KR100844027B1 - 적응형 플라즈마 소스 및 적응형 플라즈마 반응챔버 - Google Patents

적응형 플라즈마 소스 및 적응형 플라즈마 반응챔버 Download PDF

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Abstract

본 발명의 적응형 플라즈마 소스(Adaptively plasma source)는, 중앙에 배치되는 부싱과, 부싱의 측면으로부터 분지되어 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되고, 부싱으로부터 멀어질수록 부싱의 하부면과 나란한 수평선과의 수직거리가 점점 멀어지도록 배치되는 복수개의 코일들을 구비한다.
적응형 플라즈마 소스, ICP, CCP, 식각률, 플라즈마 분포

Description

적응형 플라즈마 소스 및 적응형 플라즈마 반응챔버{Adaptively coupled plasma source and adaptively coupled plasma reaction chamber}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버를 나타내 보인 단면도이다.
도 2는 도 1의 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 평면도이다.
도 3은 도 1의 적응형 플라즈마 반응챔버 내의 전계 분포를 돔으로부터의 거리에 따라 나타내 보인 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버의 식각률을 웨이퍼 위치에 따라 나타내 보인 그래프이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버를 나타내 보인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버를 나타내 보인 단면도이다.
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로서, 특히 적응형 플라즈마 소스 및 적응형 플라즈마 반응챔버에 관한 것이다.
반도체 제조공정에 있어서 식각공정, 특히 플라즈마 건식식각공정은, 반도체웨이퍼 위에 포토레지스트막이나 하드마스크로 이루어진 패턴 프로파일에 따라 플라즈마를 이용해서 하부막의 일부를 제거하는 공정이다. 이와 같은 플라즈마 건식식각공정을 수행하기 위해서는 반응챔버내에 플라즈마를 형성시킬 필요가 있는데, 플라즈마를 형성시키는 소스에 따라서 유도성 결합 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 소스와 용량성 결합 플라즈마(CCP; Capacitively Coupled Plasma) 소스로 구분할 수 있다.
통상적으로 폴리실리콘막이나 금속막을 식각하는데는 높은 식각률 및 높은 플라즈마 밀도를 유도성 결합 플라즈마 소스가 사용된다. 반면에 산화막을 식각하는데는 열악한 공정 재현성과 포토레지스트막에 대한 낮은 선택비로 인해 유도성 결합 플라즈마 소스 대신에 용량성 결합 플라즈마 소스가 사용된다. 최근에는 유도성 결합 플라즈마 소스와 용량성 결합 플라즈마 소스의 좋은 특성들을 결합한 적응형 플라즈마 소스가 제안된 바 있다.
적응형 플라즈마 소스는 중심부에 배치되는 부싱과, 이 부싱으로부터 방사방향으로 배치되는 복수개의 나선형 코일들로 구성된다. 이 적응형 플라즈마 소스는, 낮은 전력소모와 양호한 포토레지스트 선택비 특성을 나타내면서도 좋은 공정 재현성 및 높은 식각률을 나타내는 것으로 알려져 있으며, 이에 따라 폴리실리콘막 및 금속막과 함께 산화막을 식각하는데도 사용될 수 있다. 그러나 최근 적용범위가 다양해짐에 따라 식각률을 보다 균일하게 나타내도록 보다 균일한 플라즈마 분포를 발생시킬 것이 요구되며, 특히 웨이퍼의 중심부에서 상대적으로 높은 식각률을 나타내고, 웨이퍼의 가장자리에서 상대적으로 낮은 식각률을 나타내는 불균일한 식각률을 균일하게 할 필요성이 요구된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 보다 균일한 플라즈마 분포를 발생시켜 식각률의 균일성을 향상시킬 수 있는 적응형 플라즈마 소스 및 적응형 플라즈마 반응챔버를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 적응형 플라즈마 소스는, 중앙에 배치되는 부싱; 및 상기 부싱의 측면으로부터 분지되어 상기 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되고, 상기 부싱으로부터 멀어질수록 상기 부싱의 하부면과 나란한 수평선과의 수직거리가 점점 멀어지도록 배치되는 복수개의 코일들을 구비한다.
상기 부싱은 도전성 재질로 이루어질 수 있다.
상기 부싱은 원형의 판 구조일 수 있다.
상기 부싱은 중앙에서 가장자리로 갈수록 아래로 향하는 볼록한 형상을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버는, 플라즈마가 형성되는 반응공간을 한정하는 외벽 및 상부의 돔; 상기 반응공간의 하부에 배치되어 처리될 반도체 웨이퍼를 안착하기 위한 지지대; 및 상기 돔 위의 중앙에 배치되는 부싱과, 상기 부싱의 측면으로부터 분지되어 상기 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되고, 상기 부싱으로부터 멀어질수록 상기 부싱의 하부면과 나란한 수평선과의 수직거리가 점점 멀어지도록 배치되는 복수개의 코일들로 이루어진 적응형 플라즈마 소스를 포함한다.
상기 돔은 상기 적응형 플라즈마 소스를 구성하는 코일들을 따라 위로 돌출되는 볼록한 형상을 가질 수 있다.
상기 부싱은 중앙에서 가장자리로 갈수록 아래로 향하는 볼록한 형상을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버를 나타내 보인 단면도이다. 그리고 도 2는 도 1의 적응형 플라즈마 반응챔버의 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 평면도이다. 도 1에 나타낸 적응형 플라즈마 소스는 도 2의 선 I-I'를 따라 절단하여 나타낸 단면 구조와 동일하다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버(100)는, 챔버 외벽(102)과 돔(112)에 의해서 일정 크기로 한정되는 내부의 반응공간(104)을 갖는다. 이 반응공간(104)의 일정 영역에는 일정 조건하에서 플라즈마(110)가 형성된다. 적응형 플라즈마 반응챔버(100)의 하부에는 기판지지대(106)가 배치되는데, 처리가 이루어질 기판(108)은 기판지지대(106)의 상부면 위에 안착된다. 기판지지대(106)는 외부의 RF 전원(116)과 연결된다. 도면에 나타내지는 않았지만, 기판지지대(106) 내에는 기판(108)의 온도 조절을 위한 히터(heater)가 배치될 수도 있다.
돔(112)의 외측 표면, 즉 상부 표면 위에는 플라즈마(110) 형성을 위한 적응형 플라즈마 소스(200)가 배치된다. 이 적응형 플라즈마 소스(200)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수개, 예컨대 4개의 제1, 제2, 제3 및 제4 코일(201, 202, 203, 204)과, 부싱(bushing)(210)을 포함하여 구성된다. 구체적으로 부싱(210)이 중심에 배치되고, 제1, 제2, 제3 및 제4 코일(201, 202, 203, 204)이 부싱(210)의 측면으로부터 연장되어 부싱(210) 둘레를 나선형으로 감는 형태로 배치된다. 비록 여기서는 예시적으로 4개의 코일들로 한정하였지만, 4개보다 더 적을 수도 있고 더 많을 수도 있다는 것은 당연하다. 코일들의 개수(m)는 2 이상의 정수값으로 나타낼 수 있다. 각각의 코일(201, 202, 203, 204)은 일정한 회전수(n)를 갖는데, 이 회전수(n)는 양의 실수값으로 나타낼 수 있다. 즉 회전수(n)은 n=a×(b/m)(여기서 a 및 b는 양의 정수)로 계산된다.
각각의 코일(201, 202, 203, 204)은 모두 동일한 평면상에 배치되지 않는다. 구체적으로 부싱(210)으로부터 가장 인접한 위치에서 상대적으로 돔(112)의 상부 표면으로부터 가장 멀리 떨어지고, 부싱(210)으로부터 가장 먼 위치에서 상대적으로 돔(112)의 상부 표면으로부터 가장 가까이 배치된다. 이는 적응형 플라즈마 반응챔버(100)의 가장자리로 갈수록 코일과 돔(112) 사이의 간격이 점점 가까워진다는 것을 의미한다. 일 예로서, 도 2의 선 I-I'를 따라 절단하여 나타낸 도 1에 도시된 경우를 예를 들면, 부싱(210)의 좌측 측면에 가장 가까운 위치에는 제2 코일(202)이 위치하고, 이어서 제1 코일(201), 제4 코일(204) 및 제3 코일(203)이 순서대로 위치한다. 물론 도 2에서 절단하는 방향에 따라서 코일들의 배치 순서는 달라진다. 상기 예의 경우, 제2 코일(202)과 돔(112)의 상부면 사이의 거리(d1)가 가 장 멀고, 그 다음으로 제1 코일(201)과 돔(112)의 상부면 사이의 거리(d2)가 멀고, 그 다음으로 제4 코일(204)과 돔(112)의 상부면 사이의 거리(d3)가 멀며, 그리고 가장 외곽에 배치되는 제3 코일(203)과 돔(112)의 상부면 사이의 거리(d4)가 가장 가깝다. 따라서 전체적으로 코일의 단면 구조는 중앙이 볼록한 볼록형(convex type) 구조가 된다.
부싱(210)은 도전성 재질로 이루어지는데, 복수개의 코일들(201, 202, 203, 204)과 동일한 재질로 만들어질 수 있다. 예컨대 코일들(201, 202, 203, 204)이 구리(copper)재질로 만들어진 경우 부싱(210)도 구리재질로 만들어진다. 그러나 경우에 따라서 코일들(201, 202, 203, 204)과는 다른 재질로 만들어질 수도 있다. 부싱(210)은, 일정 반경의 원형의 형상을 갖지만, 경우에 따라서는 원형 이외의 다른 형상을 가질 수도 있다. 부싱(210)의 중앙에는 부싱(210)의 상부면으로부터 수직한 방향으로 돌출되는 지지봉(211)이 배치된다. 이 지지봉(211) 또한 도전성 재질, 예컨대 구리로 만들어진다. 지지봉(211)은 RF 전원(114)의 일 단자에 연결된다. RF 전원(114)의 다른 단자는 접지된다. RF 전원(114)으로부터의 파워는 지지봉(211) 및 부싱(210)을 통하여 제1, 제2, 제3 및 제4 코일(201, 202, 203, 204)로 공급된다.
도 3은 도 1의 적응형 플라즈마 반응챔버 내의 전계 분포를 돔으로부터의 거리에 따라 나타내 보인 그래프이다. 그리고 도 4는 도 1의 적응형 플라즈마 반응챔버의 식각률을 웨이퍼 위치에 따라 나타내 보인 그래프이다.
먼저 도 3에 나타낸 바와 같이, 적응형 플라즈마 소스(200)를 구성하는 코 일(201, 202, 203, 204)이 돔으로부터 멀어질수록 반응공간(104) 내에 영향을 주는 전계의 세기는 약해진다. 즉 웨이퍼(108)의 중앙부에 인접한 위치일수록 전계의 세기는 약하고 웨이퍼(108)의 가장자리로 갈수록 전계의 세기는 증대된다. 더욱이 웨이퍼(108)의 중앙부는 부싱(210)의 존재로 인하여 가장자리에 비하여 상대적으로 낮은 플라즈마 밀도를 나타낸다. 이는 웨이퍼(108)의 중앙부에서의 식각률을 감소시켜 웨이퍼(108) 전체적으로 균일한 식각률을 나타내고 해 줄 수 있다.
다음에 도 4에 나타낸 바와 같이, 적응형 플라즈마 반응챔버(100)의 중앙부, 즉 웨이퍼(108)의 중앙부의 플라즈마 밀도를 증대시켜 가장자리에 비하여 중앙부에 높은 플라즈마 밀도(410)를 나타내는 경우에도, 중앙부의 높은 플라즈마 밀도로 인하여 실제 식각공정이 진행되는 동안 폴리머와 같은 부산물들의 발생량(420) 또한 웨이퍼(108)의 가장자리에 비하여 중앙부에서 더 많이 발생한다. 따라서 웨이퍼(108)의 중앙부에서는 가장자리에 비하여, 비록 플라즈마 밀도는 높지만 더 많은 식각 부산물의 발생으로 인해 전체 식각율(430)은 오히려 상대적으로 더 낮아진다. 웨이퍼(108) 중앙부에서의 플라즈마 밀도를 증대시키는 방법으로는 여러 가지 방법들이 사용될 수 있는데, 일 예로서 부싱(210)의 크기, 두께, 재질 등을 조절할 수 있다. 또한 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 부싱(210)과 돔(112) 사이의 공간에 절연판 등을 개재시킬 수도 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버를 나타내 보인 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버(500)는, 챔버 외벽(502)과 돔(512)에 의해서 일정 크기로 한정되는 내부의 반응공간(504)을 갖는다. 이 반응공간(504)의 일정 영역에는 일정 조건하에서 플라즈마(510)가 형성된다. 돔(512)은 반응챔버(100)의 상부 외부를 향해 볼록한 형상을 갖는다. 적응형 플라즈마 반응챔버(500)의 하부에는 기판지지대(506)가 배치되는데, 처리가 이루어질 기판(108)은 기판지지대(506)의 상부면 위에 안착된다. 기판지지대(506)는 외부의 RF 전원(516)과 연결된다. 도면에 나타내지는 않았지만, 기판지지대(506) 내에는 기판(508)의 온도 조절을 위한 히터(heater)가 배치될 수도 있다.
돔(512)의 외측 표면, 즉 상부 표면 위에는 플라즈마(510) 형성을 위한 적응형 플라즈마 소스(600)가 배치된다. 이 적응형 플라즈마 소스(600)는, 복수개, 예컨대 4개의 제1, 제2, 제3 및 제4 코일(601, 602, 603, 604)과, 부싱(bushing)(610)을 포함하여 구성된다. 적응형 플라즈마 소스(600)의 평면 형상은 도 2에 나타낸 바와 동일하다. 구체적으로 부싱(610)이 중심에 배치되고, 제1, 제2, 제3 및 제4 코일(601, 602, 603, 604)이 부싱(610)의 측면으로부터 연장되어 부싱(610) 둘레를 나선형으로 감는 형태로 배치된다. 비록 여기서는 예시적으로 4개의 코일들로 한정하였지만, 4개보다 더 적을 수도 있고 더 많을 수도 있다는 것은 당연하다. 코일들의 개수(m)는 2 이상의 정수값으로 나타낼 수 있다. 각각의 코일(601, 602, 603, 604)은 일정한 회전수(n)를 갖는데, 이 회전수(n)는 양의 실수값으로 나타낼 수 있다. 즉 회전수(n)은 n=aㅧ(b/m)(여기서 a 및 b는 양의 정수)로 계산된다.
본 실시예에 있어서도, 각각의 코일(601, 602, 603, 604)은 모두 동일한 평 면상에 배치되지 않는다. 일 예로서, 부싱(610)의 좌측 측면에 가장 가까운 위치에는 제2 코일(602)이 위치하고, 이어서 제1 코일(601), 제4 코일(604) 및 제3 코일(603)이 순서대로 위치하는 경우를 예를 들면, 제2 코일(202), 제1 코일(201), 제4 코일(204) 및 제3 코일(203)이 모두 볼록한 돔(512)의 상부면을 따라 일정 간격으로 배치되며, 따라서 전체적으로 코일의 단면 구조는 중앙이 볼록한 볼록형(convex type) 구조가 된다. 경우에 따라서는 각 코일과 돔(512)의 상부면 사이의 간격이 모두 동일하지 않을 수도 있는데, 이는 돔(512)의 볼록한 정도와 코일의 볼록한 정도에 따라 결정된다.
부싱(610)은 도전성 재질로 이루어지는데, 복수개의 코일들(601, 602, 603, 604)과 동일한 재질로 만들어질 수 있다. 예컨대 코일들(601, 602, 603, 604)이 구리(copper)재질로 만들어진 경우 부싱(610)도 구리재질로 만들어진다. 그러나 경우에 따라서 코일들(601, 602, 603, 604)과는 다른 재질로 만들어질 수도 있다. 부싱(610)은, 일정 반경의 원형의 형상을 갖지만, 경우에 따라서는 원형 이외의 다른 형상을 가질 수도 있다. 부싱(610)의 중앙에는 부싱(610)의 상부면으로부터 수직한 방향으로 돌출되는 지지봉(611)이 배치된다. 이 지지봉(611) 또한 도전성 재질, 예컨대 구리로 만들어진다. 지지봉(611)은 RF 전원(514)의 일 단자에 연결된다. RF 전원(514)의 다른 단자는 접지된다. RF 전원(514)으로부터의 파워는 지지봉(611) 및 부싱(610)을 통하여 제1, 제2, 제3 및 제4 코일(601, 602, 603, 604)로 공급된다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버를 나타 내 보인 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 적응형 플라즈마 반응챔버(700)는, 챔버 외벽(702)과 돔(712)에 의해서 일정 크기로 한정되는 내부의 반응공간(704)을 갖는다. 이 반응공간(704)의 일정 영역에는 일정 조건하에서 플라즈마(710)가 형성된다. 돔(712)은 반응챔버(700)의 상부 외부를 향해 볼록한 형상을 갖는다. 적응형 플라즈마 반응챔버(700)의 하부에는 기판지지대(706)가 배치되는데, 처리가 이루어질 기판(108)은 기판지지대(706)의 상부면 위에 안착된다. 기판지지대(706)는 외부의 RF 전원(716)과 연결된다. 도면에 나타내지는 않았지만, 기판지지대(706) 내에는 기판(708)의 온도 조절을 위한 히터(heater)가 배치될 수도 있다.
돔(712)의 외측 표면, 즉 상부 표면 위에는 플라즈마(710) 형성을 위한 적응형 플라즈마 소스(800)가 배치된다. 이 적응형 플라즈마 소스(800)는, 복수개, 예컨대 4개의 제1, 제2, 제3 및 제4 코일(801, 802, 803, 804)과, 부싱(bushing)(810)을 포함하여 구성된다. 적응형 플라즈마 소스(800)의 평면 형상은 도 2에 나타낸 바와 동일하다. 구체적으로 부싱(810)이 중심에 배치되고, 제1, 제2, 제3 및 제4 코일(801, 802, 803, 804)이 부싱(810)의 측면으로부터 연장되어 부싱(810) 둘레를 나선형으로 감는 형태로 배치된다. 비록 여기서는 예시적으로 4개의 코일들로 한정하였지만, 4개보다 더 적을 수도 있고 더 많을 수도 있다는 것은 당연하다. 코일들의 개수(m)는 2 이상의 정수값으로 나타낼 수 있다. 각각의 코일(201, 202, 203, 204)은 일정한 회전수(n)를 갖는데, 이 회전수(n)는 양의 실수값으로 나타낼 수 있다. 즉 회전수(n)은 n=aㅧ(b/m)(여기서 a 및 b는 양의 정수)로 계산된다.
본 실시예에 있어서도, 각각의 코일(801, 802, 803, 804)은 모두 동일한 평면상에 배치되지 않는다. 일 예로서, 부싱(810)의 좌측 측면에 가장 가까운 위치에는 제2 코일(802)이 위치하고, 이어서 제1 코일(801), 제4 코일(804) 및 제3 코일(803)이 순서대로 위치하는 경우를 예를 들면, 제2 코일(802), 제1 코일(801), 제4 코일(804) 및 제3 코일(803)이 모두 볼록한 돔(712)의 상부면을 따라 일정 간격으로 배치되며, 따라서 전체적으로 코일의 단면 구조는 중앙이 볼록한 볼록형(convex type) 구조가 된다. 경우에 따라서는 각 코일과 돔(712)의 상부면 사이의 간격이 모두 동일하지 않을 수도 있는데, 이는 돔(712)의 볼록한 정도와 코일의 볼록한 정도에 따라 결정된다.
본 실시예에 있어서, 부싱(810)도 또한 볼록한 형상을 갖는다. 즉 부싱(810)의 중앙에서 가장자리로 갈수록 돔(712)의 볼록한 형상을 따라 아래로 향한다. 부싱(810)은 도전성 재질로 이루어지는데, 복수개의 코일들(801, 802, 803, 804)과 동일한 재질로 만들어질 수 있다. 예컨대 코일들(801, 802, 803, 804)이 구리(copper)재질로 만들어진 경우 부싱(810)도 구리재질로 만들어진다. 그러나 경우에 따라서 코일들(801, 802, 803, 804)과는 다른 재질로 만들어질 수도 있다. 부싱(810)은, 일정 반경의 원형의 형상을 갖지만, 경우에 따라서는 원형 이외의 다른 형상을 가질 수도 있다. 부싱(810)의 중앙에는 부싱(810)의 상부면으로부터 수직한 방향으로 돌출되는 지지봉(811)이 배치된다. 이 지지봉(811) 또한 도전성 재질, 예컨대 구리로 만들어진다. 지지봉(811)은 RF 전원(714)의 일 단자에 연결된다. RF 전원(714)의 다른 단자는 접지된다. RF 전원(714)으로부터의 파워는 지지봉(811) 및 부싱(810)을 통하여 제1, 제2, 제3 및 제4 코일(801, 802, 803, 804)로 공급된다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 적응형 플라즈마 소스 및 적응형 플라즈마 반응챔버에 따르면, 적응형 플라즈마 소스를 구성하는 코일이 볼록형으로 배치됨으로써 보다 균일한 플라즈마 분포를 발생시켜 식각률의 균일성을 향상시킬 수 있다는 이점이 제공된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.

Claims (7)

  1. 중앙에 배치되는 부싱; 및
    상기 부싱의 측면으로부터 분지되어 상기 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되고, 상기 부싱으로부터 멀어질수록 상기 부싱의 하부면과 나란한 수평선과의 수직거리가 점점 멀어지도록 배치되는 복수개의 코일들을 구비하는 적응형 플라즈마 소스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 부싱은 도전성 재질로 이루어지는 적응형 플라즈마 소스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 부싱은 원형의 판 구조로 이루어지는 적응형 플라즈마 소스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 부싱은 중앙에서 가장자리로 갈수록 아래로 향하는 볼록한 형상을 갖는 적응형 플라즈마 소스.
  5. 플라즈마가 형성되는 반응공간을 한정하는 외벽 및 상부의 돔;
    상기 반응공간의 하부에 배치되어 처리될 반도체 웨이퍼를 안착하기 위한 지지대; 및
    상기 돔 위의 중앙에 배치되는 부싱과, 상기 부싱의 측면으로부터 분지되어 상기 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되고, 상기 부싱으로부터 멀어질수록 상기 부싱의 하부면과 나란한 수평선과의 수직거리가 점점 멀어지도록 배치되는 복수개의 코일들로 이루어진 적응형 플라즈마 소스를 포함하는 적응형 플라즈마 반응챔버.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 돔은 상기 적응형 플라즈마 소스를 구성하는 코일들을 따라 위로 돌출되는 볼록한 형상을 갖는 적응형 플라즈마 반응챔버.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 부싱은 중앙에서 가장자리로 갈수록 아래로 향하는 볼록한 형상을 갖는 적응형 플라즈마 반응챔버.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050005717A (ko) * 2003-06-26 2005-01-14 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 균일한 플라즈마 발생을 위한 코일 구조 및 이를 이용한플라즈마 챔버
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050005717A (ko) * 2003-06-26 2005-01-14 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 균일한 플라즈마 발생을 위한 코일 구조 및 이를 이용한플라즈마 챔버
KR20050096393A (ko) * 2004-03-30 2005-10-06 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 플라즈마 소스코일 및 이를 이용한 플라즈마 챔버

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101063319B1 (ko) * 2009-04-14 2011-09-07 에이피티씨 주식회사 적응형 플라즈마 소스를 갖는 플라즈마 반응챔버

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