JP5606001B2 - 芳香族アミン誘導体、およびそれらを用いた有機電界発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、芳香族アミン誘導体、及びそれらを用いた有機電界発光（ＥＬ）素子に関する。より具体的には、有機電界発光素子の発光効率を向上させるとともに、寿命を延ばすことができる芳香族アミン誘導体に関する。

従来、アミン化合物は各種色素の製造中間体、あるいは各種の機能材料（例えば、電子写真感光体の電荷輸送材料）として使用されてきた。最近では、発光材料に有機材料を用いた有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有機ＥＬ素子）の正孔注入輸送材料として有用であると報告されている（例えば、非特許文献１を参照）。

有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持した構造を有し、該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子（エキシントン）を生成させ、この励起子が失活する際に放出される光を利用して発光する素子である。有機電界発光素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の直流の低電圧で発光が可能であり、また、蛍光性有機化合物の種類を選択することにより、種々の色（例えば、赤色、青色、緑色）の発光が可能である。このような特徴を有する有機電界発光素子は種々の発光素子、表示素子等への応用が期待されている。

しかしながら一般に、有機電界発光素子は、発光効率、安定性、耐久性に乏しいなどの欠点を有している。有機電界発光素子の蛍光性有機化合物を含む薄膜への正孔の注入輸送を効率よく行う目的で、正孔注入輸送材料として、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３”-メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを用いることが提案されている（非特許文献２を参照）。

発光効率および耐久性の改良には有機電界発光素子を構成する材料（例えば、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料）すべてがバランスよく機能している状態を作り上げる必要があり、鋭意工夫がなされているが、さらなる発光効率および発光寿命の改良のため、さらなる新規な材料の創出が望まれている。

また、有機電界発光素子を高温環境下で駆動させた場合、発光寿命の短時間化等の悪影響を受ける。これを防ぐためには、正孔輸送材料の分子量を増大させ、耐熱性を高める分子設計がなされている。ところが、分子量が大きい材料は、昇華精製や、蒸着時に分解を生じ、有機電界発光素子の寿命をさらに悪化させるという問題もある。正孔輸送材料に関する様々な分子設計としては、例えば、スターバースト型のアミン化合物があり、有機電界発光素子に有用であることが提案されている（特許文献１〜３を参照）。

また、駆動電圧を低減する目的で、ターフェニル基を有するモノアミン化合物に関する報告もある（特許文献４を参照）。しかしながら、これらのアミンを使用した有機電界発光素子の駆動電圧は１００ｃｄ／ｍ^２で、４．８Ｖ程度とさらなる改良が望まれていた。

また、カルバゾールを有するモノアミン誘導体も提案されている（特許文献５〜７を参照）。しかしながら、これらの化合物を使用した有機電界発光素子も依然として、発光効率や寿命の向上や、駆動電圧の低電圧化が望まれており、特に高温下で長い寿命と示す正孔輸送材料の開発が望まれている。

以上のように、有機電界発光素子の高効率や長寿命を実現するための正孔輸送材料の報告はあるものの、有機電界発光素子により優れた性能を付与する素子材料の開発が強く望まれている。

また、近年注目されている発光効率の飛躍的な向上が可能な燐光発光を用いた有機電界発光素子においても、高効率化と長寿命化が同様に望まれており、有機電界発光素子に優れた性能を付与する素子材料の開発が強く望まれている。

特開２００６−０２２０５２号公報 特開平１０−２８４２５２号公報 特開平０７−０５３９５５号公報 国際公開第２００８／０１５９６３号パンフレット 国際公開第２００７／０６９６０７号パンフレット 特開平１１−１４４８７３号公報 特開２００７−２８４４３１号公報

Appl.Phys.lett.,51,913（1987） Jpn.J.Appl.Phys.,27，L269(1988)

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、発光効率が高く、かつ寿命が長い有機電界発光素子、及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、一般式（１）で表される特定の構造を有する新規な芳香族アミン誘導体を、有機電界発光素子用材料として用いると、前記課題を解決することを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明の第一は、下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。

式（１）におけるＡは、下記一般式（２）を表し；式（１）におけるＢは、下記一般式（３）を表す。また、ｎは１または２を表し、ｍは１または２を表し、ｎ＋ｍ＝３の条件を満たす。ｎが２の場合、それぞれのＡは同じであっても異なっていてもよく、ｍが２の場合、それぞれのＢは同じであっても異なっていてもよい。ただし、ｍが２の場合、Ｂ同士が結合して環を形成することはなく、少なくとも一方のＢは核炭素数６〜１６の芳香族環が３つ以上結合した芳香族基を表す。ｍが１の場合、Ｂは核炭素数６〜１６の芳香族環が２つ以上結合した芳香族基もしくは縮合芳香族環基を表す。

一般式（２）中、Ｒ_１〜Ｒ_３は炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、核炭素数６〜３０のアリール基を表す。ａ、ｂおよびｃはそれぞれ独立して０〜４の整数を表し、ａが２以上の場合、複数存在するＲ_１は同じであっても異なっていてもよく、ｂが２以上の場合、複数存在するＲ_２は同じであっても異なっていてもよく、ｃが２以上の場合、複数存在するＲ_３は同じであっても異なっていてもよい。
一方、一般式（３）において、Ａｒ_１は芳香族基もしくは縮合芳香族環基を表す。

本発明の第二は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機電界発光素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機電界発光素子を提供する。

本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機電界発光素子は、発光効率が高く、寿命が長い。

有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。 有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。 有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。 有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。 有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。 有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。 有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。 有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。 有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。 有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。

本発明の芳香族アミン誘導体は、一般式（１）で表されることを特徴とする。

一般式（１）におけるｎは１または２を表し；ｍは１または２を表し、ｎ＋ｍ＝３の条件を満たす。つまり、置換基Ａと置換基Ｂの置換数の合計は３である。好ましくは、ｎ＝２であり、かつｍ＝１である。ｎ＝２の場合、それぞれのＡは同じであっても異なっていてもよい。ｍ＝２の場合、それぞれのＢは同じであっても異なっていてもよい。

ただし、ｍ＝２の場合には、置換基Ｂ同士が結合して環を形成することはなく、かつ少なくとも一方の置換基Ｂは核炭素数６〜１６の芳香族環が３つ以上結合した芳香族基である。ｍ＝１の場合には、置換基Ｂは核炭素数６〜１６の芳香族環が２つ以上結合した芳香族基もしくは縮合芳香族環基である。

一般式（１）における置換基Ａは下記一般式（２）で表される。

一般式（２）におけるＲ_１〜Ｒ_３は、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基；炭素数１〜２０のアルコキシ基；核炭素数６〜３０のアリール基を表す。ａ、ｂおよびｃはそれぞれ独立して０〜４の整数を表し、ａが２以上の場合、複数存在するＲ_１は同じであっても異なっていてもよく、ｂが２以上の場合、複数存在するＲ_２は同じであっても異なっていてもよく、ｃが２以上の場合、複数存在するＲ_３は同じであっても異なっていてもよい。

一般式（２）におけるＲ_１〜Ｒ_３は好ましくは、炭素数１〜１２の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜１２の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、核炭素数６〜２０のアリール基を表し；より好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、核炭素数６〜１４のアリール基を表す。

一般式（２）におけるＲ_１〜Ｒ_３が示す炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、ｎ-ヘキシル基、ｎ-ヘプチル基、ｎ-オクチル基、１-メチルペンチル基、４-メチル-２-ペンチル基、２-エチルブチル基、ｎ-ヘプチル基、１-メチルヘキシル基、ｎ-オクチル基、１-メチルヘプチル基、２-エチルヘキシル基、２-プロピルペンチル基、ｎ-ノニル基、２,２-ジメチルヘプチル基、２,６-ジメチル-４-ヘプチル基、３,５,５-トリメチルヘキシル基、ｎ-デシル基、ｎ-ウンデシル基、ｎ-ドデシル、ｎ-エイコシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、４-メチルシクロヘキシル基、１-アダマンチル基、２-アダマンチル基、１-ノルボルニル基、２-ノルボルニル基、ビシクロオクタ[2.2.2]オクチル基等が挙げられる。好ましい例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が含まれる。

一般式（２）におけるＲ_１〜Ｒ_３が示す炭素数１〜２０のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ-プロポキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ｎ-ペントキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ-オクチルオキシ基、ｎ-デシルオキシ基、ｎ-ウンデシルオキシ基、ｎ-ドデシルオキシ基等が挙げられる。好ましい例には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が含まれる。

一般式（２）におけるＲ_１〜Ｒ_３が示す核炭素数６〜３０のアリール基の第１の具体例としては、フェニル基、１-ナフチル基、２-ナフチル基、１-アントリル基、２-アントリル基、９-アントリル基、１-フェナントリル基、２-フェナントリル基、３-フェナントリル基、４-フェナントリル基、９-フェナントリル基、１-ピレニル基、２-ピレニル基、３-フルオランテニル基、ベンゾ[k]フルオランテニル基などの、無置換のアリール基が挙げられる。

