JP5613646B2 - 電子機器および非接触充電装置 - Google Patents

Description

本発明は電子機器並びに非接触充電装置に関する。

近年、携帯型通信機器の発展は目覚ましいものがあり、とりわけ携帯電話機の小型軽薄化は急速に進められている。携帯電話機以外にも、ハンディカメラ（携帯型ビデオカメラ等）、コードレス電話機、ラップトップＰＣ（ノート型ＰＣ）等の電子機器も小型軽薄化が進められている。これらは電子機器本体に二次電池を搭載することで、コンセントに繋ぐことなく使用可能とされており、携帯性や利便性を高めている。ただし、二次電池には容量に限界があり、数日〜数週間に１回は充電を行わなければならない。

充電方法には接触充電方式と非接触充電方式とがある。接触充電方式は、受電装置の電極と給電装置の電極とを直接接触させて充電を行う方式である。接触充電方式はその装置構造が単純であることから一般的に用いられている。しかし、近年の電子機器の小型軽薄化に伴って電子機器の重さが軽くなり、受電装置の電極と給電装置の電極との接触圧が不足し、充電不良を起こすといった問題が生じている。二次電池は熱に弱いため、電池の温度上昇を防ぐために過放電や過充電を起こさないように回路を設計する必要がある。

このような点から非接触充電方式の適用が検討されている。従来の非接触充電方式では二次電池としてニッケル−水素電池が主として用いられており、このために充電時間が８時間程度かかるものが多いという難点を有していた。このような点に対して、Ｌｉイオン二次電池等の高容量二次電池の出現によって、携帯電話機やノート型ＰＣ等の比較的大消費電力で高速充電を必要とする電子機器でも非接触充電方式の適用が検討されている。

非接触充電方式は受電装置と給電装置の両方にコイルを設け、電磁誘導を利用して充電する方式である。非接触充電方式は電極同士の接触圧を考慮する必要がないため、電極同士の接触状態に左右されずに安定して充電電圧を供給することができる。非接触充電装置のコイルとしては、フェライトコアの周りにコイルを巻回した構造が知られている（特許文献１，２参照）。フェライト粉やアモルファス粉を混合した樹脂基板にコイルを実装した構造も知られている（特許文献３参照）。しかし、フェライトは薄く加工すると脆くなるため、耐衝撃性に弱く、機器の落下等で受電装置に不具合が生じやすい。

機器の薄型化に対応して受電部分を薄型化するために、基板に金属粉ペーストをスパイラル状に印刷して形成された平面コイルが採用されている。さらに、送電側の平面コイル（１次コイル）と受電側の平面コイル（２次コイル）との間の結合を磁性体で強化する構造が提案されている（特許文献４〜６参照）。磁性体（磁性シート）は１次コイルと２次コイルとの間の結合を強めるコア材として使用されている。しかしながら、送電速度が大きくなるとコイル間の結合だけでなく、周辺の部品の発熱を考慮する必要が生じる。

すなわち、平面コイルを使用した場合、平面コイルを通る磁束が機器内部の基板等と鎖交するため、電磁誘導により発生する渦電流で装置内が発熱する。このため、大きな電力を送信することができず、充電時間が長くなるという問題がある。例えば、発熱を無視して送電速度を上げれば、Ｌｉイオン二次電池の内部で炭酸ガスが発生し、膨爆等が発生することが懸念される。このため、非接触充電装置による携帯電話の充電には接触充電装置による充電時間に対して１３０％程度かかってしまう。

携帯電話機、デジタルカメラ、携帯ゲーム機、ポータブルＡＶ機器等に用いられるＬｉイオン二次電池は、単位時間当たりの充電容量が従来のニッケル−水素電池に比べて５倍以上になっている。このため、非接触充電方式で送電速度を上げようとしたときに、渦電流による発熱の問題が無視できない。このように、従来の非接触充電方式を適用した受電装置は電磁誘導で発生する渦電流、それに基づく発熱への対策が不十分である。渦電流の発生はノイズの発生につながり、さらに充電効率を低下させる要因となる。

特開平１１−２６５８１４号公報 特開２０００−０２３３９３公報 特開平０９−１９０９３８号公報 実開昭５８−０８０７５３号公報 特開平０４−１２２００７号公報 特開平０８−１４８３６０号公報

本発明の目的は、電磁誘導で受電側に発生する渦電流を抑えることによって、渦電流に起因する発熱や受電効率の低下を抑制することを可能にした受電装置を用いた電子機器および非接触充電装置を提供することにある。

本発明の態様に係る電子機器は、スパイラルコイルを有する受電コイルと、前記受電コイルに発生した交流電圧を整流する整流器と、前記整流器で整流された直流電圧が充電される二次電池とを備える非接触型の受電装置と、前記二次電池から前記直流電圧が供給されて動作する電子デバイスと、前記電子デバイスが実装された回路基板とを備える電子機器本体と、前記スパイラルコイルと前記二次電池との間、前記スパイラルコイルと前記整流器との間、前記スパイラルコイルと前記電子デバイスとの間、および前記スパイラルコイルと前記回路基板との間の少なくとも１箇所に配置された、平均板厚が５μｍ以上５０μｍ以下のアモルファス合金薄帯またはＦｅ基微結晶合金薄帯を１枚または複数枚有する磁性箔体とを具備し、前記磁性箔体の飽和磁束密度をＭｓ［Ｔ］、前記磁性箔体の合計板厚をｔ［μｍ］としたとき、前記磁性箔体は前記飽和磁束密度Ｍｓと前記合計板厚ｔとの積で表される値（Ｍｓ・ｔ）が１５以上１０３．６８以下であり、前記磁性箔体の比透磁率の実成分をμｒ’としたとき、前記磁性箔体は前記比透磁率の実成分μｒ’と前記合計板厚ｔとの積で表される値（μｒ’・ｔ）が４００００以上１３２００００以下であり、前記受電コイルによる受電速度が０．２５Ｗ／ｈ以上であることを特徴としている。

