TWI824841B - 磁性元件及具有該磁性元件的llc串聯諧振轉換器 - Google Patents
磁性元件及具有該磁性元件的llc串聯諧振轉換器 Download PDFInfo
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- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 344
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 1
- 102100038417 Cytoplasmic FMR1-interacting protein 1 Human genes 0.000 description 7
- 101710181791 Cytoplasmic FMR1-interacting protein 1 Proteins 0.000 description 7
- 101100150273 Caenorhabditis elegans srb-1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100150274 Caenorhabditis elegans srb-2 gene Proteins 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- -1 SRa2 Proteins 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
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Abstract
一種磁性元件,包括:底板、蓋板、第一繞線柱、第二繞線柱、初級繞組、次級繞組以及支撐柱。底板具有一第一凹陷部。蓋板與底板相對設置。第一繞線柱,設置於底板與蓋板之間,且包括第一氣隙。第二繞線柱設置於底板與蓋板之間,且包括第二氣隙。初級繞組繞設於第一繞線柱及第二繞線柱。次級繞組繞設於第一繞線柱及第二繞線柱。支撐柱,設置於底板與蓋板之間。其中第一凹陷部自底板的第一側邊朝靠近該第一繞線柱及該第二繞線柱的多個方向凹陷,且初級繞組與次級繞組沿第一繞線柱及第二繞線柱的延伸方向堆疊設置。
Description
本發明是有關於一種磁性元件及具有該磁性元件的電源轉換器,特別是一種具有水平分散式磁性元件及具有該磁性元件的LLC串聯諧振轉換器(LLC series resonant converters)。
用於充電頭、伺服器電源、車載電源和充電樁等產品中的隔離型直流-直流變壓器,大多採用LLC串聯諧振轉換器。相較於其他隔離型直流-直流變壓器,LLC串聯諧振轉換器具有全負載範圍柔性切換等特性,在高頻切換的條件下,可以有效降低開關的切換損耗。
典型的LLC串聯諧振轉換器包含一個繞設有一次側線圈及二次側線圈的磁性元件。其中,磁性元件占據了LLC串聯諧振轉換器的主要空間。因此,如何提供一種能夠縮小整體尺寸且維持良好的能量轉換效率的磁性元件及具有該磁性元件的LLC串聯諧振轉換器,已是本技術領域業者努力方向之一。
本發明的一實施例提供一種磁性元件,包括:底板、蓋板、第一繞線柱、第二繞線柱、初級繞組、次級繞組以及支撐柱。底板具有一第一凹陷部。蓋板與底板相對設置。第一繞線柱,設置於底板與蓋板之間,且包括第一氣隙。第二繞線柱設置於底板與蓋板之間,且包括第二氣隙。初級繞組繞設於第一繞線柱及第二繞線柱。次級繞組繞設於第一繞線柱及第二繞線柱。支撐柱,設置於底板與蓋板之間。其中第一凹陷部自底板的第一側邊朝靠近該第一繞線柱及該第二繞線柱的多個方向凹陷,且初級繞組與次級繞組沿第一繞線柱及第二繞線柱的延伸方向堆疊設置。
根據上述實施例,本說明書係採用水平式分散式氣隙結構來對LLC串聯諧振轉換器進行優化,使其磁性元件包括:具有磁導性的底板(或蓋板)、具有氣隙的第一繞線柱和第二繞線柱、繞設於第一繞線柱上的第一一次側子繞組(第一初級子繞組)、第一二次側正半週子繞組(第一次級子繞組)和第一二次側負半週子繞組(第二次級子繞組)、繞設於第二繞線柱上的第二一次側子繞組(第二初級子繞組)、第二二次側正半週子繞組(第三次級子繞組)和第二二次側負半週子繞組(第四次級子繞組),進而在相鄰的第一繞線柱和第二繞線柱上形成二個中心抽頭整流電路。
