WO2019082569A1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 - Google Patents

基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体

Info

Publication number
WO2019082569A1
WO2019082569A1 PCT/JP2018/035217 JP2018035217W WO2019082569A1 WO 2019082569 A1 WO2019082569 A1 WO 2019082569A1 JP 2018035217 W JP2018035217 W JP 2018035217W WO 2019082569 A1 WO2019082569 A1 WO 2019082569A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
coil
plasma
inner periphery
distance
substrate processing
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/035217
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
保井　毅
克典 舟木
室林　正季
幸一郎 原田
Original Assignee
株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ filed Critical 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
Priority to SG11202002442XA priority Critical patent/SG11202002442XA/en
Priority to JP2019526629A priority patent/JP6636677B2/ja
Priority to KR1020197020190A priority patent/KR102073533B1/ko
Priority to CN201880059829.5A priority patent/CN111096082B/zh
Publication of WO2019082569A1 publication Critical patent/WO2019082569A1/ja
Priority to US16/821,511 priority patent/US11837440B2/en
Priority to US18/527,833 priority patent/US20240105423A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02247—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by nitridation, e.g. nitridation of the substrate

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus, a method of manufacturing a semiconductor device, and a recording medium.
  • a process of performing a predetermined process such as a nitriding process on a substrate is performed as one process of a manufacturing process.
  • Patent Document 1 discloses that a pattern surface formed on a substrate is reformed using a plasma-excited processing gas.
  • the present invention provides a technique for reducing the occurrence of sputtering on the inner wall of a processing chamber or the like that is generated when the processing gas is plasma-excited in the processing chamber.
  • a plasma container in which a processing gas is plasma excited
  • a substrate processing chamber in communication with the plasma container
  • a gas supply system configured to supply the processing gas into the plasma container.
  • a coil provided to be wound around the outer periphery of the plasma container and configured to be supplied with high frequency power, and the coil has a coil diameter depending on a position between one end and the other end.
  • a substrate processing apparatus is provided, which is formed differently and is formed so as to maximize a coil diameter at a position where the amplitude of a standing wave of a voltage applied to the coil is maximized.
  • FIG. 16 is a graph showing the silicon concentration in the AlON film formed in Comparative Example 2 and Examples 2 to 4 in the second verification. It is explanatory drawing which shows the relationship of the central axis position of a resonance coil, and the central axis position of an upper side container based on the Example of one Embodiment of this invention.
  • the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
  • the substrate processing apparatus according to the present embodiment is configured to mainly perform oxidation processing on a film formed on a substrate surface.
  • the processing apparatus 100 includes a processing furnace 202 for plasma processing the wafer 200.
  • the processing furnace 202 is provided with a processing container 203 which constitutes the processing chamber 201.
  • the processing container 203 includes a dome-shaped upper container 210, which is a first container, and a bowl-shaped lower container 211, which is a second container.
  • the processing chamber 201 is formed by covering the upper container 210 on the lower container 211.
  • the upper container 210 is formed of, for example, a nonmetallic material such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or quartz (SiO 2 ), and the lower container 211 is formed of, for example, aluminum (Al).
  • the upper container 210 is formed of quartz.
  • the upper side container 210 comprises the plasma container which forms the below-mentioned plasma production space.
  • a gate valve 244 is provided on the lower side wall of the lower container 211.
  • the transfer mechanism may be used to load the wafer 200 into the processing chamber 201 or unload the wafer 200 out of the processing chamber 201 through the loading / unloading port 245. It is configured to be able to.
  • the gate valve 244 is configured to be a gate valve that maintains the airtightness in the processing chamber 201.
  • the processing chamber 201 includes a plasma generation space around which a coil 212 is provided, and a substrate processing space as a substrate processing chamber in communication with the plasma generation space and in which the wafer 200 is processed.
  • the plasma generation space is a space in which plasma is generated, which is a space in the processing chamber above the lower end of the resonant coil 212 and below the upper end of the resonant coil 212.
  • the substrate processing space is a space where the substrate is processed using plasma, and refers to a space below the lower end of the resonant coil 212.
  • the diameters in the horizontal direction of the plasma generation space and the substrate processing space are configured to be substantially the same.
  • a susceptor 217 As a substrate placement unit on which the wafer 200 is placed is disposed.
  • the susceptor 217 is formed of, for example, a nonmetallic material such as aluminum nitride, ceramics, or quartz, and is configured to be able to reduce metal contamination on a film or the like formed on the wafer 200.
  • a heater 217 b as a heating mechanism is integrally embedded in the susceptor 217.
  • the heater 217 b is configured to be able to heat the surface of the wafer 200 to, for example, about 25 ° C. to about 750 ° C. when power is supplied.
  • the susceptor 217 is electrically insulated from the lower container 211.
  • the impedance adjustment electrode 217 c is provided inside the susceptor 217 in order to further improve the uniformity of the density of plasma generated on the wafer 200 placed on the susceptor 217, and an impedance variable mechanism as an impedance adjustment unit It is grounded via 275.
  • the variable impedance mechanism 275 includes a coil and a variable capacitor, and changes the impedance from about 0 ⁇ to the parasitic impedance value of the processing chamber 201 by controlling the inductance and resistance of the coil and the capacitance value of the variable capacitor. It is configured to be able to.
  • the potential (bias voltage) of the wafer 200 can be controlled via the impedance adjustment electrode 217 c and the susceptor 217.
  • the uniformity of the density of plasma generated on the wafer 200 can be improved. Therefore, when the uniformity of the density of plasma falls within a desired range, impedance can be obtained.
  • Bias voltage control using the adjustment electrode 217c is not performed.
  • the electrode 217 c may not be provided on the susceptor 217.
  • the bias voltage control may be performed for the purpose of further improving the uniformity.
  • the susceptor 217 is provided with a susceptor raising and lowering mechanism 268 including a drive mechanism for raising and lowering the susceptor.
  • a through hole 217 a is provided in the susceptor 217, and a wafer push-up pin 266 is provided on the bottom surface of the lower container 211.
  • the through holes 217 a and the wafer push-up pins 266 are provided at at least three locations at mutually opposing positions.
  • the wafer push-up pin 266 is configured to pierce through the through hole 217a without contacting the susceptor 217.
  • the susceptor 217, the heater 217b, and the electrode 217c mainly constitute a substrate placement unit according to the present embodiment.
  • a gas supply head 236 is provided above the processing chamber 201, that is, above the upper container 210.
  • the gas supply head 236 includes a cap-like lid 233, a gas inlet 234, a buffer chamber 237, an opening 238, a shielding plate 240, and a gas outlet 239. It is configured to be able to supply.
  • the buffer chamber 237 has a function as a dispersion space for dispersing the reaction gas introduced from the gas inlet 234.
  • the downstream end of the pipe 232b and an inert gas supply pipe 232c for supplying argon (Ar) gas as an inert gas are connected so as to be merged.
  • the nitrogen-containing gas supply pipe 232a is provided with an N 2 gas supply source 250a, a mass flow controller (MFC) 252a as a flow rate control device, and a valve 253a as an on-off valve in this order from the upstream side.
  • MFC mass flow controller
  • an H 2 gas supply source 250b, an MFC 252b, and a valve 253b are provided in this order from the upstream side.
  • An Ar gas supply source 250c, an MFC 252c, and a valve 253c are provided in the inert gas supply pipe 232c in this order from the upstream side.
  • a valve 243 a is provided on the downstream side where the nitrogen-containing gas supply pipe 232 a, the hydrogen-containing gas supply pipe 232 b and the inert gas supply pipe 232 c merge, and is connected to the upstream end of the gas inlet 234.
  • valves 253a, 253b, 253c, 243a By opening and closing the valves 253a, 253b, 253c, 243a, the flow rates of the respective gases are adjusted by the MFCs 252a, 252b, 252c, and the nitrogen-containing gas, the hydrogen gas-containing gas via the gas supply pipes 232a, 232b, 232c.
  • a processing gas such as an inert gas can be supplied into the processing chamber 201.
  • a gas supply unit gas supply system is configured.
  • the nitrogen-containing gas supply system according to the present embodiment is configured by the gas supply head 236, the nitrogen-containing gas supply pipe 232a, the MFC 252a, and the valves 253a and 243a.
  • the hydrogen gas supply system according to the present embodiment is configured by the gas supply head 236, the hydrogen-containing gas supply pipe 232b, the MFC 252b, and the valves 253b and 243a.
  • an inert gas supply system according to the present embodiment is configured by the gas supply head 236, the inert gas supply pipe 232c, the MFC 252c, and the valves 253c and 243a.
  • the substrate processing apparatus is configured to perform the nitriding process by supplying N 2 gas as the nitrogen-containing gas from the nitrogen-containing gas supply system, it is replaced by the nitrogen-containing gas supply system. It is also possible to provide a gas supply system for supplying another gas into the processing chamber 201. According to the substrate processing apparatus configured as described above, other plasma treatment processing can be performed instead of the nitriding processing of the substrate. In this case, another gas supply source is provided instead of the N 2 gas supply source 250 a.
  • a gas exhaust port 235 for exhausting the reaction gas from the inside of the processing chamber 201 is provided on the side wall of the lower container 211.
  • the upstream end of the gas exhaust pipe 231 is connected to the gas exhaust port 235.
  • the gas exhaust pipe 231 is provided with an APC (Auto Pressure Controller) valve 242 as a pressure regulator (pressure regulator) sequentially from the upstream side, a valve 243 b as an open / close valve, and a vacuum pump 246 as an evacuation device.
  • An exhaust unit according to this embodiment is mainly configured by the gas exhaust port 235, the gas exhaust pipe 231, the APC valve 242, and the valve 243b.
  • the vacuum pump 246 may be included in the exhaust unit.
  • a helical resonant coil 212 as a first electrode is provided on the outer periphery of the processing chamber 201, that is, on the outside of the side wall of the upper container 210 so as to surround the processing chamber 201.
  • Connected to the resonance coil 212 are an RF sensor 272, a high frequency power supply 273, and a matching unit 274 for matching the impedance and output frequency of the high frequency power supply 273.
  • the high frequency power supply 273 supplies high frequency power (RF power) to the resonant coil 212.
  • the RF sensor 272 is provided on the output side of the high frequency power supply 273 and monitors information of traveling waves and reflected waves of the supplied high frequency power.
  • the reflected wave power monitored by the RF sensor 272 is input to the matching unit 274, and based on the information of the reflected wave input from the RF sensor 272, the matching unit 274 reduces the reflected wave to a minimum. It controls the frequency of the impedance and the output high frequency power.
  • the high frequency power supply 273 is provided with a power control means (control circuit) including a high frequency oscillation circuit and a preamplifier for defining an oscillation frequency and an output, and an amplifier (output circuit) for amplifying to a predetermined output.
  • the power supply control means controls the amplifier based on output conditions regarding frequency and power preset through the operation panel.
  • the amplifier supplies a constant high frequency power to the resonance coil 212 via the transmission line.
  • the winding diameter, the winding pitch, and the number of turns of the resonant coil 212 are set to resonate at a certain wavelength, and a standing wave is formed on the resonant coil 212 to which high frequency power is supplied.
  • the electrical length of the resonant coil 212 is set to a length corresponding to an integral multiple (one time, two times,%) Of one wavelength at a predetermined frequency of the high frequency power supplied from the high frequency power supply 273.
  • the resonant coil 212 has a frequency of 0.01 to 10 gauss with high frequency power of 800 kHz to 50 MHz, 0.1 to 5 kW, for example.
  • the coil has an effective cross-sectional area of 50 to 300 mm 2 and a coil diameter of 200 to 500 mm so that it can generate a magnetic field of about 20 to 60 times around the outer periphery of the chamber forming the plasma generation space 201a. Be done.
  • the frequency of the high frequency power is set to 27.12 MHz, and the electrical length of the resonant coil 212 is set to a length of one wavelength (about 11 meters).
  • the winding pitch of the resonant coil 212 is provided, for example, at equal intervals of 24.5 mm.
  • the winding diameter (diameter) of the resonant coil 212 is set to be larger than the diameter of the wafer 200.
  • the diameter of the wafer 200 is ⁇ 300 mm
  • the winding diameter of the resonant coil 212 is set to ⁇ 500 mm or more, which is larger than the diameter of the wafer 200.
  • the winding diameter of the resonant coil 212 in the present embodiment is not constant, and at least a part of the winding diameter is formed to be different depending on the position from one end to the other end of the resonant coil 212 .
  • a copper pipe, a copper thin plate, an aluminum pipe, an aluminum thin plate, a material in which copper or aluminum is deposited on a polymer belt, or the like is used as a material for forming the resonant coil 212.
  • the resonant coil 212 is formed of an insulating material in a flat plate shape, and supported by a plurality of supports (not shown) vertically erected on the upper end surface of the base plate 248.
  • Both ends of the resonant coil 212 are electrically grounded and at least one end of them is movable tap 213 in order to fine-tune the electrical length of the resonant coil upon initial installation of the device or upon changing of the processing conditions. It is grounded through Reference numeral 214 in FIG. 1 denotes the other fixed ground. The position of the movable tap 213 is adjusted so as to make the resonance characteristic of the resonance coil 212 substantially equal to that of the high frequency power supply 273. Furthermore, in order to finely adjust the impedance of the resonant coil 212 at the time of initial installation of the apparatus or at the time of changing the processing conditions, a feeding portion is constituted by movable taps 215 between grounded ends of the resonant coil 212. Ru. Since the resonant coil 212 includes the variable ground portion and the variable power supply portion, the resonance frequency and the load impedance of the processing chamber 201 can be adjusted more simply, as described later.