一般式（２）におけるＲ_１〜Ｒ_３が示す核炭素数６〜３０のアリール基の第２の具体例としては、４-メチルフェニル基、３-メチルフェニル基、２-メチルフェニル基、４-エチルフェニル基、３-エチルフェニル基、２-エチルフェニル基、４-ｎ-プロピルフェニル基、４-イソプロピルフェニル基、２-イソプロピルフェニル基、４-ｎ-ブチルフェニル基、４-イソブチルフェニル基、４-sec-ブチルフェニル基、２-sec-ブチルフェニル基、４-tert-ブチルフェニル基、３-t-ブチルフェニル基、２-t-ブチルフェニル基、４-ｎ-ペンチルフェニル基、４-イソペンチルフェニル基、４-tert-ペンチルフェニル基、４-ｎ-ヘキシルフェニル基、４-ｎ-ヘプチルフェニル基、４-ｎ-オクチルフェニル基、４-（２'-エチルヘキシル）フェニル基、４-tert-オクチルフェニル基、４-シクロペンチルフェニル基、４-シクロヘキシルフェニル基、４-（４'-メチルシクロヘキシル）フェニル基、３-シクロヘキシルフェニル基、２-シクロヘキシルフェニル基、４-エチル-１-ナフチル基、６-ｎ-ブチル-２-ナフチル基、２,３-ジメチルフェニル基、２,４-ジメチルフェニル基、２,５-ジメチルフェニル基、３,４-ジメチルフェニル基、３,５-ジメチルフェニル基、２,６-ジメチルフェニル基、２,３,５-トリメチルフェニル基、３,４,５-トリメチルフェニル基、２,４-ジエチルフェニル基、２,３,６-トリメチルフェニル基、２,４,６-トリメチルフェニル基、２,６-ジエチルフェニル基、２,６-ジイソプロピルフェニル基、２,６-ジイソブチルフェニル基、２,４-ジ-tert-ブチルフェニル基、２,５-ジ-tert-ブチルフェニル基、３,５-ジ-tert-ブチルフェニル基、２,４-ジネオペンチルフェニル基、２,２,３,５,６-テトラメチルフェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、 ｐ-（２-フェニルプロピル）フェニル基などの、アルキル基を有するアリール基が挙げられる。

一般式（２）におけるＲ_１〜Ｒ_３が示す核炭素数６〜３０のアリール基の第３の具体例としては、４-メトキシフェニル基、３-メトキシフェニル基、２-メトキシフェニル基、４-エトキシフェニル基、２-エトキシフェニル基、３-ｎ-プロポキシフェニル基、４-イソプロポキシフェニル基、２-イソプロポキシフェニル基、４-ｎ-ブトキシフェニル基、４-イソブトキシフェニル基、２-イソブトキシフェニル基、２-sec-ブトキシフェニル基、４-ｎ-ペンチルオキシフェニル基、４-イソペンチルオキシフェニル基、２-イソペンチルオキシフェニル基、２-ネオペンチルオキシフェニル基、４-ｎ-ヘキシルオキシフェニル基、２-（２'-エチルブチル）オキシフェニル基、４-ｎ-オクチルオキシフェニル基、４-シクロヘキシルオキシフェニル基、２-シクロヘキシルオキシフェニル基、２-メトキシ-１-ナフチル基、４-メトキシ-１-ナフチル基、４-ｎ-ブトキシ-１-ナフチル基、５-エトキシ-１-ナフチル基、６-エトキシ-２-ナフチル基、６-ｎ-ブトキシ-２-ナフチル基、７-メトキシ-２-ナフチル基、７-ｎ-ブトキシ-２-ナフチル基、２,３-ジメトキシフェニル基、２,４-ジメトキシフェニル基、２,５-ジメトキシフェニル基、２,６-ジメトキシフェニル基、３,４-ジメトキシフェニル基、３,５-ジメトキシフェニル基、３,５-ジエトキシフェニル基、３,５-ジ-ｎ-ブトキシフェニル基、２-メトキシ-４-メチルフェニル基、２-メトキシ-５-メチルフェニル基、２-メチル-４−メトキシフェニル基、３-メチル-４-メトキシフェニル基、３-メチル-５-メトキシフェニル基、３-エチル-５-メトキシフェニル基、２-メトキシ-４-エトキシフェニル基、２-メトキシ-６-エトキシフェニル基、３,４,５-トリメトキシフェニル基などの、アルコキシ基を有するアリール基が挙げられる。

一般式（２）におけるＲ_１〜Ｒ_３が示す核炭素数６〜３０のアリール基の第４の具体例としては、４-フルオロフェニル基、３-フルオロフェニル基、２-フルオロフェニル基、２,３-ジフルオロフェニル基、２,４-ジフルオロフェニル基、２,５-ジフルオロフェニル基、２,６-ジフルオロフェニル基、３,４-ジフルオロフェニル基、３,５-ジフルオロフェニル基、３,４,５-トリフルオロフェニル基、２-フルオロ-４-メチルフェニル基、２-フルオロ-５-メチルフェニル基、３-フルオロ-２-メチルフェニル基、３-フルオロ-４-メチルフェニル基、４-フルオロ-２-メチルフェニル基、５-フルオロ-２-メチルフェニル基、２-クロロ-４-メチルフェニル基、２-クロロ-５-メチルフェニル基、２-クロロ-６-メチルフェニル基、３-クロロ-２-メチルフェニル基、４-クロロ-２-メチルフェニル基、４-クロロ-３-メチルフェニル基、２-クロロ-４,６-ジメチルフェニル基、２-フルオロ-４-メトキシフェニル基、２-フルオロ-６-メトキシフェニル基、３-フルオロ-４-エトキシフェニル基、４-トリフルオロメチルフェニル基、３-トリフルオロメチルフェニル基、２-トリフルオロメチルフェニル基、３,５-ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、４−トリフルオロメチルオキシフェニル基などの、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ハロアルキルオキシ基を有するアリール基が挙げられる。

一般式（２）におけるａ、ｂおよびｃはそれぞれ独立して、０〜４であり、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。

一般式（２）で表される置換基Ａの具体例としては、例えば、下記のような構造がある。

一般式（１）における置換基Ｂは下記一般式（３）で表される。

一般式（３）におけるＡｒ_１は、芳香族基もしくは縮合芳香族環基を表し；好ましくは、総炭素数１２〜３６の芳香族環基または縮合芳香族環基を表し；より好ましくは、総炭素数１２〜３２の芳香族環基または縮合芳香族環基を表し；さらに好ましくは、総炭素数１６〜３２の芳香族環基または縮合芳香族環基を表す。

一般式（３）におけるＡｒ_１が芳香族環基である場合、核炭素数６〜１６の芳香族環が２環以上連結した芳香族環基であることが好ましく；核炭素数６〜１６の芳香族環が３環以上連結した芳香族基であることがより好ましく；核炭素数６〜１０の芳香族環が２環以上連結した芳香族基であることがさらに好ましい。

一般式（３）で表される置換基Ｂの具体例としては、下記の群よりなる基を挙げることができる。下記の具体例で示される置換基Ｂには、更に置換基を有していてもよい。

（３）−１群：４-（４'-フェニルフェニル）フェニル基；４-（３'-フェニルフェニル）フェニル基；４-（２'-フェニルフェニル）フェニル基；３-（４'-フェニルフェニル）フェニル基；３-（３'-フェニルフェニル）フェニル基；３-（２'-フェニルフェニル）フェニル基；２-（４'-フェニルフェニル）フェニル基；２-（３'-フェニルフェニル）フェニル基；２-（２'-フェニルフェニル）フェニル基

（３）−２群：４-〔４'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、
３-〔４'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３’-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔２'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔２'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔２'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、
２-〔４'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔４'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔４'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔３'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔３'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔３'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔２'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔２'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔２'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基

（２）−３群：４-（４'-メチルフェニル）フェニル基、４-（４'-エチルフェニル）フェニル基、４-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル基、４-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル基、４-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル基、４-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル基、４-〔４'-（４'-メチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（４'-エチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-メチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-エチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル〕フェニル基、
４-〔２'-（４'-メチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４'-エチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル〕フェニル基、
３-〔４'-（４'-メチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（４'-エチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル〕フェニル基、
３-〔３'-（４'-メチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４'-エチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル〕フェニル基

（３）−４群：２-フェニル-９,９-ジメチル-９Ｈフルオレン-７-イル基、４-（９',９'-ジメチル-９Ｈフルオレン-２-イル）フェニル基、１１,１１,１２,１２-テトラメチル-１１,１２ジヒドロインデノ［２,１-ａ］フルオレン-２-イル基、６,６,１２,１２-テトラヒドロ-６,１２-ジヒドロインデノ［１,２-ｂ］フルオレン-４-イル基、９-フェニル-７,７-ジメチル-７Ｈ-ベンゾ［ｃ］フルオレン-５-イル基、５-フェニル-７,７-ジメチル-７Ｈ-ベンゾ［ｃ］フルオレン-９-イル基、４-（７',７'-ジメチル-７'Ｈ-ベンゾ［ｃ］フルオレン-５'-イル）フェニル基、
４-（７',７'-ジメチル-７'Ｈ-ベンゾ［ｃ］フルオレン-９'-イル）フェニル基、７-（４'-フェニルフェニル）-９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-７イル基、
４-〔４'-（９”,９”-ジメチル-９”Ｈ-フルオレン-２”-イル）フェニル〕フェニル基、７-（９',９'-ジメチル-９'Ｈ-フルオレン-２'-イル）-９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-２-イル基、７-（３'-フェニルフェニル）-９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-７-イル基、７-（２'-フェニルフェニル）-９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-７-イル基、４-〔３'-（９”,９”-ジメチル-９”Ｈ-フルオレン-２”-イル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（９”,９”-ジメチル-９”Ｈ-フルオレン-２”-イル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（９”,９”-ジメチル-９”Ｈ-フルオレン-２”-イル）フェニル〕フェニル基