藉由在底板(或蓋板)的側邊形成凹陷部,使其往靠近第一繞線柱和/或第二繞線柱的多個方向凹陷,用以縮小底板的體積和重量。此舉雖然會小幅增加磁性元件的鐵損(iron loss/core loss),但卻可同時大幅降低磁性元件的銅損(copper
loss)。在兩相抵銷之後,仍可在不影響LLC串聯諧振轉換器的總體效能的前提下,縮減水平式磁性元件的平面尺寸、體積和重量,進而達成微型化LLC串聯諧振轉換器,並降低LLC串聯諧振轉換器製作成本的目的。
另外,藉由特定的佈線安排,將輸入電流的正半週期中同時導通的一組整流開關,配置在二相鄰繞線柱遠離底板的同一側;將在輸入電流的負半週其中同時導通的另一組整流開關,配置在二相鄰繞線柱靠近底板的同一側,藉以降低同向導通的整流開關的電阻差異,進而產生均流效果,有效減少整流電路中的電流損耗,達成提高LLC串聯諧振轉換器操作效能的目的。
10:LLC串聯諧振轉換器
100:磁性元件
100A:初級繞組
100B:次級繞組
101:底板
101A:第一側邊
101A1:凹陷部
101A2:凹陷部
101A3:凹陷部
101B:第三側邊
101B1:凹陷部
101B2:凹陷部
101B3:凹陷部
102:第一一次側子繞組
103:第一二次側正半週子繞組
104:第一繞線柱
104O:氣隙
105:第二繞線柱
105O:氣隙
106:蓋板
106A:第二側邊
106A1:凹陷部
106A2:凹陷部
106A3:凹陷部
106B:第四側邊
106B1:凹陷部
106B2:凹陷部
106B3:凹陷部
107:第一支撐柱
108:第二支撐柱
110:開關電路
112:第二一次側子繞組
113:第二二次側正半週子繞組
115:遮蔽層
120:整流電路
123:第一二次側負半週子繞組
133:第二二次側負半週子繞組
200:磁性元件
201:底板
201A:第一側邊
201A1:凹陷部
201A2:凹陷部
201A3:凹陷部
201B:第二側邊
201B1:凹陷部
201B2:凹陷部
201B3:凹陷部
207:第一支撐柱
207O:缺口
207A:磁導性子支撐柱
207B:磁導性子支撐柱
208:第二支撐柱
208O:缺口
208A:磁導性子支撐柱
208B:磁導性子支撐
300:磁性元件
301:底板
301A:第一側邊
301A1:凹陷部
301A2:凹陷部
301A3:凹陷部
301B:第二側邊
307:支撐柱
SRa1:整流開關
SRa2:整流開關
SRb1:整流開關
SRb2:整流開關
Vout:輸出端
Vin:輸入端
S1:第一開關
S2:第二開關
Lm1:激磁電感
Lm2:激磁電感
C1:切線
R1:方向
R3:方向
H1:第一距離
H2:第二距離
H3:第三距離
P1:邊緣位置
P2:邊緣位置
r:半徑
為了對本說明書之上述及其他方面有更佳的瞭解,下文特舉實施例,並配合所附圖式詳細說明如下:第1A圖係根據本說明的一實施例所繪示的一種LLC串聯諧振轉換器的等效電路圖;第1B圖係根據本說明的一實施例,繪示第1A圖之LLC串聯諧振轉換器的磁性元件結構上視圖;第1C圖係沿著第1B圖中的切線C1所繪示的磁性元件結構剖面圖;第1D圖係繪示第1B圖的磁性元件結構透視圖;第2圖係根據本說明書的另一實施例所繪示的磁性元件結構上視圖;
第3A圖係根據本說明書的又一實施例所繪示的磁性元件結構上視圖;以及第3B圖係根據第3A圖所繪示的磁性元件結構透視圖。
以下所示的實施例提供了一種LLC串聯諧振轉換器,可在不影響總體效能的前提下,縮減LLC串聯諧振轉換器的尺寸、體積和重量,並降低LLC串聯諧振轉換器的製作成本。以下將以特定實施例參考說明書所述的結構和佈置更具體地描述本案所請發明內容。