  • a waveform adjustment circuit (not shown) is provided at one end (or the other end or both ends) of the resonant coil 212 so that the phase and antiphase currents flow symmetrically with respect to the electrical midpoint of the resonant coil 212. ) Is inserted.
  • the waveform adjustment circuit is configured as an open circuit by setting the end of the resonant coil 212 in an electrically disconnected state or in an electrically equivalent state.
  • the end of the resonant coil 212 may be ungrounded by choke series resistance and may be DC connected to a fixed reference potential.
  • the shielding plate 223 is provided to shield an electric field outside the resonant coil 212 and to form a capacitive component (C component) necessary to constitute a resonant circuit between the same and the resonant coil 212.
  • the shielding plate 223 is generally formed in a cylindrical shape using a conductive material such as an aluminum alloy.
  • the shielding plate 223 is disposed about 5 to 150 mm away from the outer periphery of the resonant coil 212.
  • shield plate 223 is grounded so that the potential is equal to both ends of resonant coil 212.
  • one or both ends of shield plate 223 can be adjusted in tap position. Is configured.
  • a trimming capacitance may be inserted between the resonant coil 212 and the shielding plate 223 in order to accurately set the number of resonances.
  • a plasma generation unit is mainly configured by the resonance coil 212, the RF sensor 272, and the matching unit 274.
  • a high frequency power supply 273 may be included as a plasma generation unit.
  • the plasma generation circuit constituted by the resonance coil 212 is constituted by a parallel resonance circuit of RLC.
  • the resonant condition of the resonant coil 212 is such that the reactance component created by the capacitive component and the inductive component of the resonant coil 212 is canceled It is to be a pure resistance.
  • the RF wave sensor 272 detects and detects the reflected wave power from the resonant coil 212 at the time of plasma generation.
  • the matching unit 274 has a function of correcting the output of the high frequency power supply 273 based on the reflected wave power.
  • the matching box 274 determines the impedance of the high frequency power source 273 or the reflected wave power to be minimum. Increase or decrease the output frequency.
  • the matching unit 274 is configured by a variable capacitor control circuit that corrects the preset impedance, and when controlling the frequency, the matching unit 274 corrects the oscillating frequency of the high frequency power supply 273 set in advance.
  • the frequency control circuit The high frequency power supply 273 and the matching unit 274 may be configured integrally.
  • the resonance coil 212 in the present embodiment high frequency power is supplied at the actual resonance frequency of the resonance coil including plasma (or matching to the actual impedance of the resonance coil including plasma). Since high frequency power is supplied), a standing wave is formed in which the phase voltage and the antiphase voltage are always canceled out.
  • the electrical length of the resonant coil 212 is the same as the wavelength of the high frequency power, the highest phase current is generated at the electrical midpoint of the coil (node with zero voltage). Therefore, near the electrical midpoint, there is almost no capacitive coupling with the processing chamber wall or the susceptor 217, and a toroidal inductive plasma with a very low electrical potential is formed.
  • FIG. 2 shows an example (comparative example) where the winding diameter of the resonant coil 212 is constant at any position on the resonant coil 212. That is, the distance from the inner wall surface (the surface of the inner periphery) of upper container 210 to the inner surface of resonance coil 212 (the surface facing the side wall of upper container 210, ie, the surface of the inner periphery)
  • d1 is always constant, where d1 may be referred to as a distance.
  • the distance d1 is preferably a predetermined value in the range of 10 to 30 mm, and is set to, for example, about 15 mm.
  • the configuration of this comparative example is the same as that of the above-described embodiment except for the winding diameter of the resonant coil 212, and the length of one wavelength of the high frequency power supplied on the line of the resonant coil 212.
  • Standing waves of current and voltage are formed.
  • the broken line indicates the current and the solid line indicates the voltage.
  • the amplitude of the standing wave of the current is maximum at both ends (the lower end and the upper end) and the middle point of the resonant coil 212.
  • a high frequency magnetic field is formed near the position where the current amplitude is maximum, and a high frequency electric field induced by the high frequency magnetic field generates a discharge of the processing gas supplied into the plasma generation space in the upper container 210.
  • a plasma of the processing gas is generated.
  • the plasma of the processing gas generated by the high frequency magnetic field formed in the vicinity of the position (region) where the current amplitude is large is hereinafter referred to as a plasma of an ICP (Inductively Coupled Plasma) component.
  • ICP Inductively Coupled Plasma
  • the ICP component plasma is a region near the both ends of the resonant coil 212 and the middle point (a region shown by a broken line ) Is intensively produced in a donut shape.
  • the amplitude of the standing wave of the voltage is minimum (ideally zero) at both ends (bottom and top) and at the midpoint of resonant coil 212, and the amplitude is at the position between them. It will be the largest.
  • the waveform on the left side of FIG. 2 indicates the strength of the high frequency electric field formed according to the amplitude of the voltage of the resonant coil 212 at the position of the distance d1 from the resonant coil 212 (ie, the inner wall surface position of the upper container 210). ing.
  • a high frequency electric field having a particularly high electric field strength is formed, and the high frequency electric field generates a discharge of the processing gas supplied into the plasma generation space in the upper container 210.
  • the processing gas is excited along with the discharge, a plasma of the processing gas is generated.
  • the plasma of the processing gas generated by the high frequency electric field formed in the vicinity of the position (region) where the voltage amplitude is large is hereinafter referred to as a plasma of a CCP (Capacitively Coupled Plasma) component.
  • CCP Capacitively Coupled Plasma
  • the ICP component plasma in the space along the inner wall surface of the upper vessel 210, is a region between the lower end and the middle point of the resonant coil 212 and between the upper end and the middle point. It is intensively generated in a donut shape in each of (areas indicated by dotted lines).
  • reactive species such as radicals and ions and electrons (charges) are generated from the CCP component plasma.
  • the positive electrons (charges) generated at that time are attracted to the inner wall side of the upper container 210 by the electric field that generates the CCP component plasma, and the inner walls of the upper container 210 are charged with positive electrons (charges).
  • negative ions in particular, large-mass negative ions generated by exciting the CCP component plasma accelerate and collide with the inner wall charged with positive electrons (charges) on the inner wall. . Therefore, the inner wall surface of the upper container 210 is sputtered, and the problem that the component of the material forming the inner wall surface is released and diffused into the processing chamber 201 occurs.
  • a component such as silicon (Si) or oxygen (O) constituting quartz is released into the processing chamber 201 by sputtering the quartz member constituting the inner wall surface.
  • the released components such as Si and O may be taken as impurities in a film such as a nitride film formed by plasma treatment, which may deteriorate the characteristics of the film.
  • particles may be generated in the processing chamber 201 by sputtering the inner wall surface, and the particles may be attached to the film surface on the substrate, which may affect the performance and yield of the device and the like. is there.
  • FIG. 3 shows the winding diameter of the resonant coil 212 and the mode of plasma generation according to the present embodiment. It differs from that of the comparative example in that the winding diameter of the resonant coil 212 according to the present embodiment is configured to be different depending on the position on the resonant coil 212.
  • a standing wave of current and voltage having a length corresponding to one wavelength of the supplied high frequency power is formed on the line of the resonant coil 212. Therefore, the amplitude of the standing wave of the current becomes maximum at both ends (the lower end and the upper end) and the middle point of the resonant coil 212. That is, the amplitude of the standing wave of the voltage becomes minimum (ideally zero) at both ends (upper and lower ends) and the middle point of the resonant coil 212, and the amplitude becomes maximum at a position between them.
  • the winding diameter of the coil is set such that the coil separation distance at these points (three points in the present embodiment) is the smallest distance in the entire section of the resonant coil 212. There is. In the present embodiment, this minimum distance is the distance d1. More specifically, in the present embodiment, the coil in the section from the lower end of the resonance coil 212 to the outer circumference of one turn, the section from the middle to the middle and the section from the upper end to the same turn The winding diameter of the coil is set such that the separation distance is d1.
  • the coil winding diameter is set such that the coil separation distance at the point where the amplitude of the standing wave of the current is maximum is the minimum distance among the entire sections of the resonant coil 212, the upper side In the space along the inner wall surface in the container 210, the ICP component plasma can be generated most intensively. (That is, it can generate the plasma with the highest density of ICP components).
  • the coil separation distance at a point (two points in the present embodiment) at which the amplitude of the standing wave of the voltage on the resonant coil 212 is maximum is different from d1 and all of the resonant coils 212 are The maximum distance d2 in the section is set. More specifically, in the present embodiment, a point other than the section where the coil separation distance is d1 and at which the amplitude of the standing wave of the voltage on the resonant coil 212 is maximized (two points in the present embodiment) The coil separation distance in the section including at least) is set to a maximum distance d2 larger than d1.
  • the intensity of the high frequency electric field formed near the position (region) where the voltage amplitude is large is reduced, the formation of plasma of the CCP component of the processing gas generated by the high frequency electric field is suppressed and the plasma density is lowered. . Therefore, the negative ions and positive electrons (charges) generated from the plasma of the CCP component are reduced, and the strength of the electric field formed by the resonant coil 212 is reduced. The phenomenon of accelerating toward the positive electrons (charge) charged on the inner wall of the container 210 and sputtering the inner wall surface of the upper container 210 is suppressed.
  • the amount of components such as Si and O of the quartz member constituting the inner wall surface can be reduced into the processing chamber 201 as compared with the comparative example. Since the amount of released Si and O is reduced, it is possible to suppress the incorporation of impurities into a film such as a nitride film formed by plasma treatment, and to improve the characteristics of the film. In addition, since the amount of particles generated in the processing chamber 201 is reduced by sputtering the inner wall surface, the performance and yield of the device can be improved. In addition, since the occurrence of sputtering on the inner wall surface is suppressed, damage to the upper container 210 can also be suppressed.
  • the coil winding diameter is set so that the coil separation distance at the point where the amplitude of the standing wave of voltage becomes maximum is the maximum distance among all sections of the resonant coil 212, the upper side In the space along the inner wall surface in the container 210, generation of plasma of CCP component can be selectively suppressed.
  • the specific values of the distances d1 and d2 are the magnitude of the high frequency power supplied to the resonant coil 212, the thickness of the resonant coil 212, the amount of impurities taken into the film and the amount of particles allowed, and the desired value. It may be suitably adjusted according to other conditions such as the degree of uniformity of plasma density (particularly in the circumferential direction of the upper container 210).
  • the distance d2 can be set to a value in a predetermined range larger than d1 in consideration of the viewpoint that the reactive species generated by the plasma of the CCP component is also used for plasma processing of the substrate. For example, by setting the distance d2 to a value in the range of 30 to 50 mm, it is possible to maintain the generation efficiency of the reactive species within an allowable range while suppressing the occurrence of sputtering.
  • the ratio (d1 / d2) of the distances d1 and d2 is preferable to set the ratio (d1 / d2) of the distances d1 and d2 to 0.5 or less.
  • increasing d2 enlarges the coil diameter and causes an increase in the footprint of the device, and so the range of 0.1 to 0.5 is more preferable in practice.
  • the coil separation distance is a distance d1.
  • the bias of the plasma density in the circumferential direction of the resonant coil 212 is reduced by setting the coil separation distance to the distance d1 in a section for at least one turn along the outer periphery of the upper container 210 from these three points.
  • the section in which the coil separation distance is the distance d1 is a section for one turn, the position (upper end) on the coil at which the intensity of the generated high frequency electric field is minimized (ideally zero).
  • the coil separation distance is minimized only in the middle point, the lower end) and the neighborhood thereof. That is, the section in which the coil separation distance is the shortest among the sections in which the high frequency electric field is generated is the shortest within the range satisfying the condition to avoid the occurrence of the plasma density deviation in the circumferential direction of the resonant coil 212 described above. Therefore, the present embodiment is suitable for suppressing the generation of plasma of the CCP component caused by the high frequency electric field.
  • the section to be the distance d1 be one winding in particular.
  • the strength is obtained by overlapping the high frequency magnetic fields in the vicinity of the overlapping portion (as viewed from the axial direction of the resonant coil 212) at both ends of the section. It tends to be larger than the other sections in the section for one roll, and the bias of the plasma density in the circumferential direction of the upper container 210 tends to occur. Therefore, as another embodiment, as shown in FIG.
  • the resonant coil 212 may be formed so as to shift the both ends in the direction of the overlapping portion C from (the center position in the horizontal direction).
  • the coil separation distance in the vicinity of the overlapping portion of one winding is compared with the other interval in the one winding.
  • the section of one turn of the resonant coil 212 may be formed to be larger.
