TWI713414B - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題]在處理室內，降低對於使處理氣體電漿激發之際而產生之處理室內壁等的濺鍍發生。 [解決手段]提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置，係具有：電漿容器，將處理氣體進行電漿激發；及線圈，被設置成捲繞於電漿容器之外周，並被構成為供給高頻電力，線圈，係被形成為使從一端至另一端之間的預定位置中之從線圈的內周至電漿容器的內周之距離不同於其他位置中之從線圈的內周至電漿容器的內周之距離，且被形成為使「施加至線圈之電壓的駐波之振幅最大的位置中之從線圈的內周至電漿容器的內周之距離」成為最大。

Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
本發明，係關於基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
在形成快閃記憶體或邏輯電路等之半導體裝置的圖案之際，作為製造工程之一工程，有實施對基板進行氮化處理等的預定處理之工程的情形。
例如，在專利文獻1中，係揭示有使用經電漿激發的處理氣體來對被形成於基板上之圖案表面進行改質處理的內容。
[專利文獻1]日本特開2014-75579號公報
在藉由使處理氣體電漿激發的方式來處理基板之際，在處理室內，係生成自由基或離子等的反應種或電子。在此，因藉由施加了高頻電力之電極所形成的電場之影響，有所生成之離子被加速碰撞處理室的內壁而引起 濺鍍的情形。當處理室的內壁被濺鍍時，則有構成內壁表面之物質的成分被放出於處理室中並被混入至基板上之被處理對象膜的膜中等，對基板處理造成不良影響之疑慮。
本發明，係提供一種如下述之技術：在處理室內，降低對於使處理氣體電漿激發之際而產生之處理室內壁等的濺鍍發生。
根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置，其特徵係，具有：電漿容器，將處理氣體進行電漿激發；基板處理室，連通於前述電漿容器；氣體供給系統，被構成為將前述處理氣體供給至前述電漿容器內；及線圈，被設置成捲繞於前述電漿容器之外周，並被構成為供給高頻電力，前述線圈，係被形成為線圈徑根據從一端至另一端之間的位置而有所不同，且被形成為使「施加至前述線圈之電壓之駐波的振幅最大之位置」的線圈徑成為最大。
100:處理裝置
200:晶圓
201:處理室
202:處理爐
203:處理容器
210:上側容器
211:下側容器
212:共振線圈
213:可動分接頭
214:另一方之固定接地
215:可動分接頭
217:基座
217a:貫通孔
217b:加熱器
217c:阻抗調整電極
221:控制器
221a:CPU
221b:RAM
221c:記憶裝置
221d:I/O埠
221e:內部匯流排
222:輸入輸出裝置
223:外部記憶裝置
231:氣體排氣管
232a:含氮氣體供給管
232b:含氫氣體供給管
232c:惰性氣體供給管
233:蓋體
234:氣體導入口
235:氣體排氣口
236:氣體供給頭
237:緩衝室
238:開口
239:氣體吹出口
240:遮蔽板
242:APC閥
243a:閥
243b:閥
244:閘閥
245:搬入搬出口
246:真空泵
248:底板
250a:N2氣體供給源
250b:H2氣體供給源
250c:Ar氣體供給源
252a:MFC
252b:MFC
252c:MFC
253a:閥
253b:閥
253c:閥
266:晶圓頂銷
268:基座升降機構
272:RF感測器
273:高頻電源
274:匹配器
275:阻抗可變機構
276:加熱器電力調整機構
301:溝槽
302:遮罩層
[圖1]本發明之一實施形態之基板處理裝置的概略剖面圖。
[圖2]表示本發明之比較例之共振線圈的捲徑與電流．電壓及電場強度之關係等的說明圖。
[圖3]表示本發明之一實施形態之共振線圈的捲徑與電流．電壓及電場強度之關係等的說明圖。
[圖4]表示本發明之一實施形態之基板處理裝置之控制部(控制手段)之構成的圖。
[圖5]表示本發明之一實施形態之基板處理工程的流程圖。
[圖6]本發明之一實施形態之以基板處理工程所處理之形成有溝(溝槽)之基板的說明圖。
[圖7]表示第1驗證中之以比較例1及實施例1所形成的SiN膜中之氧濃度與參考的Si裸晶圓表層中之氧濃度的圖表。
[圖8]表示第2驗證中之以比較例2及實施例2~4所形成的AlON膜中之矽濃度的圖表。
[圖9]表示本發明之一實施形態之實施例之共振線圈的中心軸位置與上側容器的中心軸位置之關係的說明圖。
[圖10]表示本發明之一變形例之共振線圈的捲徑與電流．電壓之關係的說明圖。
[圖11]表示本發明之其他實施形態之共振線圈的捲徑與電流．電壓之關係的說明圖。
<本發明之第一實施形態> (1)基板處理裝置之構成
在以下中，使用圖1說明關於本發明之第1實施形態的基板處理裝置。本實施形態之基板處理裝置，係被構成為主要對被形成於基板面上的膜進行氧化處理。
(處理室)
處理裝置100，係具備有對晶圓200進行電漿處理的處理爐202。在處理爐202，係設置有構成處理室201之處理容器203。處理容器203，係具備有第1容器即圓頂型之上側容器210與第2容器即碗型之下側容器211。藉由上側容器210被覆蓋於下側容器211上的方式，形成處理室201。上側容器210，係例如由氧化鋁(Al2O3)或石英(SiO2)等的非金屬材料所形成，下側容器211，係例如由鋁(Al)所形成。在本實施形態中，上側容器210，係由石英所形成。又，上側容器210，係構成電漿容器，該電漿容器，係形成後述之電漿生成空間。
又，在下側容器211之下部側壁，係設置有閘閥244。閘閥244，係被構成為可在開啟時，使用搬送機構，經由搬入搬出口245將晶圓200搬入至處理室201內或將晶圓200搬出處理室201外。閘閥244，係被構成為在關閉時，成為保持處理室201內之氣密性的閘門閥。
處理室201，係具有：電漿生成空間，在周圍設置有線圈212；及基板處理空間，連通於電漿生成空間，並對晶圓200進行處理。電漿生成空間，係生成電漿的空間，且係指在處理室內比共振線圈212之下端更往上 方且比共振線圈212之上端更往下方的空間。另一方面，基板處理空間，係使用電漿處理基板的空間，且係指比共振線圈212之下端更往下方的空間。在本實施形態中，電漿生成空間與基板處理空間之水平方向的徑，係被構成為大致相同。
(基座)
在處理室201之底側中央，係配置有作為載置晶圓200之基板載置部的基座217。基座217，係被構成為例如由氮化鋁、陶瓷、石英等的非金屬材料所形成，可降低對於被形成於晶圓200上之膜等的金屬污染。