（３）−５群：１-ナフチル基、９-フェナントリル基、４-フェニルフェニル基、２-アントラセニル基、テトラフェン-９-イル基、４-（４'-フェニルフェニル）ナフタレン-１-イル基、４-（４'-フェニルナフタレン-１-イル）フェニル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）フェニル〕ナフタレン-１-イル基、４-（４'-フェニルナフタレン-１'-イル）ナフタレン-１-イル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕フェニル基、５-（４'-フェニルフェニル）ナフタレン-１-イル基、４-（５'-フェニルナフタレン）フェニル基、５-〔４'-（１”-ナフチル）フェニル〕ナフタレン-１-イル基、５-（４'-フェニルナフタレン-１'-イル）ナフタレン-１-イル基、４-〔５'-（１”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕フェニル基、４-〔４'-（９”-フェナントリル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（９”-フェナントリル）フェニル〕ナフタレン-１-イル基、４-〔４'-（２"-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕ナフタレン-１-イル基、４-〔４'-（９”-フェナントレン）ナフタレン-１'-イル〕フェニル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕ナフタレン-１-イル基、６-（４'-フェニルフェニル）ナフタレン-２-イル基、４-（６'-フェニルナフタレン-２'-イル）フェニル基、
４-〔４'-（２”-ナフチル）フェニル〕フェニル基、６-（６'-フェニルナフタレン-２'-イル）ナフタレン-２-イル基、６-〔４'-（２"-ナフチル）フェニル〕ナフタレン-２-イル基

一般式（３）は、上記（３）−１群、（３）−２群、（３）−４群、または（３）−５群であることが好ましく；（３）−１群、（３）−２群、または（３）−５群であることがより好ましい。

本発明の一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体において、ｍ＝２の場合の置換基Ｂの組み合わせとしては、「（３）−１群と（３）−１群」、「（３）−１群と（３）−２群」、「（３）−１群と（３）−３群」、「（３）−１群と（３）−４群」、「（３）−１群と（３）−５群」、「（３）−２群と（３）−２群」、「（３）−２群と（３）−３群」、「（３）−２群と（３）−４群」、「（３）−２群と（３）−５群」、「（３）−４群と（３）−４群」、「（３）−４群と（３）−５群」、「（３）−５群と（３）−５群」の組み合わせが好ましく；「（３）−１群と（３）−１群」、「（３）−１群と（３）−２群」、「（３）−１群と（３）−５群」、「（３）−２群と（３）−２群」、「（３）−２群と（３）−５群」、「（３）−５群と（３）−５群」の組み合わせがより好ましい。

本発明の一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体の具体例としては、以下の化合物を挙げることができる。

本発明の芳香族アミン誘導体は、それ自体は公知の方法により製造することができる。例えば、一般式（１）において、ｎ＝１であり、ｍ＝２である芳香族アミン誘導体は、以下に示す方法により製造することができる。すなわち、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール誘導体と、一般式（II）で表される芳香族アミン化合物を１：１の当量比で反応させることにより、一般式（１）においてｎ＝１であり、ｍ＝２である一般式（１ａ）で表される芳香族アミン誘導体を製造することができる。

一般式（Ｉ）におけるＲ_１、Ｒ_２およびＲ_３、ａ、ｂおよびｃは、一般式（２）と同様に定義される。Ｌ_１はハロゲン原子を表す。一般式（ＩＩ）において、ＢおよびＢ’は、一般式（１）のＢと同様に定義される。

一般式（１）におけるｎ＝１であり、ｍ＝２である芳香族アミン誘導体は、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール誘導体と、一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族アミン化合物を１：１の当量比で反応させることにより、一般式（ＩＶ）で表される化合物を製造し、その後、一般式（Ｖ）で表される芳香族ハロゲン化合物と反応させることにより、一般式（１ａ）で表される芳香族アミン誘導体を製造することができる。

一般式（Ｉ）および（ＩＶ）におけるＲ_１、Ｒ_２およびＲ_３、ａ、ｂおよびｃは、一般式（２）と同様に定義される。一般式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）におけるＢは、一般式（１）のＢと同様に定義される。一般式（Ｖ）におけるＬ_２は、ハロゲン原子を表し、Ｂ’はＢと同様に定義されるが、Ｂと同じであっても異なっていてもよい。

一般式（１）におけるｎ＝２であり、ｍ＝１である芳香族アミン誘導体は、以下の方法により製造することができる。すなわち、一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール誘導体と、一般式（ＶＩ）で表される芳香族アミン化合物を、２：１と成る当量比で反応させることにより、一般式（１）において、ｎが２であり、ｍが１である一般式（１ｂ）で表される芳香族アミン誘導体を製造することができる。

一般式（Ｉ）におけるＲ_１、Ｒ_２およびＲ_３、ａ、ｂおよびｃは、一般式（２）と同様に定義され、Ｌ_１はハロゲン原子を表す。一般式（ＶＩ）におけるＢは、一般式（１）のＢと同様に定義される。

また、一般式（１）において、ｎ＝２であり、ｍ＝１である芳香族アミン誘導体は、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物と、一般式（ＶＩＩＩ）で表される芳香族ハロゲン化合物を反応させる方法によっても製造することができる。

一般式（ＶＩＩ）におけるＲ_１とＲ_１’、Ｒ_２とＲ_２’およびＲ_３とＲ_３’、ａとａ’、ｂとｂ’、およびｃとｃ’はそれぞれ、一般式（２）のＲ_１、Ｒ_２およびＲ_３、ａ、ｂおよびｃと同様に定義され、互いに同じであっても異なっていてもよい。一般式（ＶＩＩＩ）において、Ｌ_３はハロゲン原子を表し、Ｂは一般式（１）のＢと同様に定義される。

一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール誘導体と、一般式（ＩＩ）で表される芳香族アミン化合物との反応；一般式（Ｉ）で表される化合物と、一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族アミン化合物との反応；一般式（ＩＶ）で表される化合物と、一般式（Ｖ）で表される芳香族ハロゲン化合物との反応；一般式（Ｉ）で表されるカルバゾール誘導体と、一般式（ＶＩ）で表される芳香族アミン化合物との反応；一般式（ＶＩＩ）で表される化合物と、一般式（ＶＩＩＩ）で表される芳香族ハロゲン化合物との反応は、例えば、Ａ）パラジウム触媒〔例えば、酢酸パラジウム／トリt-ブチルホスフィン、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム／ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム／ジ（t-ブチル）−２−ビフェニルホスフィン〕、および塩基（例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、t-ブトキシナトリウム、t-ブトキシカリウム）の存在下に反応させる方法、あるいはＢ）銅触媒（例えば、銅粉、塩化銅、臭化銅）、および塩基（例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム）の存在下に反応させる方法、により実施することができる。

有機電界発光素子
次に、本発明の有機電界発光素子ついて説明する。本発明の有機電界発光素子は、一対の電極（陽極と陰極）間に、少なくとも発光層を含む機能層を挟持する。機能層には、発光層に使用する化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入成分を含有する正孔注入輸送層および／または電子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層などの電荷注入輸送層が含まれていてもよい。機能層に含まれる層のうちの少なくとも一層に、一般式（１）で表される化合物の少なくとも一種が含まれる。

発光層に含まれる化合物の正孔注入機能や正孔輸送機能が良好な場合には、発光層自体が正孔注入輸送層としての機能を発揮する。また、発光層に含まれる化合物の電子注入機能、電子輸送機能が良好な場合には、発光層自体が電子注入輸送層としの機能を発揮する。したがって、発光層に正孔注入輸送層および電子注入輸送層としての機能を付与して、「一層型」の素子構成とすることもできる。

一方、発光層に含まれる化合物の正孔注入機能や正孔輸送機能が充分でない場合には、発光層の陽極側に正孔注入輸送層を設けた「二層型」の素子構成とすることができ；発光層に含まれる化合物の電子注入機能や電子輸送機能が充分でない場合には、発光層の陰極側に電子注入輸送層を設けた「二層型」の素子構成とすることができる。さらに、発光層を、正孔注入輸送層と電子注入輸送層で挟み込んだ「三層型」の素子構成とすることもできる。

また、正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であってもよい。例えば、正孔注入輸送層および電子注入輸送層のそれぞれは、注入機能を有する層と輸送機能を有する層とに分けてもよい。