本発明の態様に係る非接触充電装置は、本発明の態様に係る電子機器と、前記電子機器の前記受電コイルと非接触で配置される給電コイルと、前記給電コイルに交流電圧を印加する電源とを備える給電装置とを具備し、前記給電コイルに発生させた磁束を前記受電コイルに伝達して電力を非接触で伝送することを特徴としている。

図１は本発明の第１の実施形態による電子機器の構成を示す図である。 図２は図１に示す電子機器の変形例の構成を示す図である。 図３は本発明の第２の実施形態による電子機器の構成を示す図である。 図４は本発明の実施形態における磁性箔体の外周部にはみ出し部を設けた例を示す断面図である。 図５は本発明の実施形態における磁性箔体の外周部にはみ出し部を設けた他の例を示す断面図である。 図６は本発明の実施形態における磁性箔体の外周部にはみ出し部を設けたさらに他の例を示す断面図である。 図７は本発明の実施形態における磁性箔体の中央部に開放部を設けた例を示す断面図である。 図８は本発明の実施形態における磁性箔体の中央部に開放部を設けた他の例を示す断面図である。 図９は本発明の実施形態における磁性箔体の中央部に開放部を設けたさらに他の例を示す断面図である。 図１０は本発明の実施形態における磁性箔体にスリットを形成した例を示す平面図である。 図１１は本発明の実施形態における磁性箔体にスリットを形成した他の例を示す平面図である。 図１２は本発明の実施形態における磁性箔体にスリットを形成したさらに他の例を示す平面図である。 図１３は本発明の実施形態における磁性箔体にスリットを形成したさらに他の例を示す平面図である。 図１４は本発明の実施形態における磁性箔体にスリットを形成したさらに他の例を示す平面図である。 図１５は本発明の実施形態の電子機器に複数の磁性箔体を配置した例を示す断面図である。 図１６は本発明の実施形態による非接触充電装置の構成を示す図である。 図１７は図１６に示す非接触充電装置の回路図である。

以下、本発明を実施するための形態について説明する。図１および図２は本発明の第１の実施形態による電子機器の構成を示している。図１および図２に示す電子機器１は非接触充電方式を適用した受電装置２と電子機器本体３とを具備している。受電装置２や電子機器本体３は筐体４内に配置されており、これらによって電子機器１が構成されている。

受電装置２は、スパイラルコイルを有する受電コイル１１と、受電コイル１１に発生した交流電圧を整流する整流器１２と、整流器１２で整流された直流電圧が充電される二次電池１３とを備えている。電子機器本体３は、受電装置２の二次電池１３に充電された直流電圧が供給されて動作する電子デバイス１４と、電子デバイス１４が実装された回路基板１５とを備えている。電子機器本体３は電子デバイス１４や回路基板１５以外に電子機器１の機能や動作等に応じた部品や装置を備えていてもよい。

受電コイル１１を構成するスパイラルコイルとしては、銅線等の金属ワイヤを平面状態で巻回した平面コイル、金属粉ペーストをスパイラル状に印刷して形成した平面コイル等が用いられる。スパイラルコイルの巻回形状は、円形、楕円、四角形、多角形等、特に限定されるものではない。スパイラルコイルの巻回数も要求特性に応じて適宜設定される。

整流器１２としては、トランジスタやダイオード等の半導体素子が挙げられる。整流器１２の個数は任意であり、必要に応じて１個または２個以上の整流器１２が用いられる。整流器１２はＴＦＴ等の成膜技術で形成したものであってもよい。図１および図２において、整流器１２は回路基板１５の受電コイル１１側に設置される。整流器１２は回路基板１５の受電コイル１１とは反対側の面に設けてもよい。二次電池１３は充放電が可能なものであり、平板型やボタン型等の種々の形状のものを使用することができる。

電子デバイス１４には、抵抗素子、容量素子、インダクタンス素子、制御素子、記憶素子等、回路を構成する各種の素子や部品が含まれる。さらに、これら以外の部品や装置であってもよい。回路基板１５は樹脂基板やセラミックス基板等の絶縁基板の表面や内部に回路を形成したものである。電子デバイス１４は回路基板１５に実装されている。電子デバイス１４は回路基板１５に実装されていないものを含んでいてもよい。

第１の実施形態の電子機器１は、例えば図１に示すように、スパイラルコイル（受電コイル）１１と二次電池１３との間に設置された磁性箔体１６を具備している。すなわち、スパイラルコイル１１と二次電池１３とは磁性箔体１６を挟んで配置されている。スパイラルコイル１１はその少なくとも一部として平面部を有し、この平面部は磁性箔体１６の表面に沿って配置されている。受電装置２として見た場合、それを構成するスパイラルコイル１１と二次電池１３との間に磁性箔体１６が配置されていることになる。

磁性箔体１６は図２に示すように、二次電池１３と回路基板１５との間に設置してもよい。この場合、磁性箔体１６はスパイラルコイル１１と回路基板１５との間に配置されていることになる。さらに、磁性箔体１６はスパイラルコイル１１と整流器１２との間やスパイラルコイル１１と電子デバイス１４との間に配置してもよい。磁性箔体１６はこれら各箇所のうち１箇所以上に配置される。磁性箔体１６は２箇所もしくはそれ以上の箇所に配置されていてもよい。

図３は第２の実施形態による電子機器を示している。図３に示す電子機器１において、スパイラルコイル１１は二次電池１３の周囲に設置されている。言い換えると、二次電池１３はスパイラルコイル１１の中央付近に設けられた空洞部内に設置されている。磁性箔体１６はスパイラルコイル１１と回路基板１５との間に加えて、スパイラルコイル１１と二次電池１３との間にも存在するように、中央付近を突出させた形状を有している。なお、図３では整流器１２や電子デバイス１３の図示を省略している。

第２の実施形態の電子機器１においても、磁性箔体１６はスパイラルコイル１１と回路基板１５との間、スパイラルコイル１１と整流器１２との間、スパイラルコイル１１と電子デバイス１４との間に配置してもよい。磁性箔体１６はこれら各箇所のうち１箇所以上に配置される。磁性箔体１６は２箇所もしくはそれ以上の箇所に配置されていてもよい。