  • the resonance coil 212 is formed so that the coil separation distance is larger than that of the other sections in the section of one winding even at the middle point of the resonance coil 212 where the strength of the high frequency magnetic field is the largest in the section of one winding. You may
  • the coil separation distance is maximized (the distance d2 in this modification) at the point where the amplitude of the standing wave of the voltage on the resonant coil 212 is maximized, and the amplitude of the standing wave of the voltage is maximized.
  • the coil separation distance is set to a value between d1 and d2 in consideration of the balance between the ICP component plasma and the CCP component plasma. More specifically, as in the configuration shown in FIG. 10, for example, the coil separation distance is d2 only at or near the point where the amplitude of the standing wave of the voltage is maximum (one turn at the longest).
  • the coil separation distance is set to be smaller (that is, to be closer to the distance d1) as the amplitude of V decreases.
  • the coil separation distance may be reduced to be proportional to the amplitude of the standing wave of voltage.
  • the controller 221 as a control unit includes the APC valve 242, the valve 243b and the vacuum pump 246 through the signal line A, the susceptor lift mechanism 268 through the signal line B, and the heater power adjustment mechanism 276 and the impedance variable mechanism 275 through the signal line C.
  • the gate valve 244 is controlled through the signal line D, the RF sensor 272, the high frequency power supply 273 and the matching unit 274 through the signal line E, and the MFCs 252a through 252c and the valves 253a through 253c and 243a through the signal line F, respectively. There is.
  • the controller 221 which is a control unit (control means), is configured as a computer including a central processing unit (CPU) 221a, a random access memory (RAM) 221b, a storage device 221c, and an I / O port 221d. It is done.
  • the RAM 221b, the storage device 221c, and the I / O port 221d are configured to be able to exchange data with the CPU 221a via the internal bus 221e.
  • the controller 221 is connected to an input / output device 222 configured as, for example, a touch panel or a display.
  • the storage device 221 c is configured by, for example, a flash memory, a hard disk drive (HDD), or the like.
  • a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus, and a program recipe in which a procedure and conditions for substrate processing described later are described are readably stored.
  • the process recipe is a combination of processes that causes the controller 221 to execute each procedure in the substrate processing process described later to obtain a predetermined result, and functions as a program.
  • the program recipe, the control program and the like are collectively referred to simply as a program.
  • program is used in the present specification, when only the program recipe alone is included, only the control program alone may be included, or both of them may be included.
  • the RAM 221 b is configured as a memory area (work area) in which programs and data read by the CPU 221 a are temporarily stored.
  • the I / O port 221d includes the MFCs 252a to 252c, the valves 253a to 253c, 243a and 243b, the gate valve 244, the APC valve 242, the vacuum pump 246, the RF sensor 272, the high frequency power supply 273, the alignment unit 274, and the susceptor lifting mechanism 268. , The variable impedance mechanism 275, the heater power adjustment mechanism 276, and the like.
  • the CPU 221a is configured to read out and execute a control program from the storage device 221c, and to read out a process recipe from the storage device 221c in response to an input of an operation command from the input / output device 222 or the like. Then, the CPU 221a adjusts the opening degree of the APC valve 242 through the I / O port 221d and the signal line A, opens and closes the valve 243b, and starts the vacuum pump 246 so as to follow the contents of the process recipe read out.
  • the controller 221 is stored in an external storage device (for example, a magnetic tape, a magnetic disk such as a flexible disk or hard disk, an optical disk such as a CD or DVD, a magnetooptical disk such as MO, a semiconductor memory such as a USB memory or memory card)
  • the above-described program can be configured by installing it on a computer.
  • the storage device 221 c and the external storage device 223 are configured as computer readable recording media. Hereinafter, these are collectively referred to simply as a recording medium.
  • recording medium there may be a case where only the storage device 221c alone is included, a case where only the external storage device 223 alone is included, or both of them.
  • the provision of the program to the computer may be performed using communication means such as the Internet or a dedicated line without using the external storage device 223.
  • FIG. 5 is a flowchart showing the substrate processing process according to the present embodiment.
  • the substrate processing process according to the present embodiment is performed, for example, by the above-described processing apparatus 100 as a process of manufacturing a semiconductor device such as a flash memory.
  • the operation of each unit constituting the processing apparatus 100 is controlled by the controller 221.
  • the silicon layer exposed on the inner wall of the trench 301 is subjected to a nitriding process as a process using plasma.
  • the trench 301 is formed, for example, by forming a mask layer 302 having a predetermined pattern on the wafer 200 and etching the surface of the wafer 200 to a predetermined depth.
  • the above-described wafer 200 is carried into the processing chamber 201. Specifically, the susceptor lifting mechanism 268 lowers the susceptor 217 to the transfer position of the wafer 200 to cause the wafer push-up pin 266 to penetrate through the through hole 217 a of the susceptor 217. As a result, the wafer push-up pins 266 project beyond the surface of the susceptor 217 by a predetermined height.
  • the gate valve 244 is opened, and the wafer 200 is carried into the processing chamber 201 from a vacuum transfer chamber adjacent to the processing chamber 201 using a wafer transfer mechanism (not shown).
  • the loaded wafer 200 is horizontally supported on a wafer push-up pin 266 protruding from the surface of the susceptor 217.
  • the wafer transfer mechanism is retracted out of the processing chamber 201, and the gate valve 244 is closed to seal the inside of the processing chamber 201.
  • the susceptor lifting mechanism 268 lifts the susceptor 217, whereby the wafer 200 is supported on the upper surface of the susceptor 217.
  • the temperature of the wafer 200 carried into the processing chamber 201 is raised.
  • the heater 217 b is preheated, and the wafer 200 is heated to a predetermined value within the range of 150 to 750 ° C., for example, by holding the wafer 200 on the susceptor 217 in which the heater 217 b is embedded.
  • the wafer 200 is heated to a temperature of 700.degree.
  • the inside of the processing chamber 201 is evacuated by the vacuum pump 246 via the gas exhaust pipe 231, and the pressure inside the processing chamber 201 is set to a predetermined value.
  • the vacuum pump 246 is operated at least until the substrate unloading step S160 described later is completed.
  • reaction gas supply process S130 Next, supply of N 2 gas, which is a nitrogen-containing gas, and H 2 gas, which is a hydrogen-containing gas, is started as a reaction gas. Specifically, the valves 253a and 253b are opened, and supply of N 2 gas and H 2 gas into the processing chamber 201 is started while controlling the flow rate with the MFCs 252a and 252b. At this time, the flow rate of the N 2 gas is set to, for example, a predetermined value within the range of 20 to 5000 sccm, preferably 20 to 1000 sccm.
  • the flow rate of the H 2 gas is set to, for example, a predetermined value within the range of 20 to 1000 sccm, preferably 20 to 500 sccm.
  • N 2 gas and H 2 gas flow rate ratio of, N 2 gas: H 2 gas 1:10 to 10: a predetermined ratio in one range, for example 1: 1.
  • the exhaust pressure in the processing chamber 201 is adjusted by adjusting the opening degree of the APC valve 242 so that the pressure in the processing chamber 201 is a predetermined pressure in the range of 1 to 250 Pa, preferably 1 to 5 Pa. Control.
  • the supply of the N 2 gas and the H 2 gas is continued until the end of the plasma processing step S 140 described later.
  • Posma treatment step S140 When the pressure in the processing chamber 201 is stabilized, application of high frequency power to the resonance coil 212 is started from the high frequency power supply 273 via the RF sensor 272.
  • high frequency power of 27.12 MHz is supplied from the high frequency power source 273 to the resonant coil 212.
  • the high frequency power supplied to the resonant coil 212 is, for example, a predetermined power in the range of 100 to 5000 W, preferably 100 to 3500 W, and more preferably about 3500 W. When the power is lower than 100 W, it is difficult to stably generate plasma discharge.
  • inductive plasma is excited in the plasma generation space in the upper vessel 210 to which N 2 gas and H 2 gas are supplied.
  • Plasma-like N 2 gas and H 2 gas are dissociated to generate reactive species such as nitrogen radicals containing nitrogen (nitrogen active species), nitrogen ions, hydrogen radicals containing hydrogen (hydrogen activation species), hydrogen ions, etc. .
  • the radicals generated by the induction plasma and ions in a non-accelerated state are uniformly supplied to the surface of the wafer 200, react uniformly with the silicon layer formed on the surface of the wafer 200, and have a good step coverage of the Si layer. Reform to a layer.
  • the plasma processing step S140 is completed.
  • a silicon bare wafer is used as the wafer 200 as a substrate to be processed, and the silicon bare wafer is subjected to the nitriding treatment in the above embodiment to form a silicon nitride film (SiN film) on the substrate surface. Then, by measuring the oxygen concentration contained in the formed SiN film, the amount of oxygen component taken into the film by the nitriding treatment was evaluated. In both the comparative example 1 and the example 1, the nitriding process for forming the SiN film having a thickness of 15 ⁇ was performed.
  • the flow rates of the N 2 gas and the H 2 gas supplied to the processing chamber 201 in the reaction gas supply step S130 are 100 sccm and 50 sccm, respectively, and the pressure in the processing chamber 201 is 5 Pa.
  • the temperature of the wafer was 700.degree.
  • the magnitude and supply time of the high frequency power supplied to the resonant coil 212 were 500 W / 120 seconds and 350 W / 120 seconds, respectively.
  • FIG. 7 shows the result of the first verification.
  • the vertical axis shows the oxygen concentration (atomic concentration) contained in the SiN film formed in each example.
  • the “reference (untreated)” at the right end is the result of evaluating the oxygen concentration of the surface layer of the untreated Si bare wafer which is not subjected to the nitriding treatment.
  • the oxygen concentration in the SiN film in Comparative Example 1 is 24.5 atomic%
  • the oxygen concentration in the SiN film in Example 1 according to the present embodiment is 17.9 atomic%. It can be seen that the amount of oxygen taken into the film in Example 1 is clearly reduced relative to Comparative Example 1.
  • a wafer having an aluminum oxide film (AlO film) formed on the surface is used as the wafer 200, which is a substrate to be processed, and the AlO film is subjected to the nitriding treatment described in the above embodiment.
  • An aluminum oxynitride film (AlON film) was formed thereon. Then, by measuring the silicon concentration contained in the formed AlON film, the amount of silicon component taken into the film by the nitriding treatment was evaluated.
  • the flow rate of the N 2 gas supplied to the processing chamber 201 in the reaction gas supply step S130 is 200 sccm
  • the flow rate of the H 2 gas is 0 sccm.
  • the pressure in the processing chamber 201 is set to 5 Pa, the temperature of the wafer was 700 ° C..
  • the magnitude and supply time of the high frequency power supplied to the resonant coil 212 were 1 kW / 300 seconds, 1.5 kW / 300 seconds, 1 kW / 120 seconds, and 500 W / 300 seconds, respectively.
  • FIG. 8 shows the result of the second verification.
  • the vertical axis represents the silicon concentration (atomic concentration) contained in the AiON film formed in each example.
  • the silicon concentration in the AlON film in Comparative Example 2 is 5.2 atomic%
  • the silicon concentration in the AlON film in Examples 2 to 4 according to the present embodiment is, respectively. It is 1.1 atomic%, 0.3 atomic% and 0.2 atomic%, and it can be seen that the amount of silicon taken into the film in Examples 2 to 4 is clearly reduced relative to Comparative Example 2.
  • Example 2 in which the value of the high frequency power is made larger than that of Comparative Example 2
  • the result that the amount of silicon taken in is significantly reduced is obtained. That is, by setting the winding diameter of the resonant coil 212 as in the present embodiment, it is presumed that the release / diffusion of the silicon component caused by the sputtering of the inner wall surface of the upper container 210 is suppressed.
  • the coil separation distance at the upper end, the lower end, and the middle point of the resonant coil 212 is d1
  • the coil separation at the upper end and the lower end of the resonant coil 212 is The resonant coil 212 can be configured so that the distance is also the distance d2 similarly to the sections other than the middle point. That is, in the present embodiment, the coil separation distance is set to d1 only for the section of one turn along the outer periphery of the upper container 210 including the middle point of the resonant coil 212.
  • the plasma generated near the middle point is superior in the uniformity of the density in the circumferential direction of the upper container 210 compared to the plasma generated near the upper end and the lower end of the resonant coil 212 Tend. Therefore, in the present embodiment, the coil separation distance at the upper end and the lower end of the resonant coil 212 is increased to reduce the strength in the upper container 210 of the high frequency magnetic field generated from these positions, and the uniformity generated near the middle point Only excellent plasma is generated selectively. Therefore, from the viewpoint of improving the uniformity of the plasma density in the circumferential direction of the upper container 210, this embodiment is generally more desirable than the above-described embodiment. However, from the viewpoint of emphasizing the generation efficiency of the reactive species, the above-described embodiment using plasma generated near the upper end and the lower end of the resonant coil 212 is preferable.
  • the present invention can apply to the oxidation processing which used oxygen content gas as processing gas besides it.
  • the present invention is not limited to the nitriding treatment and the oxidation treatment, and can be applied to any technique for treating a substrate using plasma.
  • the present invention can be applied to modification treatment or doping treatment of a film formed on a substrate surface performed using plasma, reduction treatment of an oxide film, etching treatment of the film, ashing treatment of a resist, and the like.
  • quartz is used for the material of the upper container 210 which sputtering may occur
  • other materials such as Al 2 O 3 and a silicon nitride (SiC) Can also be applied. That is, the component contained in the material which comprises the upper side container 210 can suppress being taken in to a to-be-processed target, and it can suppress that particle
  • the present invention it is possible to reduce the occurrence of sputtering on the inner wall of the processing chamber and the like that is generated when the processing gas is plasma-excited in the processing chamber.
  • processing apparatus 200 wafer 201 ... processing chamber 212 ... resonant coil 217 ... susceptor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