本発明の有機電界発光素子において、一般式（１）で表される化合物は、電荷注入輸送層（正孔注入輸送層および電子注入輸送層の一方または両方）、および／または発光層に含まれていることが好ましく、発光層に含まれていることがより好ましい。本発明の有機電界発光素子の機能層に含まれる一般式（１）で表される化合物は、一種単独であってもよく、複数種であってもよい。

より具体的に、本発明の有機発光素子の構造の例が図１〜図８に示されるが、特にこれらに限定されるわけではない。

図１には、基板１／陽極２／正孔注入輸送層３／発光層４／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−１）が；図２には、基板１／陽極２／正孔注入輸送層３／発光層４／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−２）が；図３には、基板１／陽極２／発光層４／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−３）が；図４には、基板１／陽極２／発光層４／陰極型６と、電源７を含む素子（ＥＬ−４）が示される。

図５Ａには、基板１／陽極２／正孔注入層３’／正孔輸送層３”／発光層４／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−５Ａ）が示される。

一方、図５Ｂには、基板１／陽極２／正孔注入輸送層３／発光層４／正孔阻止層（電子輸送層）５’／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−５Ｂ）が示される。

さらに、図５Ｃには、基板１／陽極２／正孔注入層３’／正孔輸送層３”／発光層４／正孔阻止層（電子輸送層）５’／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−５Ｃ）が示される。

また、図６〜図８には、ＥＬ−４に類似する素子が示される。つまり、図６には、正孔注入輸送成分３ａと、発光成分４ａと、電子注入成分５ａとを混合させた発光層を一対の電極間に挟持させた型の素子（ＥＬ−６）が；図７には、正孔注入輸送成分３ａと、発光成分４ａとを混合させた発光層を、一対の電極間に挟持させた型の素子（ＥＬ−７）が；図８には、発光層として発光成分４ａと、電子注入輸送成分５ａを混合させた発光層を、一対の電極間に挟持させた型の素子（ＥＬ−８）が示される。

本発明の有機電界発光素子の好ましい素子構成は、（ＥＬ−１）型素子、（ＥＬ−２）型素子、（ＥＬ−３）型素子、（ＥＬ−５Ａ）型素子、（ＥＬ−５Ｂ）型素子、（ＥＬ−５Ｃ）型素子、（ＥＬ−６）型素子または（ＥＬ−７）型素子であり、より好ましくは、（ＥＬ−１）型素子、（ＥＬ−２）型素子、（ＥＬ−５Ａ）型素子、（ＥＬ−５Ｂ）型素子、（ＥＬ−５Ｃ）型素子または（ＥＬ−７）型素子である。

もちろん、本発明の有機電界発光素子の素子構成は、これらに限定されるものではない。それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層をそれぞれ、複数設けてもよい。また、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層と発光層との間に、発光成分と正孔注入輸送成分の混合層を設けてもよく、電子注入輸送層と発光層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の混合層を設けてもよい。

以下、本発明の有機電界発光素子の構成要素のそれぞれについて詳細に説明する。例として図１に示す（ＥＬ−１）型素子を参照する。（ＥＬ−１）型素子において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入輸送層、４は発光層、５は電子注入輸送層、６は陰極、７は電源を示す。

本発明の有機電界発光素子は、基板１に支持されていることが好ましい。基板は透明または半透明であることが好ましく、その材質は特に限定されない。基板の材質の例には、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどのガラス；およびポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレンなどの透明性高分子が含まれる。また基板は、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた複合シートであってもよい。さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。

陽極２の電極材料は、仕事関数の比較的大きい金属、合金または導電性化合物であることが好ましい。陽極の電極材料の例には、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド：Indium Tin Oxide）、ポリチオフェン、ポリピロールなどが含まれる。これらの電極材料は単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。陽極は、これらの電極材料を、蒸着法、スパッタリング法などの方法により、基板の上に成膜して形成することができる。

陽極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。陽極のシート電気抵抗は、数百Ω／□以下であることが好ましく、５〜５０Ω／□程度であることがより好ましい。陽極の厚みは、その電極材料の材質にもよるが、一般に約５〜１０００ｎｍ、より好ましくは約１０〜５００ｎｍに設定する。

正孔注入輸送層３には、陽極からの正孔（ホール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔を輸送する機能を有する材料を含有する層である。

本発明の電界発光素子の正孔注入輸送層は、一般式（１）で表される化合物、および他の正孔注入輸送機能を有する化合物のいずれか一方または両方を含有する。正孔注入輸送層に含まれる正孔注入輸送機能を有する化合物は、１種単独でもよく、または複数種でもよい。

一般式（１）で表される化合物以外の正孔注入輸送機能を有する化合物の例には、フタロシアニン誘導体、トリアリールアミン誘導体、トリアリールメタン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ-Ｎ-ビニルカルバゾールなどなどが含まれる。トリアリールアミン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体がより好ましい。

一般式（１）で表される化合物以外の正孔注入輸送機能を有する化合物うち、トリアリールアミン誘導体の例には、例えば、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（４''-メチルフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３''-メチルフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３''-メトキシフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（１''-ナフチル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、３,３'-ジメチル-４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３''-メチルフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、１,１-ビス〔４'-［Ｎ,Ｎ-ジ（４''-メチルフェニル）アミノ］フェニル〕シクロヘキサン、９,１０-ビス〔Ｎ-（４'-メチルフェニル）-Ｎ-（４''-ｎ-ブチルフェニル）アミノ〕フェナントレン、３,８-ビス（Ｎ,Ｎ-ジフェニルアミノ）-６-フェニルフェナントリジン、４-メチル-Ｎ,Ｎ-ビス〔４'',４'''-ビス［Ｎ',Ｎ'-ジ（４-メチルフェニル）アミノ］ビフェニル-４-イル〕アニリン、Ｎ,Ｎ'-ビス〔４-（ジフェニルアミノ）フェニル〕-Ｎ,Ｎ'-ジフェニル-１,３-ジアミノベンゼン、Ｎ,Ｎ'-ビス〔４-（ジフェニルアミノ）フェニル〕-Ｎ,Ｎ'-ジフェニル-１,４-ジアミノベンゼン、５,５''-ビス〔４-（ビス［４-メチルフェニル］アミノ〕フェニル-２,２':５',２''-ターチオフェン、１,３,５-トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４,４',４''-トリス（Ｎ-カルバゾリイル）トリフェニルアミン、４,４',４''-トリス〔Ｎ,Ｎ-ビス（４'''-tert-ブチルビフェニル-４''''-イル）アミノ〕トリフェニルアミン、１,３,５-トリス〔Ｎ-（４'-ジフェニルアミノ〕ベンゼンなどが含まれる。

一般式（１）で表される化合物と、他の正孔注入機能を有する化合物とを併用する場合、正孔注入輸送層中に占める一般式（１）で表される化合物の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５〜９９．９重量％、さらに好ましくは３〜９７重量％である。

発光層４は、正孔および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発光層は、一般式（１）で表される化合物および他の発光機能を有する化合物の一方または両方を含有することが好ましい。本発明の有機電界発光素子の発光層に、一般式（１）で表される化合物が含有されていることがより好ましい。発光層には、発光機能を有する化合物の１種または２種以上が含まれる。

一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物には、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカサイクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、９,１０-ジフェニルアントラセン、９,１０-ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１,４-ビス（９'-エチニルアントセニル）ベンゼン、４,４'-ビス（９''-エチニルアントラセニル）ビフェニル、ジベンゾ［f,f］ジインデノ［1,2,3-cd：1',2',3'-lm］ペリレン誘導体〕、トリアリールアミン誘導体、有機金属錯体〔例えば、トリス（８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０-ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム、２-（２'-ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩、４-ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、３-ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、５-ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５-ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、スチルベン誘導体〔例えば、１,１,４,４-テトラフェニル-１,３-ブタジエン、４,４'-ビス（２,２-ジフェニルビニル）ビフェニル、４,４'-ビス［（１,１,２-トリフェニル）エテニル］ビフェニル〕、クマリン誘導体（例えば、クマリン１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３８、クマリン３４３、クマリン５００）、ピラン誘導体（例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２）、アントラセン誘導体〔例えば、９,１０-ビス（２'-ナフチル）アントラセン誘導体、９,１０-ビス（１',１''-ビス-３'-ビフェニル）アントラセン誘導体〕、オキサゾン誘導体（例えば、ナイルレッド）、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ-Ｎ-ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体などが含まれる。
トリアリールアミン誘導体の例には、前述の正孔注入輸送機能を有する化合物として例示したトリアリールアミン誘導体が含まれる。

一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物は、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、多環芳香族化合物、トリアリールアミン誘導体、有機金属錯体およびスチルベン誘導体が好ましく、多環芳香族化合物、トリアリールアミン誘導体、有機金属錯体であることがより好ましい。

発光層に、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物の両方が含有される場合、発光層中に占める一般式（１）で表される化合物の割合は、６０〜９９．９９９重量％であることが好ましい。

また、本発明の有機電界発光素子の発光層には、一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物として、燐光（三重項発光）性発光材料が含まれることが好ましい。発光層に含まれる燐光発光材料は、１種類でも複数種類でもよい。