在基座217之內部，係一體地埋入有作為加熱機構之加熱器217b。加熱器217b，係被構成為當供給電力時，可將晶圓200表面例如從25℃加熱至750℃左右。
基座217，係與下側容器211電性絶緣。阻抗調整電極217c，係被設置於基座217內部，以便使載置於基座217之晶圓200上所生成的電漿之密度的均勻性更提升，且經由作為阻抗調整部之阻抗可變機構275而接地。阻抗可變機構275，係由線圈或可變電容器所構成，並被構成為可藉由控制線圈之電感及電阻和可變電容器之容量值的方式，使阻抗在從約0Ω至處理室201之寄生阻抗值的範圍內改變。藉此，可經由阻抗調整電極217c及基座217，控制晶圓200的電位(偏壓電壓)。另外，在本實施形態中，係如後述般，由於可使晶圓200上所生成的電漿 之密度的均勻性提升，因此，在該電漿之密度的均勻性位於所期望之範圍的情況下，不進行使用了阻抗調整電極217c之偏壓電壓控制。又，在不進行該偏壓電壓控制的情況下，係亦可不在基座217設置電極217c。但是，亦可以使該均勻性更提升作為目的，進行該偏壓電壓控制。
在基座217，係設置有基座升降機構268，該基座升降機構268，係具備有使基座升降的驅動機構。又，在基座217，係設置有貫通孔217a，並且在下側容器211之底面，係設置有晶圓頂銷266。貫通孔217a與晶圓頂銷266，係在相互對向的位置上至少各設置有3處。在基座217藉由基座升降機構268而下降時，係被構成為晶圓頂銷266可在與基座217非接觸的狀態下穿過貫通孔217a。
主要藉由基座217及加熱器217b、電極217c構成本實施形態之基板載置部。
(氣體供給部)
在處理室201之上方亦即上側容器210之上部，係設置有氣體供給頭236。氣體供給頭236，係被構成為具備有蓋狀之蓋體233、氣體導入口234、緩衝室237、開口238、遮蔽板240及氣體吹出口239，可將反應氣體供給至處理室201內。緩衝室237，係具有作為使由氣體導入口234所導入之反應氣體分散之分散空間的功能。
在氣體導入口234，係以匯流的方式，連接有供給作為含氮氣體之氮(N2)氣體之含氮氣體供給管232a 的下游端、供給作為含氫氣體之氫(H2)氣體之含氫氣體供給管232b的下游端及供給作為惰性氣體之氫(Ar)氣體的惰性氣體供給管232c。在含氮氣體供給管232a，係從上游側依序設置有N2氣體供給源250a、作為流量控制裝置之質流控制器(MFC)252a、作為開關閥之閥253a。在含氫氣體供給管232b，係從上游側依序設置有H2氣體供給源250b、MFC252b、閥253b。在惰性氣體供給管232c，係從上游側依序設置有Ar氣體供給源250c、MFC252c、閥253c。在含氮氣體供給管232a與含氫氣體供給管232b與惰性氣體供給管232c匯流後之下游側，係設置有閥243a，並被連接於氣體導入口234的上游端。被構成為可藉由使閥253a、253b、253c、243a開關的方式，一面藉由MFC252a、252b、252c調整各自之氣體的流量，一面經由氣體供給管232a、232b、232c將含氮氣體、含氫氣體、惰性氣體等的處理氣體供給至處理室201內。
主要藉由氣體供給頭236、含氮氣體供給管232a、含氫氣體供給管232b、惰性氣體供給管232c、MFC252a，252b，252c、閥253a，253b，253c，243a構成本實施方式之氣體供給部(氣體供給系統)。
又，藉由氣體供給頭236、含氮氣體供給管232a、MFC252a、閥253a，243a構成本實施形態之含氮氣體供給系統。而且，藉由氣體供給頭236、含氫氣體供給管232b、MFC252b、閥253b，243a構成本實施形態之氫氣體供給系統。而且，藉由氣體供給頭236、惰性氣體供給 管232c、MFC252c、閥253c，243a構成本實施形態之惰性氣體供給系統。
另外，本實施形態之基板處理裝置，雖係被構成為藉由從含氮氣體供給系統供給作為含氮氣體之N2氣體的方式進行氮化處理，但亦可設置將其他氣體供給至處理室201內的氣體供給系統來代替含氮氣體供給系統。根據像這樣所構成之基板處理裝置，可進行其他電漿加工處理來代替基板之氮化處理。在該情況下，設置其他氣體供給源來代替N2氣體供給源250a。
(排氣部)
在下側容器211之側壁，係設置有從處理室201內對反應氣體進行排氣的氣體排氣口235。在氣體排氣口235，係連接有氣體排氣管231的上游端。在氣體排氣管231，係從上游側依序設置有作為壓力調整器(壓力調整部)之APC(Auto Pressure Controller)閥242、作為開關閥之閥243b、作為真空排氣裝置之真空泵246。
主要藉由氣體排氣口235、氣體排氣管231、APC閥242、閥243b構成本實施方式之排氣部。另外，在排氣部亦可包含真空泵246。
(電漿生成部)
在處理室201之外周部亦即上側容器210之側壁的外側，係以包圍處理室201的方式，設置有作為第1電極之螺 旋狀的共振線圈212。在共振線圈212，係連接有：RF感測器272；高頻電源273；及匹配器274，進行高頻電源273之阻抗或輸出頻率的匹配。
高頻電源273，係將高頻電力(RF電力)供給至共振線圈212者。RF感測器272，係被設置於高頻電源273之輸出側，監視所供給之高頻電力之進行波或反射波的資訊。藉由RF感測器272所監視之反射波電力，係被輸入至匹配器274，匹配器274，係基於從RF感測器272所輸入之反射波的資訊，以使反射波成為最小的方式，控制高頻電源273之阻抗或所輸出之高頻電力的頻率者。
高頻電源273，係具備有：電源控制裝置(控制電路)，包含用以規定振盪頻率及輸出的高頻振盪電路及前置放大器；及放大器(輸出電路)，用以放大至預定輸出。電源控制裝置，係基於與通過操作面板所預先設定之頻率及電力相關的輸出條件，控制放大器。放大器，係經由傳送線路，將固定之高頻電力供給至共振線圈212。
共振線圈212，係以在某波長進行共振的方式，設定捲徑、捲繞間距、圈數，在供給了高頻電力之共振線圈212上，係形成有駐波。共振線圈212之電氣長度，係被設定成相當於從高頻電源273所供給之高頻電力的預定頻率中之1波長之整數倍(1倍、2倍、...)的長度。
具體而言，係考慮施加之電力或產生之磁場強度抑或應用之裝置的外形等，共振線圈212，係例如以可藉由800kHz~50MHz、0.1~5kW之高頻電力來產生0.01~ 10高斯程度之磁場的方式，被設成為50~300mm2之有效截面積且200~500mm的線圈直徑，並在形成電漿生成空間201a之房室的外周側捲繞2~60次程度。
作為合適之實施例，在本實施形態中，係將高頻電力之頻率設定成27.12MHz，將共振線圈212之電氣長度設定成1波長的長度(約11公尺)。共振線圈212之捲繞間距，係例如被設成為以24.5mm間隔成為等間隔。又，共振線圈212之捲徑(直徑)，係被設定成大於晶圓200的直徑。在本實施形態中，係將晶圓200之直徑設成為
