KR20160070929A - 표시 장치 제조 장치 및 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은, 챔버와, 외루부터 클리닝 가스를 유동하는 공급배관과, 상기 공급배관과 연결되어 상기 클리닝 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 생성부와, 상기 플라즈마 생성부에 연결되며, 상기 플라즈마 생성부에서 토출되는 상기 클리닝 가스를 냉각시키는 제1 냉각유닛을 포함하고, 상기 제1 냉각유닛은, 상기 공급배관의 외면을 감싸도록 설치되며, 냉매가 유동하는 제1 냉매유동배관을 구비한다.

Description

표시 장치 제조 장치 및 표시 장치 제조 방법{Apparatus for manufacturing display apparatus and method of manufacturing display apparatus}

본 발명의 실시예들은 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

이동성을 기반으로 하는 전자 기기가 폭 넓게 사용되고 있다. 이동용 전자 기기로는 모바일 폰과 같은 소형 전자 기기 이외에도 최근 들어 태블릿 PC가 널리 사용되고 있다.

이와 같은 이동형 전자 기기는 다양한 기능을 지원하기 위하여, 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 표시부를 포함한다. 최근, 표시부를 구동하기 위한 기타 부품들이 소형화됨에 따라, 표시부가 전자 기기에서 차지하는 비중이 점차 증가하고 있는 추세이며, 평평한 상태에서 소정의 각도를 갖도록 구부릴 수 있는 구조도 개발되고 있다.

본 발명의 실시예들은 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예는 챔버와, 외루부터 클리닝 가스를 유동하는 공급배관과, 상기 공급배관과 연결되어 상기 클리닝 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 생성부와, 상기 플라즈마 생성부에 연결되며, 상기 플라즈마 생성부에서 토출되는 상기 클리닝 가스를 냉각시키는 제1 냉각유닛을 포함하고, 상기 제1 냉각유닛은, 상기 공급배관의 외면을 감싸도록 설치되며, 냉매가 유동하는 제1 냉매유동배관을 구비하는 표시 장치의 제조 장치를 개시한다.

본 실시예에 있어서, 상기 냉매는 질소, 헬륨 및 이산화탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 냉각유닛은, 상기 제1 냉매유동배관을 감싸도록 설치되며, 내면이 상기 제1 냉매유동배관으로부터 이격되도록 배치되는 제1 외부배관을 더 구비할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 외부배관과 상기 제1 냉매유동배관 사이는 진공 상태일 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 냉각유닛은, 상기 제1 외부배관을 감싸도록 설치되는 제1 단열부재를 더 구비할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 냉각유닛은, 상기 플라즈마 생성부와 상기 공급배관 사이에 배치되어 상기 공급배관 및 상기 제1 냉매유동배관을 실링하는 제1 연결부를 더 구비할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 연결부는 세라믹으로 형성될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 클리닝 가스가 상기 플라즈마 생성부로 유입되는 상기 공급배관 부분에 설치되는 제2 냉각유닛을 더 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제2 냉각유닛은, 상기 공급배관을 감싸도록 설치되며, 내부에 냉매가 이동하는 제2 냉매유동배관을 구비할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제2 냉각유닛은, 상기 제2 냉매유동배관을 감싸도록 설치되며 내부가 진공인 제2 외관배관을 더 구비할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예는, 챔버와, 외루부터 클리닝 가스를 유동하는 공급배관과, 상기 공급배관과 연결되어 상기 클리닝 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 생성부와, 상기 클리닝 가스가 상기 플라즈마 생성부로 유입되는 상기 공급배관 부분에 설치되는 제2 냉각유닛을 포함하고, 상기 제2 냉각유닛은, 상기 공급배관을 감싸도록 설치되며, 내부에 냉매가 이동하는 제2 냉매유동배관을 구비하는 표시 장치의 제조 장치를 개시한다.

본 실시예에 있어서, 상기 제2 냉각유닛은, 상기 제2 냉매유동배관을 감싸도록 설치되며 내부가 진공인 제2 외관배관을 더 구비할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제2 냉매유동배관 및 상기 제2 외관배관 사이는 진공일 수 있다.

본 실시에에 있어서, 상기 냉매는 질소, 헬륨 및 이산화탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예는 기판 상에 표시부를 형성하는 단계와, 상기 공정 가스를 샤워헤드에 공급하여 플라즈마화한 후 상기 표시부 상에 공정 가스를 분사하여 상기 표시부 상에 무기층을 형성하는 단계와, 챔버로부터 기판을 인출한 후 클리닝 가스를 플라즈마 생성부에서 플라즈마화한 후 상기 챔버로 내부로 공급하는 단계를 포함하고, 상기 클리닝 가스는 상기 플라즈마 생성부로 유입되기 전 및 상기 플라즈마 생성부로부터 유출된 후 중 적어도 한 곳에서 냉각되는 표시 장치의 제조 방법을 개시한다.