需要注意的是,本說明書較佳實施例的提出,目的僅係用以說明和描述本案的發明內容,並非用以精確詳盡無遺的形式揭露或限定本案的發明內容。此外,需要指出的是,本公開的實施例仍可以使用下述說明書未具體說明的其他特徵、元素、步驟和參數來實現。因此,本說明書的描述和附圖僅為說明例示而非用以限制本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以在不脫離本說明書公開的精神範圍內提供各種修改和類似的配置。另外,圖式並未定按比例繪製,且不同實施例中相同的元件用可以採用相同的元件標號來表示。
請參照第1A圖,第1A圖係根據本說明的一實施例所繪示的一種LLC串聯諧振轉換器10的等效電路圖。在本實施例中,LLC串聯諧振轉換器10包括一個磁性元件100、一個開關電路110和一個整流電路120。
開關電路110具有輸入電壓(輸入端)Vin、第一開關S1、第二開關S2和激磁電感Lm1和Lm2。第一開關S1和第二開關S2串聯,且二者分別電性連接於輸入端Vin與第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112。
磁性元件100至少包括由第一一次側子繞組(第一初級子繞組)102和第二一次側子繞組(第二初級子繞組)112組成的初級繞組100A,以及由第一二次側正半週子繞組(第一次級子繞組)103、第二二次側正半週子繞組(第三次級子繞組)113、第一二次側負半週子繞組(第二次級子繞組)123和第二二次側負半週子繞組(第四次級子繞組)133組成的次級繞組100B。其中,第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112串連,並且電性連接至開關電路110。磁性元件100的第一二次側正半週子繞組103和第二二次側正半週子繞組113彼此並聯,並電性連接至整流電路120。第一二次側正半週子繞組103和第一二次側負半週子繞組123反向並聯;第二二次側正半週子繞組113和第二二次側負半週子繞組133反向並聯。
整流電路120,包括整流開關SRa1、SRa2、SRb1和SRb2以及輸出端Vout。整流開關SRa1連接第一二次側正半週子繞組103和輸出端Vout;整流開關SRb1連接第一二次側負半週子繞組123和輸出端Vout,並與整流開關SRa1反向並聯;整流開關SRa2連接第二二次側正半週子繞組113和輸出端Vout;且整流開關SRb2連接第二二次側負半週子繞組133和輸出端Vout,並與整流開關SRa2反向並聯。進而與磁性元件100形成二個中心抽頭整流電路。
當第一開關S1導通時,第二開關S2關閉,使輸入電流流經第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112;整流開關SRa1和SRa2會同時導通,使感應電流同時流經第一二次側正半週子繞組103與第二二次側正半週子繞組113。此時,流經第一二次側正半週子繞組103與第二二次側正半週子繞組133的感應電流,具有與流經第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112的輸入電流相反的電流導通方向。
當第二開關S2導通時,第一開關S1關閉,使輸入電流流經第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112;整流開關SRb1和SRb2會同時導通,使感應電流同時流經第一二次側負半週子繞組123與第二二次側負半週子繞組133。此時,流經第一二次側負半週子繞組123與第二二次側負半週子繞組133的感應電流,具有與流經第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112的輸入電流相反的電流導通方向。
請參照第1B圖至第1D圖,第1B圖係根據本說明的一實施例,繪示第1A圖之LLC串聯諧振轉換器10的磁性元件100結構上視圖。第1C圖係沿著第1B圖中的切線C1所繪示的磁性元件100結構剖面圖。第1D圖係繪示第1B圖的磁性元件100結構透視圖。為了清楚描述起見,第1B圖中省略蓋板106第一一次側子繞組102、第二一次側子繞組112、第一二次側正半週子繞組103、第二二次側正半週子繞組113、第一二次側負半週子繞組123和第二二次側負半週子繞組133而未加以繪示。第1D圖省略第一一次側子繞組