燐光発光材料は、例えば、下記一般式（ａ−１）または一般式（ａ−２）で表される化合物を挙げることができるが、特に限定されるものではない。

一般式（ａ−１）におけるＡ_１は、５員または６員の含窒素複素環を形成するための原子群を表し；Ａ_２は、５員または６員の環状構造を形成するための原子群を表す。Ｍ_１は、ｍ_ｄ価の金属原子を表し；ＬｇおよびＬｇ’は、Ｍ_１に配位可能な原子を表し、ＬｇおよびＬｇ’の間の点線は結合を形成していてもよく、それぞれ分離していても良いことを表す。ｎ_ｄは、１〜ｍ_ｄの整数を表す。

一般式（ａ−２）におけるＶ_１〜Ｖ_８は、水素原子、あるいはアルキル基またはアリール基を表し；Ｙ_１〜Ｙ_４は、Ｃ−Ｖ_９（ここでＶ_９は水素原子または、アルキル基、あるいは、アリール基から選ばれる置換基を表す）、あるいは窒素原子を表す。Ｍ_２は、金属原子を表す。

一般式（ａ-１）におけるＭ_１の例には、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金などが含まれる。

一般式（ａ-１）におけるＡ_１は、置換基を有していてもよい含窒素複素環基を形成する原子群を表す。形成される含窒素複素環基の例には、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジン基、トリアジン基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリン基、およびフェナントリレン基などが含まれる。

一般式（ａ-１）におけるＡ_２は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を形成する原子群を表す。形成される芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基の例には、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、およびイソキノリル基などが含まれる。

一般式（ａ-１）におけるＡ_１およびＡ_２が有していてもよい置換基の例には、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；フェノキシ基；ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基などが含まれる。

一般式（ａ−１）および一般式（ａ−２）で表される燐光発光材料の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない。

一般式（１）で表される化合物および／または一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物をホスト化合物として発光層を形成する場合、ホスト化合物に対する燐光発光材料の含有量は、０．００１から４０重量％であることが好ましく、０．０１〜３０重量％であることがより好ましく、０．１〜２０重量％であることがさらに好ましい。

発光層に含まれる一般式（１）以外の発光機能を有する化合物の量は、一般式（１）で表される化合物に対して、通常は０．００１〜４０重量％であり、０．０５〜３０重量％であることが好ましく、０．１〜２０重量％であることがより好ましい。

本発の有機電界発光素子における電子注入輸送層は、発光層の陰極側に直接接触して配置されてもよく；また発光層の陰極側に電子輸送層（正孔阻止層）を介して配置されてもよい。

正孔阻止層としては、発光層に注入された正孔を発光層中に効率よく蓄積することを目的として、電子との再結合確立を向上させて、発光の高効率化を達成する。正孔阻止層に含まれる成分の例には、フェアントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、ビス（２-メチルキノリノラト）（４-フェニルフェノラート）アルミニウムなどが含まれる。

電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注入を容易にする機能および／または注入された電子を輸送する機能を有する化合物を含有する。

電子注入輸送層５は、一般式（１）で表される化合物、および他の電子注入輸送機能を有する化合物の一方または両方を含む。また電子注入輸送層５には、電子注入機能を有する化合物の１種または２種以上が含まれている。

一般式（１）で表される化合物以外の電子注入輸送機能を有する化合物の例には、有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、フェナントロリン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体などが含まれる。

有機金属錯体の例には、トリス（８-キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、ビス（１０-ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム等の有機ベリリウム錯体、５-ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５-ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩等が含まれる。

電子注入輸送層５には、有機アルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体が含まれることが好ましい。

有機アルミニウム錯体としては、置換または未置換の８-キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体であることが好ましい。置換または未置換の８-キノリラート配位子を有する有機アルミニウム錯体の例には、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される化合物が含まれる。

（Ｑ）_３−Ａｌ ・・・（ａ）
（式（ａ）において、Ｑは置換または未置換の８-キノリノラート配位子を表す）
（Ｑ）_２−Ａｌ−Ｏ−Ｌ’ ・・・（ｂ）
（式（ｂ）において、Ｑは置換または未置換の８-キノリノラート配位子を表し、
Ｏ−Ｌ’はフェノラート配位子を表し、Ｌ’はフェニル基を有する炭素数６〜２４の炭化水素基を表す）
（Ｑ）_２−Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）_２ ・・・（ｃ）
（式（ｃ）において、Ｑは置換または未置換の８-キノリノラート配位子を表す）

置換または未置換の８-キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体の具体例には、トリス（８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（４-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（５-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（３,４-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（４,５-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（４,６-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２-メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３-メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（４-メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（４-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,３-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,６-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３,４-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３,５-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３,５-ジ-tert-ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,６-ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,４,６-トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,４,６-トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,４,５,６-テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（１-ナフトラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２-ナフトラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（２-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（３-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（４-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（３,５-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（３,５-ジ-tert-ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-４-エチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-４-エチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-４-メトキシ-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-４-メトキシ-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-５-シアノ-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-５-シアノ-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-５-トリフルオロメチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-５-トリフルオロメチル-８-キノリノラート）アルミニウムなどが含まれる。

陰極６の電極材料は、比較的仕事関数の小さい金属、合金または導電性化合物であることが好ましい。陰極の電極材料の例には、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、リチウムフルオライド、安息香酸リチウム、酢酸リチウム等の有機酸のリチウム塩、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシム−インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄などが含まれる。これらの電極材料を１種単独で使用してもよく、また複数種を併用してもよい。陰極は、これらの電極材料を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオン蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法により電子注入輸送層の上に成膜することにより形成することができる。

陰極は、一層構造であってもよく、多層構造であってもよい。陰極のシート電気抵抗は数百Ω／□以下とするのが好ましい。陰極の厚みは、使用する電極材料にもよるが、通常は５〜１０００ｎｍであり、１０〜５００ｎｍであることが好ましい。

本発明の有機電界発光素子からの発光を高率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は、透明ないし半透明であることが好ましい。一般に、発光光の透過率が７０％以上となるように、陽極または陰極の材料、厚みを設定することが好ましい。

また、本発明の有機電界発光素子の正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層のうちの少なくとも一層に、一重項酸素クンチャーを含有していてもよい。一重項酸素クエンチャーが含有されている層は、好ましくは発光層または正孔注入輸送層であり、より好ましくは正孔注入輸送層である。正孔注入輸送層中に、一重項酸素クエンチャーを均一に含有させてもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光層または発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有させてもよい。

一重項酸素クエンチャーの例には、ルブレン、ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなど含まれ、好ましくはルブレンであるが、特に限定されるものではない。一重項酸素クエンチャーの含有量は、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成する全体量の０．０１〜５０重量％、好ましくは０．０５〜３０重量％、より好ましくは０．１〜２０重量％である。

正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層は、任意の方法で形成すればよく、特に限定されない。形成方法の例には、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、デイップコート法、バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロジェット法、インクジェット法）などが含まれる。

真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する場合には、通常、１０^−３Ｐａ程度以下の真空下で、ボート温度（蒸着源温度）を約５０〜５００℃として、基板温度を約−５０〜３００℃として、蒸着速度を約０．００５〜５０ｎｍ／secとして実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の層は、真空下で、連続して形成されることが好ましい。連続形成することにより、諸特性に優れた有機電界発光素子を製造することが可能となる。真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を、複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、蒸着することが好ましい。

溶液塗布法により各層を形成する場合、各層を形成する成分、および必要に応じてバインダー樹脂を、溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒は、有機溶媒であっても、水であってもよい。有機溶媒の例には、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メチルナフタレン等の炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸エチル等のエステル系溶媒；メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶媒；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、アニソール等のエーテル系溶媒；Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ-ジメチルアセトアミド、１-メチル-２-ピロリドン、１,３-ジメチル-２-イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒が含まれる。溶媒は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。

正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層の成分を溶媒に分散させるには、例えば、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、アトライター、ホモジナイザーなどを使用して微粒子状に分散する方法を使用することができる。

正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成するための塗布液に含まれるバインダー樹脂の例には、ポリ-Ｎ-ビニルカルバゾール、ポリアリーレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリエーテルスルホン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体などの高分子化合物を挙げることができる。バインダー樹脂は単独で使用してもよく、また、複数併用してもよい。

塗布液の固体成分濃度は特に限定されず、所望の厚みを得るために適した濃度範囲に設定する。通常は０．１〜５０重量％、好ましくは１〜３０重量％である。
バインダー樹脂を使用する場合、塗布液におけるその含有量は特に限定されない。正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する成分の合計に対するバインダー樹脂の含有率は、通常は５〜９９．９重量％であり、好ましくは１０〜９９重量％である。

正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。

本発明の有機電界発光素子は、酸素や水分等との接触を防止する目的で、保護層（封止層）を有していてもよいし、また不活性物質中（例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカーボン油）に封入されて保護されてもよい。保護層の材料は、有機高分子材料であっても、無機材料であってもよい。有機高分子材料の例には、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイドなどが含まれる。光硬化性樹脂であってもよい。無機材料の例には、ダイアモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物が含まれる。