Figure 107132206-A0305-02-0014-1
300mm，共振線圈212之捲徑，係被設成為比晶圓200之直徑大的
Figure 107132206-A0305-02-0014-2
500mm以上。但是，如後述般，本實施形態中之共振線圈212捲徑，係並非固定，且被形成為其捲徑之至少一部分根據從共振線圈212之一端至另一端之間的位置而有所不同。
作為構成共振線圈212之素材，係使用銅管、銅之薄板、鋁管、鋁薄板、在聚合物帶上蒸鍍銅或鋁的素材等。共振線圈212，係以絕緣性材料形成為平板狀，且藉由被垂直豎立設置於底板248之上端面的複數個支撐件(未圖示)所支撐。
共振線圈212之兩端，係電性接地，其中之至少一端，係為了在裝置的最初設置之際或處理條件的變更之際微調整該共振線圈的電氣長度，而經由可動分接頭213接地。圖1中之符號214，係表示另一方之固定接地。可動分接頭213，係以使共振線圈212之共振特性與高頻電 源273大致相等的方式，調整位置。而且，為了在裝置的最初設置之際或處理條件的變更之際微調整共振線圈212的阻抗，在共振線圈212之被接地的兩端之間，係藉由可動分接頭215構成供電部。
藉由共振線圈212具備有可變式接地部及可變式供電部的方式，如後述般，可在調整處理室201之共振頻率及負載阻抗時，更簡便地進行調整。
而且，以使相位及逆相位電流相對於共振線圈212之電性中點對稱流動的方式，在共振線圈212之一端側(或另一端側或兩端)，係插入有由線圈及屏蔽所構成的波形調整電路(未圖示)。波形調整電路，係藉由將共振線圈212之端部設成為電性非連接狀態或設定成電性等價之狀態的方式，構成開路。另外，共振線圈212之端部，係亦可藉由扼流串聯電阻設成為非接地，直流連接於固定基準電位。
遮蔽板223，係為了遮蔽共振線圈212之外側的電場，並且將構成共振電路所需的電容成分(C成分)形成於與共振線圈212之間而加以設置。遮蔽板223，係一般而言使用鋁合金等的導電性材料構成為圓筒狀。遮蔽板223，係從共振線圈212之外周間隔5~150mm左右而配置。通常，遮蔽板223，雖係以共振線圈212之兩端與電位相等的方式接地，但為了正確地設定共振線圈212之共振數，遮蔽板223之一端或兩端，係被構成為可調整分接頭位置。抑或，為了正確地設定共振數，亦可在共振線圈212 與遮蔽板223之間插入微調電容器。
主要藉由共振線圈212、RF感測器272、匹配器274構成本實施形態之電漿生成部。另外，作為電漿生成部，亦可包含高頻電源273。
在此，詳述關於本實施形態之裝置的電漿生成原理及所生成之電漿的性質。
藉由共振線圈212所構成之電漿產生電路，係由RLC的並聯共振電路所構成。在從高頻電源273所供給之高頻電力的波長與共振線圈212之電氣長度相同的情況下，共振線圈212之共振條件，係指共振線圈212之電容成分或藉由電感成分所產生之電抗成分相抵消而成為純電阻的條件。然而，在上述電漿產生電路中，係在產生了電漿的情況下，實際的共振頻率，係因共振線圈212的電壓部與電漿之間的電容耦合之變動或電漿生成空間201a與電漿之間的電感耦合之變動、電漿之激發狀態等而輕微變動。
因此，在本實施形態中，係具有下述功能：為了在電源側對電漿產生時的共振線圈212中之共振的偏移進行補償，而在RF感測器272中檢測產生了電漿之際之來自共振線圈212的反射波電力，匹配器274基於所檢測到之反射波電力來修正高頻電源273的輸出。
具體而言，匹配器274，係基於在RF感測器272中所檢測到的產生了電漿之際之來自共振線圈212的反射波電力，以使反射波電力成為最小的方式，使高頻電源273之阻抗或輸出頻率增加或減少。在控制阻抗的情況 下，匹配器274，係藉由修正預先設定之阻抗的可變電容器控制電路所構成，在控制頻率的情況下，匹配器274，係藉由修正預先設定之高頻電源273之振盪頻率的頻率控制電路所構成。另外，高頻電源273與匹配器274，係亦可被構成為一體。
藉由該構成，在本實施形態中之共振線圈212中，係由於供給包含電漿之該共振線圈的實際共振頻率所致之高頻電力(抑或，由於以與包含電漿之該共振線圈的實際阻抗匹配之方式，供給高頻電力)，因此，形成相位電壓與逆相位電壓總是抵消之狀態的駐波。在共振線圈212之電氣長度與高頻電力之波長相同的情況下，在線圈之電性中點(電壓為零之節點)會產生最高的相位電流。因此，在電性中點的附近，係幾乎沒有與處理室壁、基座217的電容耦合，且形成有電勢極低之圓環狀的感應電漿。
(共振線圈之捲徑)
在此，使用圖2及圖3，說明關於本實施形態中之共振線圈212的捲徑。
<比較例之共振線圈的捲徑>
圖2，係表示關於共振線圈212的捲徑無論在共振線圈212上之任一任置皆為固定之情形的例子(比較例)。亦即，在將從上側容器210之內壁表面至共振線圈212之內徑 側表面(面對上側容器210的側壁之側的表面)的距離(以下，有稱為線圈間隔距離的情形)設成為d1時，在該比較例中，係d1總是固定。距離d1，係較佳為10~30mm之範圍的預定值，例如被設定成15mm左右。
在除了共振線圈212之捲徑該點以外，本比較例之構成，係與上述的本實施形態者相同，在共振線圈212的線路上，形成具有所供給之高頻電力的1波長程度之長度之電流及電壓的駐波。圖2之右側的波形中，虛線，係表示電流，實線，係表示電壓。如圖2之右側的波形所示般，電流之駐波的振幅，係在共振線圈212之兩端(下端與上端)及中點處成為最大。
在電流的振幅最大之位置的附近，係形成有高頻磁場，藉由該高頻磁場所感應的高頻電場會產生被供給至上側容器210內之電漿生成空間內之處理氣體的放電。藉由伴隨該放電激發處理氣體的方式，生成處理氣體之電漿。以下，將藉由像這樣在電流的振幅較大之位置(區域)的附近所形成之高頻磁場而生成之處理氣體的電漿稱為ICP(Inductively Coupled Plasma)成分的電漿。如圖2所示般，ICP成分之電漿，係圓環狀地被集中生成於「沿著上側容器210內之內壁面的空間中之成為共振線圈212的兩端及中點之附近」的區域(以虛線所示之區域)。
另一方面，如圖2所示般，電壓之駐波的振幅，係在共振線圈212之兩端(下端與上端)及中點處成為最小(理想為0)，振幅，係在其間的位置處成為最大。在 此，圖2之左側的波形，係表示在與共振線圈212相隔距離d1的位置(亦即上側容器210之內壁面位置)中之因應共振線圈212之電壓的振幅所形成之高頻電場的強度。在電流的振幅最大之位置的附近，係形成具有特別大之電場強度的高頻磁場，藉由該高頻電場會產生被供給至上側容器210內之電漿生成空間內之處理氣體的放電。藉由伴隨該放電激發處理氣體的方式，生成處理氣體之電漿。以下，將藉由像這樣在電壓的振幅較大之位置(區域)的附近所形成之高頻電場而生成之處理氣體的電漿稱為CCP(Capacitively Coupled Plasma)成分的電漿。如圖2所示般，ICP成分之電漿，係圓環狀地被集中分別生成於「沿著上側容器210內之內壁面的空間中之共振線圈212的下端與中點之間及上端與中點之間」的區域(以虛線所示之區域)。