102、第二一次側子繞組112、第一二次側正半週繞組103、第二二次側正半週子繞組113、第一二次側負半週子繞組123和第二二次側負半週子繞組133的而未加以繪示。
如第1B圖至第1D圖所繪示,磁性元件100還包括具有磁導性的底板101、第一繞線柱104、第二繞線柱105、頂蓋板106、第一支撐柱107和第二支撐柱108。第一繞線柱104和第二繞線柱105凸設於底板101上,且平行底板101第一側邊101A的延伸方向R1排列。且第一繞線柱104和第二繞線柱105分別具有至少一個可以將其分隔為複數(兩)段的氣隙104O和105O。
第一支撐柱107和第二支撐柱108亦凸設於底板101上,且二者均不具有氣隙。在本實施例中,第一支撐柱107和第二支撐柱108平行方向R1排列;第一繞線柱104位於第一支撐柱107和第二支撐柱108之間;且第二繞線柱105位於第一繞線柱104和第二支撐柱108之間。
蓋板106位於底板101、第一繞線柱104、第二繞線柱105、第一支撐柱107和第二支撐柱108上方,且與第一繞線柱104、第二繞線柱105、第一支撐柱107和第二支撐柱108接觸。
如第1C圖所繪示,第一一次側子繞組102、第一二次側正半週子繞組103和第一二次側負半週子繞組123皆繞設於第一繞線柱104上。第二一次側子繞組112、第二二次側正半週子繞組113和第二二次側負半週子繞組133皆繞設於第二繞線柱105上。第二二次側正半週子繞組113與第一二次側正半週子繞組103
皆位於遠離底板101之一側;且第一二次側正半週子繞組123與第二二次側負半週子繞組133皆位於靠近底板101之一側。
在本說明書的一些實施例中,第一一次側子繞組102、第二一次側子繞組112、第一二次側正半週子繞組103、第二二次側正半週子繞組113、第一二次側負半週子繞組123和第二二次側負半週子繞組133,可以是由印刷電路板結構、利茲線線圈或銅片結構所構成。在本實施例中,第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112、第一二次側正半週子繞組103、第二二次側正半週子繞組113、第一二次側負半週子繞組123和第二二次側負半週子繞組133,可以是由印刷電路板結構所構成。
其中,第一二次側負半週子繞組123和第二二次側負半週子繞組133係由堆疊於底板101上方的二層圖案化導電層所構成;第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112係由堆疊於第一二次側負半週子繞組123和第二二次側負半週子繞組133上方的五層圖案化導電層所構成;第一二次側正半週子繞組103和第二二次側正半週子繞組113係由堆疊於第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112上方的二層圖案化導電層所構成。第一二次側負半週子繞組123和第二二次側負半週子繞組133係藉由遮蔽層(絕緣層)115,與第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112電性隔離;第一二次側正半週繞組103和第二二次側正半週子繞組113係藉由絕緣層125,與第一一次側子繞組102和第二一次側子繞組112電性隔離(如第1C圖所繪示)。
在本說明書的一些實施例中,底板101的第一側邊101A具有至少一個凹陷部(例如,凹陷部101A1和101A2),往靠近第一繞線柱104或第二繞線柱105的多個方向凹陷。例如本實施例中(如第1B圖所繪示),底板101的第一側邊101A具有兩個凹陷部101A1和101A2,分別從第一側邊101A朝著靠近第一繞線柱104和第二繞線柱105的多個方向,向內凹陷。
由於不同方向的凹陷距離不同,使凹陷部101A1和101A2分別具有一個圓弧邊緣。且圓弧邊緣(沿著垂直第一側邊101A的延伸方向R1)距離第一側邊101A至最遠的二個邊緣位置P1和P2,分別對準第一繞線柱104和第二繞線柱105。在本實施例中,凹陷部101A1和101A2的尺寸和邊緣的形狀相同。但在其他實施例中,凹陷部101A1和101A2的尺寸和邊緣的形狀可以不同。