処理室内において処理ガスをプラズマ励起する際に発生する処理室内壁などに対するスパッタリング発生を低減する。処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ容器と、プラズマ容器の外周に巻回するように設けられ、高周波電力を供給されるように構成されるコイルと、を有し、コイルは、一端から他端までの間の所定位置におけるコイルの内周からプラズマ容器の内周までの距離が、他の位置におけるコイルの内周からプラズマ容器の内周までの距離と異なるように形成され、且つ、コイルに印加される電圧の定在波の振幅が最大となる位置におけるコイルの内周からプラズマ容器の内周までの距離が最大となるように形成されている、基板処理装置を提供する。

Description

基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
　本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体に関する。
　フラッシュメモリやロジック回路等の半導体装置のパターンを形成する際、製造工程の一工程として、基板に窒化処理等の所定の処理を行う工程が実施される場合がある。
　例えば、特許文献１には、プラズマ励起した処理ガスを用いて基板上に形成されたパターン表面を改質処理することが開示されている。
特開２０１４－７５５７９号公報
　処理ガスをプラズマ励起することにより基板を処理する際、処理室内では、ラジカルやイオン等の反応種や電子が生成される。ここで、高周波電力が印加された電極により形成される電界の影響により、生成されたイオンが加速されて処理室の内壁にぶつかりスパッタリングが起こることがある。処理室の内壁がスパッタリングされると、内壁表面を構成している物質の成分が処理室中に放出され、基板上の被処理対象膜の膜中に取り込まれるなど、基板処理に悪影響を与えることが懸念される。
　本発明は、処理室内において処理ガスをプラズマ励起する際に発生する処理室内壁などに対するスパッタリング発生を低減する技術を提供する。
　本発明の一態様によれば、処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ容器と、前記プラズマ容器に連通する基板処理室と、前記プラズマ容器内に前記処理ガスを供給するよう構成されるガス供給系と、前記プラズマ容器の外周に巻回するように設けられ、高周波電力を供給されるように構成されるコイルと、を有し、前記コイルは、一端から他端までの間の位置によってコイル径が異なるように形成され、且つ、前記コイルに印加される電圧の定在波の振幅が最大となる位置のコイル径が最大となるように形成されている、基板処理装置が提供される。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略断面図である。 本発明に対する比較例に係る、共振コイルの巻径と、電流・電圧及び電界強度の関係等を示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る、共振コイルの巻径と、電流・電圧及び電界強度の関係等を示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御部（制御手段）の構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程で処理される溝（トレンチ）が形成された基板の説明図である。 第１の検証における、比較例１及び実施例１で形成されるＳｉＮ膜中の酸素濃度と、レファレンスのＳｉベアウエハ表層中の酸素濃度とを示すグラフである。 第２の検証における、比較例２及び実施例２～４で形成されるＡｌＯＮ膜中のシリコン濃度を示すグラフである。 本発明の一実施形態の実施例に係る、共振コイルの中心軸位置と上側容器の中心軸位置との関係を示す説明図である。 本発明の一変形例に係る、共振コイルの巻径と電流・電圧の関係を示す説明図である。 本発明の他の実施形態に係る、共振コイルの巻径と電流・電圧の関係を示す説明図である。
＜本発明の第一の実施形態＞
（１）基板処理装置の構成
　本発明の第１実施形態に係る基板処理装置について、図１を用いて以下に説明する。本実施形態に係る基板処理装置は、主に基板面上に形成された膜に対して酸化処理を行うように構成されている。
（処理室）
　処理装置１００は、ウエハ２００をプラズマ処理する処理炉２０２を備えている。処理炉２０２には、処理室２０１を構成する処理容器２０３が設けられている。処理容器２０３は、第１の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第２の容器である碗型の下側容器２１１とを備えている。上側容器２１０が下側容器２１１の上に被さることにより、処理室２０１が形成される。上側容器２１０は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）または石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成されている。本実施形態では、上側容器２１０は石英で形成されている。また、上側容器２１０は、後述のプラズマ生成空間を形成するプラズマ容器を構成する。
　また、下側容器２１１の下部側壁には、ゲートバルブ２４４が設けられている。ゲートバルブ２４４は、開いているとき、搬送機構を用いて、搬入出口２４５を介して、処理室２０１内へウエハ２００を搬入したり、処理室２０１外へとウエハ２００を搬出したりすることができるように構成されている。ゲートバルブ２４４は、閉まっているときには、処理室２０１内の気密性を保持する仕切弁となるように構成されている。
　処理室２０１は、周囲にコイル２１２が設けられているプラズマ生成空間と、プラズマ生成空間に連通し、ウエハ２００が処理される基板処理室としての基板処理空間を有する。プラズマ生成空間はプラズマが生成される空間であって、処理室の内、共振コイル２１２の下端より上方であって、且つ共振コイル２１２の上端より下方の空間を言う。一方、基板処理空間は、基板がプラズマを用いて処理される空間であって、共振コイル２１２の下端より下方の空間を言う。本実施形態では、プラズマ生成空間と基板処理空間の水平方向の径は略同一となるように構成されている。
（サセプタ）
　処理室２０１の底側中央には、ウエハ２００を載置する基板載置部としてのサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は例えば窒化アルミニウム、セラミックス、石英等の非金属材料から形成されており、ウエハ２００上に形成される膜等に対する金属汚染を低減することができるように構成されている。
　サセプタ２１７の内部には、加熱機構としてのヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれている。ヒータ２１７ｂは、電力が供給されると、ウエハ２００表面を例えば２５℃から７５０℃程度まで加熱することができるように構成されている。
　サセプタ２１７は、下側容器２１１とは電気的に絶縁されている。インピーダンス調整電極２１７ｃは、サセプタ２１７に載置されたウエハ２００上に生成されるプラズマの密度の均一性をより向上させるために、サセプタ２１７内部に設けられており、インピーダンス調整部としてのインピーダンス可変機構２７５を介して接地されている。インピーダンス可変機構２７５はコイルや可変コンデンサから構成されており、コイルのインダクタンス及び抵抗並びに可変コンデンサの容量値を制御することにより、インピーダンスを約０Ωから処理室２０１の寄生インピーダンス値の範囲内で変化させることができるように構成されている。これによって、インピーダンス調整電極２１７ｃ及びサセプタ２１７を介して、ウエハ２００の電位（バイアス電圧）を制御できる。なお、本実施形態においては、後述するようにウエハ２００の上に生成されるプラズマの密度の均一性を向上させることができるので、このプラズマの密度の均一性が所望の範囲に収まる場合、インピーダンス調整電極２１７ｃを用いたバイアス電圧制御は行わない。また、当該バイアス電圧制御を行わない場合には、サセプタ２１７に電極２１７ｃを設けないようにしてもよい。但し、当該均一性をより向上させることを目的として当該バイアス電圧制御を行っても良い。
　サセプタ２１７には、サセプタを昇降させる駆動機構を備えるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。また、サセプタ２１７には貫通孔２１７ａが設けられるとともに、下側容器２１１の底面にはウエハ突上げピン２６６が設けられている。貫通孔２１７ａとウエハ突上げピン２６６とは互いに対向する位置に、少なくとも各３箇所ずつ設けられている。サセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられたときには、ウエハ突上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で、貫通孔２１７ａを突き抜けるように構成されている。主に、サセプタ２１７及びヒータ２１７ｂ、電極２１７ｃにより、本実施形態に係る基板載置部が構成されている。
（ガス供給部）
　処理室２０１の上方、つまり上側容器２１０の上部には、ガス供給ヘッド２３６が設けられている。ガス供給ヘッド２３６は、キャップ状の蓋体２３３と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、遮蔽プレート２４０と、ガス吹出口２３９とを備え、反応ガスを処理室２０１内へ供給できるように構成されている。バッファ室２３７は、ガス導入口２３４より導入される反応ガスを分散する分散空間としての機能を持つ。
　ガス導入口２３４には、窒素含有ガスとしての窒素（Ｎ２）ガスを供給する窒素含有ガス供給管２３２ａの下流端と、水素含有ガスとしての水素（Ｈ２）ガスを供給する水素含有ガス供給管２３２ｂの下流端と、不活性ガスとしてのアルゴン（Ａｒ）ガスを供給する不活性ガス供給管２３２ｃと、が合流するように接続されている。窒素含有ガス供給管２３２ａには、上流側から順に、Ｎ２ガス供給源２５０ａ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２５２ａ、開閉弁としてのバルブ２５３ａが設けられている。水素含有ガス供給管２３２ｂには、上流側から順に、Ｈ２ガス供給源２５０ｂ、ＭＦＣ２５２ｂ、バルブ２５３ｂが設けられている。不活性ガス供給管２３２ｃには、上流側から順に、Ａｒガス供給源２５０ｃ、ＭＦＣ２５２ｃ、バルブ２５３ｃが設けられている。窒素含有ガス供給管２３２ａと水素含有ガス供給管２３２ｂと不活性ガス供給管２３２ｃとが合流した下流側には、バルブ２４３ａが設けられ、ガス導入口２３４の上流端に接続されている。バルブ２５３ａ、２５３ｂ、２５３ｃ、２４３ａを開閉させることによって、ＭＦＣ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃによりそれぞれのガスの流量を調整しつつ、ガス供給管２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃを介して、窒素含有ガス、水素ガス含有ガス、不活性ガス等の処理ガスを処理室２０１内へ供給できるように構成されている。
　主に、ガス供給ヘッド２３６、窒素含有ガス供給管２３２ａ、水素含有ガス供給管２３２ｂ、不活性ガス供給管２３２ｃ、ＭＦＣ２５２ａ，２５２ｂ，２５２ｃ、バルブ２５３ａ，２５３ｂ，２５３ｃ，２４３ａにより、本実施形態に係るガス供給部（ガス供給系）が構成されている。
　また、ガス供給ヘッド２３６、窒素含有ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ２５２ａ、バルブ２５３ａ，２４３ａにより、本実施形態に係る窒素含有ガス供給系が構成されている。さらに、ガス供給ヘッド２３６、水素含有ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２５２ｂ、バルブ２５３ｂ，２４３ａにより、本実施形態に係る水素ガス供給系が構成されている。さらに、ガス供給ヘッド２３６、不活性ガス供給管２３２ｃ、ＭＦＣ２５２ｃ、バルブ２５３ｃ，２４３ａにより、本実施形態に係る不活性ガス供給系が構成されている。
　尚、本実施形態に係る基板処理装置は、窒素含有ガス供給系から窒素含有ガスとしてのＮ２ガスを供給することにより窒化処理を行うように構成されているが、窒素含有ガス供給系に替えて、他のガスを処理室２０１内に供給するガス供給系を設けることもできる。このように構成された基板処理装置によれば、基板の窒化処理に替えて他のプラズマトリートメント処理を行うことができる。この場合、Ｎ２ガス供給源２５０ａに替えて他のガス供給源が設けられる。
（排気部）
　下側容器２１１の側壁には、処理室２０１内から反応ガスを排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガス排気管２３１の上流端が接続されている。ガス排気管２３１には、上流側から順に圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２、開閉弁としてのバルブ２４３ｂ、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が設けられている。主に、ガス排気口２３５、ガス排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４２、バルブ２４３ｂにより、本実施形態に係る排気部が構成されている。尚、真空ポンプ２４６を排気部に含めても良い。