본 실시예에 있어서, 상기 클리닝 가스는 공급배관을 유동하고, 냉매유동배관은 상기 공급배관을 감싸도록 설치되며, 상기 냉매유동배관과 상기 공급배관 사이에는 냉매가 공급되며, 상기 냉매는 상기 공급배관 내부의 클리닝 가스를 냉각시킬 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 냉매는 질소, 헬륨 및 이산화탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 외관배관은 상기 냉매유동배관을 감싸도록 설치되며, 상기 외관배관과 상기 냉매유동배관은 진공일 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 외관배관의 외관에는 단열부재가 설치될 수 있다.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.

이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.

본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법은 표시 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대하여 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조 장치를 통하여 제조된 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2는 도 1의 A부분을 확대하여 보여주는 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참고하면, 표시 장치의 제조 장치(100)는 챔버(110), 샤워헤드(120), 플라즈마 생성부(130), 공급배관(140), 냉각유닛(150), 가스공급부(190), 메인전원부(160), 서셉터(170) 및 배기부(180)를 포함할 수 있다.

챔버(110)는 일측에 개구부가 형성될 수 있으며, 상기 개구부에는 게이트밸브(110-1) 등이 설치되어 상기 개구부를 개폐할 수 있다.

샤워헤드(120)는 가스공급부(190) 및 공급배관(140)과 각각 연결될 수 있다. 샤워헤드(120)의 내부에는 공간이 형성될 수 있으며, 가스공급부(190) 또는 공급배관(140)에서 공급되는 가스를 수용할 수 있다. 또한, 샤워헤드(120)는 챔버(110) 내부에 연통되도록 분사홀이 형성될 수 있다. 특히 상기 분사홀은 서셉터(170) 측으로 가스를 공급할 수 있다.

가스공급부(190)는 공정 가스 및 비활성 가스를 샤워헤드(120)에 공급할 수 있다. 예를 들면, 가스공급부(190)는 실란(Sliane), 암모니아, 헬륨, 수소 등을 공급할 수 있다.

상기와 같은 가스들은 가스공급부(190)에서 개별적으로 샤워헤드(120)에 공급될 수 있으며, 혼합된 상태에서 샤워헤드(120)에 공급될 수 있다. 또한, 상기와 같은 비활성 가스는 퍼지가스일 수 있으며, 플라즈마를 형성하기 위한 가스일 수 있다.

공급배관(140)은 샤워헤드(120)와 연결되어 클리닝 가스를 공급할 수 있다. 이때, 공급배관(140)은 외부와 연결되어 클리닝 가스를 챔버(110)까지 안내할 수 있다. 이때, 클리닝 가스는 아르곤, 헬륨 등과 같은 비활성 기체와, NF3, HF 등과 같은 기체를 포함할 수 있다.

플라즈마 생성부(130)는 공급배관(140)에 설치될 수 있다. 이때, 플라즈마 생성부(130)는 리모트 플라즈마 발생기(Remote Plasma Generator)일 수 있다. 상기와 같은 플라즈마 생성부(130)는 공급배관(140)과 연결되어 클리닝 가스를 플라즈마화하여 챔버(110)로 공급할 수 있다.

플라즈마 생성부(130)는 공급배관(140)과 연결되며, 플라즈마가 형성되는 공간인 유동배관(131)을 포함할 수 있다. 이때, 유동배관(131)은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 유동배관(131)은 타원형, 반원형, 기둥형 등으로 형성될 수 있다.

플라즈마 생성부(130)는 유동배관(131)의 외부에 설치되어 자기장을 인가하는 자기장형성부(132)를 구비할 수 있다. 이때, 자기장형성부(132)는 페라이트 코어 형태로 형성될 수 있다.

플라즈마 생성부(130)는 유동배관(131) 내부에 초기전원은 인가하는 제1 전원부(133)를 구비할 수 있다. 플라즈마 생성부(130)는 유동배관(131) 내부에 설치되며, 제1 전원부(133)와 전기적으로 연결되는 전극(134)을 구비할 수 있다. 이때, 전극(134)에서는 클리닝 가스에 초기에너지를 공급할 수 있다.

또한, 플라즈마 생성부(130)는 자기장형성부(132)에 전원은 인가하는 제2 전원부(135)를 구비할 수 있다. 이때, 제2 전원부(135)는 자기장형성부(132)에 RF(Radio Frequency) 파워를 인가할 수 있다.

플라즈마 생성부(130)는 유동배관(131)의 양 끝단 중 하나와 연결되며, 공급배관(140)과 연결되는 제1 커버(136)를 구비할 수 있다. 이때, 제1 커버(136)는 세라믹 재질로 형성될 수 있다.

플라즈마 생성부(130)는 유동배관(131)의 양 끝단 중 다른 하나와 연결되며, 공급배관(140)과 연결되어 플라즈마화된 클리닝 가스가 토출되는 제2 커버(137)를 구비할 수 있다. 이때, 제2 커버(137)는 세라믹 재질로 형성될 수 있다.

플라즈마 생성부(130)는 자기장형성부(132) 내지 유동배관(131)의 외면에 설치되어 플라즈마 생성부(130)를 냉각시키는 제3 냉각유닛(미도시)을 구비할 수 있다. 이때, 상기 제3 냉각유닛은 외부로부터 냉각수가 유입되어 순환함으로써 플라즈마 생성부(130)의 온도 상승을 방지할 수 있다.