其中,第一繞線柱104(沿著垂直第一側邊101A的方向R1)至第一側邊101A的第一距離H1,實質大於第一繞線柱104(沿著垂直第一側邊101A的延伸方向R1)至凹陷部101A1的邊緣位置P1(或第二繞線柱105至凹陷部101A2的邊緣位置P2)的第二距離H2;且第二距離H2小於第一繞線柱104(或第二繞線柱105)的半徑r。其中第一距離H1與第二距離H2的比值實質介於1至20之間。
另外,在本說明書的一些實施例中,底板101更包括一個第三側邊101B,平行方向R1延伸並與第一側邊101A相
對,且第三側邊101B具有至少一個凹陷部(例如,凹陷部101B1和101B2),靠近第一繞線柱104和/或第二繞線柱105的多個方向凹陷。
在本實施例中,如第1B圖所繪示,底板101的第三側邊101B具有兩個凹陷部101B1和101B2,分別對應第一側邊101A的兩個凹陷部101A1和101A2;且相對應的二凹陷部101A1和101B1,以及相對應的二凹陷部101A2和101B2,分別具有相同的凹陷尺寸。意即,第一繞線柱104至凹陷部101A1(或第二繞線柱105至凹陷部101A2)的第二距離H2,實質上等於第一繞線柱104至凹陷部101B1(或第二繞線柱105至凹陷部101B2)的第三距離H3。
另外,蓋板106具有相互平行的第二側邊106A和第四側邊106B,且二者的延伸方向平行於第一側邊101A的延伸方向R1。第二側邊106A具有至少一個凹陷部(例如,凹陷部106A1和106A2),往靠近第一繞線柱104和/或第二繞線柱105的多個方向凹陷;且第四側邊106B具有至少一個凹陷部(例如,凹陷部106B1和106B2),往靠近第一繞線柱104和/或第二繞線柱105的多個方向凹陷(如第1D圖所繪示)。
在本實施例中,底板101和蓋板106彼此重和堆疊,且蓋板106的第二側邊106A(及凹陷部106A1和106A2)和底板101的第一側邊101A(及凹陷部101A1和101A2)對齊;蓋板106的第四側邊106B(及凹陷部106B1和106B2)和底板101的第三側
邊101B(及凹陷部101B1和101B2)對齊。凹陷部101A1和101A2,沿著平行第一繞線柱104(或第二繞線柱105)的延伸方向L1,分別與凹陷部106A1和101A2至少部分重疊;且凹陷部101B1和101B2,沿著平行第一繞線柱104(或第二繞線柱105)的延伸方向L1,分別與凹陷部106B1和101B2至少部分重疊。
藉由在底板101和蓋板106設置凹陷部101A1、101A2、101B1、101B2、106A1、106A2、106B1和106B2,可以大幅地縮小底板101和蓋板106的體積和重量。通過實際量測,並與現有的LLC串聯諧振轉換器進行性能比較,可以發現:凹陷部101A1、101A2、101B1、101B2、106A1、106A2、106B1和106B2的設置,雖然會小幅增加LLC串聯諧振轉換器10的鐵損,但能同時大幅降低LLC串聯諧振轉換器10的銅損。因此,在利害相抵之後,仍可在不影響LLC串聯諧振轉換器10的總體效能的前提下,縮減磁性元件100的平面尺寸、體積和重量,進一步微型化LLC串聯諧振轉換器10的尺寸,並降低LLC串聯諧振轉換器10的製作成本。
然而,磁性元件100之底板101和蓋板106的配置方式並不以此為限,例如請參照第2圖,第2圖係根據本說明書的另一實施例所繪示的磁性元件200結構上視圖。為了清楚描述起見,第2圖中省略蓋板、一次側繞組和二次側繞組的繪示。
第2圖所繪示的磁性元件200與第1B圖所繪示的磁性元件100類似,差別在於:磁性元件200還包括凹陷於底板201
之第一側邊201A中,且用來連接凹陷部201A1和201A2的凹陷部201A3;以及凹陷於底板201第二側邊201B中,且用來連接凹陷部201B1和201B2的凹陷部201B3。
另外,為了配合(便於)一次側繞組和二次側繞組(未繪示)的繞設,磁性元件200的第一支撐柱207還包括一個缺口207O,可以將其分割成兩個彼此分離的二個磁導性子支撐柱207A和207B。第二支撐柱208還包括一個缺口208O,可以將其分割成兩個彼此分離的二個磁導性子支撐柱208A和208B。
