JP5620365B2 - 多官能分子システムを用いた積層体への金属の接着促進 - Google Patents

多官能分子システムを用いた積層体への金属の接着促進 Download PDF

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Description

本発明は一般的に電子回路の製造における金属表面と誘電体材料との間の接着の改善に関連する。さらに特に、本発明は金属表面と有機材料の間の接着の改善方法および/または金属表面とガラス繊維の間の接着の改善方法に関する。
[発明の背景]
多層回路盤(MLB)は、それに加えて、その間に多数の回路パターンを定義する金属層および多数の絶縁層を有している。今日、回路パターンを定義する金属層は典型的に銅から形成され、そして絶縁層は典型的に樹脂性ガラス繊維含浸(“pre−preg”プレ−プレグ)誘電体材料から形成される。これらのそれぞれの層は広範囲の厚みを有することができる。例えば、これらは単にマイクロメーターの桁の厚みかあるいはそれより大きい厚みであり得る。
MLBの製造において、次の製造操作中あるいは使用中に積層剥離を避けるために導電層および絶縁層間の接着を強化することが望ましい。絶縁層が良く接着する強接着性の銅酸化物層を創る所謂“黒色酸化物”工程が長年使用されてきた。多くの工業に対して、黒色酸化物工程は有機金属変換被膜(OMCC)の形成を含むUS特許No.5,800,859および7,232,478に記載されるような工程によって置き換えられている。OMCC工程は酸化剤、抑制剤および無機酸を含む種々の成分を含む接着促進溶液に銅回路層を曝露することを含む。OMCC工程は積層工程の間、機械的接着をさせる“構造的”表面を提供する。アゾールである抑制剤は銅表面上に不溶解性アゾール−銅(I)を形成することによって表面に銅(I)を濃縮する。銅(I)イオン塩基錯体は銅(II)酸化物よりも有機積層に良好な機械的接着を提供する。抑制材は銅腐食をさらに抑制するために銅表面をまた不動態化する。
PCB工業は2006年6月1日に欧州の法律となった危険物質に関する制限(RoHS)指令によって鉛を含む半田から要求されるような無鉛の方向に移行している。無鉛半田は含鉛半田よりも高いリフロー温度を要求する。例えば、典型的なリフロー温度は無鉛半田に関して260℃から270℃の範囲であり、それに対して含鉛半田は220℃である。高い温度はOMCC工程のような現行の内層工程を含む電子部品の組立に利用される多くの材料に挑戦する。銅積層複合材料の積層剥離は金属およびポリマー材料間の熱膨脹係数(CTE)の不適合により要求される高いリフロー温度で起き得ると考えられる。
被膜工業は有機被膜と金属基板の間の接着、例えば、基盤の表面へ固体マスクあるいは液体光画像化半田マスク(LPSM)の接着を改善するため効果的な促進剤をまた探してきている。
(本発明の要約)
端的に言えば、本発明は印刷回路盤の製造の間、銅導電層および誘電体材料間の接着を増進するため接着増進複合材料を目指している。接着促進組成物は第1官能基および第2官能基を含む多官能化合物、ここで(1)第1官能基は窒素と脂肪族アミンを含む芳香族複素環式化合物からなる群から選ばれ、そして(2)第2官能基はビニルエーテル、アミド、チアミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シラン、アルコキシシラン、およびその組み合わせからなる群から選ばれ;界面活性剤;酸;およびアルコール溶剤を含む。
本発明はさらに印刷回路盤の製造の間、銅導電層および誘電体材料間の接着を強化するための工程を目指している。工程は銅導電層を第1官能基および第2官能基を含む多官能化合物を含む接着促進組成物に曝露し、ここで(1)第1官能基は窒素と脂肪族アミンを含む芳香族複素環式化合物からなる群から選ばれ、そして(2)第2官能基はビニルエーテル、アミド、チアミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シラン、アルコキシシラン、およびその組み合わせからなる群から選ばれ、ここで第1官能基は銅導電基板上の表面上に銅(I)濃厚有機金属接着剤膜を形成するために銅導電層の表面と相互作用する。
本発明の他の特徴は以下に一部分で明らかにされそして一部分で指摘される。
図1は実施例1の接着促進組成物から適用される被膜の濡れ曲線を示す図である。 図2は実施例2の接着促進組成物から適用される被膜の濡れ曲線を示す図である。 図3は(A)実施例1の接着促進組成物で処理された表面、(B)リフロー後(A)から被膜、(C)実施例2の接着促進組成物で処理された表面、および(D)リフロー後(C)から被膜に対する銅試料の表面上の銅を解析するための920から965eVの領域のXPSスペクトルである。
(本発明の実施態様の詳細説明)
本発明は接着促進組成物および処理が金属表面および誘電体材料間の接着を強化する結果となる金属表面を処理するための組成物の使用方法を目指している。例えば、組成物は印刷回路盤の製造の間、樹脂性ガラス繊維含浸(プレ−プレグ)誘電体材料へ接着を促進するために銅導電表面、例えば、銅膜を処理するために使用され得る。この組成物は多層基盤の製造を含む印刷回路盤の製造で特別の使用を見つけるけれども、本発明の組成物は種々の応用で誘電体材料および金属基板の間の接着を改善する。
印刷回路盤の製造で金属表面(例えば、銅膜)へ接着を改善するため処理される適切な誘電体材料は、例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂基板(例えば、熱硬化成樹脂で加熱および加圧下で一緒に結合される繊維状材料層)を含む。印刷回路盤製造でエポキシ樹脂は典型的にエピクロロヒドリンおよびビスフェノールA間の反応から誘導される。本発明はPCB製造で典型的に使用される広い種類のエポキシ樹脂に適用できる。一般的に、エポキシ樹脂基板はエポキシ−樹脂システムで結合される連続−単繊維ガラス布からなる。特定のエポキシ樹脂基板の実施例は次を含む;ガラス繊維布シートで強化されたエポキシ樹脂からなるG−10;G−10に類似の自己消火性基板であるFR−4;ガラス布およびエポキシ混合物であるG−11;およびG−11の耐炎性型であるFR−5。FR−4基板はRogers Corporation(Chandler,AZ)から入手できるセラミック粒子で強化され得る。
ガラス繊維で強化され得る他の樹脂はポリメチルアクリル樹脂およびポリメチルメタクリル樹脂のようなアクリル樹脂を含む。なお他の樹脂はポリフェニレンエーテル、シアン化エステル、およびビスマレイミド/トリアジンを含む。
基板であり得る追加的な誘電体材料はセラミック、ガラス、テフロン(登録商標)、ガラス繊維強化テフロン、セラミック強化テフロン、ポリスチレン、およびポリイミド(曲がる基盤応用)を含む。
技術として知られる最も多くの接着促進組成物は金属表面を粗くすることによって金属表面とプレ−プレグ絶縁層間の接着を強化し、それによってファンデルワールス力および同様の力により機械的接着に受け入れられる金属の表面とする。本発明の接着促進組成物は金属表面およびプレ−プレグ絶縁層を一緒に接着する機械的力に単に依存しない。むしろ、1つの実施態様において、接着促進組成物はプレ−プレグ絶縁層に典型的に使用される樹脂性有機誘電体材料に化学結合を形成することのできる多官能化合物を含む。1つの実施態様において、接着促進組成物はプレ−プレグ絶縁層にまた典型的に存在するガラス繊維に化学結合を形成することのできる多官能化合物を含む。1つの実施態様において、接着促進組成物は1つよりも多くの多官能化合物を含む、すなわち、接着促進組成物は多官能化合物の混合物を含む。ある実施態様において、接着促進組成物は2つあるいはそれ以上の多官能化合物を含む、そこでは各多官能化合物は同じ材料に結合できるか、あるいは各多重官能化合物は異なる材料に結合できる。例えば、接着促進組成物はプレ−プレグ絶縁層の樹脂性有機誘電体材料に化学結合を形成することのできる第1多官能化合物およびプレ−プレグ絶縁層のガラス繊維に化学結合を形成することのできる第2多官能化合物を含む。樹脂性有機誘電体材料および/またはガラス繊維に化学結合される多官能化合物は金属表面およびプレ−プレグ絶縁層間に強力な接着層あるいは膜を提供する。金属表面およびプレ−プレグ絶縁層間に形成される接着膜は、無鉛半田のリフローに要求される高温において単に機械的接着に依存する膜よりも耐久性があること、および積層剥離に対してさらなる抵抗性があることが期待される。
