JP6292164B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のシリコン単結晶の製造方法では、まず原料となるシリコン多結晶の表面に付着している有機物を同定して定量分析する。原料となるシリコン多結晶には高純度が要求されるため、シリコン多結晶に付着する可能性がある有機物は限られている。より具体的には、例えばシリコン多結晶の粉砕、選別、洗浄、乾燥、搬送、及び袋詰めのいずれかの工程で使用される装置、治具、又は材料に含まれる有機物がシリコン多結晶の表面に付着している可能性が高い。従って、シリコン多結晶の表面に付着している有機物は、このような有機物から同定することが好ましい。このような方法であれば、より簡便にシリコン多結晶の表面に付着している有機物を同定することができる。
上述のように、各有機物はシリコン多結晶との接触頻度や気化(熱分解)しやすさが異なるため、有機物によって、製造されるシリコン単結晶の炭素濃度に与える影響度が異なる。そこで、本発明のシリコン単結晶の製造方法では、次に、上記のシリコン多結晶の表面に付着している有機物を、製造されるシリコン単結晶の炭素濃度に与える影響度別に分類する。
本発明のシリコン単結晶の製造方法では、次に、各分類別の合計炭素濃度を求める。この工程では、上述の定量分析で求めた各有機物の付着量を、上述の分類で分けた各グループごとに合計することで、各グループの合計炭素濃度を算出する。具体的には、各有機物のピークデータと該当する炭化水素化合物の検量線から該当炭化水素化合物の付着量を決定する。各炭化水素化合物について、同様の解析を行い、前記化合物のグループ毎に付着量を合計することで各グループの合計炭素濃度を算出する。
本発明のシリコン単結晶の製造方法では、次に、各分類別の合計炭素濃度がそれぞれ所定の値以下のシリコン多結晶を選別し、この選別されたシリコン多結晶を原料として使用してシリコン単結晶の引き上げを行う。このとき、例えば上記のようにグループA、B、及びCに分類した場合には、グループAの合計炭素濃度が2,000ppba以下、グループBの合計炭素濃度が500ppba以下、かつグループCの合計炭素濃度が50ppba以下のものを選別して原料に使用することが好ましい。なお、上記の選別の基準は一例であり、本発明における選別の基準は、製造するシリコン単結晶の炭素濃度の規格に従えばよく、これらに限定されるものではない。
まず、シリコン多結晶の粉砕、選別、洗浄、乾燥、搬送、及び袋詰めのいずれかの工程で使用される装置、治具、又は材料に含まれる有機物から、原料となるシリコン多結晶の表面に付着している有機物を、ポリ塩化ビニル、ポリイソプレン、ポリプロピレン、PTFE、及びPVDFと同定した。
上記の選別を行わなかったシリコン多結晶を原料として、実施例1と同様の条件で10本のシリコン単結晶を引き上げた。得られた10本のシリコン単結晶の直胴後半の炭素濃度を測定し、炭素濃度の平均値及び標準偏差を求めた。結果を表2に示す。
実施例1の選別から外れたシリコン多結晶、具体的には、グループAの合計炭素濃度が2,000ppbaを超え、グループBの合計炭素濃度が500ppba以下であり、グループCの合計炭素濃度が50ppba以下であるシリコン多結晶を原料として、実施例1と同様の条件で10本のシリコン単結晶を引き上げた。得られた10本のシリコン単結晶の直胴後半の炭素濃度を測定し、炭素濃度の平均値及び標準偏差を求めた。結果を表2に示す。
実施例1の選別から外れたシリコン多結晶、具体的には、グループAの合計炭素濃度が2,000ppba以下であり、グループBの合計炭素濃度が500ppbaを超え2,000ppba以下であり、グループCの合計炭素濃度が50ppba以下であるシリコン多結晶を原料として、実施例1と同様の条件で10本のシリコン単結晶を引き上げた。得られた10本のシリコン単結晶の直胴後半の炭素濃度を測定し、炭素濃度の平均値及び標準偏差を求めた。結果を表2に示す。
実施例1の選別から外れたシリコン多結晶、具体的には、グループAの合計炭素濃度が2,000ppba以下であり、グループBの合計炭素濃度が500ppba以下であり、グループCの合計炭素濃度が50ppbaを超え2,000ppba以下であるシリコン多結晶を原料として、実施例1と同様の条件で10本のシリコン単結晶を引き上げた。得られた10本のシリコン単結晶の直胴後半の炭素濃度を測定し、炭素濃度の平均値及び標準偏差を求めた。結果を表2に示す。
4…ガスクロマトグラフィー装置、 5、5’…供給ライン、
6…チャンバー開口部、 7…試料台、 8…不活性ガス供給ライン、
9…トラップ管、 10…リボンヒーター、 11…キャピラリーカラム、
12…質量分析装置。
Claims (7)
- シリコン多結晶を原料としてCZ法によりシリコン単結晶を製造する方法であって、
原料となるシリコン多結晶の表面に付着している有機物を同定して定量分析する工程、
前記有機物を製造されるシリコン単結晶の炭素濃度に与える影響度別に分類する工程、
前記定量分析の結果から、各分類別の合計炭素濃度を求める工程、及び
該各分類別の合計炭素濃度がそれぞれ所定の値以下のシリコン多結晶を選別し、該選別されたシリコン多結晶を原料として使用してシリコン単結晶の引き上げを行う工程、
を有することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記分類において、前記有機物を、製造されるシリコン単結晶の炭素濃度に与える影響度の小さいポリエチレン及びポリイソプレンからなるグループAと、製造されるシリコン単結晶の炭素濃度に与える影響度が中程度のポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ニトリルゴム、ポリウレタン、ポリスチレン、ナイロン、及びポリエステルからなるグループBと、製造されるシリコン単結晶の炭素濃度に与える影響度が大きいポリテトラフルオロエチレン及びポリフッ化ビニリデンからなるグループCに分類することを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン多結晶として、前記グループAの合計炭素濃度が2,000ppba以下、前記グループBの合計炭素濃度が500ppba以下、かつ前記グループCの合計炭素濃度が50ppba以下のものを選別して原料に使用することを特徴とする請求項2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン多結晶の表面に付着している有機物を、前記シリコン多結晶の粉砕、選別、洗浄、乾燥、搬送、及び袋詰めのいずれかの工程で使用される装置、治具、又は材料に含まれる有機物から同定することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン多結晶の表面に付着している有機物を、飛行時間型二次イオン質量分析法又は熱分解ガスクロマトグラフィーにより同定することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記有機物の定量分析において、前記同定した有機物の検量線を予め作成し、該作成した検量線に基づいて定量分析を行うことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記有機物の定量分析を、熱分解ガスクロマトグラフィーにより行うことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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