在此，從CCP成分之電漿，係生成自由基或離子等的反應種或電子(電荷)。此時所生成之正電子(電荷)，係藉由生成CCP成分之電漿的電場被拉引至上側容器210之內壁側，上側容器210之內壁，係以正電子(電荷)予以充電。如此一來，藉由激發CCP成分之電漿的方式而生成之負離子(特別是，質量較大之負離子)，係朝向藉由正電子(電荷)所充電之內壁加速而碰撞內壁。因此，會產生上側容器210之內壁面被濺鍍，而導致構成內壁面之材料的成分被放出．擴散於處理室201內這樣的課題。在本實施形態的情況下，因構成內壁面之石英構件被濺鍍，從而使 構成石英之矽(Si)或氧(O)等的成分被放出於處理室201內。
所放出之Si或O等的成分，係作為雜質被混入至藉由電漿處理所形成之氮化膜等的膜中，有使膜之特性降低的可能性。又，亦有因內壁面被濺鍍，從而使處理室201內產生微粒的情形，且有造成微粒附著於基板上的膜表面而使元件之性能或良率降低等的影響之可能性。
因此，從防止濺鍍發生於上側容器201之內壁面這樣的觀點來看，係抑制CCP成分的電漿產生為較佳。
<本實施形態之共振線圈的捲徑>
圖3，係表示本實施形態之共振線圈212之捲徑與電漿生成的態樣。本實施形態之共振線圈212的捲徑被構成為因應共振線圈212上之位置而不同，該點與比較例者不同。
如圖3所示般，即便在本實施形態中，亦在共振線圈212之線路上，形成具有所供給之高頻電力的1波長程度之長度之電流及電壓的駐波。因此，電流之駐波的振幅，係在共振線圈212之兩端(下端與上端)及中點處成為最大。亦即，電壓之駐波的振幅，係在共振線圈212之兩端(下端與上端)及中點處成為最小(理想為0)，振幅，係在其間的位置處成為最大。
在此，在本實施形態中，係以使該些點(本 實施形態，係3點)中之線圈間隔距離成為共振線圈212的全部區間中最小之距離的方式，設定線圈之捲徑。在本實施形態中，係將該最小之距離設成為距離d1。
更具體而言，在本實施形態中，係以將「從共振線圈212之下端起至上側容器之外周捲繞1圈程度的區間、以中點為中央而相同地捲繞1圈程度的區間及從上端起相同地捲繞1程度的區間」中之線圈間隔距離設成為d1的方式，設定線圈之捲徑。
由於在本實施形態中，係以使「電流之駐波的振幅最大的點中之線圈間隔距離」成為共振線圈212的全部區間中最小之距離的方式，設定線圈之捲徑，因此，可在沿著上側容器210內之內壁面的空間，最集中地生成ICP成分的電漿。(亦即，可生成最高密度之ICP作分的電漿)。
另一方面，在本實施形態中，係將共振線圈212上之電壓之駐波的振幅最大的點中(本實施形態，係2點)之線圈間隔距離設成為與d1不同，且設成為共振線圈212的全部區間中最大之距離d2。更具體而言，在本實施形態中，係將除了使線圈間隔距離成為d1之區間以外的區間且至少包含共振線圈212上之電壓之駐波的振幅最大的點(在本實施形態，係2點)之區間中的線圈間隔距離設成為大於d1的最大距離d2。
由共振線圈212所形成之高頻電場的強度，係與自共振線圈212相隔的距離成反比。因此，如圖3之左側的波形所示般，將距離d1設成為距離d2，藉此，可降低 上側容器210的內壁面位置中之因應共振線圈212之電壓的振幅所形成之高頻電場的強度。例如，在將距離d1變更成d2=35mm的情況下，上側容器210的內壁面位置中之電場強度，係被降低成15mm/35mm=約0.43倍。
由於在電壓的振幅較大之位置(區域)的附近所形成之高頻電場的強度被降低，因此，抑制了藉由該高頻電場所生成之處理氣體的CCP成分之電漿的形成，並降低電漿密度。
因此，由於從CCP成分之電漿所生成的負離子與正電子(電荷)減少或藉由共振線圈212所形成之電場的強度被降低，故該些負離子因該電場而朝向對上側容器210之內壁所充電的正電子(電荷)加速並濺鍍上側容器210之內壁面這樣的現象會得到抑制。
亦即，可抑制構成內壁面之材料的成分被放出．擴散於處理室201內。特別是，在本實施形態之情況下，與比較例的情形相比，可降低構成內壁面的石英構件之Si或O等的成分被放出於處理室201內的量。
由於所放出之Si或O的量被降低，因此，可抑制作為雜質被混入至藉由電漿處理所形成之氮化膜等的膜中之情形，並使膜之特性提升。又，由於藉由內壁面被濺鍍的方式，亦降低在處理室201內產生之微粒的量，因此，亦可使元件之性能或良率提升。
又，由於抑制濺鍍發生於內壁面，因此，亦可抑制上側容器210之損傷。
由於在本實施形態中，係以使「電壓之駐波的振幅最大的點中之線圈間隔距離」成為共振線圈212的全部區間中最大之距離的方式，設定線圈之捲徑，因此，可選擇性地抑制在沿著上側容器210內之內壁面的空間生成CCP成分的電漿。
另外，距離d1及d2之具體值，係亦可因應被供給至共振線圈212之高頻電力的大小或共振線圈212的粗細、雜質混入至所允許之膜中的混入量或微粒量、所期望之(特別是上側容器210的周方向中之)電漿密度之均勻性的程度等的其他條件來進行適當地調整。
<關於距離d2之值>
從降低上側容器210的內壁面位置中之電場強度這樣的觀點來看，係距離d2儘可能大者為較佳。但是，亦考慮由CCP成分的電漿所生成之反應種也利用於基板之電漿處理這樣的觀點，亦可將距離d2設成為大於d1之預定範圍的值。例如，亦可將距離d2設成為30~50mm之範圍之值的方式，一面抑制濺鍍的發生，一面使反應種之生成效率維持於容許範圍內。
<關於設成為距離d1之區間之共振線圈的捲繞數>
在本實施形態中，係特別是在將「從共振線圈212之下端沿著上側容器之外周捲繞1圈程度的區間、以中點為中央相同地捲繞1圈程度的區間及從上端起相同地捲繞1圈 程度的區間」這樣的3個區間中，將線圈間隔距離設成為距離d1。
另一方面，從抑制濺鍍發生這樣的觀點來看，係亦考慮僅將電流之駐波的振幅最大之共振線圈212的兩端(下端與上端)及中點設成為距離d1而接近上側容器210，且將除此以外之區間皆設成為距離d2而從上側容器210遠離。但是，在該情況下，上側容器210內所產生之電漿密度會僅在該些3點的附近位置變大，且上側容器210內所產生之電漿密度的偏差會在共振線圈212之周方向(亦即上側容器之周方向)變大。
在本實施形態中，係從該些3點沿著上側容器210之外周，在至少捲繞1圈程度的區間將線圈間隔距離設成為距離d1，藉此，可減小共振線圈212的周方向中之電漿密度的偏差。
又，作為其他實施例，為了更減小藉由成為距離d1的區間而生成之電漿的密度之共振線圈212的周方向中之偏差，亦可針對從該些3點沿著上側容器210之外周捲繞複數圈程度的區間，將線圈間隔距離設成為距離d1。但是，在該情況下，由於在共振線圈212上，自該3點相隔的距離越大，則在其位置所形成之高頻電場的強度越大，且CCP成分之電漿密度越大，因此，濺鍍之抑制效果便降低。因此，為了更大地獲得濺鍍之抑制效果，係特別使成為距離d1的區間設成為1捲繞程度為較佳。