本発明の接着促進組成物に含まれる多官能化合物は第1官能基および第2官能基を含む。ある実施態様において、多官能化合物は追加的な官能基、すなわち第3官能基、第4官能基等を含む。本発明の多官能化合物はそれ故2官能、3官能、4官能あるいはそれ以上である。2つあるいはそれ以上の第2官能基を含む化合物において、複数の第2官能基は同じか異なる。ある実施態様において、2つあるいはそれ以上の第2官能基は同じ型の材料に結合することができる。ある実施態様において、2つあるいはそれ以上の第2官能基は異なる型の材料に結合することができる。第1官能基は金属基板の表面を粗くしそして金属基板の上に有機金属変換被膜を形成する。有機金属変換被膜を形成できる第1官能基は窒素を含む芳香族複素環式化合物を含む。第2官能基は印刷回路基盤製造においてプレ−プレグ絶縁層で典型的に使用される樹脂性有機誘電体材料および/またはガラス繊維と互換性がありそして結合する。樹脂性有機誘電体材料および/またはガラス繊維と結合できる第2官能基はビニルエーテル、アミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シラン、アルコキシシランからなる郡から選択される。ある実施態様において、接着促進化合物は第2官能基のような2つあるいはそれ以上の組み合わせを含む。望ましくは、第1官能基および第2官能基はお互いに非反応性である。
ある実施態様において、第1官能基は窒素を含む芳香族複素環式化合物を含む。ある実施態様において、第1官能基は脂肪族アミンを含む。第1官能基は銅導電層の表面で銅(I)イオンと相互作用しそして溶液中の銅(II)と相互作用する。銅(I)イオンとの相互作用は銅導電層の表面で不溶解性銅(I)塩基有機金属体を含む膜、すなわち有機金属変換被膜(OMCC)として知られる膜を形成する。第1官能基は銅(II)イオンを溶液中でキレート化する。これらの反応は銅(I)イオン中で濃厚にされる銅導電層の表面に保護膜の形成に至り、それにより銅導電層の表面で銅(II)イオンに対する銅(I)イオンの比を増加する。この膜は導電性銅層にミクロな粗さの表面形態を形成する。この微細な粗面化銅表面は次に適用されるプレ−プレグ絶縁層との接着を促進する。この議論は銅基板に結合するために適用できる多官能分子に焦点を当てているけれども、多官能分子は銀、ニッケル、鉄、コバルト、亜鉛および錫のような他の金属表面上に有機金属膜を形成できる。
窒素を含む芳香族複素環式化合物は望ましくは5員芳香族環(アゾール)を含む。環は炭素原子、窒素原子、あるいは両方で置換され得る。置換基は樹脂性有機誘電体材料および/またはガラス繊維に結合できる第2官能基である。望ましくは、環は炭素原子で第2官能基と置換される。環は窒素原子で置換されるが、しかし望ましくは少なくとも1つの窒素原子が金属基板の表面上に銅(I)濃厚有機金属接着膜を形成する様式で銅(I)イオンおよび銅(II)イオンと相互作用するため利用できる。さらに望ましくは、酸性の水素原子に結合される少なくとも1つの窒素原子は芳香族複素環が脱プロトンするように利用でき、そして陰性に荷電した残基の芳香族複素環は金属基板の表面上に銅(I)濃厚有機金属接着性膜を形成する様式で銅(I)イオンおよび銅(II)イオンとの相互作用に利用できる。環は同素環あるいは複素環である芳香族あるいはシクロアルキル基に融合される。1つの実施態様において、芳香族複素環は置換5員環を含む。1つの実施態様において、芳香族複素環は6員環に融合される5員環を含む。第2官能基とさらに置換され得る例示的なアゾールは表1に示される。
ベンゾトリアゾールはその耐食性、特に腐食から銅表面を保護する能力のための技術として知られている。望ましくは、窒素からを含むなる芳香族複素環式化合物はベンゾトリアゾールに本質的に似た化学的性質を有している。特別の理論を別にして、ベンゾトリアゾールの酸性のNH部分(moiety)のpKaは有機金属腐食被膜を形成するために有利である。ベンゾトリアゾールは約8.4のpKを有している。望ましくは、芳香族複素環式化合物はベンゾトリアゾールに似ているpKaを有し、例えば、窒素を含む芳香族複素環は約5および約11の間のようなベンゾトリアゾールの約3pH単位内でpKaを有しているが、しかしこの範囲の僅かに外側のpKaを有する化合物は電位的に利用できる。望ましくは、pKaは約5および11の間のような、約6および約10の間のような約5および約13の間であり、さらに望ましくは例えば約8.0および約8.8の間のような約7.5および約9.0の間である。重要なことに、窒素を含む芳香族複素環は金属基板の表面上に銅(I)濃厚有機金属接着性膜を形成する様式で銅(I)イオンおよび銅(II)イオンと相互作用する。望ましくは窒素を含む芳香族複素環は接着促進組成物と典型的に会合する強酸性条件で有機金属膜を形成しそして酸に耐える。望ましいこれらの性質を有する窒素を含む芳香族複素環はイミダゾール、トリアゾール、ピラゾール、ベンズイミダゾール、プリン、イミダゾ[4,5−b]ピリジン、およびベンゾトリアゾールを含む。
望ましい範囲のpKaを有するイミダゾール、ベンゾトリアゾール、およびプリンのような酸性のNH基を含む芳香族複素環は脱プロトン化しそして銅イオンと錯体化し、それにより約1.0以下のpHを有する望ましい強酸性の溶液でさえ非溶解性銅錯体を形成する。アミドおよびカルボン酸のような望ましい官能基は芳香族化合物と非反応性である。これらの官能基はそれ故銅とプレ−プレグを積層するために典型的に使用される工程条件でエポキシおよびポリイミドとの反応に利用できる。
ある実施態様において、多官能化合物は6員芳香属環に融合される置換アゾールである。従って、多官能化合物は次の一般式(Ia)あるいは(Ib)のいずれかを有し得る。
Figure 0005620365
ここで、A、A、A、A、A、AおよびAは炭素原子あるいは窒素原子でありそしてA、A、A、A、A、AおよびAの窒素原子の合計が0、1、2、あるいは3である;
11、A22、A33、A44、A55、A66およびA77が電子対、水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる;そして
少なくともA11、A22、A33、A44、およびA55の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。
置換あるいは非置換ビニルエーテル、アミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シランあるいはアルコキシシランの記載は、ビニルエーテル、アミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シランあるいはアルコキシシランが窒素を含む芳香族複素環式化合物に直接結合される実施態様、ビニルエーテル、アミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シランあるいはアルコキシシランがアルキル、アルケニル、アルキニルあるいはアリール基を典型的に連鎖基によって結合される実施態様、およびビニルエーテル、アミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シランあるいはアルコキシシランがプレ−プレグ絶縁層内の樹脂性有機誘電体材料および/またはガラス繊維に結合できる意味で任意に機能する他の部分(moiety)とさらに置換される連鎖基によって結合される実施態様を包含することを意図される。これらの実施態様の全てにおいてビニルエーテル、アミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シランあるいはアルコキシシランはプレ−プレグ絶縁層内の樹脂性有機誘電体材料および/またはガラス繊維に結合できる。
ある実施態様において、多官能化合物は置換プリン、置換ベンゾトリアゾール、置換イミダゾ[4,5−b]ピリジンから選ばれる。従って、多官能分子は一般構造式(II)プリン、(III)ベンゾトリアゾール、および(IV)イミダゾ[4,5−b]ピリジンを有し得る。
Figure 0005620365
ここで、A22、A44、A55、A66、およびA77は構造式(Ia)および(Ib)に関連して定義される。
ある実施態様において、多官能化合物はいずれの追加的な環構造にも融合されない置換5員アゾールである。従って、多官能化合物次の構造式(V)を有し得る。
Figure 0005620365
ここで、A、A、A、およびAが炭素原子あるいは窒素原子でありそしてA、A、A、およびAの窒素原子の合計が0、1、あるいは2である;
22、A33、A44、およびA55は水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換あ素そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる;そして
少なくともA22、A33、A44、およびA55の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。
ある実施態様において、第1官能基は脂肪族アミンである。適切な脂肪族アミンは1級アミン、2級アミン、および3級アミンを含む。
適切な適用できる1級アミンはアミノエタン、1−アミノプロパン、2−アミノプロパン、1−アミノブタン、2−アミノブタン、1−アミノ−2−メチルプロパン、2−アミノ−2−メチルプロパン、1−アミノペンタン、2−アミノペンタン、3−アミノペンタン、ネオ−ペンチルアミン、1−アミノヘキサン、1−アミノヘプタン、2−アミノヘプタン、1−アミノオクタン、2−アミノオクタン、1−アミノノナン、1−アミノデカン、1−アミノドデカン、1−アミノトリデカン、1−アミノテトラデカン、1−アミノペンタデカン、1−アミノヘキサデカン、1−アミノヘプタデカン、および1−アミノオクタデカンを含む。
適切な適用できる2級アミンはジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジウンデシルアミン、ジドデシルアミン、ジトリデシルアミン、ジテトラデシルアミン、ジヘキサデシルアミン、ジオクタデシルアミン等を含む。
適切な適用できる3級アミンは、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリウンデシルアミン、トリドデシルアミン、トリトリデシルアミン、トリテトラデシルアミン、トリヘキサデシルアミン、トリオクタデシルアミン等を含む。
また、エチレンジアミン、2−(ジイソプロピルアミノ)エチルアミン、N,N′−ジエチルエチレンジアミン、N−イソプロピルエチレンジアミン、N−メチルエチレンジアミン、N,N−ジメチルエチレンジアミン、1−ジメチルアミノ−2−プロピルアミン、3−(ジブチルアミノ)プロピルアミン、3−(ジエチルアミノ)プロピルアミン、3−(ジメチルアミノ)−1−プロピルアミン、3−(メチルアミノ)プロピルアミン、N−メチル−1,3−ジアミノプロパン、N,N−ジエチル−1,3−プロパンジアミン等のような2つあるいはそれ以上のアミンを含む有機官能分子もまた適用できる。
第1官能基として脂肪族アミンを含む本発明の接着促進組成物で使用される多官能化合物はここで定義される第2官能基と炭素原子で望ましくは置換される。ある実施態様において、第2官能基は脂肪族アミン上の窒素原子に結合される。これらの実施態様において、望ましくは部分、−NHを含む少なくとも1つの酸性アミンは有機金属変換被膜を形成するために利用できるように残る。
第2官能基は印刷回路盤製造でプレ−プレグ絶縁層で典型的に使用される樹脂性有機誘電体材料および/またはガラス繊維と両立できそして結合する。第2官能基はビニルエーテル、アミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。1つの実施態様において、第2官能基はエポキシおよびポリイミド樹脂に化学的に結合できる。これに関して有益な第2官能基はビニルエーテル、アミド、アミン、カルボン酸、エステル、およびアルコールを含む。接着促進組成物は有機材料が金属基板に適用される他の分野に適用できる。従って、これらの第2官能基はアクリル樹脂、シリコン、およびポリウレタンのような有機材料に結合する。1つの実施態様において、第2官能基はガラス繊維と両立できそして結合するこれに関して有益な第2官能基はシランおよびアルコキシシランを含む。接着促進組成物はエポキシおよびポリイミド樹脂に結合できる第2官能基を有する多官能化合物およびガラス繊維に結合できる第2官能基を有する多官能化合物を有する多官能化合物の組み合わせからなる。
1つの実施態様において、第2官能基はアクリル樹脂に結合するに適切であると判っているビニルエーテルである。ビニルエーテルの構造式は次の構造式を有し得る。
Figure 0005620365
ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す;そして
、R、およびRは水素、置換あるいは非置換アルキル、および置換あるいは非置換アリールの間からそれぞれ選ばれる。アルキルは約1および約8の炭素原子の間から典型的になり、約1および約4の炭素原子の間からもつと典型的になり、すなわちメチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、iso−ブチル、およびtert−ブチルを含む。アリールは典型的にこれらの置換変形のフェニル、ベンジル、ナフチル、あるいはアルキル、すなわちトリル、キシリル、メシチルを含む。ビニルエーテルは芳香族複素環式化合物に直接結合されるかあるいは連鎖によって結合され、それはメチレン、エチレン、あるいはプロピレンのような低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである。望ましい実施態様において、R、R、およびRは水素である。
ビニルエーテルに結合するための望ましい芳香族複素環はベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、およびトリアゾールを含む。窒素を含む芳香属複素環に結合されるビニルエーテルを含む実施例の化合物は次の表の化合物を含む。
Figure 0005620365
1つの実施態様において、第2官能基はアミンであり、それはエポキシ樹脂およびポリイミド樹脂に結合するために適していることを知られている。アミンは次の構造式(VII)を有し得る。
Figure 0005620365
ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す;そして
およびRは水素、飽和あるいは不飽和アルキル、および飽和あるいは不飽和アリールからそれぞれ選ばれる。アルキルは典型的に約1個および約8の個炭素原子の間,もっと典型的に約1個および4個の炭素原子の間、すなわちメチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、iso−ブチル、およびtert−ブチルを含む。アリールは典型的にこれらの置換変形のフェニル、ベンジル、ナフチル、あるいはアルキル、すなわちトリル、キシリル、メシチルを含む。アミンは直接芳香族複素環化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレン、あるいはプロピレン、ブチレンのようなあるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールのような1個から4個の炭素を有する低級アルキルである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。望ましくは、アミンは1級アミンあるいは2級アミンである。1つの実施態様において、RおよびRは両方水素である。1つの実施態様において、RおよびRの1つは水素で、そして1つの実施態様において、RおよびRの1つはフェニルである。
アミンに結合する望ましい芳香族複素環はプリン、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾールおよびピラゾールを含む。窒素を含む芳香族複素環に結合されるアミンを含む実施例の化合物は次の表3の化合物を含む。
Figure 0005620365
1つの実施態様において、第2官能基はエポキシ樹脂に結合するに適していることを知られているアミドあるいはチアミドである。アミドは次の構造式(VIII)を有し得る。
Figure 0005620365
ここで、
Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す;そして
Xは酸素原子あるいは硫黄原子である;そして
およびRは水素、飽和あるいは不飽和アルキル、および飽和あるいは不飽和アリールからそれぞれ選ばれる。アルキルは典型的に約1個および約8個の炭素原子の間,もっと典型的に約1個および4個の炭素原子の間、すなわちメチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、iso−ブチル、およびtert−ブチルを含む。アリールは典型的にこれらの置換変形のフェニル、ベンジル、ナフチル、あるいはアルキル、すなわちトリル、キシリル、メシチルを含む。アミンは直接芳香族複素環化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレン、あるいはプロピレン、ブチレンのようなあるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールのような1個から4個の炭素を有する低級アルキルである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。1つの実施態様において、RおよびRは両方水素である。
アミドおよびチアミドに結合するための望ましい芳香族複素環はプリンおよびベンゾトリアゾールを含む。窒素を含む芳香族複素環状に結合されるアミドおよびチアミドを含む実施例の化合物は次の表4の化合物を含む:
Figure 0005620365
1つの実施態様において、第2官能基はエポキシ樹脂およびポリイミド樹脂に結合するに適していることを知られているカルボン酸である。カルボン酸は次の構造式(IX)を有し得る。
Figure 0005620365
ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す。カルボン酸は直接芳香属複素環式化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレン、あるいはプロピレンのような低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである連鎖によって結合される。カルボン酸は直接芳香属複素環式化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレンあるいはプロピレン、ブチレンのような1個から4個の炭素を有する低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。
カルボン酸に結合するための芳香属複素環はベンゾトリアゾール、イミダゾールおよびピラゾールを含む。窒素を含む芳香族複素環に結合されるカルボン酸らなる実施例の化合物は次の表5の化合物を含む:
Figure 0005620365
1つの実施態様において、第2官能基はエステルである。エステルは次の構造式(Xa)あるいは(Xb)を有し得る。
Figure 0005620365
ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す;そして
およびRは水素、飽和あるいは不飽和アルキル、および飽和あるいは不飽和アリールからそれぞれ選ばれる。アルキルは典型的に約1個および約8個の炭素原子の間,もっと典型的に約1個および4個の炭素原子の間、すなわちメチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、iso−ブチル、およびtert−ブチルを含む。アリールは典型的にこれらの置換変形のフェニル、ベンジル、ナフチル、あるいはアルキル、すなわちトリル、キシリル、メシチルを含む。エステルは直接芳香属複素環式化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレンあるいはプロピレン、ブチレンのような1個から4個の炭素を有する低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。1つの実施態様において、エステルは構造式(V)であり、そしてRはメチル基である。
エステルに結合される望ましい芳香族複素環はベンゾトリアゾールおよびイミダゾールを含む。窒素を含む芳香属複素環に結合されるエステルを含む実施例の化合物は次の表6の化合物を含む:
Figure 0005620365
1つの実施態様において、第2官能基はエポキシ樹脂に結合するに適していることを知られているアルコールである。アルコールは次の構造式(XI)を有し得る:
Ar−OH (XI)
ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す。アルコールは直接芳香属複素環式化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレンあるいはプロピレン、ブチレンのような1個から4個の炭素を有する低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。
アルコールに結合される望ましい芳香族複素環はベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾール、およびピラゾールを含む。窒素を含む芳香属複素環に結合されるアルコールを含む実施例の化合物は次の表7の化合物を含む:
Figure 0005620365
1つの実施態様において、第2官能基はシランあるいはアルコキシシランである。シランあるいはアルコキシシランは次の構造式(XII)を有し得る:
Figure 0005620365
ここで、ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す;そして
10、R11およびR12は水素、1個および3個の間の炭素原子を有するアルキル基、1個および3個の間の炭素原子を有するアルコキシ基、そして1個および3個の間の炭素原子を有するアルキルカルボキシル基から独立して選ばれる。シランあるいはアルコキシシランは直接芳香属複素環式化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレンあるいはプロピレン、ブチレンのような1個から4個の炭素を有する低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。望ましいシラン/アルコキシシランはプロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルメチルジエトキシシラン、およびプロピルメチルジメトキシシランを含む。
シランおよびアルコキシシランに結合するための望ましい芳香属複素環はベンゾトリアゾールおよびイミダゾールを含む。窒素を含む芳香属複素環に結合されるシランを含む実施例の化合物は次の表8の化合物を含む。
Figure 0005620365
多官能化合物は約50g/Lおよび0.05g/Lの間の濃度、望ましくは約10g/Lおよび約1g/Lの間の濃度で接着促進組成物に添加される。
上記の多官能化合物は典型的に僅かに水に溶解する。従って、本発明の接着促進組成物は多官能分子の溶解度を強化するために補強のアルコール溶媒を含む。本発明の接着促進組成物で使用するための実施例のアルコールはジオール、トリオール、および高級ポリオールを含む。適切なアルコールはエタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、tert−ブタノール、イソ−ブタノール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、他のペンタノール、1−ヘキサノール、他のヘキサノール、ヘプタノール、1−オクタノール、2−オクタノール、および他のオクタノール、1−デカノール、および他のデカノール、フェノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロパン−1,2−ジオール、ブタン−1,2−ジオール、ブタン−1,3−ジオール、ブタン−1,4−ジオール、プロパン−1,3−ジオール、ヘキサン−1,4−ジオール、ヘキサン−1,5−ジオール、ヘキサン−1,6−ジオール、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、2−プロポキシエタノール、2−ブトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、3−メトキシ−1−プロパノール、3−エトキシ−1−プロパノール等を含む。次いで、ブテン−ジオール、ヘキセン−ジオールのような不飽和ジオール類、およびブチンジオールのようなアセチレン類等がある。適切なトリオールはグリセロールである。さらなるアルコールはトリエチレングリコール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、アリルアルコール、フルフリルアルコール、およびテトラヒドロフルフリルアルコールを含む。
アルコールは少なくとも10mL/の初期濃度の組成物で提供される。典型的に、アルコールの濃度は少なくとも約100mL/Lであり、もっと典型的に少なくとも約150mL/Lである。アルコールは水中の溶解度限界までの濃度で組成物中に存在する。完全にアルコールを含む溶媒システムを採用することは本発明の範囲内である。アルコールが補強的な溶媒である水溶液溶媒システムでは、アルコールの濃度は約750mL/L、約650mL/Lの高さで、あるいは約600mL/Lあるいは約500mL/Lのような低さで、もっと典型的に約200mL/L未満である。従って、アルコールの濃度は約10mL/Lおよび約750mL/Lの間、典型的に約150mL/Lおよび約500mL/Lの間である。
上記の組成に加えて、接着促進組成物は酸化剤および無機酸から任意になる。追加的に、接着促進組成物は多官能分子の溶解性をさらに強化しそして金属表面を清浄にすることを助けるために表面活性剤を含む。本発明の接着促進組成物は遷移金属源およびハロゲン化物源からまたなる。
1つの実施態様において、酸化剤は過酸化水素である。過酸化水素は少なくとも約1質量%の濃度で、接着促進組成物中に存在する。過酸化水素の濃度は約20質量%よりも典型的に大きくはなくそしてある望ましい実施態様において、約10質量%よりも大きくはない。1つの実施態様において、過酸化水素の濃度は接着促進組成物の約0.6質量%および約4質量%の間である。接着促進組成物中の過酸化水素の濃度が非常に高いとき、導電層の粗い表面構造が望まれる粗い効果よりも脆いいくらか樹脂状構造を形成し、それでそれは過酸化水素の低い濃度が使用されるときよりも弱い結合を形成することが見つけられた。さらに、高い過酸化水素の濃度はOMCCを過剰エッチングにより漠然とさせる。すべての濃度は100%の濃度で使用されるようにそれぞれの要素の濃度に関連するように標準化される。例えば、1つの実施態様において、組成物に添加されるH溶液は100%濃度Hよりもむしろ35%濃度Hである。しかしながら、最終組成物の濃度は100%濃度のHの質量%に基づき、最終組成物の35%Hの質量%に基づかない。
接着促進組成物は銅の溶解性を強化しそして溶液中の他の組成物の組成を維持する主たる目的のために1つあるいはそれ以上の無機酸を含む。リン酸、硝酸、硫酸およびこれらの混合物を含むような種々の鉱酸が作用し得る。望ましくい実施態様において、HNOおよびHSOが採用される。Cuの溶解性を強化することに加えて、HSOはエッチング速度を緩和することを助け、そしてそれ故隔離された箇所で基板の過剰エッチングの防止を助けることが発見された。HNOはエッチング速度を増加し、Cuの溶解性を増加し、早すぎる沈殿物形成の防止を助け、そして被膜を暗くするためにH、HSOおよび多官能化合物と作用する。組成物中の全体の酸濃度は一般的に少なくとも1質量%で、望ましくは少なくとも8質量%であり、そしてある望ましい実施態様においては、組成物の少なくとも14質量%である。エッチング速度は硝酸を除いて非常に高いならば過剰に遅くされ、そして非均一でそして非常に色の薄い有機金属変換被膜を生じ得る。この理由のため、従来の組成物の酸性度水準は典型的に約20質量%であることを選ばれた。しかしながら、本発明において、ここで記載される他の添加剤で被膜は約25質量%に上昇された酸水準でなければ期待されるように色を薄くされないので、酸性度水準を約25質量%およびそれ以上に押し上げることが可能である。全体の酸性度水準は約50質量%以下に維持される。1つの望ましい実施態様において、それ故、約22質量%および約28質量%の間で、約20質量%のHSO(50%級)および約5質量%のHNO(95%級)を含む。1つの望ましい実施態様において、無機酸は少なくとも組成物の約30質量%を構成する。他の望ましい実施態様は、28質量%のHSO(50%級)および5質量%のHNO(95%級)を採用する。HNOは他の鉱酸よりもよく阻止剤−銅錯体を溶解性とする特異な能力を有することが分かってきたので、これらの望ましい実施態様で採用される。高い無機酸濃度生成溶液は約2.0以下、望ましくは約1.0のような強い酸性のpHを有する。上記のこれらの比率は最終的な組成物における酸の比率でありそして上に記載のように100%濃度の酸に基づくけれども、実際に添加される酸の望ましい型式は約50%濃度のHSOおよび約95%濃度のHNOである。
本発明の1つの実施態様はスルホン酸化陰イオン性表面活性剤を採用する。表面の濡れをするに加えて、この表面活性剤はHを安定化することを助ける。このような最も特に望ましい表面活性剤はドデシルベンゼンスルホン酸(DDBSA)あるいはドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム塩である。DDBSAは、例えば、Ashland Distribution Company(Santa Ana,Ca)から、あるいはCalsoft LAS99の商標でPilot Chemical Company(Santa Fe Springs,CA)から酸あるいはナトリウム塩として市販で入手できる。ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムはWitconate 1850の商標でWitco Corporation,Orange Division,(New York,NY)からまた市販で入手できる。追加的な表面活性剤はPolystep A−11の商標でStepan Company(Northfield,II)から入手できるイソピロピルアミン分枝アルキルベンゼンスルホン酸:およびNorfox T−60の商標でNorman,Fox & Company(Vernon,CA)から入手できるドデシルベンゼンスルホン酸を含む。この表面活性剤は表面を濡れさせそしてHの安定化を達成するために十分な量で使用され、この量は接着促進剤の全体組成物に依存して変化する。1つの現行の望ましい実施態様はスルホン酸化陰イオン性表面活性剤を少なくとも約0.0001%を含む。一般的な比率として、スルホン酸化陰イオン性表面活性剤は少なくとも約0.005%、望ましくは少なくとも約0.1%であり;そして約10%未満であり、望ましくは約5%未満、さらに望ましくは約2%未満である。1つの特定の実施例は表面活性剤、特にDDBSAの0.002%を採用する。
本発明の現行の望ましい実施態様は硫酸化陰イオン性表面活性剤をまた含んでいる。この化合物の1つの望ましい実施例は2−エチルヘキシル硫酸ナトリウムであり、式CCH(C)CHSO Naを有する2−エチルヘキサノール硫酸ナトリウム塩としてまた知られる。これはNiaproof 08の商標でNiacct Corporation(Niagara falls,NY)から入手でき、これは38.5から40.5%の2−エチルヘキシル硫酸ナトリウムおよび均衡水を含む。代替品はPolystep B−5の商標でNiacetから入手できるテトラデシル硫酸ナトリウム、Polystep B−5の商標でStepan Company(Northfield,II)から入手できるラウリル硫酸ナトリウム、およびSulfotex 110の商標でHenkel Corporation/Emery Group,Cospha/CD(Ambler,PA)から入手できるn−デシル硫酸ナトリウムを含む。硫酸化陰イオン性表面活性剤化合物の添加は驚くことに被膜を色薄くする予期される有害な効果なしに酸性度水準を上昇させることを許す。酸性度水準はこの様式で上され得るため、銅の負荷は増加される。これはまた被膜を暗くすることを助ける。この化合物はこの実施態様において被膜の実質的な色を薄くすることなしに銅負荷を増大するに十分な濃度で存在する。典型的な濃度は少なくとも約0.001%、望ましくは少なくとも約0.1%である。硫酸化陰イオン性表面活性剤は約10%よりも大きくはなく、そして望ましくは約5%よりも大きくない。望ましい範囲は約0.05および2%の間である。1つの望ましい実施態様において、硫酸化陰イオン性表面活性剤濃度は約0.5%である。他にそれは0.15%である。
現行の望ましい実施態様において、組成物はまた陰イオン性表面活性剤として1つあるいはそれ以上のエトキシ化フェノール誘導体を含む。この表面活性剤は剥離力を改善する予期しない追加的な利点を提供することを発見された。1つの望ましい実施態様において、この表面活性剤はポリオキシエチレンノニルフェノールのような1つあるいはそれ以上のエトキシ化ノニルフェノールである。ポリオキシエチレンノニルフェノールはTergitol NP9の商標でDow Chemical Company(Midland,MI)から入手できる。代替品はTergitol NP8の商標でDow Chemical Company(Midland,MI)から入手できるエトキシ化ノニルフェノール、Triton Nの商標でUnion Carbide Corporation(Danbury,CT)から入手できるノニルフェノキシポリエトキシエタノールおよびIgepal CO−210の商標でNew JerseyのRhone−Poulenc,Surfacant&Specialty Divisioinから入手できるエトキシ化ノニルフェノール(あるいはノノキシノール−2)を含む。
表面活性剤の濃度は剥離力を改善するに十分であることを選ばれる。1つの望ましい現行の実施態様は少なくともエトキシ化フェノール誘導体の約0.0001%を含む。一般的な比率として、濃度は少なくとも約0.01%で、望ましくは約0.2%であり;そして約10%未満、望ましくは約5%未満である。1つの望ましい範囲は約0.01%および約1%のような、約0.02%から約1%のような約0.0001%および約2%の間である。
他の望ましい現行の実施態様において、組成物は1つあるいはそれ以上の4級アミン表面活性剤を含む。1つの望ましい実施態様において、表面活性剤はポリエトキシ化4級アミンである。このような表面活性剤の実施例は次の第4級TOMAHを含む:TOMAH Q−14−2(74%活性イソデシルオキシプロピル bis−(2−ヒドロキシエチル)メチル塩化アンモニウム)、TOMAH Q−17−2(74%活性イソトリデシルオキシプロピル bis−(2−ヒドロキシエチル)メチル塩化アンモニウム)、TOMAH Q−17−5(74%活性イソトリデシルオキシプロピル ポリ(5)オキシエチレンメチル塩化アンモニウム)、TOMAH Q−18−2(50%活性オクタデシル bis−(2−ヒドロキシエチル)メチル塩化アンモニウム)、TOMAH Q−S(50%あるいは80%活性モノソイアメチル塩化アンモニウム)、TOMAH Q−DT(50%活性タロウジアミンジクオータナリ)、TOMAH Q−C−15(100%活性ココポリ(15)オキシエチレンメチル塩化アンモニウム)、およびTOMAH ST−50(50%活性トリメチルステアリル塩化アンモニウム)。望まし実施態様において、表面活性剤は約0.1%および約2%のような、約1%のような、約0.05%および約5%の間の濃度で組成物に添加されるTOMAH Q−14−2(74%活性イソデシルオキシプロピル bis−(2−ヒドロキシエチル)メチル塩化アンモニウム)である。
組成物はさらにハロゲンイオン源、望ましくは塩素イオンを含む。源はNaClあるいはHClであり、そして約10から100ppmの範囲の塩素イオン濃度で提供される。1つの実施態様に対する最も望ましい範囲は約60および65ppmの間である。望ましい範囲は他の実施態様に対して全体の組成物および応用に応じて異なる。従来の公式の比較におけるこの増大されたCl水準は第2銅に対する第1銅の比を増加することを助け、剥離力を増大しそして積層剥離の全時間を永くすることを発見された。Cl水準は組成物の使用の間、薄まりそしてそれから安定化する。このように、約20ppmおよび約100ppmの間の最初のClイオン濃度は1つの実施態様において約20から80ppmの桁で働くClイオン濃度を達成するために望ましい。
組成物は追加的にZn2+およびNi2+のような遷移金属イオンを含む。遷移金属イオンは有機金属変換被膜の熱抵抗を強化すると信じられる。実施例の源のZn2+およびNiは沃化亜鉛および沃化ニッケルを含むが、しかし他の水溶解源は酢酸亜鉛および酢酸ニッケルのように良く使用される。遷移金属の提供に加えて、これらの源はハロゲン化物イオンを提供する。遷移金属イオン源は約10g/Lおよび約0.1g/L遷移金属イオンの間で提供される組成物に添加される。
接着促進組成物は望ましくは脱イオン水を使用して水溶液中で成分を混合されることによって製造される。望ましい実施態様において、溶液はさらに有機成分の溶解性を強化するためにアルコールを含む。標準の安全実施に従って、過酸化水素は希釈された形式で組成物に添加される。
銅表面は一般的に事前処理なしに接着促進組成物と接触される。銅表面は曇りを禁止する被膜で、例えば、エッチングレジスト剥ぎ取りの直ぐ次の段階で使用されるレジスト剥ぎ取り組成物内に曇り禁止剤を合体させることによって事前に提供されてきた。このような剥ぎ取り剤で使用される曇り禁止剤は、例えば、トリアゾールあるいは他の被膜である。もしそうであれば、組成物と接触する前に銅表面を事前清浄することが望ましい。事前清浄溶液はPC7077のような酸性事前清浄剤(West Haven,ConnecticutのEnthone Inc.から入手できる)を含み、製造者の説明書に従って準備されそして使用される。例えば、1つの実施態様において、銅表面は市販で入手できる酸性清浄剤を使用して約30℃および約40℃の間のような約30℃および約50℃の間の温度で、約45秒および2分間のような約30秒および約3分間の時間で事前清浄される。酸性事前清浄剤での清浄化は蒸留水で洗滌によって望ましくは追従される。
酸性事前清浄はPC7086あるいはPC7096(West Haven,ConnecticutのEnthone Inc.から入手できる)のようなアルカリ性清浄によって望ましくは追従され、製造者の説明書に従って準備されそして使用される。例えば、1つの望ましい実施態様において、銅表面は市販で入手できるアルカリ性事前清浄剤を使用して約45℃および約54℃の間のような約40℃および約60℃の間の温度で、約30秒および1分間のような約20秒および約2分間の時間で清浄される。アルカリ性事前清浄剤での清浄化は蒸留水で洗滌によって望ましくは追従される。
望ましくは、接着促進組成物と接触の前に、銅表面は実質的に乾燥しているかあるいは最小の濡れのみを有する。このような清浄段階は別として、何らかの事前処理段階を行うことは一般的に不要である。本発明の望ましい実施態様において、接着促進段階はエッチングレジスト剥ぎ取り段階の後直ちに追従するかあるいはエッチングレジスト剥ぎ取り段階および接着促進段階の間に一回の事前清浄段階がある。
接着促進組成物との接触は何らかの従来の手段、例えば、接着促進組成物の浴に浸漬することによってあるいは噴霧によってあるいは何らかの他の接触の手段によってである。接触は連続工程の一部である。技術で良く理解されるように、浸漬工程は希望する期間組成物の浴内に基板を単純に浸すことを含む。噴霧工程は典型的に一連の自動絞り出し機構を使用する応用を含む。応用の方法は本発明では重要でない。しかしながら、銅負荷に対する耐久力は、例えば、浸す工程でさらなる浴の澱みのために浸す工程に対してよりも噴霧工程に対して大きい。
接着促進組成物と銅表面の接触は約20℃および約40℃の間の温度であり、合理的に
この範囲外の温度が操作され得るけれども、典型的である。接触時間は一般的に1秒より
も短くなく、望ましくは5秒よりも短くなく、そしてしばしば少なくとも10秒、もっと
望ましくは少なくとも30秒である。最大接触時間は、望ましくは接触時間は5分よりも
永くなく、もっと望ましくは2分よりも永くはないけれども、10分までである。約1分
あるいは1分未満の接触時間が標準である。接着促進組成物の銅表面との接触時間が非常
に永いならば、銅表面が溶解によってエッチングされるおよび/または微な粗面化表面を形成する微小な孔状の結晶よりも他の沈着物が導電体材料の表面上に堆積される危険性がある。
微小な粗さの表面を形成するために接着促進組成物と銅表面の接触の後、一般的にプレ−プレグ絶縁層は銅表面に直接隣接して置かれそしてプレ−プレグ絶縁層は接着段階で銅表面に直接接着され、多層PCBを形成する。一般的に、接着段階で、熱および圧力が接着反応を開始するために適用される。接着段階において、機械的な結合は微な粗面化表面内に絶縁層のポリマー性材料の浸透のため接着促進段階で提供される。本発明の方法に従って、多官能化合物の第2官能基はまたプレ−プレグ絶縁層に存在する有機材料および/またはガラス繊維に化学的に結合し、強化された接着力を提供する。特別の形式の洗滌段階を伴う接着促進段階を追従することは望ましいけれども、将に水で洗滌することがしばしば適切である。
プレ−プレグ絶縁層は微な粗面化表面に、すなわち望ましくは、US特許No.6,294,220に開示される結合力をさらに強化するために後処理酸化第2銅の除去あるいは還元操作で任意ではあるけれども、微な粗面化表面上に如何なる中間の金属堆積なしに、直接適用される。圧力は圧縮でPCBの多層積層を形成するためにある層に置くことによって適用される。圧力が適用されるところは一般的に100から400psi、望ましくは150から300psiである。接着段階の温度は一般的に少なくとも約100℃、望ましくは約120℃および約200℃の間である。接着段階は一般的に5分から3時間の如何なる時間でも行われ、最も通常には20分から1時間であるが、しかし第1層および第2層間の良好な接着を確保するために十分な時間および圧力そして十分に高い温度である。接着段階の間、絶縁層のポリマー性材料、一般的にエポキシ樹脂は金属の導電性パターンが実質的に絶縁層間に封じられ、水および空気の引き続きの侵入が避けられるようにすることを確実にする流れとする。いくつかの層がMLBを形成するために一回の段階でいくつかの層の積層を効果あるものとするために接着段階で一緒に置かれる。
ここで詳細に議論された実施例の配置は銅表面に接着されるプレ−プレグ絶縁層であるけれども、本発明はまた銅に対して恒久的あるいは一時的ではあるが他の誘電体材料の接着を改善することを含む。例えば、本発明は銅および誘電体である半田マスク間の接着を改善する。それは同様にインク、ポリマー性光レジスト、および乾燥膜と銅接着を改善する。それはまた高密度接続そして結果として作られる技術の環境で使用される光画像化できる誘電体あるいは他の誘電体と関係して応用を有する。
1つの形式で本発明は、基板の浸漬あるいは他の曝露のために直接使用され得る準備から使用までの接着促進化合物である。他の形式で本発明は浸漬あるいは他の曝露のための組成物を形成するために希釈されることである濃縮物である。
次の実施例は本発明の実例をさらに示す。
(実施例1)接着促進組成物
多官能性アゾールを含む接着促進組成物は次の組成を有して準備された:
6−ベンジルアミノ−プリン(1.0g)
エチレングリコールブチルエーテル(200mL)
ZnI(1.0g)
水(1Lに)
組成物は次の規定に従って準備された:
1)6−ベンジルアミノ−プリン(1.0g)がエチレングリコールブチルエーテル(200mL)に溶解された。
2)水(500mL)が添加された。
3)溶液が均一化された。
4)ZnI(1.0g)が溶液に溶解された。
5)水が1.0Lの溶液容量に添加された。
(実施例2)接着促進組成物
多官能性アゾールを含む接着促進組成物は次の組成を有して準備された:
6−ベンジルアミノ−プリン(1.0g)
エチレングリコールブチルエーテル(200mL)
NiI(1.0g)
水(1Lに)
ZnIの代わりにNiIが添加されたことを除いて、組成物は実施例1で記載された規定に従って準備された。
(実施例3)接着促進組成物で事前処理された銅試料の処理
2つの試験片がEnthone Inc.(West Haven,CT)から入手できる酸清浄(PC1010)およびマイクロエッチング(ME1020)組成物で事前処理された。銅試験片はそれから実施例1および2の接着促進組成物で1分間室温で各組成物に1つの試験片を漬けることによって処理された。この処理は銅試験片の表面上に実施例1および2の多官能化合物を含む膜を形成する。
(実施例4)濡れ平衡試験
試験片が実施例3の方法に従って接着促進組成物で処理された後、酸およびフラックスに対する銅試験片上の接着促進膜の抵抗が半田およびフラックスを適用しそしてリフロー工程によって試験片を通過することにより試験された。無鉛半田が銅試験片に適用された。
適用されたフラックスはAlphaMetal Inc.(Jersey City,NJ)から入手できるEF8000を適用された。無鉛半田は262℃の最大リフロー温度で銅試験片上をリフローされた。
銅脱色は1×無鉛リフローを通過後小さかった。実施例1の組成物を適用された被膜は実施例2の組成物を適用された被膜よりも薄かったがしかし両方の被膜は約0.1μmの桁であった。
そこに応用された実施例1および2の接着促進組成剤を有するリフローされた銅試料は湿り平衡試験に従わされた。
図1および2は湿り平衡試験の結果を示す図ある。酸抵抗の結果、実施例2の組成物からの被膜は脱湿り曲線を示し、それは有機金属被膜がフラックスによって剥ぎ取られなくそして良好な酸抵抗を有した。
(実施例5)被覆された銅試料のX線光電子分光分析
リフロー前後の実施例4の方法に従って試験された銅試験片の銅酸化の範囲はX線光電子分光分析(XPS)によって決定された。図3は処理された試験片の表面の銅の酸化状態を決定するために有効である920から965eVの範囲のXPSスペクトルを示す。僅かなCuOのピークはリフロー工程の間銅の酸化である1つの無鉛リフロー(ピークの温度は262℃である)後に形成された痕跡のCuOがあることを示している。非処理試験片では、酸化の程度はより大きくそしてCuOのピークは大変高い。
表9はリフロー前後の実施例1および2の組成物から適用された被膜のXPA解析の定量的結果のチャートである。チャートは被膜に存在する各元素の原子%を示す。Nの原子%はリフロー後多くは還元されていない。従って、リフロー後多官能アゾールに存在するアミノはプレ−プレグ絶縁層中の有機材料に化学結合するために利用できると信じられる。
Figure 0005620365
(実施例6)接着促進組成物
次の接着促進組成物が準備された:
TOMAH溶液(10mL、TOMAH Q−14−2、TOMAH Products,Inc.,Milton,WIより入手できる)
NaCl溶液(5mL)
SO(96%溶液、105.5g)
ベンゾトリアゾール−4−カルボン酸およびベンゾトリアゾール−5−カルボン酸の混合物(3.8g)
(35%、150mL)
水、約1.15Lに
この組成物は次の規定に従って準備される:
1)ベンゾトリアゾール−4−カルボン酸およびベンゾトリアゾール−5−カルボン酸の混合物(3.8g)が硫酸(105.5g)に溶解された。
2)水(400mL)が添加された。
3)溶液が均一化された。
4)TOMAH溶液(10mL)、NaCl溶液(5mL)、および過酸化水素(150mL)が適切に添加された。
5)全容量に添加された水は1.15Lである。
(実施例7)接着促進組成物で事前処理銅試料の処理
銅板は次の規定に従う実施例6の接着促進組成物を使用して工程化された。
1)銅板はMicroetch PC5760(Enthone Inc.から)で25℃で30秒間事前処理された。
2)D.I.水(蒸留水、イオン交換水)で洗浄された。
3)銅板はAlkaline Cleaner PC−7047(Enthone Inc.から)に45℃で40秒間漬けられた。
4)D.I.水で洗浄された。
5)銅板は実施例6の接着促進組成物に32℃で3分間漬けられた。
処理後、銅試験片は剥ぎ取り力を決定するために積層手順によって工程化された。剥ぎ取り力は0.193N/mmである。
上記の観点から、本発明の種々の目的は達成されそして他の有利な結果が得られた。
本発明の要素またはその望ましい実施態様を紹介する時、冠詞(「a」、「an」、「the」、および「前記」)は、1つ以上の要素が存在することを意味するものとする。例えば、「a」(1つの)層と称する前述の説明および以下の請求項は、1つ以上のそのような層が存在し得ることを意味する。「含む(comprising)、含む(including)」、および「有する(having)」という用語は、包括的であることを意図し、リストにあげられた要素以外の追加の要素が存在することを意味する。
本発明の範囲から逸脱することなく種々の変更が上に成され得るため、上記に含まれる、および付随の図に示される全ての事項は、例示的なものであり、制限されるものではないこととして解釈されるべきである。

Claims (10)

  1. 印刷回路盤の製造の間、銅導電層および絶縁体材料間の接着を強化するための接着促進組成物であって、接着促進組成物は:
    第1官能基および第2官能基を含む多官能化合物であって、
    (1)前記第1官能基が窒素を含む芳香族複素環構造を有する基、および脂肪族アミノ基からなる群から選ばれ、
    (2)前記第2官能基がビニルエーテル、アミド、チアミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シラン、アルコキシシラン、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる多官能化合物と、
    面活性剤;
    塩素イオン;
    ;および
    酸化剤を含み、
    前記多官能性化合物は以下の群から選択される:(i)以下の構造(1a)または(1b)を有する化合物:
    Figure 0005620365
    Figure 0005620365
    ここで、A 、A 、A 、A 、A 、A およびA は炭素原子あるいは窒素原子でありそしてA 、A 、A 、A 、A 、A およびA の窒素原子の合計が0、1、2、あるいは3である;
    11 、A 22 、A 33 、A 44 、A 55 、A 66 およびA 77 が電子対、水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれ;そして
    少なくともA 11 、A 22 、A 33 、A 44 、およびA 55 の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。
    (ii)構造Vの化合物
    Figure 0005620365
    ここでA 、A 、A 、およびA が炭素原子あるいは窒素原子でありそしてA 、A 、A 、およびA の窒素原子の合計が0、1、あるいは2である;
    22 、A 33 、A 44 、およびA 55 は水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれ;そして
    少なくともA 22 、A 33 、A 44 、およびA 55 の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる
  2. 多官能化合物の構造が構造式(II)、構造式(III)、および構造式(IV)からなる群から選ばれる請求項1記載の接着促進組成物:
    Figure 0005620365
    Figure 0005620365
    Figure 0005620365
    ここで、A22、A44、A55、A66、およびA77は前記構造式(Ia)および(Ib)に関連して定義される。
  3. 窒素を含む芳香族複素環状化合物がアゾールである請求項1または2記載の接着促進組成物。
  4. ニッケルおよび亜鉛からなる群から選ばれる遷移金属イオンをさらに含む、請求項1〜3の何れか1項の接着促進組成物。
  5. 印刷回路の製造の間、銅導電層および絶縁体材料間の接着を強化するための方法であって、以下の工程を含む:
    前記銅導電層上に微小な粗さの表面を形成する工程で、前記形成工程は、銅導電層を多官能化合物、界面活性剤、塩素イオン、酸、および酸化剤を含む接着促進組成物に曝露する工程を含み前記多官能性化合物は第1官能基および第2官能基を含み、ここで
    (1)前記第1官能基が、窒素を含む芳香族複素環構造および脂肪族アミノ基からなる群から選ばれ、および
    (2)前記第2官能基がビニルエーテル、アミド、チアミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シラン、アルコキシシラン、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる;ここで
    前記第1官能基が銅導電体基板の表面上に銅(I)リッチの有機金属接着膜を形成するために銅導電層の表面と相互作用する。
  6. 前記微小な粗さの表面と直接に接触するように絶縁体材料を配置する工程をさらに含む、請求項5の方法。
  7. 絶縁層が、前記微小な粗さの銅層上に配置される請求項5または6に記載の方法で、その方法はさらに、前記微小な粗さの銅層に絶縁体材料の層を結合するために前記2つの層に圧を掛ける工程を含む。
  8. 前記微小な粗さの銅層が銅(I)リッチの有機金属接着膜を含み、多官能化合物および絶縁材料の間に化学結合を形成するために、前記第2官能基が絶縁体材料と反応する請求項5〜7の何れか1項記載の方法。
  9. 前記接着促進組成物が、さらにニッケルおよび亜鉛からなる群から選ばれる遷移金属イオンを含む請求項5〜7の何れか1項記載の方法。
  10. 印刷回路板の製造の間に、銅導電層および絶縁体材料間の接着を強化するための方法であって、以下の工程を含む:
    前記銅導電層上に微小な粗さの表面を形成する工程で、前記形成工程は、銅導電層を多官能化合物、界面活性剤、塩素イオン、酸、および酸化剤を含む接着促進組成物に曝露する工程を含み、前記多官能性化合物は第1官能基および第2官能基を含み、ここで
    (1)前記第1官能基が、窒素を含む芳香族複素環構造を有する基および脂肪族アミノ基からなる群から選ばれ、および
    (2)前記第2官能基がビニルエーテル、アミド、チアミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シラン、アルコキシシラン、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれ;
    前記多官能化合物が以下の群から選ばれる:(i)構造式(Ia)あるいは構造式(Ib)
    含む化合物
    Figure 0005620365
    Figure 0005620365
    ここで、A、A、A、A、A、AおよびAは炭素原子あるいは窒素原子でありそしてA、A、A、A、A、AおよびAの窒素原子の合計が0、1、2、あるいは3である;
    11、A22、A33、A44、A55、A66およびA77が電子対、水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれ;そして
    少なくともA11、A22、A33、A44、およびA55の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。
    (ii)構造Vの化合物
    Figure 0005620365
    ここでA 、A 、A 、およびA が炭素原子あるいは窒素原子でありそしてA 、A 、A 、およびA の窒素原子の合計が0、1、あるいは2である;
    22 、A 33 、A 44 、およびA 55 は水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれ;そして
    少なくともA 22 、A 33 、A 44 、およびA 55 の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。
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