한편, 플라즈마 생성부(130)로 클리닝 가스가 유입되는 공급배관(140) 부분 및 플라즈마 생성부(130)로부터 클리닝 가스가 유출되는 공급배관(140) 부분 중 적어도 하나에는 냉각유닛(150)이 설치될 수 있다.

구체적으로 일 실시예로써, 냉각유닛(150)은 플라즈마 생성부(130)로 클리닝 가스가 유입되는 공급배관(140) 부분에 설치되는 제2 냉각유닛(150-2)을 구비할 수 있다. 또한, 다른 실시예로써, 냉각유닛(150)은 플라즈마 생성부(130)로부터 클리닝 가스가 유출되는 공급배관(140) 부분에 설치되는 제1 냉각유닛(150-1)을 구비할 수 있다. 또 다른 실시예로써 냉각유닛(150)은 상기와 같은 제1 냉각유닛(150-1)과 제2 냉각유닛(150-2)을 구비할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 냉각유닛(150)이 제1 냉각유닛(150-1) 및 제2 냉각유닛(150-2)을 구비하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.

제1 냉각유닛(150-1)은 플라즈마 생성부(130)로부터 토출되는 클리닝 가스를 냉각시킬 수 있다. 이때, 제1 냉각유닛(150-1)은 공급배관(140)을 감싸도록 설치되는 제1 냉매유동배관(151-1)을 구비할 수 있다. 또한, 제1 냉각유닛(150-1)은 제1 냉매유동배관(151-1)으로 냉매를 공급하는 제1 냉매공급배관(152-1)을 구비할 수 있다. 이때, 냉매는 질소, 헬륨 및 이산화탄소 중 적어도 하나일 수 있다. 특히 냉매는 액화된 상태로 공급될 수 있다.

제1 냉각유닛(150-1)은 제1 냉매공급배관(152-1)의 냉매를 순환시키는 제1 냉매순환펌프(154-1)를 구비할 수 있다. 또한, 제1 냉각유닛(150-1)은 제1 냉매공급배관(152-1)에 설치되어 냉매를 압축시키는 제1 압축기(153-1)를 구비할 수 있다.

상기와 같은 제1 냉각유닛(150-1)은 제1 냉매유동배관(151-1)을 감싸도록 설치되는 제1 외관배관(155-1)을 구비할 수 있다. 이때, 제1 외관배관(155-1)과 제1 냉매유동배관(151-1) 사이는 진공 상태로 유지될 수 있다.

제1 냉각유닛(150-1)은 제1 외관배관(155-1)을 감싸도록 설치되는 제1 단열부재(156-1)를 구비할 수 있다. 이때, 제1 단열부재(156-1)는 제1 외관배관(155-1)을 완전히 외기와 차폐시킴으로써 제1 외관배관(155-1)에 외부의 열이 전달되는 것을 방지할 수 있다. 특히 제1 단열부재(156-1)는 단열재질로 형성될 수 있다.

제1 냉각유닛(150-1)은 공급배관(140)과 제1 냉매유동배관(151-1), 제1 외관배관(155-1)을 연결하는 제1 연결부(157-1)를 구비할 수 있다. 이때, 제1 연결부(157-1)는 제1 냉매유동배관(151-1) 및 제1 외관배관(155-1)을 완전히 밀폐시킬 수 있다. 특히 상기와 같은 경우 제1 연결부(157-1)는 세라믹 재질로 형성되어 제1 냉각유닛(150-1)을 외부와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제1 연결부(157-1)는 상기에서 설명한 제2 커버(137)와 일체로 형성될 수 있다.

제1 냉각유닛(150-1)은 공급배관(140)과 제1 냉매유동배관(151-1), 제1 외관배관(155-1)을 연결하는 제2 연결부(157-2)를 구비할 수 있다. 이때, 제2 연결부(157-2)에서는 공급배관(140)을 이동하는 클리닝 가스가 토출될 수 있다.

한편, 제2 냉각유닛(150-2)은 상기에서 설명한 제1 냉각유닛(150-1)과 유사하게 형성될 수 있다. 이때, 제2 냉각유닛(150-2)은 플라즈마 생성부(130)의 상류 측에 설치될 수 있다.

구체적으로 제2 냉각유닛(150-2)은, 제2 냉매유동배관(151-2), 제2 외관배관(155-2), 제2 냉매공급배관(152-2), 제1 냉매순환펌프(154-1), 제2 압축기(153-2), 제2 단열부재(156-2), 제3 연결부(157-2) 및 제4 연결부(158-2)를 구비할 수 있다.

한편, 메인전원부(160)는 챔버(110) 내부에서 전기장을 형성할 수 있다. 이때, 메인전원부(160)는 전원을 인가하는 메인전원인가부(161) 및 메인전원인가부(161)와 전기적으로 형성되는 메인전극부(162)를 구비할 수 있다.

상기와 같은 메인전원인가부(161)는 메인전극부(162)에 교류전원을 인가할 수 있으며, 메인전극부(162)는 샤워헤드(120), 챔버(110), 서셉터(170) 등에 연결되어 샤워헤드(120)와 다른 구성요소 사이에 전압차를 형성할 수 잇다.

