JP6694002B2 - 多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Description
タを設けておき、反応開始時には、先ずこのカーボンヒータを通電により発熱させ、その際に発生する輻射熱によってカーボンヒータ周辺に配置されているシリコン芯線を所望の温度にまで加熱するということが行われる(例えば、特許文献3を参照)。
の多結晶シリコンへ取り込まれ、カーボン汚染の原因となる。
育成される多結晶シリコンへのカーボン汚染も抑制される。
。
のは、CH4濃度は析出反応工程を通じて(72時間)、排ガスメタン濃度は検出下限以
下(0.100volppm未満)である。これに対し、比較例のものは、析出反応工程が進む
につれてCH4濃度は高くなり、最大排ガスメタン濃度は0.213volppmとなっている
。
満(検出下限以下)であり、多結晶中カーボン濃度が10ppba以下であるのに対し、比較例では、排ガス最大メタン濃度が0.213volppmであり、多結晶中カーボン濃度が80ppbaとなっている。つまり、排ガス最大メタン濃度は半分以下に抑えられ、その結果、多結晶中カーボン濃度は一桁程度低減されている。
2 のぞき窓
3 冷媒入口(ベルジャ)
4 冷媒出口(ベルジャ)
5 ベースプレート
6 冷媒入口(ベースプレート)
7 冷媒出口(ベースプレート)
8 反応排ガス出口
9 原料ガス供給ノズル
10 シリコン芯線用電極
11 多結晶シリコン棒
12 シリコン芯線
13 カーボンヒータ
14 シリコン芯線用アダプタ
15 シリコン芯線用電源
16 カーボンヒータ用電源
17 開閉式シャッタ
18 ヒータ駆動用モータ
19 ヒータ駆動用ボールネジ
20 析出反応空間
30 ヒータ格納部
100、200 反応炉
Claims (2)
- シーメンス法による多結晶シリコンの製造方法であって、
多結晶シリコンの析出反応工程を通じて、反応炉内からの排ガス中のメタン濃度を0.100volppm未満とする、ことを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 - シーメンス法による多結晶シリコンの製造方法であって、
多結晶シリコンの析出反応工程を通じて、反応炉内からの排ガス中のメタン濃度を0.100volppm未満とし、カーボン濃度が10ppba以下である多結晶シリコンを製造する、ことを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
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