<關於包含中點的區間之共振線圈的形狀>
又，特別是關於包含共振線圈212的中點之捲繞1圈程度的區間，係在其區間之兩端(從共振線圈212之軸方向觀看)重疊部分的附近，其強度因高頻磁場重疊而易變得比捲繞1圈程度之區間內的其他區間大，且易產生上側容器210的周方向中之電漿密度的偏差。
因此，作為其他實施例，如圖9所示般，亦可以使成為距離d1之捲繞1圈程度的區間中之共振線圈212的中心軸位置B(水平方向中之中心位置)從上側容器210之中心軸位置A(水平方向中之中心位置)向該兩端重疊部分C之方向偏移的方式，形成共振線圈212。
又，為了降低上述之電漿密度的偏差，作為另一其他實施例，亦可以使捲繞1圈程度之區間的兩端重疊部分的附近區間中之線圈間隔距離成為比捲繞1圈程度的區間內之其他區間大的方式，形成共振線圈212之捲繞1圈程度的區間。而且，關於在捲繞1圈程度的區間中高頻磁場之強度最大之共振線圈212的中點，亦可以使線圈間隔距離比捲繞1圈程度的區間內之其他區間大的方式，形成共振線圈212。
<關於設成為距離d1或d2之區間以外的區間中之線圈間隔距離>
又，在本實施形態中，係以使線圈間隔距離成為距離d2的方式，對設成為上述之距離d1的區間以外之區間全體 進行設定，藉此，將CCP成分的電漿所致之濺鍍的發生抑制為最小限度。另一方面，作為本實施形態之變形例，亦可因應由(形成CCP成分之電漿)共振線圈212所形成之高頻電場或高頻磁場的強度，調整設成為上述的距離d1或d2之區間以外的區間中之線圈間隔距離。
在本變形例中，在共振線圈212上之電壓的駐波之振幅最大的點中，係將線圈間隔距離設成為最大(在本變形例中，係距離d2)，在電壓的駐波之振幅最大的點與最小的點之間的區間中，係考慮ICP成分之電漿與CCP成分之電漿的平衡，將線圈間隔距離設定成d1至d2之間的值。
更具體而言，係例如圖10所示的構成般，僅在電壓的駐波之振幅最大的點或其附近(最長不過捲繞1圈程度)，將線圈間隔距離設成為d2。而且，在電壓的駐波之振幅最大的點與最小的點之間的區間中，係以隨著遠離電壓的駐波之振幅最大的點(亦即，隨著電壓的駐波之振幅變小)，線圈間隔距離亦變小的方式(亦即以接近距離d1的方式)，進行設定。例如，亦可以與電壓的駐波之振幅成比例的方式，減小線圈間隔距離。藉由像這樣地設定線圈間隔距離的方式，CCP成分的電漿所致之濺鍍的抑制效果，雖係比本實施形態差，但與本實施形態相比，可將相對於朝共振線圈212的供給電力之電漿的生成效率更提高。
(控制部)
作為控制部之控制器221，係被構成為分別通過信號線A控制APC閥242、閥243b及真空泵246，通過信號線B控制基座升降機構268，通過信號線C控制加熱器電力調整機構276及阻抗可變機構275，通過信號線D控制閘閥244，通過信號線E控制RF感測器272、高頻電源273及匹配器274，通過信號線F控制MFC252a~252c及閥253a~253c，243a。
如圖4所示般，控制部(控制手段)即控制器221，係被構成為具備有CPU(Central Processing Unit)221a、RAM(Random Access Memory)221b、記憶裝置221c、I/O埠221d的電腦。RAM221b、記憶裝置221c、I/O埠221d，係被構成為可經由內部匯流排221e與CPU221a進行資料交換。在控制器221，係例如連接有被構成為觸控面板或顯示器等的輸入輸出裝置222。
記憶裝置221c，係由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等而構成。在記憶裝置221c內，係可讀取地儲存有控制基板處理裝置之動作的控制程式，或記載了後述之基板處理之程序或條件等的製程配方等。製程配方，係以可使控制器221執行後述之基板處理工程中的各程序而獲得預定結果的方式所組合而成者，並且作為程式而發揮功能。以下，亦將該程式配方或控制程式等總括地簡稱為程式。另外，在本說明書中，在使用了程式這樣的術語之情況下，係存在僅包含程式配方單體的情形、僅包含控制程式單體的情形、或包含該兩者的 情形。RAM221b，係被構成為暫時性地保持藉由CPU221a所讀取到之程式或資料等的記憶體區域(工作區)。
I/O埠221d，係被連接於上述的MFC252a~252c、閥253a~253c、243a、243b、閘閥244、APC閥242、真空泵246、RF感測器272、高頻電源273、匹配器274、基座升降機構268、阻抗可變機構275、加熱器電力調整機構276等。
CPU221a，係被構成為從記憶裝置221c讀出並執行控制程式，並且因應來自輸出入裝置222之操作指令的輸入等，從記憶裝置221c讀出製程配方。而且，CPU221a，係被構成為以沿著所讀取到之製程配方之內容的方式，通過I/O埠221d及信號線A控制APC閥242之開合度調整動作、閥243b之開關動作及真空泵246之起動．停止，通過信號線B控制基座升降機構268之升降動作，通過信號線C控制加熱器電力調整機構276所致之朝加熱器217b的供給電力量調整動作(溫度調整動作)或阻抗可變機構275所致之阻抗值調整動作，通過信號線D控制閘閥244之開關動作，通過信號線E控制RF感測器272、匹配器274及高頻電源273之動作，通過信號線F控制MFC252a~252c所致之各種氣體的流量調整動作及閥253a~253c、243a之開關動作等。
控制器221，係可藉由將被儲存於外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟片或硬碟等的磁碟、CD或DVD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體或記憶卡等的半導 體記憶體)223之上述之程式安裝至電腦的方式來進行構成。記憶裝置221c或外部記憶裝置223，係被構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，亦將該些總括地簡稱為記錄媒體。在本說明書中，在使用了記錄媒體這樣的術語之情況下，係存在僅包含記憶裝置221c單體的情形、僅包含外部記憶裝置223單體的情形、或包含該兩者的情形。另外，對電腦之程式的提供，係亦可不使用外部記憶裝置223而使用網際網路或專用線路等的通信手段來進行。
(2)基板處理工程
其次，主要使用圖5，說明關於本實施形態之基板處理工程。圖5，係表示本實施形態之基板處理工程的流程圖。本實施形態之基板處理工程，係例如作為快閃記憶體等的半導體元件之製造工程的一工程，藉由上述的處理裝置100加以實施。在以下的說明中，構成處理裝置100之各部的動作，係藉由控制器221加以控制。