保護層に使用する材料は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。保護層は一層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。

また、本発明の有機電界発光素子の電極に、保護膜として金属酸化物膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、または金属フッ化膜を設けてもよい。本発明の有機電界発光素子の陽極の表面に、界面層（中間層）を設けてもよい。界面層の材質の例には、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体などが含まれる。さらに、電極（例えば、陽極）は、その表面を、酸、アンモニア／過酸化水素、あるいはプラズマで処理されていてもよい。

本発明の有機電界発光素子は、通常、直流駆動型の素子として使用することができるが、交流駆動型の素子としても使用することができる。本発明の有機電界発光素子は、セグメント型、単純マトリック駆動型等のパッシブ駆動型であってもよく、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）型、ＭＩＭ（メタル−インスレーター−メタル）型等のアクティブ駆動型であってもよい。駆動電圧は通常、２〜３０Ｖである。

本発明の有機電界発光素子は、パネル型光源（例えば、時計、液晶パネル等のバックライト）、照明装置（平面照明、特殊照明等）、各種の発光素子（例えば、ＬＥＤ等の発光素子の代替）、各種の表示素子〔例えば、情報表示素子（パソコンモニター、携帯電話・携帯端末用表示素子）〕、各種の標識、各種のセンサーなどに使用することができる。

以下、本発明を合成例及び実施例に基づいてさらに詳細に説明する。中間体１〜１２の分子構造は下記の通りである。

合成例１（中間体１の製造）
カルバゾール３４．８ｇ（２０８ｍｍｏｌ）、３-ヨードブロモベンゼン６０．０ｇ（２１２ｍｍｏｌ）、銅粉４４．０ｇ、炭酸カリウム８８．０ｇおよびＮ,Ｎ-ジメチルホルムアミド４８０．０ｇからなる混合物をアルゴン気流下、１３０℃に加熱し、８時間加熱攪拌を行った。その後、反応混合物を室温まで冷却し、セライトろ過を行い、ろ液にトルエンを添加して、水洗を行った。トルエン相を分離し、減圧下にトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液；ヘキサン/トルエン＝６／２）で精製し、その後、イソプロパノールから再結晶し、無色の結晶として中間体１を５４．８ｇ得た。

合成例２（中間体２の製造）
合成例１において、カルバゾール３４．８ｇ（２０８ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、３,６-ジフェニルカルバゾール６６．４ｇ（２０８ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１に記載の操作に従い、中間体２を無色の結晶として７４．１ｇ得た。

合成例３（中間体３の製造）
合成例１において、カルバゾール３４．８ｇ（２０８ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、２-フェニルカルバゾール５０．６ｇ（２０８ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１に記載の操作に従い、中間体３を無色の結晶として６０．２ｇ得た。

合成例４（中間体４の製造）
４８．２ｇ（１５０ｍｍｏｌ）の中間体１、ベンジルアミン７．５ｇ（７０ｍｍｏｌ）、ナトリウム-tert-ブトキシド２０．１９ｇ、酢酸パラジウム１５０ｍｇおよび混合キシレン２５０ｍｌよりなる混合物にアルゴン気流下、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン８００ｍｇを添加し、１２０℃に過熱して９時間加熱攪拌した。その後、反応混合物をメタノールに加え、生じた結晶をろ別し、トルエンから再結晶して、Ｎ,Ｎ-ビス〔３-（Ｎ-カルバゾリル）フェニル〕ベンジルアミンを３１．７ｇ得た。

得られたＮ,Ｎ-ビス〔３-（Ｎ-カルバゾリル）フェニル〕ベンジルアミン１１．８ｇ、５０％含水パラジウム炭素（パラジウム１０％含有）、およびＮ,Ｎ-ジメチルホルムアミド５００ｍｌよりなる混合物を水素雰囲気下、４０℃に加熱して、２７時間加熱攪拌した。その後、反応混合物をろ別して、パラジウム炭素を除去し、ろ液を水に排出して精製した結晶をろ別した。得られた結晶をトルエンで洗浄し、９．７ｇの中間体４を得た。

合成例５（中間体５の製造）
４-（４'-ヨードフェニル）ブロモベンゼン３５．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）、１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）、トルエン３００ｍＬおよび２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１５０ｍＬよりなる混合物に、アルゴン気流下、テトラキス（トリフェニルフォスフィン)パラジウム２．３１ｇ（２．００ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱攪拌した。反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去し、有機層からトルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色結晶２９．４gを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体５と同定した。

合成例６（中間体６の製造）
合成例５において、１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、９-フェナントレンボロン酸２３．３ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例５に記載の操作に従い、白色結晶３２．３ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体６と同定した。

合成例７（中間体７の製造）
合成例５において、１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４-ビフェニルボロン酸２０．８ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例５に記載の操作に従い、白色結晶２８．９ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体７と同定した。

合成例８（中間体８の製造）
合成例５において、１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-２-ボロン酸２５．０ｇを使用した以外は、合成例５に記載の操作に従い、白色結晶３３．１ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体８と同定した。

合成例９（中間体９の製造）
合成例５において、１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、３-ビフェニルボロン酸２０．８ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例５に記載の操作に従い、白色結晶２８．９ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体９と同定した。

合成例１０（中間体１０の製造）
合成例５において、４-（４'-ヨードフェニル）ブロモベンゼン３５．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）および１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４-ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）および９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-２-ボロン酸２５．０ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例５に記載の操作に従い、白色結晶２７．９ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１０と同定した。

合成例１１（中間体１１の製造）
合成例５において、４-（４'-ヨードフェニル）ブロモベンゼン３５．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）および１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４-ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）および３-ビフェニルボロン酸２０．８ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例５に記載の操作に従い、白色結晶２５．９ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１１と同定した。

合成例１２（中間体１２の製造）
合成例５において、４-（４'-ヨードフェニル）ブロモベンゼン３５．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）および１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４-ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）および９-フェナントレンボロン酸２３．３ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例５に記載の操作に従い、白色結晶２６．０ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１２と同定した。

中間体Ａｍ１〜Ａｍ９の構造式は下記の通りである。

合成例１３（中間体Ａｍ１の製造）
アルゴン気流下、４-ブロモ-ｐ-ターフェニルを３０．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）、４-アミノ-ｐ-ターフェニルを２４．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ナトリウム-ｔert−ブトキシド１３．０ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）４６０ｍｇ（アルドリッチ社製）、トリ-ｔert-ブチルホスフィン２１０ｍｇ及び脱水トルエン５００ｍＬを入れ、８０℃にて８時間反応した。冷却後、水２．５Ｌを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、トルエンで再結晶し、２８．６ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ１と同定した。

合成例１４（中間体Ａｍ２の製造）
合成例１３において、４-アミノ-ｐ-ターフェニル２４．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、９-アミノフェナントレン１９．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１３に記載の操作に従い、２４．２ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ２と同定した。

合成例１５（中間体Ａｍ３の製造）
合成例１３において、４-ブロモ-ｐ-ターフェニル３０．８（１００ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４-（１'-ナフチル）ブロモベンゼン２８．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）を使用した以外は合成例１３に記載の操作に従い、２３．４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ３と同定した。

合成例１６（中間体Ａｍ４の製造）
アルゴン気流下、ビス（４-ブロモフェニル）アミン３２．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）、１０-フェニル-９-フェナントレニルホウ酸５９．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）、炭酸水素ナトリウム３４．０ｇ、テトラキス（トリフェニルオスフィン）パラジウム１．０ｇ、トルエン５００ｇおよび水２５０ｇよりなる混合物を８０℃に加熱して、７時間加熱攪拌した。その後反応混合物を室温に冷却し、精製した固体をろ別し、トルエンに加熱溶解させたのち、熱時ろ過し、ろ液を冷却し、生じた固体をろ別し、３０．５ｇの無色の結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ４と同定した。

合成例１７（中間体Ａｍ５の製造）
アルゴン気流下、ビス（４-ブロモフェニル）アミン３２．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）、３-ビフェニルボロン酸３９．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）、炭酸水素ナトリウム３４．０ｇ、テトラキス（トリフェニルオスフィン）パラジウム１．０ｇ、トルエン５００ｇおよび水２５０ｇよりなる混合物を８０℃に加熱して、１６時間加熱攪拌した。その後反応混合物を室温に冷却し、有機層を分液し、有機層からトルエンを減圧下に留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにより精製し２６．８ｇの無色の結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ５と同定した。

合成例１８（中間体Ａｍ６の製造）
合成例１７において、３-ビフェニルボロン酸３９．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、２-ビフェニルボロン酸３９．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１７に記載の操作に従い、２４．７ｇの無色のガラス状固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ６と同定した。

合成例１９（中間体Ａｍ７の製造）
合成例１３において、４-ブロモ-ｐ-ターフェニル３０．８（１００ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、３２．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）の中間体１を使用した以外は合成例１３に記載の操作に従い、３５．９ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ７と同定した。

合成例２０（中間体Ａｍ８の製造）
合成例１３において、４-ブロモ-ｐ-ターフェニル３０．８（１００ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４７．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）の中間体２を使用した以外は合成例１３に記載の操作に従い、４８．４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ８と同定した。