電子機器１の横幅を小さくするためには第１の実施形態の構造が好ましい。電子機器１の厚さを薄くするためには第２の実施形態の構造が好ましい。これらの形態は適用する電子機器１の構造等に併せて適宜選択される。電子機器１の構成は図１ないし図３に限られるものではない。スパイラルコイル１１と二次電池１３と回路基板１５の配置は種々に変更が可能である。例えば、上側から二次電池、回路基板、スパイラルコイルを順に配置してもよい。磁性箔体は例えば回路基板とスパイラルコイルとの間に配置される。

スパイラルコイル１１と回路基板１５との間に磁性箔体１６を配置する場合、単にスパイラルコイル１１／磁性箔体１６／回路基板１５を積層するだけでもよいし、これらの間を接着剤やろう材で固定してもよい。他の場合も同様であり、各構成要素を積層するだけでもよいし、それらの間を接着剤やろう材で固定してもよい。

上述したように、スパイラルコイル１１と二次電池１３との間、スパイラルコイル１１と整流器１２との間、スパイラルコイル１１と電子デバイス１４との間、スパイラルコイル１１と回路基板１５との間の少なくとも１箇所に磁性箔体１６を配置することによって、充電時にスパイラルコイル１１を通る磁束を磁性箔体１６でシールドすることができる。これによって、電子機器１内部の回路基板１５等と鎖交する磁束が減少するため、電磁誘導による渦電流の発生を抑制することが可能となる。

従って、回路基板１５に実装された電子デバイス１４や整流器１２の渦電流による発熱、回路基板１５の回路の発熱、さらに渦電流に起因するノイズの発生を抑制することができる。電子機器１内部における発熱の抑制は、二次電池１３の性能や信頼性の向上に寄与する。さらに、渦電流による発熱を抑制することによって、受電装置２に供給する電力を増大させることができる。磁性箔体１６はスパイラルコイル１１に対する磁心としても機能するため、受電効率ひいては充電効率を高めることが可能となる。これらは電子機器１に対する充電時間の短縮に寄与する。

磁性箔体１６としては、磁性合金薄帯（磁性合金リボン）や磁性合金薄板等が用いられる。磁性箔体１６には各種の軟磁性材料を適用することができる。磁性箔体１６の具体的な構成としては以下に示すようなものが挙げられる。磁性合金薄帯は、Ｃｏ基アモルファス合金、Ｆｅ基アモルファス合金、またはＦｅ基微結晶合金で構成することが好ましい。これら磁性材料はいずれもロール急冷法（単ロールまたは双ロール）で作製できることから、平均板厚が５０μｍ以下の薄帯を容易に得ることができる。

磁性合金薄帯を構成するアモルファス合金は、
一般式：（Ｔ_１−ａＭ_ａ）_{１００−ｂ}Ｘ_ｂ …（１）
（式中、ＴはＣｏおよびＦｅから選ばれる少なくとも１種の元素を、ＭはＮｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＲｅおよびＳｎから選ばれる少なくとも１種の元素を、ＸはＢ、Ｓｉ、ＣおよびＰから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ａおよびｂは０≦ａ≦０．３、１０≦ｂ≦３５ａｔ％を満足する数である）
で表される組成を有することが好ましい。（１）式において、元素ＴがＣｏとＦｅの両方を含んでいる場合、Ｃｏが多ければＣｏ基アモルファス合金、Ｆｅが多ければＦｅ基アモルファス合金と呼称する。

（１）式において、元素Ｔは磁束密度、磁歪値、鉄損等の要求される磁気特性に応じて組成比率を調整するものとする。元素Ｍは熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御等のために添加される元素である。元素Ｍの添加量はａの値として０．３以下とすることが好ましい。元素Ｍの添加量があまり多すぎると相対的に元素Ｔの量が減少することから、アモルファス磁性合金薄帯の磁気特性が低下する。元素Ｍの添加量を示すａの値は実用的には０．０１以上とすることが好ましい。ａの値は０．１５以下とすることがより好ましい。

元素Ｘはアモルファス合金を得るために必須の元素である。特に、Ｂ（ホウ素）は磁性合金のアモルファス化に有効な元素である。Ｓｉ（けい素）はアモルファス相の形成を助成したり、また結晶化温度の上昇に有効な元素である。元素Ｘの含有量があまり多すぎると透磁率の低下や脆さが生じ、逆に少なすぎるとアモルファス化が困難になる。このようなことから、元素Ｘの含有量は１０〜３５ａｔ％の範囲とすることが好ましい。元素Ｘの含有量は１５〜２５ａｔ％の範囲とすることがさらに好ましい。

Ｆｅ基微結晶合金薄帯としては、
一般式：Ｆｅ_{１００−ｃ−ｄ−ｅ−ｆ−ｇ−ｈ}Ａ_ｃＤ_ｄＥ_ｅＳｉ_ｆＢ_ｇＺ_ｈ …（２）
（式中、ＡはＣｕおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素を、ＤはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏおよび希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素を、ＥはＭｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎおよび白金族元素から選ばれる少なくとも１種の元素を、ＺはＣ、ＮおよびＰから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇおよびｈは０．０１≦ｃ≦８ａｔ％、０．０１≦ｄ≦１０ａｔ％、０≦ｅ≦１０ａｔ％、１０≦ｆ≦２５ａｔ％、３≦ｇ≦１２ａｔ％、１５≦ｆ＋ｇ＋ｈ≦３５ａｔ％を満足する数である）
で実質的に表される組成を有するＦｅ基合金からなり、かつ面積比で金属組織の２０％以上が粒径５０ｎｍ以下の微結晶粒からなるものが挙げられる。

（２）式において、元素Ａは耐食性を高め、結晶粒の粗大化を防ぐと共に、鉄損や透磁率等の磁気特性を改善する元素である。元素Ａの含有量があまり少ないと結晶粒の粗大化抑制効果を十分に得ることができず、逆にあまり多すぎると磁気特性が劣化する。従って、元素Ａの含有量は０．０１〜８ａｔ％の範囲とすることが好ましい。元素Ｄは結晶粒径の均一化や磁歪の低減等に有効な元素である。元素Ｄの含有量は０．０１〜１０ａｔ％の範囲とすることが好ましい。