另外，在以本實施形態之基板處理工程所處理的晶圓200之表面，係例如如圖6所示般，至少表面由矽之層所構成，並預先形成具有縱橫比高之凹凸部的溝槽301。在本實施形態中，係對露出於溝槽301之內壁的矽層，進行作為使用了電漿之處理的氮化處理。溝槽301，係例如藉由在晶圓200上形成施予了預定圖案之遮罩層302，並將晶圓200表面蝕刻至預定深度的方式所形成。
(基板搬入工程S110)
首先，將上述之晶圓200搬入至處理室201內。具體而言，係基座升降機構268使基座217下降至晶圓200的搬送位置，且使晶圓頂銷266貫通基座217的貫通孔217a。其結果，晶圓頂銷266成為比基座217表面更突出預定高度量的狀態。
接著，開啟閘閥244，從鄰接於處理室201之真空搬送室，使用晶圓搬送機構(未圖示)將晶圓200搬入至處理室201內。所搬入之晶圓200，係以水平姿勢被支撐於從基座217之表面突出的晶圓頂銷266上。將晶圓200搬入至處理室201內後，使晶圓搬送機構退避至處理室201，關閉閘閥244，將處理室201內封閉。而且，基座升降機構268使基座217上升，藉此，晶圓200，係被支撐於基座217的上面。
(升溫．真空排氣工程S120)
接著，進行被搬入至處理室201內之晶圓200的升溫。加熱器217b被預先加熱，將晶圓200保持於埋入有加熱器217b之基座217上，藉此，例如將晶圓200加熱至150~750℃內之範圍內的預定值。在此，係將晶圓200之溫度加熱至700℃。又，在進行晶圓200的升溫之間，藉由真空泵246，經由氣體排氣管231對處理室201內進行真空排氣，使處理室201內的壓力成為預定值。真空泵246，係至少先作動至後述的基板搬出工程S160結束。
(反應氣體供給工程S130)
其次，開始供給作為反應氣體之含氮氣體即N2氣體與含氫氣體即H2氣體。具體而言，係一面開啟閥253a及253b並以MFC252a及252b進行流量控制，一面開始對處理室201內供給N2氣體及H2氣體。此時，將N2氣體之流量設成為例如20~5000sccm，較佳為20~1000sccm之範圍內的預定值。又，將H2氣體之流量設成為例如20~1000sccm，較佳為20~500sccm之範圍內的預定值。N2氣體與H2氣體之流量比，係設成為N2氣體：H2氣體=1：10~10：1之範圍內的預定比率例如1：1。
又，以使處理室201內之壓力成為1~250Pa之範圍內的預定壓力，較佳為1~5Pa的方式，調整APC閥242之開合度且控制處理室201內的排氣。如此一來，繼續供給N2氣體及H2氣體直至後述的電漿處理工程S140結束時。
另外，在本實施形態中，雖說明了關於供給作為含氮氣體之N2氣體與H2氣體的混合氣體之例子，但並不限於此，亦可應用於使用N2氣體或氨(NH3)等的情形。
(電漿處理工程S140)
處理室201內的壓力穩定後，從高頻電源273經由RF感測器272對共振線圈212開始施加高頻電力。在本實施形態中，係從高頻電源273對共振線圈212供給27.12MHz的高頻電力。供給至共振線圈212之高頻電力，係例如100~ 5000W之範圍內的預定電力，較佳為100~3500W，更佳為約3500W。在電力低於100W的情況下，難以穩定地產生電漿放電。
藉此，感應電漿在供給有N2氣體及H2氣體之上側容器210內的電漿生成空間激發。電漿狀之N2氣體及H2氣體，係解離而生成包含有氮之氮自由基(氮活性種)或包含有氮離子、氫之氫自由基(氫活性種)或氫離子等的反應種。藉由感應電漿所生成之自由基與未加速之狀態的離子，係被均勻地供給至晶圓200的表面，並與形成於晶圓200之表面的矽層均勻地產生反應，將Si層改質成階梯覆蓋能力良好的SiN層。
其後，經過預定處理時間例如10~300秒後，停止來自高頻電源273之電力的輸出，且停止處理室201內之電漿放電。又，關閉閥253a及253b，且停止對處理室201內供給N2氣體及H2氣體。藉此，電漿處理工程S140結束。
(真空排氣工程S150)
停止N2氣體及H2氣體之供給後，經由氣體排氣管231對處理室201內進行真空排氣。藉此，將處理室201內之N2氣體或H2氣體、藉由該些氣體之反應而產生的排氣等排出至處理室201外。其後，調整APC閥242之開合度，將處理室201內之壓力調整成與鄰接於處理室201之真空搬送室(晶圓200之搬出目的地。未圖示)相同的壓力(例如100 Pa)。
(基板搬出工程S160)
處理室201內成為預定壓力後，使基座217下降至晶圓200的搬送位置，並使晶圓200支撐於晶圓頂銷266上。而且，開啟閘閥244，並使用晶圓搬送機構，將晶圓200搬出至處理室201外。藉由以上，結束本實施形態之基板處理工程。
(本實施形態之效果)
基於發明者實施的驗證結果，說明關於本實施形態之效果。
在以下的第1驗證及第2驗證中，係皆使用了上述的本實施形態之基板處理裝置。但是，比較例1及2，係將共振線圈212之捲徑設成為距離d1=15mm且固定，差異點在於，實施例1~4，係將共振線圈212之捲徑設成為如上述的實施例般，根據共振線圈212上之位置而在距離d1與d2有所不同。
<第1驗證>
在第1驗證中，係使用作為被處理基板即晶圓200的Si裸晶圓，對Si裸晶圓施予上述的實施形態中之氮化處理，在基板表面上形成矽氮化膜(SiN膜)。而且，藉由對形成之SiN膜中所含的氧濃度進行測定之方式，藉由氮化處理 來評估被混入至膜中之氧成分的量。
在比較例1、實施例1中，係進行形成厚度為15Å之SiN膜的氮化處理。另外，在比較例1、實施例1中，在反應氣體供給工程S130中被供給至處理室201之N2氣體及H2氣體的流量，係分別設成為100sccm及50sccm，處理室201內之壓力，係設成為5Pa，晶圓之溫度，係設成為700℃。又，供給至共振線圈212之高頻電力的大小及供給時間，係分別設成為500W/120秒及350W/120秒。
在圖7中表示第1驗證之結果。縱軸，係表示在各例中形成之SiN膜中所含有的氧濃度(原子濃度)。又，右端部之「參考(未處理)」，係指評估不進行氮化處理之未處理的Si裸晶圓之表層之氧濃度的結果。
如圖7所示般可知，比較例1之SiN膜中的氧濃度，係24.5atomic%，相對於此，本實施形態之實施例1之SiN膜中的氧濃度，係17.9atomic%，與比較例1相比較，實施例1之被混入至膜中的氧量明顯降低。亦即，可推測藉由如本實施形態般地設定共振線圈212之捲徑的方式，抑制起因於上側容器210之內壁面的濺鍍之氧成分的放出．擴散。
另外，作為參考之未處理Si裸晶圓之表層含有7.5atomic%的氧，係由於氧因Si裸晶圓自然氧化而混入之緣故。
<第2驗證>