서셉터(170)는 챔버(110) 내부에 승하강 가능하도록 설치될 수 있다. 이때, 서셉터(170)는 기판(210)이 안착될 수 있으며, 마스크(M)가 안착될 수 있다. 또한, 서셉터(170)는 기판(210)의 온도를 조절할 수 있는 기판온도조절유닛(미도시)을 구비할 수 있다. 이때, 상기 기판온도조절유닛은 일반적인 서셉터(170)에 설치되는 기판온도조절유닛과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.

배기부(180)는 챔버(110)에 연결되는 안내배관(181)과, 안내배관(181)에 설치되는 펌프(182)를 구비할 수 있다. 이때, 배기부(180)는 챔버(110) 내부의 압력을 조절할 수 있으며, 공정 시 가스를 외부로 배출시킬 수 있다.

한편, 상기와 같은 표시 장치의 제조 장치(100)의 작동을 살펴보면, 우선 표시부(D)가 형성된 기판(210)을 챔버(110) 내부로 진입시킬 수 있다. 이때, 챔버(110) 내부는 대기압 상태일 수 있으며, 게이트밸브(110-1)가 작동하여 상기 개구부를 개방할 수 있다.

기판(210)은 서셉터(170)에 안착한 후 마스크(M)를 기판(210)으로부터 이격시켜 배치시킬 수 있다. 이후 공정가스 및 비활성 기체를 순차적 또는 동시에 공급하여 표시부(D) 상에 무기층(미도시)을 형성할 수 있다. 이때, 메인전원부(160)가 작동하여 챔버(110) 내부에 플라즈마를 형성하고, 공정 가스를 분해하여 표시부(D) 상에 증착시킬 수 있다.

상기의 과정이 완료되면, 기판(210)을 챔버(110) 외부로 반출시킬 수 있다. 이후 클리닝 가스를 공급하여 챔버(110) 내부를 크리닝 할 수 있다.

구체적으로 클리닝 가스는 공급배관(140)을 통하여 챔버(110) 내부로 유동할 수 있다. 이때, 클리닝 가스는 공급배관(140)을 통하여 제2 냉각유닛(150-2)을 통과할 수 있다. 제2 냉매유동배관(151-2)에는 냉매가 공급되어 공급배관(140)을 유동하는 클리닝 가스를 냉각시킬 수 있다. 예를 들면, 제2 냉매순환펌프(152-2)가 작동하면, 제2 냉매공급배관(152-2)을 통하여 냉매가 유동하고, 제2 압축기(153-2)를 통하여 압축된 냉매가 제2 냉매유동배관(151-2)으로 공급될 수 있다. 이때, 제2 냉매유동배관(151-2)이 공급배관(140)을 감싸도록 설치되므로 공급배관(140)과 냉매가 열교환을 통하여 클리닝 가스를 냉각시킬 수 있다.

상기와 같이 클리닝 가스가 냉각되는 경우 반응에 필요한 클리닝 가스의 자유에너지(Free Energy)의 변화가 감소할 수 있다. 따라서 클리닝 가스와 공급배관(140) 사이의 반응속도는 느려질 수 있으므로 클리닝 가스가 공급배관(140)의 표면과 반응하여 파티클을 적게 형성할 수 있다.

상기와 같이 클리닝 가스의 온도를 하강시키는 동안 제2 외관배관(155-2) 내부는 진공 상태를 유지함으로써 제2 냉매유동배관(151-2)과 외기가 직접 접촉하여 제2 냉매유동배관(151-2)의 표면에 습기가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라 제2 외관배관(155-2)은 제2 냉매유동배관(151-2)을 외기와 완전히 차단시킴으로써 제2 냉매유동배관(151-2)의 표면에서 열교환을 최소화할 수 있다.

제2 단열부재(156-2)는 제2 외관배관(155-2)의 외면을 외기로부터 완전히 차단시킬 수 있다. 따라서 제2 냉매유동배관(151-2)은 외부와 완전히 차단될 수 있다.

상기와 같이 냉각된 클리닝 가스는 플라즈마 생성부(130)로 공급될 수 있다. 특히 공급배관(140)과 연결된 유동배관(131)으로 클리닝 가스가 공급될 수 있다. 이때, 제1 전원부(133)에서 전극(134)으로 전원을 인가하여 초기에 클리닝 가스에 초기에너지를 공급할 수 있다.

상기와 같이 초기에너지가 공급되는 클리닝 가스가 폭발할 수 있으며, 제2 전원부(135)에서 자기장형성부(132)에 전원을 인가하면 클리닝 가스가 플라즈마화될 수 있다.

이후 클리닝 가스는 공급배관(140)을 통하여 챔버(110)로 공급될 수 있다. 이때, 제1 냉각유닛(150-1)은 제2 냉각유닛(150-2)과 동일 또는 유사하게 클리닝 가스를 냉각시킬 수 있다. 구체적으로 제1 냉매유동배관(151-1)에 냉매가 공급되면, 클리닝 가스와 냉매 사이에 열교환을 통하여 클리닝 가스가 냉각될 수 있다. 이때, 제1 외관배관(155-1)과 제1 단열부재(156-1)는 제1 냉매유동배관(151-1)이 외부로 노출되는 것을 방지함으로써 제1 냉매유동배관(151-1)을 단열시킬 수 있을 뿐만 아니라 수분에 의하여 부식되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 연결부(157-1)는 플라즈마 생성부(130)와 제1 냉각유닛(150-1)을 전기적으로 차단할 수 있다.