值得注意的是,雖然在本實施例中,磁性元件200的蓋板(未繪示)可以具有與底板201對應的凹陷結構。但在其他實施例中,磁性元件200中蓋板的凹陷部(未繪視)和底板201的凹陷部201A1、201A2、201B1、201B2,可以各自地配置,而沒有彼此對應的關係。
另外,磁性元件300中磁撐柱的數量和配置方式並未加以限制,該技術領域中具有通常知識者可以根據變壓器中磁性元件的一次側繞組或二次側繞組與開關電路和整流電路的布線需求,加以配置。
例如請參照第3A圖和第3B圖,第3A圖係根據本說明書的又一實施例所繪示的磁性元件300結構上視圖。第3A圖係根據第3A圖所繪示的磁性元件300結構透視圖。為了清楚描述起見,第3A圖和第3B圖中省略蓋板、一次側繞組和二次側繞組的繪示。
第3A圖所繪示的磁性元件300與第1B圖所繪示的磁性元件100類似,二者的差別在於:磁性元件300的底板301僅有一側側邊(第一側邊301A)具有凹陷部301A1、301A2和301A3。且磁性元件300的僅具有一個支撐柱307,鄰接於底板301的第二側邊301B,且沿著第二側邊301B的延伸方向R3延伸。
請再參照第1A圖和第1C圖,由於(如前所述)第一二次側子繞組103與第二二次側子繞組113被配置在遠離底板101的相同一側,第一二次側負半週子繞組123和第二二次側負半週子繞組133被配置在靠近底板101的相同一側。這樣的布線配置,可以使第一二次側子繞組103和第二二次側子繞組113連接至整流開關SRa1和SRa2的距離較為一致;並使第一二次側負半週子繞組123和第二二次側負半週子繞組繞組133連接至整流開關SRb1和SRb2的距離較為一致;有助於降低整流電路120中同向導通的整流開關SRa1和SRa2(SRb1和SRb2)之間的電阻差異,進而產生均流效果,有效減少整流電路120的電流損耗,提高LLC串聯諧振轉換器10的操作效能。
根據上述實施例,本說明書係採用水平式分散式氣隙結構來對LLC串聯諧振轉換器進行優化,使其磁性元件包括:底板(或蓋板)、具有氣隙的第一繞線柱和第二繞線柱、繞設於第一繞線柱上的第一一次側子繞組、第一二次側正半週子繞組和第一二次側負半週子繞組、繞設於第二繞線柱上的第二一次側子繞組、第二二次側正半週子繞組和第二二次側負半週子繞組,進而
在相鄰的第一繞線柱和第二繞線柱上形成二個中心抽頭整流電路。
藉由在底板(或蓋板)的側邊形成凹陷部,使其往靠近第一繞線柱和/或第二繞線柱的多個方向凹陷,用以縮小底板的體積和重量。此舉雖然會小幅增加磁性元件的鐵損,但卻可同時大幅降低磁性元件的銅損。在利害相抵之後,仍可在不影響LLC串聯諧振轉換器的總體效能的前提下,縮減水平式磁性元件的平面尺寸、體積和重量,進而達成微型化LLC串聯諧振轉換器,並降低LLC串聯諧振轉換器製作成本的目的。
另外,藉由特定的佈線安排,將輸入電流的正半週期中同時導通的一組整流開關,配置在二相鄰繞線柱遠離底板的同一側;將在輸入電流的負半週其中同時導通的另一組整流開關,配置在二相鄰繞線柱靠近底板的同一側,藉以降低同向導通的整流開關的電阻差異,進而產生均流效果,有效減少整流電路中的電流損耗,達成提高LLC串聯諧振轉換器操作效能的目的。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何該技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:磁性元件
101:底板
101A:第一側邊
101A1:凹陷部
101A2:凹陷部
101B:第三側邊
101B1:凹陷部
101B2:凹陷部
104:第一繞線柱
105:第二繞線柱
107:第一支撐柱
108:第二支撐柱
C1:切線
R1:方向
H1:第一距離
H2:第二距離
H3:第三距離
P1:邊緣位置
P2:邊緣位置
r:半徑
Claims (13)
- 一種電源轉換器的磁性元件,包括:一底板,具有一第一凹陷部;一蓋板,與該底板相對設置;一第一繞線柱,設置於該底板與該蓋板之間,且包括一第一氣隙;一第二繞線柱,設置於該底板與該蓋板之間,且包括一第二氣隙;一初級繞組,繞設於該第一繞線柱及該第二繞線柱;一次級繞組,繞設於該第一繞線柱及該第二繞線柱;以及一支撐柱,設置於該底板與該蓋板之間;其中該第一凹陷部自該底板的一第一側邊朝靠近該第一繞線柱及該第二繞線柱的多個方向凹陷,且該初級繞組與該次級繞組沿該第一繞線柱及該第二繞線柱的延伸方向堆疊設置。