在第2驗證中，係使用在表面形成有氧化鋁膜(AlO 膜)之晶圓作為被處理基板即晶圓200，對AlO膜施予上述的實施形態中之氮化處理，在基板表面上形成氮氧化鋁膜(AlON膜)。而且，藉由對形成之AlON膜中所含的矽濃度進行測定之方式，藉由氮化處理來評估被混入至膜中之矽成分的量。
在比較例2、實施例2~4中，係皆在反應氣體供給工程S130中，將被供給至處理室201之N2氣體的流量設成為200sccm，並將H2氣體的流量設成為0sccm。(亦即僅供給N2氣體。)又，處理室201內之壓力，係設成為5Pa，晶圓之溫度，係設成為700℃。又，供給至共振線圈212之高頻電力的大小及供給時間，係分別設成為1kW/300秒、1.5kW/300秒、1kW/120秒、500W/300秒。
在圖8中表示第2驗證之結果。縱軸，係表示在各例中形成之AiON膜中所含有的矽濃度(原子濃度)。
如圖8所示般可知，比較例2之AlON膜中的矽濃度，係5.2atomic%，相對於此，本實施形態之實施例2~4之AlON膜中的矽濃度，係分別為1.1atomic%、0.3atomic%、0.2atomic%，與比較例2相比較，實施例2~4之被混入至膜中的矽量明顯降低。特別是，即便在使高頻電力之值大於比較例2的實施例2中，亦可獲得所混入之矽量被大幅降低這樣的結果。亦即，可推測藉由如本實施形態般地設定共振線圈212之捲徑的方式，抑制起因於上側容器210之內壁面的濺鍍之矽成分的放出．擴散。
<本發明之其他實施形態>
在上述的實施形態中，雖係將共振線圈212之上端、下端及中點的線圈間隔距離設成為d1，但作為其他實施形態，可如圖11所示般，以使共振線圈212之上端及下端的線圈間隔距離亦與中點以外之區間相同地設成為距離d2的方式，構成共振線圈212。亦即，在本實施形態中，係僅針對沿著包含共振線圈212的中點之上側容器210之外周捲繞1圈程度的區間，將線圈間隔距離設成為d1。
在此，在上述的實施形態中，係與共振線圈212之上端及下端附近所產生的電漿相比，中點附近所產生的電漿者具有上側容器210的周方向中之密度的均勻性優異的傾向。因此，在本實施形態中，係增大共振線圈212之上端及下端的線圈間隔距離，使從該些位置產生之高頻磁場的上側容器210內之強度下降，僅選擇性地生成中點附近所產生之均勻性優異的電漿。因此，從使上側容器210的周方向之電漿密度的均勻性提升這樣的觀點來看，本實施形態，係通常優於上述的實施形態。但是，從重視反應種之生成效率的觀點來看，亦利用共振線圈212之上端及下端附近所產生的電漿之上述的實施形態者為較佳。
<本發明之又一其他實施形態>
在上述的實施形態中，雖係說明了關於使用電漿對基板表面進行氮化處理的例子，但除此之外，亦可應用於使 用了含氧氣體作為處理氣體的氧化處理。又，不限於氮化處理或氧化處理，可應用於使用電漿對基板施予處理的所有技術。例如，可應用於使用電漿而實施之對被形成於基板表面之膜進行的改質處理或摻雜處理、氧化膜的還原處理、對該膜進行的蝕刻處理、光阻的灰化處理等。
而且，在上述的實施形態中，雖係說明了關於使用石英作為可產生濺鍍之上側容器210的材質之例子，但除此之外，亦可應用於使用Al2O3或氮化矽(SiC)等的其他材質之情形。亦即，可抑制構成上側容器210之材質所含的成分被混入至被處理對象之情形，或抑制產生微粒之情形。
[產業上之可利用性]
根據本發明，可在處理室內，降低對於使處理氣體電漿激發之際而產生之處理室內壁等的濺鍍發生。
100:處理裝置
200:晶圓
201:處理室
202:處理爐
203:處理容器
210:上側容器
211:下側容器
212:線圈
213:可動分接頭
214:固定接地
215:可動分接頭
217:基座
217a:貫通孔
217b:加熱器
217c:電極
221:控制器
223:遮蔽板
231:氣體排氣管
232a:含氮氣體供給管
232b:含氫氣體供給管
232c:惰性氣體供給管
233:蓋體
234:氣體導入口
235:氣體排氣口
236:氣體供給頭
237:緩衝室
238:開口
239:氣體吹出口
240:遮蔽板
242:APC閥
243a:閥
243b:閥
244:閘閥
245:搬入搬出口
246:真空泵
248:底板
250a:N2氣體供給源
250b:H2氣體供給源
250c:Ar氣體供給源
252a:MFC
252b:MFC
252c:MFC
253a:閥
253b:閥
253c:閥
266:晶圓頂銷
268:基座升降機構
272:RF感測器
273:高頻電源
274:匹配器
275:阻抗可變機構
276:加熱器電力調整機構

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係，具有：電漿容器，將處理氣體進行電漿激發；基板處理室，連通於前述電漿容器；氣體供給系統，被構成為將前述處理氣體供給至前述電漿容器內；及線圈，被設置成捲繞於前述電漿容器之外周，並被構成為供給高頻電力，前述線圈，係被形成為使「施加至前述線圈之電壓的駐波之振幅最大的前述線圈上之位置處之從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離d2」在從前述線圈之一端至另一端的區間中成為最大，且被形成為在「從前述線圈之一端捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間、從前述線圈之另一端捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間及以前述線圈之中點為中央而捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間」中，使從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離小於前述距離d2。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述線圈，係從形成為圓筒形之前述電漿容器的中心軸位置觀看，被形成為使「以前述線圈之中點為中央而捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間所構成」之圓的中心位置向「以前述線圈之中點為中央而捲繞前述電漿容器之外 周1圈的區間之兩端重疊」的位置之方向偏離。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述線圈，係被形成為使前述距離d2成為30~50mm之範圍的預定值。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述線圈，係被形成為在施加至前述線圈之電壓值之駐波的振幅最小之位置的至少一個中，使從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離成為最小。