상기와 같이 냉각된 클리닝 가스는 챔버(110)로 공급되어 챔버(110)를 세정할 수 있다. 이때, 클리닝 가스는 상기에서 설명한 바와 같이 온도가 일정 부분 하강한 상태에서 챔버(110)로 공급됨으로써 공급배관(140)의 표면과 반응하여 파티클을 형성하지 않을 수 있다.

따라서 표시 장치의 제조 장치(100)는 클리닝 가스가 공급배관(140)을 유동할 때 발생하는 파티클을 최소화함으로써 장비의 수명을 증대시킬 수 있다. 뿐만 아니라 표시 장치의 제조 장치(100)는 클리닝 가스의 온도를 낮춘 상태에서 챔버(110)로 공급함으로써 챔버(110)의 열화 현상을 방지하여, 챔버(110) 내벽과 클리닝 가스가 반응하여 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

도 3은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조 장치를 통하여 제조된 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.

도 3을 참고하면, 표시 장치(200)는 기판(210) 및 표시부(미표기)를 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(200)는 상기 표시부의 상부에 형성되는 박막 봉지층(E) 또는 봉지 기판(미도시)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 봉지 기판은 일반적인 디스플레이 장치에 사용되는 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 표시 장치(200)가 박막 봉지층(E)를 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.

기판(210) 상에 상기 표시부가 형성될 수 있다. 이때, 상기 표시부는 박막 트랜지스터(TFT)가 구비되고, 이들을 덮도록 패시베이션막(270)이 형성되며, 이 패시베이션막(270) 상에 유기 발광 소자(280)가 형성될 수 있다.

이때, 기판(210)은 유리 재질을 사용할 수 있는 데, 반드시 이에 한정되지 않으며, 플라스틱재를 사용할 수도 있으며, SUS, Ti과 같은 금속재를 사용할 수도 있다. 또한, 기판(210)는 폴리이미드(PI, Polyimide)를 사용할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 기판(210)이 유리 재질로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.

기판(210)의 상면에는 유기화합물 및/또는 무기화합물로 이루어진 버퍼층(220)이 더 형성되는 데, SiOx(x≥1), SiNx(x≥1)로 형성될 수 있다.

이 버퍼층(220) 상에 소정의 패턴으로 배열된 활성층(230)이 형성된 후, 활성층(230)이 게이트 절연층(240)에 의해 매립된다. 활성층(230)은 소스 영역(231)과 드레인 영역(233)을 갖고, 그 사이에 채널 영역(232)을 더 포함한다.

이러한 활성층(230)은 다양한 물질을 함유하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 활성층(230)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 무기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 다른 예로서 활성층(230)은 산화물 반도체를 함유할 수 있다. 또 다른 예로서, 활성층(230)은 유기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 활성층(230)이 비정질 실리콘으로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.

이러한 활성층(230)은 버퍼층(220) 상에 비정질 실리콘막을 형성한 후, 이를 결정화하여 다결정질 실리콘막으로 형성하고, 이 다결정질 실리콘막을 패터닝하여 형성할 수 있다. 상기 활성층(230)은 구동 TFT(미도시), 스위칭 TFT(미도시) 등 TFT 종류에 따라, 그 소스 영역(231) 및 드레인 영역(233)이 불순물에 의해 도핑된다.

게이트 절연층(240)의 상면에는 활성층(230)과 대응되는 게이트 전극(250)과 이를 매립하는 층간 절연층(260)이 형성된다.

그리고, 층간 절연층(260)과 게이트 절연층(240)에 콘택홀(H1)을 형성한 후, 층간 절연층(260) 상에 소스 전극(271) 및 드레인 전극(272)을 각각 소스 영역(231) 및 드레인 영역(233)에 콘택되도록 형성한다.

이렇게 형성된 상기 박막 트랜지스터의 상부로는 패시베이션막(270)이 형성되고, 이 패시베이션막(270) 상부에 유기 발광 소자(280, OLED)의 화소 전극(281)이 형성된다. 이 화소 전극(281)은 패시베이션막(270)에 형성된 비아 홀(H2)에 의해 TFT의 드레인 전극(272)에 콘택된다. 상기 패시베이션막(270)은 무기물 및/또는 유기물, 단층 또는 2개층 이상으로 형성될 수 있는 데, 하부 막의 굴곡에 관계없이 상면이 평탄하게 되도록 평탄화막으로 형성될 수도 있는 반면, 하부에 위치한 막의 굴곡을 따라 굴곡이 가도록 형성될 수 있다. 그리고, 이 패시베이션막(270)은, 공진 효과를 달성할 수 있도록 투명 절연체로 형성되는 것이 바람직하다.

패시베이션막(270) 상에 화소 전극(281)을 형성한 후에는 이 화소 전극(281) 및 패시베이션막(270)을 덮도록 화소 정의막(290)이 유기물 및/또는 무기물에 의해 형성되고, 화소 전극(281)이 노출되도록 개구된다.

그리고, 적어도 상기 화소 전극(281) 상에 중간층(282) 및 대향 전극(283)이 형성된다.

화소 전극(281)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(283)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(281)과 대향 전극(283)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.

화소 전극(281)과 대향 전극(283)은 상기 중간층(282)에 의해 서로 절연되어 있으며, 중간층(282)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광층에서 발광이 이뤄지도록 한다.

중간층(282)은 유기 발광층을 구비할 수 있다. 선택적인 다른 예로서, 중간층(282)은 유기 발광층(organic emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다.

한편, 하나의 단위 화소(P)는 복수의 부화소(R,G,B)로 이루어지는데, 복수의 부화소(R,G,B)는 다양한 색의 빛을 방출할 수 있다. 예를 들면 복수의 부화소(R,G,B)는 각각 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 부화소(R,G,B)를 구비할 수 있고, 적색, 녹색, 청색 및 백색의 빛을 방출하는 부화소(미표기)를 구비할 수 있다.

한편, 상기와 같은 박막 봉지층(E)은 복수의 무기층들을 포함하거나, 무기층 및 유기층을 포함할 수 있다.

박막 봉지층(E)의 상기 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함할 수 있다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

박막 봉지층(E)의 상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

박막 봉지층(E) 중 외부로 노출된 최상층은 유기 발광 소자(280)에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.

박막 봉지층(E)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조 및 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 포함할 수도 있다.

박막 봉지층(E)은 유기 발광 소자(280, OLED)의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층을 포함할 수 있다.

다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 유기 발광 소자(280, OLED)의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층, 제 2 유기층, 제 3 무기층을 포함할 수 있다.

또 다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 상기 유기 발광 소자(280, OLED)의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층, 상기 제 2 유기층, 제 3 무기층, 제 3 유기층, 제 4 무기층을 포함할 수 있다.

유기 발광 소자(280, OLED)와 제 1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 제 1 무기층을 스퍼터링 방식으로 형성할 때 상기 유기 발광 소자(280, OLED)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.

제 1 유기층은 제 2 무기층 보다 면적이 좁게 할 수 있으며, 상기 제 2 유기층도 제 3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다.

이하에서는 설명의 편의를 위하여 박막 봉지층(E)가 제1 무기층(U1), 제1 유기층(O1) 및 제2 무기층(U2)을 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.

제1 무기층(U1)과 제2 무기층(U2)은 상기 도 1 및 도 2에서 설명한 표시 장치의 제조 장치(100) 및 표시 장치의 제조 방법에 의하여 제조될 수 있다. 이때, 제1 무기층(U1)과 제2 무기층(U2)은 서로 동일 또는 유사하므로 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1 무기층(U1)을 중심으로 상세히 설명하기로 한다.

상기와 같이 제조된 제1 무기층(U1)은 클리닝 가스에 의하여 발생하는 파티클 등이 최소화됨으로써 조밀하게 형성될 수 있다. 구체적으로 기존에는 클리닝 가스에 의하여 공급배관(140) 등에 파티클이 다수 존재함으로써 제1 무기층(U1)을 형성하는 경우 제1 무기층(U1)에 파티클이 포함될 수 있다. 그러나 상기에서 설명한 표시 장치의 제조 장치(100)를 사용하는 경우 클리닝 가스에 의한 파티클을 최소화할 수 있으므로 제1 무기층(U1)의 형성 시 파티클과 같은 이물질을 최소화할 수 있다.

따라서 표시 장치(200)는 조밀한 무기층을 구비함으로써 외부의 수분 및 산소를 효과적으로 차단할 수 있다. 뿐만 아니라 표시 장치(200)는 복수개 제조하는 경우에도 거의 동일한 성능의 박막 봉지층(E)을 구비할 수 있다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 보여주는 단면도이다.

도 4를 참고하면, 표시 장치의 제조 장치(100A)는 챔버(110A), 샤워헤드(120A), 플라즈마 생성부(130A), 공급배관(140A), 냉각유닛(150A), 가스공급부(190A), 메인전원부(160A), 서셉터(170A) 및 배기부(180A)를 포함할 수 있다.

챔버(110A)에는 게이트밸브(110A-1)가 설치될 수 있다. 또한, 메인전원부(160A)는 메인전원인가부(161A) 및 메인전극부(162A)를 구비할 수 있으며, 배기부(180A)는 안내배관(181A)과 펌프(182A)를 구비할 수 있다.

이때, 챔버(110A), 샤워헤드(120A), 플라즈마 생성부(130A), 공급배관(140A), 가스공급부(190A), 메인전원부(160A), 서셉터(170A) 및 배기부(180A)는 상기 도 1 내지 도 2에서 설명한 챔버(110), 샤워헤드(120), 플라즈마 생성부(130), 공급배관(140), 가스공급부(190), 메인전원부(160), 서셉터(170) 및 배기부(180)와 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.