（プラズマ生成部）
　処理室２０１の外周部、すなわち上側容器２１０の側壁の外側には、処理室２０１を囲うように、第１の電極としての、螺旋状の共振コイル２１２が設けられている。共振コイル２１２には、ＲＦセンサ２７２、高周波電源２７３、高周波電源２７３のインピーダンスや出力周波数の整合を行う整合器２７４が接続される。
　高周波電源２７３は、共振コイル２１２に高周波電力（ＲＦ電力）を供給するものである。ＲＦセンサ２７２は高周波電源２７３の出力側に設けられ、供給される高周波電力の進行波や反射波の情報をモニタするものである。ＲＦセンサ２７２によってモニタされた反射波電力は整合器２７４に入力され、整合器２７４は、ＲＦセンサ２７２から入力された反射波の情報に基づいて、反射波が最小となるよう、高周波電源２７３のインピーダンスや出力される高周波電力の周波数を制御するものである。
　高周波電源２７３は、発振周波数および出力を規定するための高周波発振回路およびプリアンプを含む電源制御手段（コントロール回路）と、所定の出力に増幅するための増幅器（出力回路）とを備えている。電源制御手段は、操作パネルを通じて予め設定された周波数および電力に関する出力条件に基づいて増幅器を制御する。増幅器は、共振コイル２１２に伝送線路を介して一定の高周波電力を供給する。
　共振コイル２１２は、ある波長で共振するように巻径、巻回ピッチ、巻数が設定され、高周波電力が供給された共振コイル２１２上には定在波が形成される。共振コイル２１２の電気的長さは、高周波電源２７３から供給される高周波電力の所定周波数における１波長の整数倍（１倍、２倍、…）に相当する長さに設定される。
　具体的には、印加する電力や発生させる磁界強度または適用する装置の外形などを勘案し、共振コイル２１２は、例えば、８００ｋＨｚ～５０ＭＨｚ、０．１～５ｋＷの高周波電力によって０．０１～１０ガウス程度の磁場を発生し得る様に、５０～３００ｍｍ２の有効断面積であって且つ２００～５００ｍｍのコイル直径とされ、プラズマ生成空間２０１ａを形成する部屋の外周側に２～６０回程度巻回される。
　好適な実施例として、本実施形態では、高周波電力の周波数を２７．１２ＭＨｚ、共振コイル２１２の電気的長さを１波長の長さ（約１１メートル）に設定している。共振コイル２１２の巻回ピッチは、例えば、２４．５ｍｍ間隔で等間隔となるように設けられる。また、共振コイル２１２の巻径（直径）はウエハ２００の直径よりも大きくなるように設定される。本実施形態では、ウエハ２００の直径をφ３００ｍｍとし、共振コイル２１２の巻径はウエハ２００の直径よりも大きいφ５００ｍｍ以上となるように設けられる。ただし後述するように、本実施形態における共振コイル２１２の巻径は一定ではなく、共振コイル２１２の一端から他端までの間の位置によってその巻径の少なくとも一部が異なるように形成されている。
　共振コイル２１２を構成する素材としては、銅パイプ、銅の薄板、アルミニウムパイプ、アルミニウム薄板、ポリマーベルトに銅またはアルミニウムを蒸着した素材などが使用される。共振コイル２１２は、絶縁性材料にて平板状に形成され、且つベースプレート２４８の上端面に鉛直に立設された複数のサポート（図示せず）によって支持される。
　共振コイル２１２の両端は電気的に接地され、そのうちの少なくとも一端は、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に当該共振コイルの電気的長さを微調整するため、可動タップ２１３を介して接地される。図１中の符号２１４は他方の固定グランドを示す。可動タップ２１３は、共振コイル２１２の共振特性を高周波電源２７３と略等しくするように位置が調整される。さらに、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に共振コイル２１２のインピーダンスを微調整するため、共振コイル２１２の接地された両端の間には、可動タップ２１５によって給電部が構成される。共振コイル２１２が可変式グランド部及び可変式給電部を備えていることによって、後述するように、処理室２０１の共振周波数及び負荷インピーダンスを調整するにあたり、より一層簡便に調整することができる。
　更に、位相及び逆位相電流が共振コイル２１２の電気的中点に関して対称に流れる様に、共振コイル２１２の一端（若しくは他端または両端）には、コイル及びシールドから成る波形調整回路（図示せず）が挿入される。波形調整回路は、共振コイル２１２の端部を電気的に非接続状態とするか又は電気的に等価の状態に設定することにより開路に構成する。なお、共振コイル２１２の端部は、チョーク直列抵抗によって非接地とし、固定基準電位に直流接続されてもよい。
　遮蔽板２２３は、共振コイル２１２の外側の電界を遮蔽すると共に、共振回路を構成するのに必要な容量成分（Ｃ成分）を共振コイル２１２との間に形成するために設けられる。遮蔽板２２３は、一般的には、アルミニウム合金などの導電性材料を使用して円筒状に構成される。遮蔽板２２３は、共振コイル２１２の外周から５～１５０ｍｍ程度隔てて配置される。通常、遮蔽板２２３は共振コイル２１２の両端と電位が等しくなる様に接地されるが、共振コイル２１２の共振数を正確に設定するため、遮蔽板２２３の一端または両端は、タップ位置を調整可能に構成されている。あるいは、共振数を正確に設定するために、共振コイル２１２と遮蔽板２２３の間にトリミングキャパシタンスを挿入しても良い。
　主に、共振コイル２１２、ＲＦセンサ２７２、整合器２７４により、本実施形態に係るプラズマ生成部が構成されている。尚、プラズマ生成部として高周波電源２７３を含めても良い。
　ここで、本実施形態に係る装置のプラズマ生成原理および生成されるプラズマの性質について詳述する。共振コイル２１２によって構成されるプラズマ発生回路はＲＬＣの並列共振回路で構成される。高周波電源２７３から供給される高周波電力の波長と共振コイル２１２の電気的長さが同じ場合、共振コイル２１２の共振条件は、共振コイル２１２の容量成分や誘導成分によって作り出されるリアクタンス成分が相殺され、純抵抗になることである。しかしながら、上記プラズマ発生回路においては、プラズマを発生させた場合、共振コイル２１２の電圧部とプラズマとの間の容量結合の変動や、プラズマ生成空間２０１ａとプラズマとの間の誘導結合の変動、プラズマの励起状態、等により、実際の共振周波数は僅かながら変動する。
　そこで、本実施形態においては、プラズマ発生時の共振コイル２１２における共振のずれを電源側で補償するため、プラズマが発生した際の共振コイル２１２からの反射波電力をＲＦセンサ２７２において検出し、検出された反射波電力に基づいて整合器２７４が高周波電源２７３の出力を補正する機能を有する。
　具体的には、整合器２７４は、ＲＦセンサ２７２において検出されたプラズマが発生した際の共振コイル２１２からの反射波電力に基づいて、反射波電力が最小となる様に高周波電源２７３のインピーダンス或いは出力周波数を増加または減少させる。インピーダンスを制御する場合、整合器２７４は、予め設定されたインピーダンスを補正する可変コンデンサ制御回路により構成され、周波数を制御する場合、整合器２７４は、予め設定された高周波電源２７３の発振周波数を補正する周波数制御回路により構成される。なお、高周波電源２７３と整合器２７４は一体として構成されてもよい。
　かかる構成により、本実施形態における共振コイル２１２では、プラズマを含む当該共振コイルの実際の共振周波数による高周波電力が供給されるので（或いは、プラズマを含む当該共振コイルの実際のインピーダンスに整合するように高周波電力が供給されるので）、位相電圧と逆位相電圧が常に相殺される状態の定在波が形成される。共振コイル２１２の電気的長さが高周波電力の波長と同じ場合、コイルの電気的中点（電圧がゼロのノード）に最も高い位相電流が生起される。従って、電気的中点の近傍においては、処理室壁やサセプタ２１７との容量結合が殆どなく、電気的ポテンシャルの極めて低いドーナツ状の誘導プラズマが形成される。
（共振コイルの巻径）
　ここで、本実施形態における共振コイル２１２の巻径について、図２及び図３を用いて説明する。
＜比較例に係る共振コイルの巻径＞
　図２は、共振コイル２１２の巻径が、共振コイル２１２上のいずれの位置においても一定である場合の例（比較例）について示している。すなわち、上側容器２１０の内壁表面（内周の表面）から、共振コイル２１２の内径側表面（上側容器２１０の側壁に面する側の表面、すなわち内周の表面）までの距離（以下、コイル離間距離と称することがある）をｄ１としたとき、この比較例ではｄ１が常に一定となっている。距離ｄ１は好ましくは１０～３０ｍｍの範囲の所定の値であり、例えば１５ｍｍ程度に設定される。
　本比較例の構成は、共振コイル２１２の巻径以外の点においては、上述の本実施形態のものと同様であり、共振コイル２１２の線路上において、供給される高周波電力の１波長分の長さを有する電流及び電圧の定在波が形成される。図２の右側の波形のうち、破線は電流を、実線は電圧を示している。図２の右側の波形で示されているように、共振コイル２１２の両端（下端と上端）及び中点において電流の定在波の振幅は最大となる。
　電流の振幅が最大となる位置の近傍では高周波磁界が形成され、この高周波磁界により誘起された高周波電界が上側容器２１０内のプラズマ生成空間内に供給された処理ガスの放電を発生させる。この放電に伴って処理ガスが励起されることにより、処理ガスのプラズマが生成される。以下、このように電流の振幅が大きい位置（領域）の近傍において形成される高周波磁界によって生成される処理ガスのプラズマをＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）成分のプラズマと称する。図２に示されているように、ＩＣＰ成分のプラズマは、上側容器２１０内の内壁面に沿った空間のうち、共振コイル２１２の両端及び中点の近傍となる領域（破線で示された領域）にドーナツ状に集中的に生成される。
　一方、図２で示されているように、共振コイル２１２の両端（下端と上端）及び中点において電圧の定在波の振幅は最小（理想的にはゼロ）となり、その間の位置において振幅は最大となる。ここで、図２の左側の波形は、共振コイル２１２から距離ｄ１の位置（すなわち上側容器２１０の内壁面位置）における、共振コイル２１２の電圧の振幅に応じて形成される高周波電界の強度を示している。電圧の振幅が最大となる位置の近傍では、特に大きい電界強度を有する高周波電界が形成され、この高周波電界により上側容器２１０内のプラズマ生成空間内に供給された処理ガスの放電が発生する。この放電に伴って処理ガスが励起されることにより、処理ガスのプラズマが生成される。以下、このように電圧の振幅が大きい位置（領域）の近傍において形成される高周波電界によって生成される処理ガスのプラズマをＣＣＰ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）成分のプラズマと称する。図２に示されているように、ＩＣＰ成分のプラズマは、上側容器２１０内の内壁面に沿った空間のうち、共振コイル２１２の下端と中点の間、及び上端と中点の間の領域（点線で示された領域）のそれぞれにドーナツ状に集中的に生成される。
　ここで、ＣＣＰ成分のプラズマからは、ラジカルやイオンなどの反応種や電子（電荷）が生成される。その際生成されたプラスの電子（電荷）は、ＣＣＰ成分のプラズマを生成する電界によって上側容器２１０の内壁側に引き寄せられ、上側容器２１０の内壁はプラスの電子（電荷）でチャージされる。すると、ＣＣＰ成分のプラズマが励起されることにより生成されたマイナスのイオン（特に、質量の大きいマイナスイオン）は、内壁にプラスの電子（電荷）によってチャージされた内壁に向かって加速し、衝突する。そのため、上側容器２１０の内壁面がスパッタリングされることとなり、内壁面を構成する材料の成分が処理室２０１内に放出・拡散されてしまうという課題が生じる。本実施形態の場合、内壁面を構成する石英部材がスパッタリングされることにより、石英を構成するシリコン（Ｓｉ）や酸素（Ｏ）などの成分が処理室２０１内に放出される。放出されたＳｉやＯなどの成分は、プラズマ処理により形成される窒化膜等の膜中に不純物として取り込まれ、膜の特性を低下させる可能性がある。また、内壁面がスパッタリングされることにより処理室２０１内にパーティクルが発生することもあり、パーティクルが基板上の膜表面に付着してデバイスの性能や歩留まりを低下させるなどの影響を与える可能性がある。
　したがって、上側容器２０１の内壁面へのスパッタリング発生を防止するという観点からは、ＣＣＰ成分のプラズマ発生を抑制することが望ましい。
＜本実施形態に係る共振コイルの巻径＞
　図３は、本実施形態に係る共振コイル２１２の巻径とプラズマ生成の態様を示している。本実施形態に係る共振コイル２１２の巻径が共振コイル２１２上の位置に応じて異なるように構成されている点で比較例のものと異なっている。
　図３で示されているように、本実施形態においても、共振コイル２１２の線路上において、供給される高周波電力の１波長分の長さを有する電流及び電圧の定在波が形成される。したがって、共振コイル２１２の両端（下端と上端）及び中点において電流の定在波の振幅が最大となる。すなわち、共振コイル２１２の両端（下端と上端）及び中点において電圧の定在波の振幅が最小（理想的にはゼロ）となり、その間の位置において振幅が最大となる。
