
US20060081185A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Justin Mauck Thermal management of dielectric components in a plasma discharge device
CN1812687B (zh) 2006-02-24 2011-05-11 清华大学 大气压射频放电高速冷等离子体阵列发生器

Also Published As

Publication number Publication date
KR100971847B1 (ko) 2010-07-22
CN104362066B (zh) 2017-06-20
CN104362066A (zh) 2015-02-18
TWI388244B (zh) 2013-03-01
JP2009016837A (ja) 2009-01-22
TW200920193A (en) 2009-05-01
KR20090004627A (ko) 2009-01-12
US20090008239A1 (en) 2009-01-08
CN101338413A (zh) 2009-01-07
US8075734B2 (en) 2011-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5623008B2 (ja) プラズマ装置
JP6042942B2 (ja) ガス分配装置およびこれを備える基板処理装置
US9004006B2 (en) Process chamber lid design with built-in plasma source for short lifetime species
JP4652327B2 (ja) 基板処理装置
CN105144849B (zh) 环形等离子体处理装置
US8444926B2 (en) Processing chamber with heated chamber liner
US6727654B2 (en) Plasma processing apparatus
TWI391034B (zh) 用於感應耦合室的減少污染襯墊
US20020011210A1 (en) Semiconductor-processing device provided with a remote plasma source for self-cleaning
US20080105650A1 (en) Plasma processing device and plasma processing method
US20200075297A1 (en) Exhaust pipe device and cleaning device
KR100501777B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP2010086958A (ja) プラズマ発生装置
JP2007317745A (ja) ガス導入装置
WO2017180511A1 (en) Plasma enhanced anneal chamber for wafer outgassing
JP2010511793A (ja) プラズマ抑制物質の形成を防ぐ方法および装置
EP2398043B1 (en) Thin film forming apparatus and thin film forming method
US20130140009A1 (en) Robust outlet plumbing for high power flow remote plasma source
JP2006045633A (ja) 薄膜形成装置
JP2005135801A (ja) 処理装置
JP2005135801A5 (ja)
KR20040088948A (ko) Rps 교체용 분리 밸브를 가지는 cvd 장치
CN114360994B (zh) 基板处理装置
US20200294773A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
US20230253191A1 (en) Batch type substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110629

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120626

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120925

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120928

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121025

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121030

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121126

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121219

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131205

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20131212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140225

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140523

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140528

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140624

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140627

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140724

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140729

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140822

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140909

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140924

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5623008

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees