JP5615946B2 - チャンク多結晶シリコン及び多結晶シリコンチャンクをクリーニングする方法 - Google Patents
チャンク多結晶シリコン及び多結晶シリコンチャンクをクリーニングする方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5615946B2 JP5615946B2 JP2013012903A JP2013012903A JP5615946B2 JP 5615946 B2 JP5615946 B2 JP 5615946B2 JP 2013012903 A JP2013012903 A JP 2013012903A JP 2013012903 A JP2013012903 A JP 2013012903A JP 5615946 B2 JP5615946 B2 JP 5615946B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- silicon
- carbon
- chunk
- rod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/88—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by thermal analysis data, e.g. TGA, DTA, DSC
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/89—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by mass-spectroscopy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/90—Other crystal-structural characteristics not specified above
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Description
・mmで示したチャンクサイズ0:約0.5から5
・mmで示したチャンクサイズ1:約3から15
・mmで示したチャンクサイズ2:約10から40
・mmで示したチャンクサイズ3:約20から60
・mmで示したチャンクサイズ4:約>45
続いて、いかに本発明のチャンク多結晶シリコンを製造することができるかを説明する。
多結晶シリコンを、反応ガスとしてシリコン含有成分及び水素を使用して、加熱された細いシリコンロッド上に堆積する。シリコン含有成分は、好ましくはクロロシラン、より好ましくはトリクロロシランである。
シーメンス反応器中の堆積の後、シリコンロッドを反応器から取り出す。
微粉砕作業に続いて、多結晶シリコンの熱処理が行われる。
トンネルオーブンは、一定のプロセス温度において操作される。
場合によって、多結晶シリコンをクリーニングする。
多結晶シリコンは、好ましくは、US 2010154357Aの記載に従って包装される。プラスチックバッグの充てんのために自由懸垂された可動性エネルギー吸収器、低汚染材料からなるエネルギー吸収器及びプラスチックバッグを使用することによって、包装の結果としての炭素による多結晶シリコンの汚染は、最大300pptw又は最大0.3ppbwに制限することができる。
a)自動分析機を用いて
多結晶シリコンの表面炭素含有量の定量決定は、酸素による全ての表面炭素汚染の二酸化炭素への完全な酸化によって、米国、Leco Corporationからの改良RC612炭素分析機で実施される。
20ppbw未満の炭素濃度の場合には、代替の分析方法を使用する。
機械的処理作業、すなわち、b)多結晶シリコンの微粉砕に記載されたCS1への前微粉砕及び微粉砕が終わった後、チャンクサイズ1の多結晶シリコンの約5kgの部分を取った。
ここで再び、機械的処理作業が終わった後、チャンクサイズ1の多結晶シリコンの約5kgの部分を取った。
それぞれ1.6cmの直径を有し、それぞれ10から20cmの長さの27本の多結晶シリコンロッドを、前微粉砕の条件及び粉砕機による処理の条件に曝した。
兄弟ロッドを、炭素濃度の決定のための実験室に運搬した。
a)エッチング液中における予備的クリーニング
22℃の温度における5重量%のHF、8重量%のHCl、3重量%のH2O2の混合液中の20分間のクリーニング
材料除去:0.02μm
b)5分間の22℃における18 MOHM超純水によるすすぎ
c)主要なクリーニング:5分間の8℃におけるエッチング
6重量%のHF、55重量%のHNO3及び1重量%のSiを含むHF/HNO3
エッチング除去:約30μm
d)5分間の22℃における18 MOHM超純水によるすすぎ。
e)5分間の20ppmのオゾンで飽和した22℃における水中の親水化。
f)60分間の80℃における100クラスの超純粋空気による乾燥
g)22℃、超純粋空気による冷却
Claims (9)
- 表面炭素濃度が0.5−20ppbwであるチャンク多結晶シリコン。
- 表面炭素濃度が0.5−10ppbwである、請求項1に記載のチャンク多結晶シリコン。
- 350から600℃の温度における反応器中での多結晶シリコンチャンクの熱処理を含み、
多結晶シリコンチャンクが処理の間、不活性ガス雰囲気中に存在し、熱処理後の多結晶シリコンチャンクが0.5−35ppbwの表面炭素濃度を有する、表面に炭素汚染を有する多結晶シリコンチャンクをクリーニングする方法。 - 熱処理が0L/分を超え250L/分以下の一定の不活性ガス流において実施される、請求項3に記載の方法。
- 不活性ガスが、貴ガス及び窒素からなる群から選択される、請求項3又は請求項4に記載の方法。
- 使用される不活性ガスがアルゴンである、請求項5に記載の方法。
- 熱処理が、酸素を排除して実施される、請求項3から6のいずれかに記載の方法。
- 熱処理が、180秒までの期間、実施される、請求項3から7のいずれかに記載の方法。
- 熱処理に続いて、熱処理された多結晶シリコンチャンクを反応器から取り出し、不活性ガスをパージしながら多結晶シリコンチャンクを室温に冷却する、請求項3から8のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012202640A DE102012202640A1 (de) | 2012-02-21 | 2012-02-21 | Polykristallines Siliciumbruchstück und Verfahren zur Reinigung von polykristallinen Siliciumbruchstücken |
DE102012202640.1 | 2012-02-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013170122A JP2013170122A (ja) | 2013-09-02 |
JP5615946B2 true JP5615946B2 (ja) | 2014-10-29 |
Family
ID=47683619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013012903A Expired - Fee Related JP5615946B2 (ja) | 2012-02-21 | 2013-01-28 | チャンク多結晶シリコン及び多結晶シリコンチャンクをクリーニングする方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9209009B2 (ja) |
EP (1) | EP2631215B1 (ja) |
JP (1) | JP5615946B2 (ja) |
KR (1) | KR101549734B1 (ja) |
CN (1) | CN103253674B (ja) |
CA (1) | CA2803383C (ja) |
DE (1) | DE102012202640A1 (ja) |
ES (1) | ES2530809T3 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012213869A1 (de) * | 2012-08-06 | 2014-02-06 | Wacker Chemie Ag | Polykristalline Siliciumbruchstücke und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102013218003A1 (de) | 2013-09-09 | 2015-03-12 | Wacker Chemie Ag | Klassieren von Polysilicium |
DE102013221826A1 (de) * | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
JP2016056066A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの表面清浄化方法 |
DE102015206849A1 (de) | 2015-04-16 | 2016-10-20 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Klassierung und Entstaubung von Polysiliciumgranulat |
JP6292164B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2018-03-14 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
DE102015209629A1 (de) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | Wacker Chemie Ag | Verpackung von Polysilicium |
JP2016222470A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン片 |
JP6343592B2 (ja) | 2015-07-28 | 2018-06-13 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造用反応炉及び多結晶シリコンの製造方法 |
DE102016204651A1 (de) | 2016-03-21 | 2017-09-21 | Wacker Chemie Ag | Quetschmanschetten für die Herstellung von Polysilicium-Granulat |
US10345211B2 (en) | 2016-03-28 | 2019-07-09 | Hemlock Semiconductor Operations Llc | Method of determining a concentration of a material not dissolved by silicon etchants contaminating a product |
JP6470223B2 (ja) * | 2016-04-04 | 2019-02-13 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶シリコンの製造方法 |
CN106000594A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-10-12 | 大工(青岛)新能源材料技术研究院有限公司 | 一种实现多晶硅无污染小颗粒破碎的方法 |
EP3557246B1 (en) | 2016-12-16 | 2023-04-26 | Tokuyama Corporation | Method of analyzing resins adhering to crushed polysilicon |
CN111629996B (zh) * | 2018-02-08 | 2023-06-20 | 瓦克化学股份公司 | 对冶金硅进行分级的方法 |
JP6694002B2 (ja) * | 2018-05-21 | 2020-05-13 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法 |
JP7281937B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-05-26 | 高純度シリコン株式会社 | 低炭素高純度多結晶シリコン塊とその製造方法 |
EP4021849B1 (de) | 2019-08-29 | 2024-01-03 | Wacker Chemie AG | Verfahren zur herstellung von siliciumbruchstücken |
JP7125960B2 (ja) * | 2020-04-30 | 2022-08-25 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの収容治具および多結晶シリコンの製造方法 |
CN112048763B (zh) * | 2020-10-09 | 2022-07-12 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 多晶硅二次加料装置、多晶硅铸锭设备 |
JP7361241B2 (ja) | 2021-09-17 | 2023-10-13 | 株式会社トクヤマ | 無機固体の表面炭素量測定方法 |
CN117139264B (zh) * | 2023-10-27 | 2024-04-05 | 宁夏润阳硅材料科技有限公司 | 一种多晶硅生产过程中超纯水清洗节能降耗系统 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4555303A (en) | 1984-10-02 | 1985-11-26 | Motorola, Inc. | Oxidation of material in high pressure oxygen plasma |
JPH01242762A (ja) | 1988-03-23 | 1989-09-27 | O C C:Kk | 強靭な構造用金属材料の製造法 |
US5436164A (en) | 1990-11-15 | 1995-07-25 | Hemlock Semi-Conductor Corporation | Analytical method for particulate silicon |
US5361128A (en) | 1992-09-10 | 1994-11-01 | Hemlock Semiconductor Corporation | Method for analyzing irregular shaped chunked silicon for contaminates |
US5445679A (en) | 1992-12-23 | 1995-08-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Cleaning of polycrystalline silicon for charging into a Czochralski growing process |
JP3683735B2 (ja) * | 1998-03-26 | 2005-08-17 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | 無転位シリコン単結晶の製造方法および無転位シリコン単結晶インゴット |
JP2000302594A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-10-31 | Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp | 多結晶シリコンの洗浄方法 |
JP3688934B2 (ja) * | 1999-04-16 | 2005-08-31 | アルパイン株式会社 | マイクロホンシステム |
JP3723502B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2005-12-07 | 住友チタニウム株式会社 | 半導体用多結晶シリコンの洗浄方法 |
US8021483B2 (en) | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
US7520932B2 (en) * | 2006-04-05 | 2009-04-21 | Dow Corning Corporation | Method of analyzing carbon concentration in crystalline silicon |
DE102007027110A1 (de) | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Verpacken von polykristallinem Siliciumbruch |
JP2009018967A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 固体原料融解方法および結晶成長方法 |
DE102007047210A1 (de) | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines Silicium und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102010040293A1 (de) | 2010-09-06 | 2012-03-08 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
-
2012
- 2012-02-21 DE DE102012202640A patent/DE102012202640A1/de not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-01-24 CA CA2803383A patent/CA2803383C/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-28 JP JP2013012903A patent/JP5615946B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-12 ES ES13154909T patent/ES2530809T3/es active Active
- 2013-02-12 EP EP13154909.9A patent/EP2631215B1/de not_active Not-in-force
- 2013-02-21 CN CN201310055545.8A patent/CN103253674B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-21 US US13/772,756 patent/US9209009B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-21 KR KR1020130018806A patent/KR101549734B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-10-30 US US14/927,779 patent/US9776876B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160052790A1 (en) | 2016-02-25 |
CA2803383C (en) | 2015-10-20 |
EP2631215A1 (de) | 2013-08-28 |
ES2530809T3 (es) | 2015-03-06 |
US9776876B2 (en) | 2017-10-03 |
CN103253674B (zh) | 2016-03-16 |
US9209009B2 (en) | 2015-12-08 |
EP2631215B1 (de) | 2014-11-26 |
KR101549734B1 (ko) | 2015-09-02 |
US20130216466A1 (en) | 2013-08-22 |
KR20130096200A (ko) | 2013-08-29 |
DE102012202640A1 (de) | 2013-08-22 |
CN103253674A (zh) | 2013-08-21 |
JP2013170122A (ja) | 2013-09-02 |
CA2803383A1 (en) | 2013-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5615946B2 (ja) | チャンク多結晶シリコン及び多結晶シリコンチャンクをクリーニングする方法 | |
CA2797300C (en) | Low-dopant polycrystalline silicon chunk | |
CA2706386C (en) | Process for purifying polycrystalline silicon | |
CA2795825C (en) | Polycrystalline silicon | |
EP3557246B1 (en) | Method of analyzing resins adhering to crushed polysilicon | |
CN109153574B (zh) | 多晶硅棒及其制造方法 | |
JP5722361B2 (ja) | 多結晶シリコンの表面汚染を測定する方法 | |
CN113710834A (zh) | 多晶硅原料 | |
CN113661277A (zh) | 多晶硅原料 | |
JP2013517212A (ja) | シリコン融液の脱炭法 | |
JP2005213089A (ja) | SiOの精製方法及び得られたSiOを用いる高純度シリコンの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140114 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140410 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140812 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140910 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5615946 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |