JP5002111B2 - 単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 299
- 238000007726 management method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 103
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 12
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000255777 Lepidoptera Species 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
従って、太陽電池用には抵抗率>0.1Ω・cmの結晶端材を限定して再利用し、検査用には抵抗率>1Ω・cmの結晶端材を限定して再利用する必要がある。
しかも、たびたび混入が生じ、所望抵抗率等の品質を有する再利用原料を調整できないと言った問題が生じた。
なお、再利用原料結晶となる前記育成された単結晶として、CZ法あるいはFZ法のいずれの方法で育成された結晶も利用できる。
このように、前記再利用原料結晶に、ドーパントを含まない未使用の原料結晶および抵抗率調整用ドープ剤の少なくとも一方を添加して原料として用いれば、製造する単結晶を所定の抵抗率とすることがより容易となるし、抵抗率のばらつきも容易に低減させることができる。また、製造の際に原料結晶の総重量を所望の値に調整することも容易となるので、より効率的に単結晶を製造することができる。
このように、前記育成された結晶のうち、通常製品化されない定型直径を満たしていないコーン部あるいはテール部、スリップ転位あるいは結晶欠陥を含む部分、および抵抗率あるいは酸素濃度が規格から外れている部分を用いることができるので、結晶原料を効率的かつ合理的に再利用することができ、単結晶を製造する際に大きなコストダウン効果が得られる。
この場合も、前記と同じように、CZ法で育成された製品化されない前記結晶部分に限らず、FZ法で育成された前記結晶部分についても再利用することができる。
このような、製品のユーザー仕様に基づいて適宜選択され、実際に製品の合否判定に用いられるこれらの項目を検査結果に含めれば、製品化されない結晶部分が再利用原料結晶としてどのように用いることができるかの判断をする上で重要な情報となるので、これによってより合理的に再利用原料結晶を分類することができる。
例えば、炭素濃度またはライフタイム等を検査結果に含め、ある結晶部分がこれらの検査結果によってあるユーザー仕様の製品として不良品と判定されれば、その不良結晶部分は、不純物が多いので、原料結晶として再利用するには適切ではないものとして分類される。
このように、フッ酸と過酸化水素またはフッ酸と硝酸からなる洗浄液のいずれを用いて洗浄してもよく、これらはエッチング作用が高いので、粉砕後の結晶表面をエッチング洗浄することで、表面の不純物を確実に除去できる。
この場合、シリコンをフッ酸と過酸化水素からなる洗浄液で洗浄する場合、洗浄槽内のシリコン屑は溶解除去されないため、洗浄槽内にシリコン屑が蓄積される。よって、定期的に前記シリコン屑を除去するかまたは簡便的に前記シリコン屑を除去できる洗浄槽の構造にすることが好ましい。
一方、フッ酸と硝酸からなる洗浄液を用いた場合、洗浄槽内のシリコン屑は溶解除去される。この時NOXが発生するので、NOX除去設備を備える洗浄槽とすることが好ましい。
このように、育成された単結晶のうち製品化されなかった結晶部分を再利用原料結晶とする際に、該再利用原料結晶を製品化された結晶部分の検査結果に基づいて合理的に分類し、分類毎に再利用原料結晶の粉砕及び洗浄をする単結晶の製造方法は、シリコン単結晶を始め、化合物半導体、その他の半導体材料に有効で、大きなコストダウンの効果を提供することができる。
このように、前記育成された結晶のうち、通常製品化されない定型直径を満たしていないコーン部あるいはテール部、スリップ転位あるいは結晶欠陥を含む部分、および抵抗率あるいは酸素濃度が規格から外れている部分を用いることができるので、結晶原料を効率的かつ合理的に再利用することができ、大きなコストダウン効果が得られる管理方法となる。
このように、製品のユーザー仕様に基づいて適宜選択され、実際に製品の合否判定に用いられるこれらの項目を検査結果に含めれば、製品化されない結晶部分が再利用原料結晶としてどのように用いることができるかの判断をする上で重要な情報となるので、より合理的に再利用原料結晶を分類することができる管理方法となる。
このように、育成された単結晶のうち製品化されなかった結晶部分を再利用原料結晶とする際に、記憶手段に記憶させた製品化された結晶部分の検査結果と、再利用原料結晶の重量測定結果とに基づいて前記再利用原料結晶を分類する原料結晶の管理方法は、シリコン単結晶を始め、化合物半導体、その他の半導体材料に有効で、大きなコストダウンの効果を提供することができる。