合成例２１（中間体Ａｍ９の製造）
合成例１３において、４-ブロモ-ｐ-ターフェニル３０．８（１００ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、３９．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）の中間体３を使用した以外は合成例１３に記載の操作に従い、３９．９ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ９と同定した。

合成実施例１（化合物Ａ−１の製造）
６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１、ナトリウム-tert-ブトキシド２．６ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム１００ｍｇ、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン６０ｍｇ及びトルエン１００ｍＬよりなる混合物を、アルゴン気流下、１００℃にて１０時間加熱攪拌した。
冷却後、水５００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、有機層からトルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、トルエンで再結晶し、６．８２ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−１と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−１が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７１４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９０．７２，；Ｈ５．３６，；Ｎ３．９２
分析値（％）；Ｃ９０．７，；Ｈ５．４，；Ｎ３．９

合成実施例２（化合物Ａ−３の製造）
合成実施例１において、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、８．４３ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ２を使用した以外は、合成実施例１に記載の操作に従い、５．４８ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−３と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−３が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：６６２（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９０．６０，；Ｈ５．１７，；Ｎ４．２３
分析値（％）；Ｃ９０．６，；Ｈ５．２，；Ｎ４．２

合成実施例３（化合物Ａ−６の製造）
合成実施例１において、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、８．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）中間体Ａｍ３を使用した以外は、合成実施例１に記載の操作に従い、７．５５ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−６と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−６が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：６８８（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９０．６７，；Ｈ５．２７，；Ｎ４．０７
分析値（％）；Ｃ９０．７，；Ｈ５．３，；Ｎ４．０

合成実施例４（化合物Ａ−９の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１を使用する代わりに、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体２使用した以外は、合成実施例１に記載の操作に従い、８．３６ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−９と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−９が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８６６（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．４２，；Ｈ５．３５，；Ｎ３．２３
分析値（％）；Ｃ９１．４，；Ｈ５．４，；Ｎ３．２

合成実施例５（化合物Ａ−１１の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体２および８．４３ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ２を使用した以外は、合成実施例１に記載の操作に従い、５．６７ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−１１と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−１１が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８１４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．３７，；Ｈ５．１９，；Ｎ３．４４
分析値（％）；Ｃ９１．４，；Ｈ５．２，；Ｎ３．４

合成実施例６（化合物Ａ−２０の製造）
合成実施例１において、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、１３．４６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ４を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、６．１４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−２０と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−２０が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９１４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．８７，；Ｈ５．０７，；Ｎ３．０６
分析値（％）；Ｃ９１．９，；Ｈ５．１，；Ｎ３．０

合成実施例７（化合物Ａ−２２の製造）
合成実施例１において、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ５を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、６．４９ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−２２と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−２２が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７１４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９０．７２，；Ｈ５．３６，；Ｎ３．９２
分析値（％）；Ｃ９０．７，；Ｈ５．４，；Ｎ３．９

合成実施例８（化合物Ａ−２３の製造）
合成実施例１において、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ６を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、６．３４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−２３と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−２３が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７１４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９０．７２，；Ｈ５．３６，；Ｎ３．９２
分析値（％）；Ｃ９０．７，；Ｈ５．４，；Ｎ３．９

合成実施例９（化合物Ａ−３８の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体２および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ５を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、７．６１ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−３８と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−３８が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８６６（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．４２，；Ｈ５．３５，；Ｎ３．２３
分析値（％）；Ｃ９１．４，；Ｈ５．４，；Ｎ３．２

合成実施例１０（化合物Ａ−４１の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体２および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ６を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、５．６２ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−４１と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−４１が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８６６（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．４２，；Ｈ５．３５，；Ｎ３．２３
分析値（％）；Ｃ９１．４，；Ｈ５．４，；Ｎ３．２

合成実施例１１（化合物Ａ−５０の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１を使用する代わりに、７．９６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体３を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、６．４７ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−５０と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−５０が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７９０（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．１１，；Ｈ５．３５，；Ｎ３．５４
分析値（％）；Ｃ９１．１，；Ｈ５．４，；Ｎ３．５

合成実施例１２（化合物Ａ−５２の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、７．９６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体３および８．９４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ３を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、６．４２ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−５２と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−５２が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７６４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．０７，；Ｈ５．２７，；Ｎ３．６６
分析値（％）；Ｃ９１．１，；Ｈ５．３，；Ｎ３．６

合成実施例１３（化合物Ａ−５４の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、７．９６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体３および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ５を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、５．８３ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−５４と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−５４が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７９０（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．１１，；Ｈ５．３５，；Ｎ３．５４
分析値（％）；Ｃ９１．１，；Ｈ５．４，；Ｎ３．５

合成実施例１４（化合物Ａ−６３の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、７．１８ｇ（２０ｍｍｏｌ）中間体５および９．７２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ７を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、６．５６ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−６３と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−６３が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７６４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．０７，；Ｈ５．２７，；Ｎ３．６６
分析値（％）；Ｃ９１．０，；Ｈ５．３，；Ｎ３．７

合成実施例１５（化合物Ａ−７０の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、８．１８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体６および９．７２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ７を用いた以外は合成実施例１に記載の操作に従い、７．８６ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−７０と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−７０が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８１４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．３７，；Ｈ５．１９，；Ｎ３．４４
分析値（％）；Ｃ９１．４，；Ｈ５．２，；Ｎ３．４

合成実施例１６（化合物Ａ−７４の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、７．７０ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体９および９．７２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ７を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、６．２８ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−７４と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−７４が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７９０（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．１１，；Ｈ５．３５，；Ｎ３．５４
分析値（％）；Ｃ９１．１，；Ｈ５．４，；Ｎ３．５

合成実施例１７（化合物Ａ−７７の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、６．９８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１０および９．７２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ７使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、５．９６ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−７７と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−７７が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７５４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９０．６８，；Ｈ５．６１，；Ｎ３．７１
分析値（％）；Ｃ９０．７，；Ｈ５．６，；Ｎ３．７

合成実施例１８（化合物Ａ−７９の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、６．１８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１１および９．７２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ７を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、５．３２ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−７９と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−７９が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７１４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９０．７２，；Ｈ５．３６，；Ｎ３．９２
分析値（％）；Ｃ９０．７，；Ｈ５．４，；Ｎ３．９

合成実施例１９（化合物Ａ−８２の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、６．６６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１２および９．７２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ７を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、４．８５ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−８２と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−８２が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７３８（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．０３，；Ｈ５．１８，；Ｎ３．７９
分析値（％）；Ｃ９１．０，；Ｈ５．２，；Ｎ３．８

合成実施例２０（化合物Ａ−８６の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、６．６６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１２および１２．７８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ８を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、９．５６ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−８６と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−８６が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８９０（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．６５，；Ｈ５．２０，；Ｎ３．１４
分析値（％）；Ｃ９１．７，；Ｈ５．２，；Ｎ３．１

合成実施例２１（化合物Ａ−８９の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、６．６６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１２および１１．２６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ９を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、８．３４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−８９と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−８９が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８１４（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９１．３７，；Ｈ５．１９，；Ｎ３．４４
分析値（％）；Ｃ９１．４，；Ｈ５．２，；Ｎ３．４

合成実施例２２（化合物Ｂ−７の製造）
６．７６ｇ（２１ｍｍｏｌ）の中間体１、４-アミノ-ｐ-ターフェニル２．７５ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ナトリウム-tert-ブトキシド２．４９ｇ、酢酸パラジウム５０ｍｇ、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン１８０ｍｇ、キシレン７０ｍｌよりなる混合物を、アルゴン気流下、１３０℃で１８時間加熱攪拌した。その後、反応混合物をメタノールに排出し、得られた個体をろ別した。さらに、キシレンに加熱溶解して、セライトろ過した後、冷却後に析出した結晶をろ別して、３．２１ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−７と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−７が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７２７（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ８９．１０，；Ｈ５．１２，；Ｎ５．７７
分析値（％）；Ｃ８９．１，；Ｈ５．１，；Ｎ５．８

合成実施例２３（化合物Ｂ−１３の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、７．１８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体５および９．９８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体４を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、６．２４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−１３と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−１３が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７７７（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ８９．５５，；Ｈ５．０５，；Ｎ５．４０
分析値（％）；Ｃ８９．５，；Ｈ５．１，；Ｎ５．４

合成実施例２４（化合物Ｂ−１６の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、８．１８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体６および９．９８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体４を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、７．６３ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−１６と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−１６が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８２７（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ８９．９３，；Ｈ４．９９，；Ｎ５．０７
分析値（％）；Ｃ８９．９，；Ｈ５．０，；Ｎ５．１

合成実施例２５（化合物Ｂ−３０の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、７．７０ｇ（２０ｍｍｏｌ）中間体７および９．９８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体４使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、７．９２ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−３０と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−３０が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８０３（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ８９．６３，；Ｈ５．１４，；Ｎ５．２３
分析値（％）；Ｃ８９．６，；Ｈ５．１，；Ｎ５．２

合成実施例２６（化合物Ｂ−３９の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、８．５０ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体８および９．９８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体４を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、６．８１ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−３９と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−３９が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８４３（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ８９．６５，；Ｈ５．３７，；Ｎ４．９８
分析値（％）；Ｃ８９．６，；Ｈ５．４，；Ｎ５．０

合成実施例２７（化合物Ｂ−４７の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、７．７０ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体９および９．９８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体４を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、７．２２ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−４７と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−４７が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８３３（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ８９．６３，；Ｈ５．１４，；Ｎ５．２３
分析値（％）；Ｃ８９．６，；Ｈ５．２，；Ｎ５．２

合成実施例２８（化合物Ｂ−５８の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、６．９８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１０および９．９８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体４を用いた以外は合成実施例１に記載の操作に従い、６．９８ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−５８と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−５８が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７６７（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ８９．１５，；Ｈ５．３８，；Ｎ５．４７
分析値（％）；Ｃ８９．１，；Ｈ５．４，；Ｎ５．５

合成実施例２９（化合物Ｂ−６３の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、６．１８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１１および９．９８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体４を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、５．６１ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−６３と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−６３が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７２７（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ８９．１０，；Ｈ５．１２，；Ｎ５．７７
分析値（％）；Ｃ８９．１，；Ｈ５．１，；Ｎ５．８

合成実施例３０（化合物Ｂ−６８の製造）
合成実施例１において、６．４４ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１および９．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、６．６６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体１２および９．９８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体４を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、５．２４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−６８と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−６８が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７５１（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ８９．４５，；Ｈ４．９６，；Ｎ５．５９
分析値（％）；Ｃ８９．４，；Ｈ５．０，；Ｎ５．６

合成実施例３１（化合物Ｂ−７０の製造）
合成実施例２２において、４-アミノ-ｐ-ターフェニル２．７５ｇ（１０ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、１０-フェニル-９-アミノフェナントレン２．６９ｇ（１０ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成実施例２２に記載の操作に従い、２．８６ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−７０と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０^−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−７０が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７５１（Ｍ^＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ８９．４５，；Ｈ４．９６，；Ｎ６．５９
分析値（％）；Ｃ８９．４，；Ｈ５．０，；Ｎ６．６

実施例１（有機電界発光素子の製造）
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、イソプロピルアルコールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスにより乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を２×１０^−５Ｐａに減圧した。

先ず、ＩＴＯ透明電極上に、Ｎ',Ｎ”-ビス［４-（Ｎ,Ｎ-ジフェニルアミノ）フェニル］-Ｎ',Ｎ”-ジフェニル-１,１'-ビフェニル-４,４'-ジアミンを０．３ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、第１の正孔注入輸送層を形成した。

次に、第１の正孔注入輸送層上に例示化合物Ａ−９を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで１５ｎｍの厚さに蒸着し、第２の正孔注入輸送層を形成した。

その後、４-〔１０'-（２”-ナフチル）アントラセン-９'-イル〕ジベンゾ［ｂ，ｄ］フランと、下記に示すドーパント化合物（ＢＤ−１）を異なる蒸着源から蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃと蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃで４０ｎｍの厚みに共蒸着して、発光層を形成した。

さらに、トリス（８-キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで１５ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を形成した。さらに、その上に、フッ化リチウムを蒸着速度０．０２ｎｍ／ｓｅｃで０．５ｎｍの厚みに蒸着し、最後にアルミニウムを蒸着速度２．０ｎｍ／ｓｅｃで１００ｎｍの厚さに蒸着して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。

作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、電流密度４０ｍＡ／ｃｍ^２の発光効率をトプコン社製ＢＭ−７輝度計を用いて測定した。有機電界発光素子からは青色の発光が観察された。さらに、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ^２、５０℃、定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

実施例２〜１１（有機電界発光素子の製造）
実施例１において、正孔輸送材料として化合物Ａ−９の代わりに、例示化合物Ａ−２０（実施例２）、Ａ−３８（実施例３）、Ａ−５４（実施例４）、Ａ−７７（実施例５）、Ａ−８６（実施例６）、Ｂ−７（実施例７）、Ｂ−１６（実施例８）、Ｂ−３０（実施例９）、Ｂ−６３（実施例１０）およびＢ−６８（実施例１１）を用いた以外は同様にして有機電界発光素子を作製した。

作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、電流密度４０ｍＡ／ｃｍ^２での発光効率および駆動電圧を測定した。さらに、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ^２、５０℃、定電流駆動での半減期を測定した。結果を表１に示す。

比較例１〜６（有機電界発光素子の製造）
実施例１において、正孔輸送材料として化合物Ａ−９を使用する代わりに、比較化合物１〜比較化合物６を用いた以外は、実施例１に記載の操作に従い有機電界発光素子を作製した。得られた有機電界発光素子について、実施例１と同様に、発光効率および駆動電圧を測定し、さらに、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ^２、５０℃、定電流駆動での半減期を測定した結果を表１に示す。

表１に示されるように、本発明の芳香族アミン誘導体は、発光効率が高く、また、高温での駆動においても寿命が長く、さらに、比較化合物１よりも低電圧で駆動可能であることが判る。

実施例１２（有機電界発光素子の製造）
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、イソプロパノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスにより乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を１×１０^−５Ｐａに減圧した。

先ず、ＩＴＯ透明電極上にビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（１-ナフチル）〕-４,４'-ジアミノ-１,１'-ビフェニルを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を設けた。

次に、例示化合物Ｂ−７を蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔輸送層を設けた。

下式で表されるＣＢＰと、下式で表される燐光発光材料であるトリス（フェニルピリジル）イリジウム錯体〔以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３と略記する〕をそれぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１６ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に蒸着して、膜厚２５ｎｍの発光層を設けた。

さらに、４,７-ジフェニル-１,１０-フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）を蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ、で前記発光層の上に蒸着して膜厚１５ｎｍの正孔阻止層（電子輸送層）を設けた。

さらにトリス（８-キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔阻止層の上に蒸着して厚さ２５ｎｍの電子輸送層を設けた。なお蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き、リチウムフルオライドを蒸着速度０．０２ｎｍ／ｓｅｃで０．５ｎｍの厚さに蒸着した。最後に陰極としてアルミニウムを蒸着速度２．０ｎｍ／ｓｅｃで１００ｎｍの厚さに蒸着して有機電界発光素子を作製した。蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。

作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．２Ｖであり、輝度１８００ｃｄ／ｍ^２の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は８６０時間であった。

本発明の芳香族アミン誘導体は、発光効率が高く、高温での駆動においても寿命が長い有機電界発光素子を実現できる。

１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入輸送層
３’ 正孔注入層
３” 正孔輸送層
３ａ 正孔注入輸送成分
４ 発光層
４ａ 発光成分
５ 電子注入輸送層
５’ 正孔阻止層（電子輸送層）
５ａ 電子注入輸送成分
６ 陰極
７ 電源

Claims (6)

1. 下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
   

   

   〔一般式（１）中、
   Ａは下記一般式（２）を表し；
   Ｂは下記一般式（３）を表し；
   ｎは１または２を表し、ｍは１または２を表すが、ｎ＋ｍ＝３の条件を満たし；
   ｎが２の場合、それぞれのＡは同じであっても異なっていてもよく、ｍが２の場合、それぞれのＢは同じであっても異なっていてもよく；
   ｍが２の場合、２つのＢは、いずれも核炭素数６〜１６の芳香族炭化水素環が２つ以上連結した芳香族炭化水素基であり、Ｂ同士が結合して環を形成することはなく、かつ少なくとも一方のＢは核炭素数６〜１６の芳香族炭化水素環（ただし、アントラセンを除く）が３つ以上連結した芳香族炭化水素基を表し；
   ｍが１の場合、Ｂは核炭素数６〜１６の芳香族環が２つ以上連結した総炭素数１６〜３２の芳香族基もしくは縮合芳香族環基（ただし、Ｂがペニレニル基である場合を除く）を表す〕
   

   

   〔一般式（２）中、
   Ｒ_１〜Ｒ_３は炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、核炭素数６〜３０のアリール基を表し、
   ａ、ｂおよびｃはそれぞれ独立して０〜４の整数を表し、ａが２以上の場合、複数存在するＲ_１は同じであっても異なっていてもよく、ｂが２以上の場合、複数存在するＲ_２は同じであっても異なっていてもよく、ｃが２以上の場合、複数存在するＲ_３は同じであっても異なっていてもよい〕
   

   

   〔一般式（３）中、Ａｒ_１は、芳香族基もしくは縮合芳香族環基を表す〕
2. 一般式（１）において、ｎが２であり、かつｍが１である、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
3. 一般式（１）において、ｎが２であり、ｍが１であり、かつＡｒ_１が、核炭素数６〜１６の芳香族環が３つ以上連結した総炭素数１６〜３２の芳香族基である、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
4. 陰極と陽極間に、少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機電界発光素子において、
   該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を、単独もしくは混合物の一成分として含有する有機電界発光素子。
5. 陰極と陽極間に、少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機電界発光素子において、
   該有機薄膜層が正孔輸送層を有し、
   該正孔輸送層が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を、単独もしくは混合物の一成分として含有する有機電界発光素子。
6. 陰極と陽極間に、少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機電界発光素子において、
   該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を、単独もしくは混合物の一成分として含有し、
   該有機薄膜層の少なくとも一層が燐光発光材料を含有する有機電界発光素子。
   
   

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