- 如請求項1所述之電源轉換器的磁性元件,其中該蓋板具有一第二凹陷部,該第二凹陷部自該蓋板的一第二側邊朝靠近該第一繞線柱及該第二繞線柱的多個方向凹陷,且該第二凹陷部沿該第一繞線柱的延伸方向的投影與該第一凹陷部至少部分重疊。
- 如請求項1所述之電源轉換器的磁性元件,其中該第一繞線柱至該第一側邊,且垂直該第一側邊的一第一距離,實質大於該第一繞線柱至該第一凹陷部,且垂直該第一側邊的一第二距離;且該第二距離小於該第一繞線柱和/或第二繞線柱的一半徑。
- 如請求項3所述之電源轉換器的磁性元件,其中該第一距離與該第二距離的一比值是大於或等於1,並小於或等於20。
- 如請求項2所述之電源轉換器的磁性元件,其中該底板更包括與該第一側邊相對的一第三側邊,該蓋板具有與該第二側邊相對的一第四側邊,其中該底板具有一第三凹陷部,該第三凹陷部自該底板的該第三側邊朝靠近該第一繞線柱及該第二繞線柱的多個方向凹陷,且該蓋板具有一第四凹陷部,該第四凹陷部自該蓋板的該第四側邊朝靠近該第一繞線柱及該第二繞線柱的多個方向凹陷。
- 如請求項1所述之電源轉換器的磁性元件,其中該支撐柱不具有氣隙,且該初級繞組和該次級繞組皆不繞設於該支撐柱。
- 如請求項1所述之電源轉換器的磁性元件,其中該初級繞組具有一第一初級子繞組及一第二初級子繞組,該次級繞組具有一第一次級子繞組、一第二次級子繞組、一第三次級子繞組及一第四次級子繞組,其中該第一初級子繞組、該第一次級子繞組及該第二次級子繞組繞設於該第一繞線柱,且該第一次級子繞組及該第二次級子繞組為反向並聯,該第二初級子繞組、該第三次級子繞組及該第四次級子繞組繞設於該第二繞線柱,且該第三次級子繞組及該第四次級子繞組為反向並聯。
- 如請求項7所述之電源轉換器的磁性元件,其中該第一初級子繞組的繞線圈數等於該第二初級子繞組的繞線圈數,且流經該第一初級子繞組的電流方向與流經該第二初級子繞組的電流方向相反。
- 如請求項7所述之電源轉換器的磁性元件,其中流經該第一初級子繞組的電流方向與流經該第一次級子繞組及該第二次級子繞組電流方向相反,且流經該第二初級子繞組的電流方向與流經該第三次級子繞組及該第四次級子繞組電流方向相反。
- 如請求項1所述之電源轉換器的磁性元件,更包括: 一遮蔽層,設置於該初級繞組與該次級繞組之間。
- 一種LLC串聯諧振轉換器,包括:如請求項1-10之一者所述的該磁性元件;其中該初級繞組具有一第一初級子繞組及一第二初級子繞組,該次級繞組具有一第一次級子繞組、一第二次級子繞組、一第三次級子繞組及一第四次級子繞組,其中該第一初級子繞組、該第一次級子繞組及該第二次級子繞組繞設於該第一繞線柱,且該第一次級子繞組及該第二次級子繞組為反向並聯,該第二初級子繞組、該第三次級子繞組及該第四次級子繞組繞設於該第二繞線柱,且該第三次級子繞組及該第四次級子繞組為反向並聯;一第一整流開關,連接該第一次級子繞組和一輸出端;一第二整流開關,連接該第三次級子繞組和該輸出端,並與該第一整流開關反向並聯;一第三整流開關,連接該第二次級子繞組和該輸出端;以及一第四整流開關,連接該第四次級繞組和該輸出端,並與該第三整流開關反向並聯。
- 如請求項11所述之LLC串聯諧振轉換器,更包括:一第一開關,與該第一初級子繞組、該第二初級子繞組和該輸入端電性連接;以及 一第二開關,與該第一開關串聯,且與該第一初級子繞組、該第二初級子繞組和該輸入端電性連接;當該第一開關導通時,該第一整流開關和該第三整流開關導通;當該第二開關導通時,該第二整流開關和該第四整流開關導通。
- 如請求項11所述之LLC串聯諧振轉換器,其中該第一初級子繞組、該第二初級子繞組、該第一次級子繞組、該第二次級子繞組、該第三次級子繞組和該第四次級子繞組係由一印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)結構、利茲線線圈或一銅片結構所構成。
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