このように、再利用原料結晶に設けられた識別手段と製品化された結晶部分の検査結果とを付帯させることにより、検査結果に基づき確実かつ効率的に原料結晶の分類を行うことができる。
CZ法やFZ法などで育成された単結晶の結晶端材には、製造時に添加した抵抗率調整用のドーパントが含まれているものの、ドーパント以外の不純物については偏析現象によって低く抑えられているため、単結晶製造時に原料結晶として通常用いられる多結晶シリコンと比較しても極めて高純度である。従って、前記結晶端材に含まれるドーパント濃度やその他結晶品質を正確に把握し、目的とする狙い抵抗率及び結晶品質に制御することができれば、前記結晶端材を製品用結晶もしくは検査用結晶の原料として適宜分類して効率的に再利用することが可能となり、大きなコストダウン効果が期待される。
これは、検査用結晶の原料結晶として再利用する結晶端材を、抵抗率が>1Ω・cmの高抵抗のものに限定したにも拘らず、太陽電池用等の基板の原料結晶として回収した抵抗率<1Ω・cmの低抵抗率の結晶端材の一部が混入したためであることを本発明者は見出した。
しかし、このように、すべての結晶端材の結晶品質の検査を行い、選別を間違いなく行い、正確に選別、分類された結晶端材を原料結晶として、品質不良を発生させることなく、目的とする狙い抵抗率やその他結晶品質に制御して単結晶を育成することは多くの人的労力を伴っていた。
しかも、その後粉砕されるため、さらに混入の恐れが大きくなり、それぞれ1個の塊の品質区別をすることは、極めて困難となる。
また、結晶端材の選別に間違いがなくなり、細かい抵抗率区分でも分類が容易に実施できることから、結晶端材に含まれるドーパント濃度や結晶品質を正確に把握できるようになり、CZ法により単結晶を製造する際に、多結晶シリコンを原料として使用したときと全く同じ抵抗率や結晶品質に制御することが可能になる。
これにより、結晶端材の再利用原料としての利用範囲を拡大することができ、大きなコストダウン効果を得ることができる。
なお、端末2及びバーコードプリンタ4はネットワークを介してホストコンピュータ1に接続されており、バーコードリーダ3、重量計6、シーケンサ7、台車9は端末2に接続されている。
まず、CZ法による引上機から結晶直径4インチ(100mm)〜12インチ(300mm)の単結晶、例えばシリコンインゴットを取り出し(F1)、シリコンインゴットのコーン部、テール部に識別ラベルを貼付する(F2)。この識別ラベルには検査Noの情報がバーコードで印刷されている。また、この識別ラベルはハンドリングの途中で剥がれないような、ある程度粘着性のあるものを使用する。
切断されたこれらの結晶端材は、回収コンテナで回収され(F4)、回収コンテナ内の結晶端材が所定量に達したら、結晶端材選別システムまで搬送する(F6)。
一方、品質検査用サンプルはユーザー仕様に基づき品質検査され、その検査結果を検査Noと共にホストコンピュータに登録する(記憶させる)(F5)。このときの検査は、単結晶の抵抗率、導電型、酸素濃度、炭素濃度、ライフタイム、OSF、スリップ転位などとすることが好ましい。また、品質検査の結果、ユーザー仕様を満たさなかった結晶部分についても、結晶端材として識別ラベルが貼付され、回収されることが好ましい。
ホストコンピュータ1には選別槽10で前記結晶端材を用途別に選別できるよう予め表1に示すようにドープ剤種類、抵抗率、炭素濃度(Cs)、ライフタイム(LT)の選別区分テーブルを設定しておいて、端末2から送信されてきた検査Noから、登録された検査結果を照会し、前記結晶端材がどの選別区分に該当するかを決定する(F8)。
このとき、前記結晶端材は重量計6により重量測定され、測定された重量データは、作業者が端末2の通信ボタンを押すことにより、識別ラベルに印刷された検査Noの情報とともにホストコンピュータ1に送信される。(F9)。
このように、識別ラベルの検査Noと検査結果を付帯させることで、検査結果に基づき確実かつ効率的に結晶端材の分類を行なうことができる。
このとき、台車9はホストコンピュータ1より選別槽10の行き先コンテナ番号の指示を受信しスタートする。そして、選別槽10に設置されているレール11上を移動し、指示されたコンテナ番号の前で停止する。
また、ホストコンピュータ1では、重量計6により測定された前記結晶端材の重量データに基づいて、選別槽10の各コンテナ毎に累積重量を記録していて、選別槽10の各コンテナが所定重量に達するまで結晶端材が充填される(F11)。
そして、コンテナの重量が所定重量に達するとホストコンピュータ1より端末2に満了信号が送信される。
一方、結晶端材が充填されたコンテナは結晶端材を粉砕する場所まで搬送され(F13)、そこで、所定の大きさの塊に粉砕した後にフッ酸と過酸化水素水またはフッ酸と硝酸からなる洗浄液で洗浄する(F14)。
ここで、例えば表1の区分AであるB(ボロン)ドープ、抵抗率11.0〜12.0Ω・cm、炭素濃度(Cs)<0.2ppma、ライフタイム(LT)>300μsecの再利用原料結晶100kgを石英ルツボに投入する。その後、ヒーターを昇温して再利用原料結晶を溶融し、全ての原料結晶が融け終わったところで種結晶を融液表面に接触させて、これを回転しながら引上げることでP型シリコン単結晶棒が製造される(F16)。
まず、再利用原料結晶の抵抗率と重量からASTM(American Society for Testing and Materials)StandardのF723−82によりB濃度に変換でき、下記の式(1)により再利用原料結晶中のB重量を求めることができる。
B重量=B濃度×B原子量×原子質量単位×再利用部原料の重量/シリコンの密度…式(1)
B濃度=B重量×Bの偏析係数/(Bの原子量×原子質量単位×再利用原料結晶の重量/シリコンの密度)…式(2)
従って、上記の式(1)、式(2)より、前記再利用原料のB重量は8.97×10−4g、該シリコン単結晶の肩部のB濃度は9.32×1014/cm3、抵抗率14.4Ω・cmと求められる。
(実施例、比較例)
CZ法による引上機から結晶直径8インチ(200mm)のBドープのシリコン結晶インゴットを取り出し(F1)、このコーン部、テール部に識別ラベルを貼付した(F2)。次に、内周刃切断機により、コーン部、テール部および所定の位置で切断し、切断した箇所から品質検査用サンプルの採取を行った(F3)。
切断されたコーン部、テール部は、回収コンテナに充填し(F4)、この回収コンテナに40kg程度充填された後、結晶端材選別システムまで搬送した(F6)。一方、品質検査用サンプルを抵抗率、炭素濃度、ライフタイムについて品質検査し、その検査結果を検査Noと共にホストコンピュータに登録した(F5)。
そして、選別槽10の各コンテナには、これらの結晶端材を200kgまで充填したところで(F11)、コンテナを粉砕する場所まで搬送し(F13)、そこで、所定の大きさの塊に粉砕した後、20kgづつ洗浄バスケットに充填して、フッ酸と過酸化水素水の洗浄液で洗浄した(F14)。
そして、再利用原料を加熱溶融した後、MCZ法により、結晶直径8インチ(200mm)、結晶方位<100>のシリコン単結晶インゴットを引上げ、そのうち10本の肩部の抵抗率を測定した。また、比較例として、未使用の多結晶シリコンのみを原料として、実施例と同一の製造条件で、同一結晶直径、結晶方位のシリコン単結晶インゴットを引き上げ、そのうち10本の抵抗率を測定した。
例えば、上記説明においては、シリコンに主にBを添加した結晶端材を原料結晶として再利用する場合につき説明したが、Ga、P、Sb、As等をドープした場合にも適応できるものである。
また、製造する単結晶は、シリコン単結晶に限らず、GaAs、GaP、InP、CdTe等の化合物半導体であってもよい。
3…バーコードリーダ、 4…バーコードプリンタ、
6…重量計、 7…シーケンサ、
9…台車、 10…選別槽、
11…レール。
Claims (9)
- チョクラルスキー法により原料融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、育成された単結晶のうち製品化されなかった結晶部分として、前記育成された結晶のうち、定型直径を満たしていないコーン部あるいはテール部、スリップ転位あるいは結晶欠陥を含む部分、および抵抗率あるいは酸素濃度が規格から外れている部分のうち少なくとも一つを再利用原料結晶とし、該再利用原料結晶を前記育成された単結晶のうち製品化された結晶部分の、抵抗率、導電型、酸素濃度、炭素濃度、ライフタイム、OSF(酸化誘起積層欠陥)、スリップ転位の少なくとも一つを含む検査結果に基づいて分類し、該分類された再利用原料結晶を分類毎に粉砕した後に洗浄し、所定の抵抗率となるように前記分類された再利用原料結晶の少なくとも一種を選択して原料として用い、単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。
- 前記再利用原料結晶に、ドーパントを含まない未使用の原料結晶および抵抗率調整用ドープ剤の少なくとも一方を添加して原料として用いることを特徴とする請求項1に記載された単結晶の製造方法。
- 前記粉砕後の洗浄は、フッ酸と過酸化水素またはフッ酸と硝酸からなる洗浄液を用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された単結晶の製造方法。
- 前記単結晶を少なくとも半導体材料とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載された単結晶の製造方法。
- チョクラルスキー法により原料融液から単結晶を引き上げる際の原料結晶の管理方法であって、育成された単結晶のうち製品化されなかった結晶部分を再利用原料結晶とする際に、前記育成された単結晶のうち製品化された結晶部分の、抵抗率、導電型、酸素濃度、炭素濃度、ライフタイム、OSF、スリップ転位の少なくとも一つを含む検査結果を記憶手段に記憶させ、且つ再利用原料結晶の重量を測定し、該重量測定結果と前記検査結果に基づいて前記再利用原料結晶を分類することを特徴とする原料結晶の管理方法。
- 前記再利用原料結晶として、前記育成された結晶のうち、定型直径を満たしていないコーン部あるいはテール部、スリップ転位あるいは結晶欠陥を含む部分、および抵抗率あるいは酸素濃度が規格から外れている部分のうち少なくとも一つを用いることを特徴とする請求項5に記載された原料結晶の管理方法。
- 前記単結晶を少なくとも半導体材料とすることを特徴とする請求項5または請求項6に記載された原料結晶の管理方法。
- 前記再利用原料結晶に識別手段を設け、該識別手段と前記検査結果とを付帯させることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載された原料結晶の管理方法。
- チョクラルスキー法により引き上げられた単結晶のうち製品化されなかった結晶部分を原料として再利用する際に、原料結晶を選別、回収するための管理システムであって、育成された単結晶のうち製品化された結晶部分の、抵抗率、導電型、酸素濃度、炭素濃度、ライフタイム、OSF(酸化誘起積層欠陥)、スリップ転位の少なくとも一つを含む検査結果を記憶させる記憶手段と、前記育成された単結晶のうち製品化されなかった再利用原料結晶の重量を測定する重量測定手段と、前記検査結果と前記重量測定結果により再利用原料結晶を選別する機能を有する選別手段と、選別された再利用原料結晶を収納する収納手段と、前記重量測定手段から前記収納手段に前記再利用原料を移動させる搬送手段とを有することを特徴とする原料結晶の管理システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003349175A JP5002111B2 (ja) | 2003-10-08 | 2003-10-08 | 単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003349175A JP5002111B2 (ja) | 2003-10-08 | 2003-10-08 | 単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005112669A JP2005112669A (ja) | 2005-04-28 |
JP5002111B2 true JP5002111B2 (ja) | 2012-08-15 |
Family
ID=34541108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003349175A Expired - Fee Related JP5002111B2 (ja) | 2003-10-08 | 2003-10-08 | 単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5002111B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4961753B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2012-06-27 | 株式会社Sumco | 単結晶製造管理システム及び方法 |
JP5381475B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2014-01-08 | 株式会社Sumco | 回収された多結晶シリコンの再生方法 |
WO2011105430A1 (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | 京セラ株式会社 | ドーパント材、半導体基板、太陽電池素子、およびドーパント材の製造方法 |
JP6443969B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2018-12-26 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶 |
JP2016172665A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の育成方法 |
JP6292164B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2018-03-14 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
-
2003
- 2003-10-08 JP JP2003349175A patent/JP5002111B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005112669A (ja) | 2005-04-28 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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