냉각유닛(150A)은 플라즈마 생성부(130A)로 유입되는 클리닝 가스를 냉각시킬 수 있다. 이때, 냉각유닛(150A)은 공급배관(140A)을 감싸도록 설치되는 냉매유동배관(151A)을 구비할 수 있다. 또한, 냉각유닛(150A)은 냉매유동배관(151A)으로 냉매를 공급하는 냉매공급배관(154A)을 구비할 수 있다. 이때, 냉매는 질소, 헬륨 및 이산화탄소 중 적어도 하나일 수 있다. 특히 냉매는 액화된 상태로 공급될 수 있다.

냉각유닛(150A)은 냉매유동배관(151A)에 연결되며, 냉매유동배관(151A)으로 냉매를 공급하는 냉매공급배관(154A) 및 냉매공급배관(154A)의 냉매를 순환시키는 냉매순환펌프(152A)를 구비할 수 있다. 또한, 냉각유닛(150A)은 냉매공급배관(154A)에 설치되어 냉매를 압축시키는 압축기(153A)를 구비할 수 있다.

상기와 같은 냉각유닛(150A)은 냉매유동배관(151A)을 감싸도록 설치되는 외관배관(155A)을 구비할 수 있다. 이때, 외관배관(155A)과 냉매유동배관(151A) 사이는 진공 상태로 유지될 수 있다.

냉각유닛(150A)은 외관배관(155A)을 감싸도록 설치되는 단열부재(156A)를 구비할 수 있다. 이때, 단열부재(156A)는 외관배관(155A)을 완전히 외기와 차폐시킴으로써 외관배관(155A)에 외부의 열이 전달되는 것을 방지할 수 있다. 특히 단열부재(156A)는 단열재질로 형성될 수 있다.

또한, 냉각유닛(150A)는 공급배관(140A)과 연결되는 제1 연결부(157A) 및 제2 연결부(158A)를 구비할 수 있다. 이때, 제1 연결부(157A) 및 제2 연결부(158A)는 각각 냉매유동배관(151A) 및 외관배관(155A)을 실링하면서 공급배관(140A)과 냉각유닛(150A)을 연결할 수 있다. 특히 제1 연결부(157A) 및 제2 연결부(158A)는 세라믹 재질로 형성되어 냉각유닛(150A)을 절연시킬 수 있다.

한편, 상기와 같은 표시 장치의 제조 장치(100A)의 작동을 살펴보면, 표시부(D)가 형성된 기판(210)을 챔버(110A) 내부로 장입한 후 마스크(M)를 기판(210)으로부터 이격된 상태로 배치시킬 수 있다.

이후 공정가스 및 비활성 기체를 순차적 또는 동시에 공급하여 표시부(D) 상에 무기층(미도시)을 형성할 수 있다. 이때, 메인전원부(160A)는 챔버(110A) 내부에서 플라즈마를 형성할 수 있다.

이후 마스크(M)를 기판(210)으로부터 이격시킨 후 기판(210)을 챔버(110A) 내부로 반출시키고, 챔버(110A)를 세정할 수 있다.

구체적으로 클리닝 가스는 공급배관(140A)을 통하여 플라즈마 생성부(130A)로 공급될 수 있다. 이때, 클리닝 가스는 플라즈마 생성부(130A)로 공급되기 전에 냉각유닛(150A)에 의하여 냉각된 상태로 공급될 수 있다.

예를 들면, 클리닝 가스가 공급배관(140A)을 통하여 유동하는 경우 냉매순환펌프(152A)가 작동하여 냉매공급배관(154A) 내부의 냉매를 압축기(153A)를 통하여 압축한 후 냉매유동배관(151A)으로 공급할 수 있다. 이때, 냉매는 공급배관(140A)의 표면과 열교환을 통하여 클리닝 가스를 냉각시킬 수 있다. 뿐만 아니라 외관배관(155A)과 단열부재(156A)는 냉매유동배관(151A)을 외기와 차단하여 단열시킬 수 있다.

상기와 같이 냉각된 클리닝 가스는 플라즈마 생성부(130A)로 공급되어 플라즈마화된 후 챔버(110A)로 공급될 수 있다. 이때, 플라즈마 생성부(130A)의 작동 방법은 상기에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 챔버(110A)를 세정하는 방법도 상기에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.

상기와 같은 작업이 완료되어 표시부(D) 상에 무기층이 형성되면 다른 챔버에서 무기층 상에 유기층을 형성할 수 있다. 또한, 상기와 같은 작업은 복수개의 표시 장치(미도시)에 개별적으로 수행될 수 있으며, 경우에 따라서 하나의 상기 표시 장치에 복수번 수행되는 것도 가능하다.

따라서 표시 장치의 제조 장치(100A)는 클리닝 가스가 공급배관(140A)을 유동할 때 발생하는 파티클을 최소화함으로써 장비의 수명을 증대시킬 수 있다. 뿐만 아니라 표시 장치의 제조 장치(100A)는 클리닝 가스의 온도를 낮춘 상태에서 챔버(110A)로 공급함으로써 챔버(110A)의 열화 현상을 방지하여, 챔버(110A) 내벽과 클리닝 가스가 반응하여 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

100,100A: 표시 장치의 제조 장치
110,110A: 챔버
120,120A: 샤워헤드
130,130A: 플라즈마 생성부
140,140A: 공급배관
150,150A: 냉각유닛
160,160A: 메인전원부
170,170A: 서셉터
180,180A: 배기부
190,190A: 가스공급부
200: 표시 장치
210: 기판
D: 표시부
E: 박막 봉지층

Claims (19)

1. 챔버;
   외루부터 클리닝 가스를 유동하는 공급배관;
   상기 공급배관과 연결되어 상기 클리닝 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 생성부; 및
   상기 플라즈마 생성부에 연결되며, 상기 플라즈마 생성부에서 토출되는 상기 클리닝 가스를 냉각시키는 제1 냉각유닛;을 포함하고,
   상기 제1 냉각유닛은,
   상기 공급배관의 외면을 감싸도록 설치되며, 냉매가 유동하는 제1 냉매유동배관;을 구비하는 표시 장치의 제조 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 냉매는 질소, 헬륨 및 이산화탄소 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 장치.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1 냉각유닛은,
   상기 제1 냉매유동배관을 감싸도록 설치되며, 내면이 상기 제1 냉매유동배관으로부터 이격되도록 배치되는 제1 외부배관;을 더 구비하는 표시 장치의 제조 장치.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 제1 외부배관과 상기 제1 냉매유동배관 사이는 진공 상태인 표시 장치의 제조 장치.
5. 제 3 항에 있어서,
   상기 제1 냉각유닛은,
   상기 제1 외부배관을 감싸도록 설치되는 제1 단열부재;를 더 구비하는 표시 장치의 제조 장치.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1 냉각유닛은,
   상기 플라즈마 생성부와 상기 공급배관 사이에 배치되어 상기 공급배관 및 상기 제1 냉매유동배관을 실링하는 제1 연결부;를 더 구비하는 표시 장치의 제조 장치.
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 제1 연결부는 세라믹으로 형성되는 표시 장치의 제조 장치.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 클리닝 가스가 상기 플라즈마 생성부로 유입되는 상기 공급배관 부분에 설치되는 제2 냉각유닛;을 더 포함하는 표시 장치의 제조 장치.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 제2 냉각유닛은,
   상기 공급배관을 감싸도록 설치되며, 내부에 냉매가 이동하는 제2 냉매유동배관;을 구비하는 표시 장치의 제조 장치.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2 냉각유닛은,
    상기 제2 냉매유동배관을 감싸도록 설치되며 내부가 진공인 제2 외관배관;을 더 구비하는 표시 장치의 제조 장치.
11. 챔버;
    외루부터 클리닝 가스를 유동하는 공급배관;
    상기 공급배관과 연결되어 상기 클리닝 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 생성부; 및
    상기 클리닝 가스가 상기 플라즈마 생성부로 유입되는 상기 공급배관 부분에 설치되는 제2 냉각유닛;을 포함하고,
    상기 제2 냉각유닛은,
    상기 공급배관을 감싸도록 설치되며, 내부에 냉매가 이동하는 제2 냉매유동배관;을 구비하는 표시 장치의 제조 장치.
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제2 냉각유닛은,
    상기 제2 냉매유동배관을 감싸도록 설치되며 내부가 진공인 제2 외관배관;을 더 구비하는 표시 장치의 제조 장치.
13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 냉매유동배관 및 상기 제2 외관배관 사이는 진공인 표시 장치의 제조 장치.
14. 제 11 항에 있어서,
    상기 냉매는 질소, 헬륨 및 이산화탄소 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 장치.
15. 기판 상에 표시부를 형성하는 단계;
    공정 가스를 샤워헤드에 공급하여 플라즈마화한 후 상기 표시부 상에 공정 가스를 분사하여 상기 표시부 상에 무기층을 형성하는 단계; 및
    챔버로부터 기판을 인출한 후 클리닝 가스를 플라즈마 생성부에서 플라즈마화한 후 상기 챔버로 내부로 공급하는 단계;를 포함하고,
    상기 클리닝 가스는 상기 플라즈마 생성부로 유입되기 전 및 상기 플라즈마 생성부로부터 유출된 후 중 적어도 한 곳에서 냉각되는 표시 장치의 제조 방법.
16. 제 15 항에 있어서,
    상기 클리닝 가스는 공급배관을 유동하고,
    냉매유동배관은 상기 공급배관을 감싸도록 설치되며, 상기 냉매유동배관과 상기 공급배관 사이에는 냉매가 공급되며, 상기 냉매는 상기 공급배관 내부의 클리닝 가스를 냉각시키는 표시 장치의 제조 방법.
17. 제 16 항에 있어서,
    상기 냉매는 질소, 헬륨 및 이산화탄소 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
18. 제 16 항에 있어서,
    외관배관은 상기 냉매유동배관을 감싸도록 설치되며, 상기 외관배관과 상기 냉매유동배관은 진공인 표시 장치의 제조 방법.
19. 제 18 항에 있어서,
    상기 외관배관의 외관에는 단열부재가 설치되는 표시 장치의 제조 방법.

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