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述線圈，係被形成為在施加至前述線圈之電流值之駐波的振幅最大之位置的至少一個中，使從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離成為最小。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，供給至前述線圈之電流值之駐波的振幅最大之位置的至少一個，係前述線圈之中點，前述線圈，係被形成為使前述線圈的中點處之從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離成為最小。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，供給至前述線圈之電流值之駐波的振幅最大之位置， 係包含前述線圈的一端及另一端，前述線圈，係被形成為在「從前述線圈之一端捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間、從前述線圈之另一端捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間及以前述線圈之中點為中央而捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間」中，使從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離d1成為最小，且被形成為在從前述線圈之一端至另一端中除了「從前述線圈之一端捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間、從前述線圈之另一端捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間及以前述線圈之中點為中央而捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間」以外之區域中，使從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離大於前述距離d1。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，前述線圈，係被形成為在以前述線圈之中點為中央而捲繞前述電漿容器之外周複數次的區間中，使從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離成為最小。
  9. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，前述線圈，係被形成為在僅以前述線圈之中點為中央而捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間中，使從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離成為最小。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 前述線圈，係被形成為使與前述電壓之駐波的振幅成比例而從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離隨著遠離施加至前述線圈之電壓的駐波之振幅最大的位置而變小。
  11. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，具有：高頻電源，被構成為將高頻電力供給至前述線圈；感測器，檢測來自前述線圈之反射電力的值；及控制部，被構成為基於藉由前述感測器所檢測到之前述反射電力的值，以使前述反射電力成為最小的方式，控制前述高頻電源。
  12. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述線圈，係具有前述高頻電力之波長之1倍的電氣長度。
  13. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵係，具有：將基板搬入至連通於電漿容器之基板處理室的工程；將前述處理氣體供給至前述電漿容器內的工程；藉由將高頻電力供給至捲繞於前述電漿容器之外周而設置的線圈之方式，使被供給至前述電漿容器內之前述處理氣體電漿激發的工程；及藉由經激發之電漿來處理前述基板的工程， 前述線圈，係被形成為使「施加至前述線圈之電壓的駐波之振幅最大的前述線圈上之位置處之從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離d2」在從前述線圈之一端至另一端的區間中成為最大，且被形成為在「從前述線圈之一端捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間、從前述線圈之另一端捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間及以前述線圈之中點為中央而捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間」中，使從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離小於前述距離d2。
  14. 一種電腦可讀取之記錄媒體，係記錄有藉由電腦使基板處理裝置執行如下述般之程序的程式，其程序，係包含：將基板搬入至連通於電漿容器之前述基板處理裝置之基板處理室的程序；將處理氣體供給至前述電漿容器內的程序；藉由將高頻電力供給至捲繞於前述電漿容器之外周而設置的線圈之方式，使被供給至前述電漿容器內之前述處理氣體電漿激發的程序；及藉由經激發之電漿來處理前述基板的程序，該電腦可讀取之記錄媒體，其特徵係，前述線圈，係被形成為使「施加至前述線圈之電壓的駐波之振幅最大的前述線圈上之位置處之從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離d2」在從前述線圈之一端至另一端的區間中成為最大，且被形成為在「從前述線圈之一端捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間、從前述線圈之另一端捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間及以前述線 圈之中點為中央而捲繞前述電漿容器之外周1圈的區間」中，使從前述線圈的內周至前述電漿容器的內周之距離小於前述距離d2。
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