元素Ｅは軟磁気特性や耐食性の改善に有効な元素である。元素Ｅの含有量は１０ａｔ％以下とすることが好ましい。ＳｉおよびＢは薄帯製造時における合金のアモルファス化を助成する元素である。Ｓｉの含有量は１０〜２５ａｔ％の範囲、Ｂの含有量は３〜１２ａｔ％の範囲とすることが好ましい。ＳｉおよびＢ以外のアモルファス化助成元素として元素Ｚを含んでいてもよい。その場合、Ｓｉ、Ｂおよび元素Ｚの合計含有量は１５〜３５ａｔ％の範囲とすることが好ましい。微結晶構造は、特に粒径が５〜３０ｎｍの結晶粒を合金中に面積比で５０〜９０％の範囲で存在させた形態とすることが好ましい。

アモルファス合金薄帯は、例えばロール急冷法（溶湯急冷法）により作製される。具体的には、所定の組成比に調整した合金素材を溶融状態から急冷することにより作製される。微結晶合金薄帯は、例えば液体急冷法によりアモルファス合金薄帯を作製した後、その結晶化温度に対して−５０〜＋１２０℃の範囲の温度で１分〜５時間の熱処埋を行い、微結晶粒を析出させることにより得ることができる。液体急冷法の急冷速度を制御して微結晶粒を直接析出させる方法によっても、微結晶合金薄帯を得ることができる。

アモルファス合金やＦｅ基微結晶合金からなる磁性合金薄帯の平均厚さは５〜５０μｍの範囲とすることが好ましい。平均板厚が５０μｍ以下の磁性合金薄帯は、後述する折曲部や開放部の形成加工が行いやすいという利点を有する。磁性合金薄帯の平均厚さが５０μｍを超えると透磁率が低くなり、また損失が大きくなるおそれがある。磁性合金薄帯の平均厚さを５μｍ未満としても、それ以上の効果が得られないばかりでなく、逆に製造コストの増加を招くことになる。磁性合金薄帯の厚さは５〜３５μｍの範囲とすることがより好ましく、さらに好ましくは１０〜２５μｍの範囲である。

磁性箔体１６はアモルファス合金やＦｅ基微結晶合金に代えて、パーマロイや珪素鋼板等で形成してもよい。この場合には、溶解インゴットや焼結インゴットに鍛造や圧延等の加工を施して薄板化する。パーマロイや珪素鋼板等からなる磁性合金薄板の板厚は１０〜４０μｍの範囲とすることが好ましい。磁性合金薄板の板厚が４０μｍを超えると、渦電流により磁性板内部の損失が増大する。一方、磁性合金薄板の板厚が１０μｍ未満であると、十分なシールド効果が得られない。磁性合金薄板の板厚は１０〜２５μｍの範囲とすることがより好ましい。

上述した磁性箔体１６は飽和磁束密度Ｍｓと板厚ｔとの積で表されるＭｓ・ｔ値が１５以上という特性を有している。Ｍｓは磁性箔体１６の飽和磁束密度、ｔは磁性箔体１６の板厚［μｍ］である。磁性箔体１６を複数の箔体の積層体で構成する場合、板厚ｔは複数の箔体の板厚の合計を示すものとする。一部のみに箔体の積層体を適用する場合には、最も多く積層した部分の厚さ（合計した板厚）を板厚ｔとする。複数の磁性箔体を絶縁層等の非磁性体層を介して積層する場合、非磁性体層の厚さは板厚ｔに含めないものとする。

Ｍｓ・ｔ値が１５以上の磁性箔体１６は良好なシールド効果を有するため、磁性箔体１６からの磁束の漏洩が抑制される。磁性箔体１６からの磁束の漏洩を抑制することによって、整流器１２、電子デバイス１４、回路基板１５等に発生する渦電流を抑制することができる。これによって、電子機器１内部における発熱を抑制することが可能となる。特に、受電速度を０．２５Ｗ／ｈ以上とする場合において、そのような受電速度に見合った磁束のシールド効果を高めることができる。さらに、磁性箔体１６からの磁束の漏洩を抑制することで、受電コイル１１による電力の受電効率が向上する。これによっても、電子機器１内部の発熱を抑制することができる。

例えば、Ｌｉイオン二次電池のように充電容量が大きい二次電池に充電する場合には、送信する電力を大きくする必要がある。このことは、非接触充電方式では送信する磁束量が増大することを意味する。Ｍｓ・ｔ値が１５以上の磁性箔体１６を用いることによって、増大した磁束を確実にシールドすることが可能となる。従って、渦電流に起因する電子機器１内部の発熱を確実に抑制することが可能となる。一方、磁性箔体１６のＭｓ・ｔ値が１５未満の場合には、磁束のシールド効果が不十分となるため、磁束の漏洩が増大して渦電流に起因する温度上昇が大きくなる。

Ｍｓ・ｔ値が１５以上の磁性箔体１６は、二次電池１３に充電容量が大きいＬｉイオン二次電池を適用する場合に好適である。特に、磁性箔体１６は受電速度を０．２５Ｗ／ｈ以上とする場合に有効である。磁性箔体１６のＭｓ・ｔ値は２５以上であることがより好ましい。さらに、受電コイル１１による受電効率を高める上で、磁性箔体１６は比透磁率の実成分μｒ’と板厚ｔとの積で表されるμｒ’・ｔ値が４００００以上という特性を有することが好ましい。μｒ’は磁性箔体１６の比透磁率の実成分である。

μｒ’・ｔ値が４００００以上の場合には、磁性箔体１６のインダクタンスが大きくなるため、磁性箔体１６が渦電流により磁気飽和しにくくなる。また、磁性箔体１６の飽和、非飽和にかかわらず、磁性箔体１６からの磁束漏洩が抑制されるため、整流器１２、電子デバイス１４、回路基板１５等に発生する渦電流を抑制することができる。これによって、電子機器１内部における発熱をさらに抑制することが可能となる。磁性箔体１６のインダクタンスを高めることによって、受電コイル１１による受電効率を向上させることができる。これによっても、渦電流に起因する発熱が抑制される。

磁性箔体１６のμｒ’・ｔ値が４００００未満であると、渦電流の抑制効果が不十分になるため、例えば送電電力が１Ｗ・ｈ以上になったときに、二次電池１３が必要以上に発熱する。これは受電時に生じた渦電流により磁性箔体１６の磁気特性が飽和し、渦電流をそれ以上抑制できなくなるためである。μｒ’・ｔ値が４００００以上の磁性箔体１６は、二次電池１３に充電容量が大きいＬｉイオン二次電池を適用する場合に好適である。特に、μｒ’・ｔ値が４００００以上の磁性箔体１６は、受電速度を０．２５Ｗ／ｈ以上とする場合に有効である。μｒ’・ｔ値は９００００以上であることがより好ましい。

Ｍｓ・ｔ値を大きくするためには、磁性箔体１６の飽和磁束密度Ｍｓを大きくする、もしくは板厚ｔを厚くする。磁性箔体１６の飽和磁束密度Ｍｓを高める方法としては、飽和磁束密度が大きい材料組成を磁性箔体１６に適用することが挙げられる。μｒ’・ｔ値を大きくする場合も同様であり、材料組成や熱処理で磁性箔体１６の比透磁率の実成分μｒ’を大きくしたり、板厚ｔを厚くする。アモルファス磁性合金薄帯からなる磁性箔体１６であれば、２００℃〜（結晶化温度−１０℃）の温度で１０〜１２０分の熱処理を施すことが有効である。これらは適宜に組合せて適用される。磁性箔体１６の飽和磁束密度Ｍｓは板厚ｔの過剰な増加を抑制するという観点から０．５Ｔ以上であることが好ましい。同様に、磁性箔体１６の比透磁率の実成分μｒ’は１２０以上であることが好ましい。

磁性箔体１６の平均板厚が厚すぎると、前述したように磁性箔体１６の透磁率や加工性が低下する。このため、磁性箔体１６の平均板厚は前述した範囲内とすることが好ましい。そのような条件を満足させた上で、板厚ｔを大きくするためには、磁性箔体１６に磁性合金薄帯や磁性合金薄板の積層体を適用することが好ましい。磁性合金薄帯や磁性合金薄板を積層して用いることによって、各薄帯や薄板の厚さの増加を抑制しつつ、磁性箔体１６の板厚ｔを厚くすることができる。これらによって、Ｍｓ・ｔ値が１５以上の磁性箔体１６、さらにはμｒ’・ｔ値が４００００以上の磁性箔体１６を得ることができる。

さらに、磁性箔体１６の電気抵抗値Ｒ［Ω・ｍ］はＲ・μｒ’≧１．０１×１０−３を満たすことが好ましい。磁性箔体１６の板厚を表皮効果によるスキンデプスの厚さより厚く設定しても、それ以上の部分は磁性体としての効果をほとんど示さない。従って、磁性箔体１６の板厚はスキンデプスの厚さ以下とすることが好ましい。上記したＲ・μｒ’値は、スキンデプスの厚さ＝δ、μｒ’・ｔ＝４００００、μ_０＝真空の透磁率＝４π×１０^−７、膜厚＝ｔ、ω＝角周波数としたとき、（μ_０・μｒ’・δ）＝（μ_０・μｒ’）（２・Ｒ／（μ_０・μｒ’・ω）^１／２≧（μ_０・μｒ’・ｔ）＝μ_０・４００００から求めたものである。これは、透磁率が低い材料では十分なμ_０・μｒ’を得ることができず、十分に発熱を抑制できないことを意味する。

次に、渦電流による不具合をさらに抑制する方法および構造について説明する。磁性箔体１６は図４に示すように、その外周端部をスパイラルコイル１１の外周部より外側まで延在させることが好ましい。図４において、ｄｏは磁性箔体１６のスパイラルコイル１１の外側にはみ出した部分（はみ出し部）である。このような構造とすることによって、スパイラルコイル１１に生じた磁束をより効果的に磁性箔体１６で遮断することができる。これは基板等と鎖交する磁束に基づく渦電流の抑制、さらに渦電流による発熱や受電効率の低下の抑制に寄与するものである。

磁性箔体１６のはみ出し部分ｄｏは図５や図６に示すように、回路基板１５とは反対側（スパイラルコイル１１側）に折り曲げてもよい。図５および図６において、磁性箔体１６はその外周端部を回路基板１５とは反対側に折り曲げた折曲部１６ａを有している。折曲部１６ａの形状は、図５に示すように複数回折り曲げてもよいし、図６に示すように１回折り曲げるだけでもよい。磁性箔体１６の外周部をスパイラルコイル１１側に折り曲げることによって、渦電流の抑制効果をさらに高めることができる。

さらに、磁性箔体１６はスパイラルコイル１１の磁心としても機能する。この場合、磁性箔体１６の外周端部をスパイラルコイル１１側に折り曲げることによって、磁心としての磁性箔体１６と給電コイル（１次コイル）とのギャップを小さくすることができる。これによって、受電効率を高めることが可能となる。この際、給電コイルに近接させる磁性箔体１６の面積が大きいほど効果がある。このため、図５に示すように、磁性箔体１６の外周端部を給電コイルの巻回面法線と略平行な方向に向けることによって、より効果的に磁気回路を形成して受電効率を高めることが可能となる。

磁性箔体１６の中央部には、図７、図８および図９に示すように開放部１６ｂを設けてもよい。磁性箔体１６の開放部１６ｂは、スパイラルコイル１１の中心部に対応する位置に設けられる。開放部１６ｂの形状は、図７に示すような磁性箔体１６の中央部をスパイラルコイル１１の方向に窪ませた形状（凸形状）、図８に示すような磁性箔体１６の中央部に穴を開けた形状、図９に示すような磁性箔体１６の中央部を折り曲げた形状等が挙げられる。開放部１６ｂを設けて給電コイル（１次コイル）とのギャップを小さくすることによって、より効果的に磁気回路を形成して受電効率を高めることが可能となる。

図８において、ｄｉは磁性箔体１６のスパイラルコイル１１より内側に存在させた部分を示している。図９に示す折り曲げ部分は、磁性箔体１６のスパイラルコイル１１より内側に存在させた部分ｄｉをスパイラルコイル１１の方向に折り曲げたものである。磁性箔体１６の外周部をスパイラルコイル１１の外側にはみ出させた構造と中央部に開放部を設けた構造はそれぞれ単独で用いてもよいし、また両方を採用してもよい。これらの構造を両方採用した方が受電効率の向上効果がより顕著になる。なお、図４ないし図９では整流器１２、二次電池１３、電子デバイス１３の図示を省略している。図１５も同様である。

さらに、磁性箔体１６内の渦電流を抑制するために、磁性箔体１６にはスリットを設けることが好ましい。磁性箔体１６はスリットで複数に分割し、電気路（または電流路）を分断することがより有効である。スリットを設けた磁性箔体１６の例を図１０ないし図１４に示す。これらの図において、符号１７はスリットを示している。スリット１７が磁性箔体１６を切断している場合、それは磁性箔体１６の分割線に相当する。

図１０は磁性箔体１６の縦横に直交するスリット１７を形成した状態を示している。図１０に示す磁性箔体１６は四分割されている。図１１は磁性箔体１６の縦横にそれぞれ複数本のスリット１７を形成した状態を示している。図１１に示すように、複数本のスリット１７を形成する場合、スリット１７のサイズやスリット１７同士の間隔は任意である。図１２は磁性箔体１６の対角線方向に直交するスリット１７を形成した状態を示している。このように、スリット１７は水平や垂直に限らず、角度を付けて形成してもよい。図示しないが、スリットは放射線状に形成してもよい。

図１３は磁性箔体１６の片方の端から途中までスリット１７を設けた状態を示している。スリット１７は対向する辺の両方から反対側の辺に向けてそれぞれ形成されている。図１４は磁性箔体１６の両端から途中までのスリット１７を形成し、さらに中央付近にもスリット１７を形成した状態を示している。電気路を分断する際、スパイラルコイル１１の中央部になるほど磁束が大きくなるため、分割後の磁性箔体１６の面積が中央部になるほど小さくなるように、スリット１７を設けることが効果的である。ただし、スリット数（分割数）を多くすると磁気抵抗が大きくなるために受電効率は低下する。このため、渦電流の抑制効果と受電効率の両方を考慮してスリット１７を設けることが好ましい。

渦電流の抑制効果と受電効率の両方を向上させためには、複数枚の磁性箔体を用いることが有効である。複数枚の磁性箔体を用いた例を図１５に示した。図１５に示す電子機器１においては、スパイラルコイル１１と回路基板１５との間に３枚の磁性箔体１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃを配置している。磁性箔体１６Ａは図１０に示したようなスリット１７を有している。磁性箔体１６Ｂは図１１に示したスリット１７を有している。磁性箔体１６Ｃはスリットを有しておらず、外周部を折り曲げたものである。

このように、折曲部１６ａを設けた磁性箔体１６Ｃとスリット１７を設けた磁性箔体１６Ａ、１６Ｂの両方を用いることによって、渦電流の抑制効果と受電効率の両方を高めることができる。スリット１７を形成した磁性箔体１６は開放部１６ｂを設けた磁性箔体１６組合せてもよいし、折曲部１６ａと開放部１６ｂの両方を具備する磁性箔体１６とスリット１７を形成した磁性箔体１６とを組合せてもよい。３枚以上（ｎ枚以上）の磁性箔体１６を用いる場合、そのうち２枚（（ｎ−１）枚）を同一形状（構造）の磁性箔体１６としてもよいし、３枚（ｎ枚）の磁性箔体１６全てに同じものを用いてもよい。

上述した実施形態の受電装置２とそれを用いた電子機器１においては、スパイラルコイル１１を鎖交した磁束に起因する渦電流が抑制されるため、機器内部の発熱を低下させることができると共に、受電効率を向上させることが可能となる。これによって、給電時の電力を大きくすることができ、充電時間の短縮を図ることができる。この実施形態の電子機器１は携帯電話機、携帯型オーディオ機器、デジタルカメラ、ゲーム機等に好適である。このような電子機器１は給電装置にセットして非接触充電が行われる。

図１６は本発明の実施形態による非接触充電装置の構成を示している。図１７は図１６に示す非接触充電装置の回路図である。図１６および図１７に示す非接触充電装置２０において、電子機器１は前述した実施形態で示したものである。図１６において、矢印は磁束の流れを示している。図１７において、符号２１は平滑用のコンデンサである。給電装置３０は給電コイル３１と給電コイル用磁心３２と給電コイル３１に交流電圧を印加する電源３３とを備えている。電子機器１を給電装置３０上にセットした際、給電コイル３１は受電コイル１１と非接触で配置される。

非接触充電装置２０による充電は以下のようにして行われる。まず、給電装置３０の給電コイル３１に電源３３から交流電圧を印加し、給電コイル３１に磁束を生じさせる。給電コイル３１に発生させた磁束は、給電コイル３１と非接触で配置された受電コイル１１に伝達される。受電コイル１１では磁束を受けて電磁誘導で交流電圧が生じる。この交流電圧は整流器１２で整流される。整流器１２で整流された直流電圧は二次電池１３に充電される。このように、非接触充電装置２０においては非接触で電力の伝送が行われる。

次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。

（充電システム）
非接触充電システムとして携帯電話機用の充電システムを用意した。給電装置はＡＣ電源からの電力を制御回路を通して一定の電磁波に変換し、その電磁波を送信する一次コイル（給電コイル）を置き台の近傍に配置したものである。携帯電話機は受電装置としてスパイラルコイルからなる二次コイル（受電コイル）と二次コイルに生じた交流電力を整流する整流器が実装された回路基板と二次電池（Ｌｉイオン二次電池）とを具備している。二次コイルは銅線を外周３０ｍｍ、内周２３ｍｍに平面状に巻回したものである。

（比較例１）
上記した携帯電話機において、磁性箔体を用いずに受電装置を構成した。この受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を比較例１とした。

（実施例１）
磁性箔体として、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、比透磁率の実成分μｒ’が１８０００、平均板厚が９．５μｍで、組成がＣｏ_７０Ｆｅ_５Ｓｉ_５Ｂ_２０（原子比）のアモルファス合金薄帯を用意した。このアモルファス合金薄帯に４４０℃×３０ｍｉｎの条件で熱処理を施した。アモルファス合金薄帯は外周部のはみ出し量ｄｏが６ｍｍの形状を有する。このようなアモルファス合金薄帯を３枚積層し、図１に示したように二次コイル（受電コイル１１）と二次電池１３との間に配置した。このような磁性箔体を有する受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を実施例１とした。

（実施例２〜３）
実施例１と同一組成のアモルファス合金薄帯を用いて、熱処理条件、平均板厚、積層数を表１に示す条件に変更する以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。これらの受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を実施例２〜３とした。

（実施例４〜７）
磁性箔体として、Ｆｅ_７８Ｓｉ_８Ｂ_１４（原子比）の組成を有するアモルファス合金薄帯を用意した。アモルファス合金薄帯の熱処理条件、平均板厚、積層数は表１に示す通りである。このアモルファス合金薄帯を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。これらの受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を実施例４〜７とした。

（参考例１）
磁性箔体として、平均板厚が２５μｍで、組成がＦｅ_７８Ｎｉ_２２（原子比）のパーマロイ薄板を用意した。このパーマロイ薄板に水素雰囲気中で熱処理を施した。熱処理条件は、１２００℃×３０分→１００℃／ｈで徐冷→６００℃×６０分→１００℃／ｈとした。このようなパーマロイ薄板を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を参考例１とした。

（実施例９〜１０）
磁性箔体として、Ｆ_７４Ｃｕ_１Ｎｉ_１Ｍｎ_１Ｓｉ_１５Ｂ_８（原子比）の組成を有するＦｅ基微結晶合金薄帯を用意した。Ｆｅ基微結晶合金薄帯は、金属組織の９５％（面積比）が粒径４０ｎｍ以下の微結晶粒からなる。このようなＦｅ基微結晶合金薄帯を単層で、もしくは３枚積層して用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置をそれぞれ構成した。これらの受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を実施例９〜１０とした。

（参考例２）
磁性箔体として、３質量％のＳｉを含有し、残部が実質的にＦｅからなる珪素鋼板を用意した。珪素鋼板の平均板厚は２００μｍである。このような珪素鋼板を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を参考例２とした。

（比較例２〜７）
実施例１と同一組成のアモルファス合金薄帯を用いて、熱処理条件、平均板厚、積層数を表１に示す条件に変更する以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。磁性箔体のＭｓ・ｔ値はいずれも１５未満である。これらの受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を比較例２〜７とした。

（比較例８〜１０）
磁性箔体として、Ｃｏ_７６Ｆｅ_４Ｎｉ_３Ｓｉ_６Ｂ_１１（原子比）の組成を有するアモルファス合金薄帯を用意した。このアモルファス合金薄帯の熱処理条件、平均板厚、積層数は表１に示す通りである。アモルファス合金薄帯のＭｓ・ｔ値はいずれも１５未満である。このようなアモルファス合金薄帯を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置をそれぞれ構成した。これらの受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を比較例８〜１０とした。

（比較例１１）
樹脂フィルム上にスパッタ法でＣｏ_６５Ｚｒ_１９Ｎｂ_１６（原子比）組成の薄膜を形成して磁性シートを作製した。磁性シートのＭｓ・ｔ値は１５未満である。このような磁性シートを用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を比較例１３とした。

上述した実施例１〜１１および比較例１〜１３のＭｓ・ｔ値およびμｒ’・ｔ値は表２に示す通りである。各例の非接触充電装置の結合効率と発熱量を測定並びに評価した。評価結果を表２に示す。

結合効率は、一次コイル（給電コイル）から一定の電力（ここでは１Ｗ）を送信したとき、どれだけの電力を二次コイル（受電コイル）に伝えられるかで評価した。比較例１の結合効率（二次コイルに伝えられた電力量）を１００としたとき、２割以上向上したもの（１２０以上１４０未満）を○、４割以上向上したもの（１４０以上）を◎、２割未満であったもの（１２０未満）を×で示した。

発熱量は、０．４Ｗ／ｈの送電速度と１．５Ｗ／ｈの送電速度による送電をそれぞれ２時間行い、２時間後の温度上昇を測定した。温度上昇が２５℃以下のものを◎、温度上昇が２５℃を超えて４０℃以下のものを○、温度上昇が４０℃を超えたものを×で示した。送電前の温度は室温（２５℃）で統一した。受電速度は送電速度が０．４Ｗ／ｈのときに０．２５Ｗ／ｈ、送電速度が１．５Ｗ／ｈのときに０．９Ｗ／ｈとした。

表２から明らかなように、Ｍｓ・ｔ値が１５以上の磁性箔体を用いることによって、良好な特性を得ることが可能となる。実施例に関しては、２時間の充電でほぼ充電が完了した。さらに、２時間以上充電した状態を５時間保持したが、温度はそれほど上昇しなかった。これは過充電しても温度上昇が飽和することを意味する。温度上昇（発熱量）に関しては、電池容量を満たすための充電（充電速度）が重要であることが分かる。一方、比較例では発熱量が大きかった。このような場合には、送電量を小さくして長時間充電しないと不具合が生じてしまう。

（実施例１２）
実施例１の磁性箔体（アモルファス合金薄帯を３枚積層したもの）において、外周側のはみ出し部（ｄｏ＝６ｍｍ）を折り曲げて折曲部を形成した。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例１と同様にして測定並びに評価した。その結果を表３に示す。

（実施例１３）
実施例１の磁性箔体において、縦横にスリットを１本ずつ形成した（図１０参照）。スリットの幅は１００μｍとした。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例１と同様にして測定並びに評価した。その結果を表３に示す。

（実施例１４）
実施例１の磁性箔体において、縦横それぞれに複数のスリットを形成した（図１１参照）。スリットは中央に行くにしたがって周期（形成ピッチ）が狭くなるようにした。スリットの幅は５０〜１０００μｍの範囲とした。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例１と同様にして測定並びに評価した。その結果を表３に示す。

（実施例１５）
実施例１の磁性箔体において、複数本のスリットを放射状に形成した（図１２参照）。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例１と同様にして測定並びに評価した。その結果を表３に示す。

（実施例１６）
実施例１の磁性箔体において、箔体の端部から途中までのスリットを複数本形成した（図１３参照）。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例１と同様にして測定並びに評価した。その結果を表３に示す。

（実施例１７）
実施例１の磁性箔体において、箔体の端部から途中までのスリットと独立したスリットの両方を複数本形成した（図１４参照）。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例１と同様にして測定並びに評価した。その結果を表３に示す。

（実施例１８）
実施例１の磁性箔体において、３枚のアモルファス合金薄帯のうち２枚はそのままとし、１枚は外周部を折り曲げて折曲部を形成した（図１５参照）。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例１と同様にして測定並びに評価した。その結果を表３に示す。

（実施例１９）
図３に示したように、スパイラルコイルを二次電池の周囲に配置した。さらに、実施例１と同一構成の磁性箔体を、スパイラルコイルと回路基板との間とスパイラルコイルと二次電池との間に存在するように折り曲げて配置した。このような構成を適用する以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例１と同様にして測定並びに評価した。その結果を表３に示す。

表３から明らかなように、磁性箔体には各種の形状を適用することができる。そのような磁性箔体の形状を適宜に使用することによって、さらなる効果が得られる。

（参考例３、比較例１２）
表４に示すように、Ｒ・μｒ’値が異なる磁性箔体（パーマロイ）を用意した。これらの磁性箔体を用いる以外は、実施例１と同様にして受電装置を構成した。これら受電装置の特性を実施例１と同様にして測定並びに評価した。その結果を表４に併せて示す。表４から、Ｒ・μｒ’値は１．０１×１０^−３以上であることが好ましいことが分かる。

なお、本発明は上記した実施形態に限られるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な範囲で適宜組合せて実施することができ、その場合には組合せた効果が得られる。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより種々の発明が抽出され得る。

本発明の態様に係る受電装置および電子機器は、スパイラルコイルと二次電池、整流器、電子デバイス、回路基板等との間の１箇所以上に磁性箔体を配置し、電磁誘導に起因する渦電流の発生を抑制している。従って、渦電流による発熱、ノイズ発生、受電効率の低下等を抑制することが可能となる。このような受電装置および電子機器は、非接触充電を適用した各種の電子機器に有効に利用されるものである。

１…電子機器、２…受電装置、３…電子機器本体、４…筐体、１１…スパイラルコイル（受電コイル）、１２…整流器、１３…二次電池、１４…電子デバイス、１５…回路基板、１６…磁性箔体、１６ａ…折曲部、１６ｂ…開放部、１７…スリット、２０…非接触充電装置、３０…給電装置、３１…給電コイル、３２…磁心、３３…電源。

Claims (8)

1. スパイラルコイルを有する受電コイルと、前記受電コイルに発生した交流電圧を整流する整流器と、前記整流器で整流された直流電圧が充電される二次電池とを備える非接触型の受電装置と、
   前記二次電池から前記直流電圧が供給されて動作する電子デバイスと、前記電子デバイスが実装された回路基板とを備える電子機器本体と、
   前記スパイラルコイルと前記二次電池との間、前記スパイラルコイルと前記整流器との間、前記スパイラルコイルと前記電子デバイスとの間、および前記スパイラルコイルと前記回路基板との間の少なくとも１箇所に配置された、平均板厚が５μｍ以上５０μｍ以下のアモルファス合金薄帯またはＦｅ基微結晶合金薄帯を１枚または複数枚有する磁性箔体とを具備し、
   前記磁性箔体の飽和磁束密度をＭｓ［Ｔ］、前記磁性箔体の合計板厚をｔ［μｍ］としたとき、前記磁性箔体は前記飽和磁束密度Ｍｓと前記合計板厚ｔとの積で表される値（Ｍｓ・ｔ）が１５以上１０３．６８以下であり、前記磁性箔体の比透磁率の実成分をμｒ’としたとき、前記磁性箔体は前記比透磁率の実成分μｒ’と前記合計板厚ｔとの積で表される値（μｒ’・ｔ）が４００００以上１３２００００以下であり、前記受電コイルによる受電速度が０．２５Ｗ／ｈ以上であることを特徴とする電子機器。
2. 請求項１記載の電子機器において、
   前記磁性箔体の電気抵抗値Ｒ［Ω・ｍ］がＲ・μｒ’≧１．０１×１０^−３を満たすことを特徴とする電子機器。
3. 請求項１記載の電子機器において、
   前記スパイラルコイルは前記二次電池の周囲に配置されており、かつ前記磁性箔体は前記スパイラルコイルと前記回路基板との間に配置されていることを特徴とする電子機器。
4. 請求項１記載の電子機器において、
   前記磁性箔体はその外周端部を前記回路基板と反対方向に折り曲げた折曲部を有することを特徴とする電子機器。
5. 請求項１記載の電子機器において、
   前記磁性箔体の外周端部は前記スパイラルコイルの外周部より外側まで延在していることを特徴とする電子機器。
6. 請求項１記載の電子機器において、
   前記磁性箔体はスリットを有することを特徴とする電子機器。
7. 請求項１記載の電子機器において、
   前記二次電池はＬｉイオン二次電池であることを特徴とする電子機器。
8. 請求項１記載の電子機器と、
   前記電子機器の前記受電コイルと非接触で配置される給電コイルと、前記給電コイルに交流電圧を印加する電源とを備える給電装置とを具備し、
   前記給電コイルに発生させた磁束を前記受電コイルに伝達して電力を非接触で伝送することを特徴とする非接触充電装置。

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