　ここで、本実施形態では、これらの点（本実施形態では３点）におけるコイル離間距離が、共振コイル２１２の全区間の中で最小の距離となるように、コイルの巻径を設定している。本実施形態では、この最小の距離を距離ｄ１としている。より具体的には、本実施形態では、共振コイル２１２の下端から上側容器の外周１巻き分の区間、中点を中央として同じく1巻き分の区間、及び上端から同じく１巻き分の区間におけるコイル離間距離をｄ１とするようにコイルの巻き径を設定している。本実施形態では、電流の定在波の振幅が最大となる点におけるコイル離間距離が共振コイル２１２の全区間の中で最小の距離となるようにコイルの巻径を設定しているので、上側容器２１０内の内壁面に沿った空間において、ＩＣＰ成分のプラズマを最も集中的に生成することができる。（すなわち、最も高密度のＩＣＰ成分のプラズマを生成することできる。）
　一方、本実施形態では、共振コイル２１２上の電圧の定在波の振幅が最大となる点（本実施形態では２点）におけるコイル離間距離を、ｄ１とは異なり、且つ、共振コイル２１２の全区間の中で最大の距離ｄ２としている。より具体的には、本実施形態では、コイル離間距離をｄ１とする区間以外の区間であって、共振コイル２１２上の電圧の定在波の振幅が最大となる点（本実施形態では２点）を少なくとも含む区間におけるコイル離間距離を、ｄ１より大きい最大距離ｄ２としている。
　共振コイル２１２による形成される高周波電界の強度は、共振コイル２１２からの距離に反比例する。したがって、図３の左側の波形で示されるように、距離ｄ１を距離ｄ２にすることにより、上側容器２１０の内壁面位置における、共振コイル２１２の電圧の振幅に応じて形成される高周波電界の強度は低減されることになる。例えば、距離ｄ１をｄ２＝３５ｍｍに変更した場合、上側容器２１０の内壁面位置における電界強度は、１５ｍｍ／３５ｍｍ＝約０．４３倍に低減される。
　電圧の振幅が大きい位置（領域）の近傍において形成される高周波電界の強度が低減されるため、この高周波電界によって生成される処理ガスのＣＣＰ成分のプラズマの形成が抑制され、プラズマ密度が低下する。したがって、ＣＣＰ成分のプラズマから生成されるマイナスイオンとプラスの電子（電荷）が減少し、又、共振コイル２１２により形成される電界の強度が低減されるので、これらのマイナスイオンがこの電界によって上側容器２１０の内壁にチャージされたプラスの電子（電荷）に向かって加速し、上側容器２１０の内壁面をスパッタリングする、という現象が抑制される。
　すなわち、内壁面を構成する材料の成分が処理室２０１内に放出・拡散されてしまうことを抑制することができる。特に本実施形態の場合、比較例の場合に比べて、内壁面を構成する石英部材のＳｉやＯなどの成分が処理室２０１内に放出される量を低減することができる。放出されるＳｉやＯの量が低減されるため、プラズマ処理により形成される窒化膜等の膜中に不純物として取り込まれることを抑制し、膜の特性を向上させることができる。また、内壁面がスパッタリングされることにより処理室２０１内に発生するパーティクルの量も低減されるので、デバイスの性能や歩留まりを向上させることもできる。また、内壁面へのスパッタリング発生を抑制するので、上側容器２１０の損傷も抑制することができる。
　本実施形態では、電圧の定在波の振幅が最大となる点におけるコイル離間距離が共振コイル２１２の全区間の中で最大の距離となるようにコイルの巻径を設定しているので、上側容器２１０内の内壁面に沿った空間において、ＣＣＰ成分のプラズマが生成されることを選択的に抑制することができる。
　なお、距離ｄ１及びｄ２の具体的な値は、共振コイル２１２に供給される高周波電力の大きさや、共振コイル２１２の太さ、許容される膜中への不純物の取り込み量やパーティクル量、所望の（特に上側容器２１０の周方向における）プラズマ密度の均一性の度合い、などの他の条件に応じて適宜調整してもよい。
＜距離ｄ２の値について＞
　上側容器２１０の内壁面位置における電界強度を低減するという観点からは、距離ｄ２はできるだけ大きい方が望ましい。ただし、ＣＣＰ成分のプラズマによる生成される反応種も基板のプラズマ処理に利用するという観点も考慮して、距離ｄ２をｄ１より大きい所定の範囲の値とすることもできる。例えば、距離ｄ２を３０～５０ｍｍの範囲の値とすることで、スパッタリングの発生を抑制しながら、反応種の生成効率を許容範囲内に維持することも可能である。スパッタリングの発生を抑制する効果を十分に得るためには、距離ｄ１とｄ２の比率（ｄ１／ｄ２）を０．５以下とすることが好ましい。ただし、ｄ２を大きくするとコイル径が拡大し、装置のフットプリントの増大等を招くため、実用的には、０．１～０．５の範囲であることがより好ましい。
＜距離ｄ１とする区間の共振コイルの巻き数について＞
　本実施形態では特に、共振コイル２１２の下端から上側容器の外周に沿って１巻き分の区間、中点を中央として同じく1巻き分の区間、及び上端から同じく１巻き分の区間、という３つの区間において、コイル離間距離を距離ｄ１としている。
一方、スパッタリング発生を抑制するという観点からは、電流の定在波の振幅が最大となる共振コイル２１２の両端（下端と上端）及び中点のみを距離ｄ１として上側容器２１０に近づけて、それ以外の区間を全て距離ｄ２として上側容器２１０から遠ざけることも考えられる。しかしこの場合、これら３点の近傍位置のみにおいて上側容器２１０内で発生するプラズマ密度が大きくなり、共振コイル２１２の周方向（すなわち上側容器の周方向）において、上側容器２１０内で発生するプラズマ密度の偏りが大きくなる。本実施形態では、これら３点から上側容器２１０の外周に沿って少なくとも１巻き分の区間でコイル離間距離を距離ｄ１とすることにより、共振コイル２１２の周方向におけるプラズマ密度の偏りを小さくすることができる。
　また、このようにコイル離間距離を距離ｄ１とする区間を特に１巻き分の区間とすることにより、発生する高周波電界の強度が最小（理想的にはゼロ）となるコイル上の位置（上端、中点、下端）とその近傍区間のみについて、コイル離間距離を最小としている。つまり、上述した共振コイル２１２の周方向におけるプラズマ密度の偏り発生を避けるという条件を満たす範囲で、高周波電界を発生させる区間のうちコイル離間距離が最小となる区間を最も短くしている。従って、高周波電界に起因するＣＣＰ成分のプラズマの生成を抑制するのに本実施形態は好適である。
　また、他の実施例として、距離ｄ１とした区間により生成されるプラズマの密度の共振コイル２１２の周方向における偏りを更に小さくするため、これら３点から上側容器２１０の外周に沿って複数巻き分の区間についてコイル離間距離を距離ｄ１とすることもできる。ただし、この場合、共振コイル２１２上においてこれら３点からの距離が大きくなるほど、その位置で形成される高周波電界の強度が大きくなり、ＣＣＰ成分のプラズマ密度が大きくなるため、スパッタリングの抑制効果は低下する。従って、スパッタリングの抑制効果をより大きく得るためには、距離ｄ１とする区間を特に１巻き分とすることが望ましい。
＜中点を含む区間における共振コイルの形状について＞
　また、特に共振コイル２１２の中点を含む１巻き分の区間については、その区間の両端が（共振コイル２１２の軸方向から見て）重なり合う部分の近傍で、高周波磁界が重なり合うことによりその強度が１巻き分の区間内の他の区間よりも大きくなりやすく、上側容器２１０の周方向におけるプラズマ密度の偏りが生じやすい。そこで、他の実施例として、図９に示すように、距離ｄ１とした１巻き分の区間における共振コイル２１２の中心軸位置B（水平方向における中心位置）を、上側容器２１０の中心軸位置A（水平方向における中心位置）から、この両端が重なり合う部分Cの方向にずらすように、共振コイル２１２を形成してもよい。
　また、上述のプラズマ密度の偏りを低減するため、更に他の実施例として、１巻き分の区間の両端が重なり合う部分の近傍区間におけるコイル離間距離を、１巻き分の区間内の他の区間よりも大きくなるように共振コイル２１２の１巻き分の区間を形成してもよい。さらに、１巻き分の区間において高周波磁界の強度が最も大きくなる共振コイル２１２の中点についても、コイル離間距離が１巻き分の区間内の他の区間よりも大きくなるように共振コイル２１２を形成してもよい。
＜距離ｄ１又はｄ２とする区間以外の区間におけるコイル離間距離について＞
　また、本実施形態では、上述の距離ｄ１とする区間以外の区間全体を、コイル離間距離が距離ｄ２となるように設定することにより、ＣＣＰ成分のプラズマによるスパッタリングの発生を最小限に抑制している。一方、本実施形態の変形例として、（ＣＣＰ成分のプラズマを形成する）共振コイル２１２による形成される高周波電界又は高周波磁界の強度に応じて、上述の距離ｄ１又はｄ２とする区間以外の区間におけるコイル離間距離を調整してもよい。
　本変形例では、共振コイル２１２上の電圧の定在波の振幅が最大となる点ではコイル離間距離を最大（本変形例では距離ｄ２）とし、電圧の定在波の振幅が最大となる点と最小となる点との間の区間では、ＩＣＰ成分のプラズマとＣＣＰ成分のプラズマのバランスを考慮してコイル離間距離をｄ１からｄ２の間の値に設定する。より具体的には、例えば図１０に示す構成のように、電圧の定在波の振幅が最大となる点又はその近傍（長くとも１巻き分）のみにおいてコイル離間距離をｄ２とする。さらに、電圧の定在波の振幅が最大となる点と最小となる点との間の区間では、電圧の定在波の振幅が最大となる点から離れるにしたがって（すなわち、電圧の定在波の振幅が小さくなるにしたがって）、コイル離間距離も小さくなるように（すなわち距離ｄ１に近づくように）設定する。例えば、電圧の定在波の振幅に比例するようにコイル離間距離を小さくしてもよい。このようにコイル離間距離を設定することにより、ＣＣＰ成分のプラズマによるスパッタリングの抑制効果は本実施形態よりも劣るものの、共振コイル２１２への供給電力に対するプラズマの生成効率を本実施形態よりも高めることが可能である。
（制御部）
　制御部としてのコントローラ２２１は、信号線Ａを通じてＡＰＣバルブ２４２、バルブ２４３ｂ及び真空ポンプ２４６を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８を、信号線Ｃを通じてヒータ電力調整機構２７６及びインピーダンス可変機構２７５を、信号線Ｄを通じてゲートバルブ２４４を、信号線Ｅを通じてＲＦセンサ２７２、高周波電源２７３及び整合器２７４を、信号線Ｆを通じてＭＦＣ２５２ａ～２５２ｃ及びバルブ２５３ａ～２５３ｃ，２４３ａを、それぞれ制御するように構成されている。
　図４に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ２２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）２２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）２２１ｂ、記憶装置２２１ｃ、Ｉ／Ｏポート２２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２２１ｂ、記憶装置２２１ｃ、Ｉ／Ｏポート２２１ｄは、内部バス２２１ｅを介して、ＣＰＵ２２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ２２１には、例えばタッチパネルやディスプレイ等として構成された入出力装置２２２が接続されている。
　記憶装置２２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプログラムレシピ等が読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプログラムレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プログラムレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ２２１ｂは、ＣＰＵ２２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
　Ｉ／Ｏポート２２１ｄは、上述のＭＦＣ２５２ａ～２５２ｃ、バルブ２５３ａ～２５３ｃ、２４３ａ、２４３ｂ、ゲートバルブ２４４、ＡＰＣバルブ２４２、真空ポンプ２４６、ＲＦセンサ２７２、高周波電源２７３、整合器２７４、サセプタ昇降機構２６８、インピーダンス可変機構２７５、ヒータ電力調整機構２７６、等に接続されている。
　ＣＰＵ２２１ａは、記憶装置２２１ｃからの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ２２１ａは、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、Ｉ／Ｏポート２２１ｄ及び信号線Ａを通じてＡＰＣバルブ２４２の開度調整動作、バルブ２４３ｂの開閉動作、及び真空ポンプ２４６の起動・停止を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８の昇降動作を、信号線Ｃを通じてヒータ電力調整機構２７６によるヒータ２１７ｂへの供給電力量調整動作（温度調整動作）や、インピーダンス可変機構２７５によるインピーダンス値調整動作を、信号線Ｄを通じてゲートバルブ２４４の開閉動作を、信号線Ｅを通じてＲＦセンサ２７２、整合器２７４及び高周波電源２７３の動作を、信号線Ｆを通じてＭＦＣ２５２ａ～２５２ｃによる各種ガスの流量調整動作、及びバルブ２５３ａ～２５３ｃ、２４３ａの開閉動作、等を制御するように構成されている。
　コントローラ２２１は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２２３に格納された上述のプログラムをコンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置２２１ｃや外部記憶装置２２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合が有る。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置２２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
（２）基板処理工程
　次に、本実施形態に係る基板処理工程について、主に図５を用いて説明する。図５は、本実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。本実施形態に係る基板処理工程は、例えばフラッシュメモリ等の半導体デバイスの製造工程の一工程として、上述の処理装置１００により実施される。以下の説明において、処理装置１００を構成する各部の動作は、コントローラ２２１により制御される。
　なお、本実施形態に係る基板処理工程で処理されるウエハ２００の表面には、例えば図６に示すように、少なくとも表面がシリコンの層で構成され、アスペクト比の高い凹凸部を有するトレンチ３０１が予め形成されている。本実施形態においては、トレンチ３０１の内壁に露出したシリコン層に対して、プラズマを用いた処理として窒化処理を行う。トレンチ３０１は、例えばウエハ２００上に所定のパターンを施したマスク層３０２を形成し、ウエハ２００表面を所定深さまでエッチングすることで形成されている。
（基板搬入工程Ｓ１１０）
　まず、上記のウエハ２００を処理室２０１内に搬入する。具体的には、サセプタ昇降機構２６８がウエハ２００の搬送位置までサセプタ２１７を下降させて、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａにウエハ突上げピン２６６を貫通させる。その結果、ウエハ突き上げピン２６６が、サセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。
　続いて、ゲートバルブ２４４を開き、処理室２０１に隣接する真空搬送室から、ウエハ搬送機構（図示せず）を用いて処理室２０１内にウエハ２００を搬入する。搬入されたウエハ２００は、サセプタ２１７の表面から突出したウエハ突上げピン２６６上に水平姿勢で支持される。処理室２０１内にウエハ２００を搬入したら、ウエハ搬送機構を処理室２０１外へ退避させ、ゲートバルブ２４４を閉じて処理室２０１内を密閉する。そして、サセプタ昇降機構２６８がサセプタ２１７を上昇させることにより、ウエハ２００はサセプタ２１７の上面に支持される。
（昇温・真空排気工程Ｓ１２０）
　続いて、処理室２０１内に搬入されたウエハ２００の昇温を行う。ヒータ２１７ｂは予め加熱されており、ヒータ２１７ｂが埋め込まれたサセプタ２１７上にウエハ２００を保持することで、例えば１５０～７５０℃の範囲内の所定値にウエハ２００を加熱する。ここでは、ウエハ２００の温度が７００℃となるよう加熱する。また、ウエハ２００の昇温を行う間、真空ポンプ２４６によりガス排気管２３１を介して処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内の圧力を所定の値とする。真空ポンプ２４６は、少なくとも後述の基板搬出工程Ｓ１６０が終了するまで作動させておく。
（反応ガス供給工程Ｓ１３０）
　次に、反応ガスとして、窒素含有ガスであるＮ２ガスと水素含有ガスであるＨ２ガスの供給を開始する。具体的には、バルブ２５３ａ及び２５３ｂを開け、ＭＦＣ２５２ａ及び２５２ｂにて流量制御しながら、処理室２０１内へＮ２ガス及びＨ２ガスの供給を開始する。このとき、Ｎ２ガスの流量を、例えば２０～５０００ｓｃｃｍ、好ましくは２０～１０００ｓｃｃｍの範囲内の所定値とする。また、Ｈ２ガスの流量を、例えば２０～１０００ｓｃｃｍ、好ましくは２０～５００ｓｃｃｍの範囲内の所定値とする。Ｎ２ガスとＨ２ガスの流量比は、Ｎ２ガス：Ｈ２ガス＝１：１０～１０：１の範囲内の所定の比率であって、例えば１：１とする。
　また、処理室２０１内の圧力が、１～２５０Ｐａの範囲内の所定の圧力であって、好ましくは１～５Ｐａとなるように、ＡＰＣバルブ２４２の開度を調整して処理室２０１内の排気を制御する。このように、後述のプラズマ処理工程Ｓ１４０の終了時までＮ２ガス及びＨ２ガスの供給を継続する。
　なお、本実施形態において、窒素含有ガスとして、Ｎ２ガスとＨ２ガスの混合ガスを供給する例について説明したが、これに限らず、Ｎ２ガスやアンモニア（ＮＨ３）等を用いる場合にも適用することができる。
（プラズマ処理工程Ｓ１４０）
　処理室２０１内の圧力が安定したら、共振コイル２１２に対して高周波電源２７３からＲＦセンサ２７２を介して、高周波電力の印加を開始する。本実施形態では、高周波電源２７３から共振コイル２１２に２７．１２ＭＨｚの高周波電力を供給する。共振コイル２１２に供給する高周波電力は、例えば１００～５０００Ｗの範囲内の所定の電力であって、好ましくは１００～３５００Ｗであり、より好ましくは約３５００Ｗとする。電力が１００Ｗより低い場合、プラズマ放電を安定的に生じさせることが難しい。
　これにより、Ｎ２ガス及びＨ２ガスが供給されている上側容器２１０内のプラズマ生成空間に誘導プラズマが励起される。プラズマ状のＮ２ガス及びＨ２ガスは解離し、窒素を含む窒素ラジカル（窒素活性種）や窒素イオン、水素を含む水素ラジカル（水素活性種）や水素イオン、等の反応種が生成される。誘導プラズマにより生成されたラジカルと加速されない状態のイオンはウエハ２００の表面に均一に供給され、ウエハ２００の表面に形成されているシリコン層と均一に反応し、Ｓｉ層をステップカバレッジが良好なＳｉＮ層へと改質する。
　その後、所定の処理時間、例えば１０～３００秒が経過したら、高周波電源２７３からの電力の出力を停止して、処理室２０１内におけるプラズマ放電を停止する。また、バルブ２５３ａ及び２５３ｂを閉めて、Ｎ２ガス及びＨ２ガスの処理室２０１内への供給を停止する。以上により、プラズマ処理工程Ｓ１４０が終了する。
（真空排気工程Ｓ１５０）
　Ｎ２ガス及びＨ２ガスの供給を停止したら、ガス排気管２３１を介して処理室２０１内を真空排気する。これにより、処理室２０１内のＮ２ガスやＨ２ガス、これらガスの反応により発生した排ガス等を処理室２０１外へと排気する。その後、ＡＰＣバルブ２４２の開度を調整し、処理室２０１内の圧力を処理室２０１に隣接する真空搬送室（ウエハ２００の搬出先。図示せず）と同じ圧力（例えば１００Ｐａ）に調整する。
（基板搬出工程Ｓ１６０）
　処理室２０１内が所定の圧力となったら、サセプタ２１７をウエハ２００の搬送位置まで下降させ、ウエハ突上げピン２６６上にウエハ２００を支持させる。そして、ゲートバルブ２４４を開き、ウエハ搬送機構を用いてウエハ２００を処理室２０１外へ搬出する。以上により、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
（本実施形態の効果）
　本実施形態の効果について、発明者が行った検証結果を基に説明する。
以下の第１の検証及び第２の検証では、いずれも上述した本実施形態に係る基板処理装置を用いた。ただし、比較例１及び２は、共振コイル２１２の巻径を、距離ｄ１＝１５ｍｍで一定としており、実施例１～４は、共振コイル２１２の巻径を、上述の実施例の通り、共振コイル２１２上の位置によって距離ｄ１とｄ２で異ならせている、という点で異なっている。
＜第１の検証＞
　第１の検証では、被処理基板であるウエハ２００としてＳｉベアウエハを用い、Ｓｉベアウエハに対して上述の実施形態における窒化処理を施して、基板表面上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を形成した。そして、形成されたＳｉＮ膜中に含まれる酸素濃度を測定することにより、窒化処理によって膜中に取り込まれる酸素成分の量を評価した。比較例１、実施例１ではともに、厚さが１５ÅのＳｉＮ膜を形成する窒化処理を行った。なお、比較例１、実施例１において、反応ガス供給工程Ｓ１３０において処理室２０１に供給されるＮ２ガス及びＨ２ガスの流量はそれぞれ１００ｓｃｃｍ及び５０ｓｃｃｍとし、処理室２０１内の圧力は５Ｐａとし、ウエハの温度は７００℃とした。また、共振コイル２１２に供給する高周波電力の大きさ及び供給時間はそれぞれ、５００Ｗ／１２０秒、及び３５０Ｗ／１２０秒とした。
　図７に第１の検証の結果を示す。縦軸は各例において形成されたＳｉＮ膜中に含まれる酸素濃度（原子濃度）を示している。また、右端の「レファレンス（未処理）」とは、窒化処理を行わない、未処理のＳｉベアウエハの表層の酸素濃度を評価した結果である。図７に示されている通り、比較例１におけるＳｉＮ膜中の酸素濃度は２４．５ａｔｏｍｉｃ％であるのに対し、本実施形態に係る実施例１におけるＳｉＮ膜中の酸素濃度は１７．９ａｔｏｍｉｃ％となっており、比較例１に対して実施例１における膜中に取り込まれる酸素量が明らかに低減されていることが分かる。すなわち、共振コイル２１２の巻径を本実施形態のように設定することによって、上側容器２１０の内壁面のスパッタリングに起因する酸素成分の放出・拡散が抑制されることが推測される。なお、レファレンスとしての未処理Ｓｉベアウエハの表層に酸素が７．５ａｔｏｍｉｃ％含まれているのは、Ｓｉベアウエハが自然酸化することにより酸素が取り込まれているためである。
＜第２の検証＞
　第２の検証では、被処理基板であるウエハ２００として、表面に酸化アルミニウム膜（ＡｌＯ膜）が形成されたウエハを用い、ＡｌＯ膜に対して上述の実施形態における窒化処理を施して、基板表面上に酸窒化アルミニウム膜（ＡｌＯＮ膜）を形成した。そして、形成されたＡｌＯＮ膜中に含まれるシリコン濃度を測定することにより、窒化処理によって膜中に取り込まれるシリコン成分の量を評価した。比較例２、実施例２～４においては、いずれも、反応ガス供給工程Ｓ１３０において処理室２０１に供給されるＮ２ガスの流量を２００ｓｃｃｍとし、Ｈ２ガスの流量を０ｓｃｃｍとした。（すなわちＮ２ガスのみを供給した。）また、処理室２０１内の圧力は５Ｐａとし、ウエハの温度は７００℃とした。また、共振コイル２１２に供給する高周波電力の大きさ及び供給時間はそれぞれ、１ｋＷ／３００秒、１．５ｋＷ／３００秒、１ｋＷ／１２０秒、５００Ｗ／３００秒とした。
　図８に第２の検証の結果を示す。縦軸は各例において形成されたＡｉＯＮ膜中に含まれるシリコン濃度（原子濃度）を示している。図８に示されている通り、比較例２におけるＡｌＯＮ膜中のシリコン濃度は５．２ａｔｏｍｉｃ％であるのに対し、本実施形態に係る実施例２～４におけるＡｌＯＮ膜中のシリコン濃度はそれぞれ、１．１ａｔｏｍｉｃ％、０．３ａｔｏｍｉｃ％、０．２ａｔｏｍｉｃ％となっており、比較例２に対して実施例２～４における膜中に取り込まれるシリコン量が明らかに低減されていることが分かる。特に比較例２よりも高周波電力の値を大きくした実施例２においても、取り込まれるシリコン量が大幅に低減されるという結果を得られている。すなわち、共振コイル２１２の巻径を本実施形態のように設定することによって、上側容器２１０の内壁面のスパッタリングに起因するシリコン成分の放出・拡散が抑制されることが推測される。
＜本発明の他の実施形態＞
　上述の実施形態では、共振コイル２１２の上端、下端、及び中点におけるコイル離間距離をｄ１としているが、他の実施形態として、図１１に示すように、共振コイル２１２の上端及び下端におけるコイル離間距離も、中点以外の区間と同様に距離ｄ２とするように共振コイル２１２を構成することができる。すなわち、本実施形態では、共振コイル２１２の中点を含む、上側容器２１０の外周に沿って１巻き分の区間のみについて、コイル離間距離をｄ１としている。
　ここで、上述の実施形態では、共振コイル２１２の上端及び下端の近傍で発生するプラズマに比べて中点の近傍で発生するプラズマの方が、上側容器２１０の周方向における密度の均一性において優れる傾向がある。そこで本実施形態では、共振コイル２１２の上端及び下端におけるコイル離間距離を大きくしてこれらの位置から発生する高周波磁界の上側容器２１０内における強度を低下させ、中点の近傍で発生する均一性に優れたプラズマのみを選択的に生成させる。したがって、上側容器２１０の周方向におけるプラズマ密度の均一性を向上させるという観点からは、本実施形態は上述の実施形態よりも一般的に望ましい。但し、反応種の生成効率を重視する観点からは、共振コイル２１２の上端及び下端の近傍で発生するプラズマも利用する上述の実施形態の方が望ましい。
＜本発明の更に他の実施形態＞
　上述の実施形態では、プラズマを用いて基板表面に対して窒化処理を行う例について説明したが、その他にも、処理ガスとして酸素含有ガスを用いた酸化処理に対して適用することができる。また、窒化処理や酸化処理に限らず、プラズマを用いて基板に対して処理を施すあらゆる技術に適用することができる。例えば、プラズマを用いて行う基板表面に形成された膜に対する改質処理やドーピング処理、酸化膜の還元処理、当該膜に対するエッチング処理、レジストのアッシング処理、等に適用することができる。さらに、上述の実施形態では、スパッタリングが発生し得る上側容器２１０の材質として石英を用いる例について説明したが、その他にも、Ａｌ２Ｏ３や窒化シリコン（ＳｉＣ）などの他の材質を用いる場合にも適用することができる。すなわち、上側容器２１０を構成する材質に含まれる成分が、被処理対象に取り込まれることを抑制したり、パーティクルが発生することを抑制したりすることができる。
　本発明によれば、処理室内において処理ガスをプラズマ励起する際に発生する処理室内壁などに対するスパッタリング発生を低減することができる。
　１００…処理装置 　　２００…ウエハ　　２０１…処理室　　２１２…共振コイル　　２１７…サセプタ 

Claims (12)

  1. 　処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ容器と、
    　前記プラズマ容器に連通する基板処理室と、
    　前記プラズマ容器内に前記処理ガスを供給するよう構成されるガス供給系と、
    　前記プラズマ容器の外周に巻回するように設けられ、高周波電力を供給されるように構成されるコイルと、を有し、
    　前記コイルは、一端から他端までの間の所定位置における前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が、他の位置における前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離と異なるように形成され、且つ、前記コイルに印加される電圧の定在波の振幅が最大となる位置における前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が最大となるように形成されている、
    基板処理装置。
  2. 　前記コイルは、前記コイルに印加される電圧の定在波の振幅が最小となる位置の少なくとも一つにおいて、前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が最小となるように形成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記コイルは、前記コイルに供給される電流の定在波の振幅が最大となる位置の少なくとも一つにおいて、前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が最小となるように形成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 　前記コイルに供給される電流の定在波の振幅が最大となる位置の少なくとも一つは前記コイルの中点であり、
    　前記コイルは、前記コイルの中点における前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が最小となるように形成されている、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記コイルに供給される電流の定在波の振幅が最大となる位置は、前記コイルの一端及び多端を含んでおり、
    　前記コイルは、前記コイルの一端から前記プラズマ容器の外周を１巻きする区間、前記コイルの多端から前記プラズマ容器の外周を１巻きする区間、および前記コイルの中点を中央として前記プラズマ容器の外周を１巻きする区間のみにおいて、前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が最小となるように形成されている、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 　前記コイルは、前記コイルの中点を中央として前記プラズマ容器の外周を複数回巻回する区間において、前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が最小となるように形成されている、請求項４に記載の基板処理装置。
  7. 　前記コイルは、前記コイルの中点を中央として前記プラズマ容器の外周を１巻きする区間のみにおいて、前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が最小となるように形成されている、請求項４に記載の基板処理装置。
  8. 　前記コイルは、前記コイルに印加される電圧の定在波の振幅が最大となる位置から離れるにしたがって、前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が小さくなるように形成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
  9. 　前記コイルに高周波電力を供給するよう構成される高周波電源と、
    　前記コイルからの反射電力の値を検出するセンサと、
    　前記センサにより検出される前記反射電力の値に基づいて、前記反射電力が最小となる様に前記高周波電源を制御するよう構成される制御部と、
    を有する請求項１に記載の基板処理装置。
  10. 　前記コイルは前記高周波電力の波長の1倍の電気的長さを有している、請求項１に記載の基板処理装置。
  11. 　プラズマ容器に連通する基板処理室に基板を搬入する工程と、
    　処理ガスを前記プラズマ容器内に供給する工程と、
    　前記プラズマ容器の外周に巻回するように設けられたコイルに高周波電力を供給することにより、前記プラズマ容器内に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する工程と、
    　励起されたプラズマにより前記基板を処理する工程と、
    を有し、
    　前記コイルは、一端から他端までの間の所定位置における前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が、他の位置における前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離と異なるように形成され、且つ、前記コイルに印加される電圧の定在波の振幅が最大となる位置における前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が最大となるように形成されている、
    　半導体装置の製造方法。
  12. 　プラズマ容器に連通する基板処理装置の基板処理室に基板を搬入する手順と、
    　処理ガスを前記プラズマ容器内に供給する手順と、
    　前記プラズマ容器の外周に巻回するように設けられたコイルに高周波電力を供給することにより、前記プラズマ容器内に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する手順と、
    　励起されたプラズマにより前記基板を処理する手順と、をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラムを記録したコンピュータにより読み取り可能な記録媒体であって、
    　前記コイルは、一端から他端までの間の所定位置における前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が、他の位置における前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離と異なるように形成され、且つ、前記コイルに印加される電圧の定在波の振幅が最大となる位置における前記コイルの内周から前記プラズマ容器の内周までの距離が最大となるように形成されている。
PCT/JP2018/035217 2017-10-23 2018-09-21 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 WO2019082569A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SG11202002442XA SG11202002442XA (en) 2017-10-23 2018-09-21 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP2019526629A JP6636677B2 (ja) 2017-10-23 2018-09-21 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
KR1020197020190A KR102073533B1 (ko) 2017-10-23 2018-09-21 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
CN201880059829.5A CN111096082B (zh) 2017-10-23 2018-09-21 基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质
US16/821,511 US11837440B2 (en) 2017-10-23 2020-03-17 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
US18/527,833 US20240105423A1 (en) 2017-10-23 2023-12-04 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-204398 2017-10-23
JP2017204398 2017-10-23

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/821,511 Continuation US11837440B2 (en) 2017-10-23 2020-03-17 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019082569A1 true WO2019082569A1 (ja) 2019-05-02

Family

ID=66247315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/035217 WO2019082569A1 (ja) 2017-10-23 2018-09-21 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11837440B2 (ja)
JP (1) JP6636677B2 (ja)
KR (1) KR102073533B1 (ja)
CN (1) CN111096082B (ja)
SG (1) SG11202002442XA (ja)
TW (1) TWI713414B (ja)
WO (1) WO2019082569A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111952219A (zh) * 2019-05-17 2020-11-17 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质
KR20220104648A (ko) 2021-01-18 2022-07-26 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기록 매체
TWI792163B (zh) * 2020-03-11 2023-02-11 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11955322B2 (en) * 2021-06-25 2024-04-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device for adjusting position of chamber and plasma process chamber including the same for semiconductor manufacturing

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11162697A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Mc Electronics Kk プラズマ生成用の螺旋共振装置
JP2003037101A (ja) * 2001-07-23 2003-02-07 Kem Kk プラズマ生成用の螺旋共振装置
JP2009224596A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2010258324A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2016018727A (ja) * 2014-07-10 2016-02-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2017069254A (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4235064A1 (de) * 1992-10-17 1994-04-21 Leybold Ag Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung
US6253704B1 (en) * 1995-10-13 2001-07-03 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
KR100322330B1 (ko) * 1997-04-21 2002-03-18 히가시 데츠로 재료의 이온 스퍼터링 방법 및 장치
US5903106A (en) 1997-11-17 1999-05-11 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Plasma generating apparatus having an electrostatic shield
KR100844027B1 (ko) * 2006-12-15 2008-07-04 에이피티씨 주식회사 적응형 플라즈마 소스 및 적응형 플라즈마 반응챔버
US8920613B2 (en) * 2007-01-31 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Offset magnet compensation for non-uniform plasma
US8075734B2 (en) * 2007-07-06 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Remote inductively coupled plasma source for CVD chamber cleaning
JP2009164365A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
CN101515498B (zh) * 2008-02-18 2013-12-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种电感耦合线圈及采用该耦合线圈的等离子体处理装置
KR101071092B1 (ko) * 2009-07-30 2011-10-10 한국과학기술원 내부 안테나 구조체 및 플라즈마 발생 장치
CN101998749B (zh) * 2010-11-26 2013-08-21 中微半导体设备(上海)有限公司 电感耦合型等离子体处理装置
JP6257071B2 (ja) 2012-09-12 2018-01-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11162697A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Mc Electronics Kk プラズマ生成用の螺旋共振装置
JP2003037101A (ja) * 2001-07-23 2003-02-07 Kem Kk プラズマ生成用の螺旋共振装置
JP2009224596A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2010258324A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2016018727A (ja) * 2014-07-10 2016-02-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2017069254A (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111952219A (zh) * 2019-05-17 2020-11-17 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质
JP2020188229A (ja) * 2019-05-17 2020-11-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US11495435B2 (en) 2019-05-17 2022-11-08 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, non-transitory computer-readable recording medium, method of manufacturing semiconductor device, and a substrate processing method
TWI785317B (zh) * 2019-05-17 2022-12-01 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式
TWI792163B (zh) * 2020-03-11 2023-02-11 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式
KR20220104648A (ko) 2021-01-18 2022-07-26 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기록 매체
JP2022110387A (ja) * 2021-01-18 2022-07-29 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム
JP7203869B2 (ja) 2021-01-18 2023-01-13 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
CN111096082A (zh) 2020-05-01
JP6636677B2 (ja) 2020-01-29
KR102073533B1 (ko) 2020-02-04
TWI713414B (zh) 2020-12-11
TW202019244A (zh) 2020-05-16
US11837440B2 (en) 2023-12-05
US20240105423A1 (en) 2024-03-28
JPWO2019082569A1 (ja) 2019-11-14
SG11202002442XA (en) 2020-04-29
CN111096082B (zh) 2022-11-18
KR20190086586A (ko) 2019-07-22
US20200219699A1 (en) 2020-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6649473B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6636677B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
JP6552780B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び静電シールド
JP6285052B2 (ja) 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
JP7417569B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6281964B2 (ja) 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
CN111739778B (zh) 基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质、程序
JP6883620B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
CN110870047B (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
TWI814137B (zh) 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法，基板處理方法及程式
JP7393376B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラム及び基板処理装置
WO2023095374A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
WO2020188744A1 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019526629

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18871686

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197020190

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18871686

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1