JP5603105B2 - 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 47
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 34
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 33
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims description 6
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N xenon difluoride Chemical compound F[Xe]F IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明に係る断面加工観察方法は、試料の表面と略垂直な方向から集束イオンビームを試料の断面付近に走査照射し、試料から発生する二次粒子またはX線を検出する検出工程と、二次粒子またはX線の検出信号の変化を検出する信号変化検出工程と、検出信号の変化により荷電粒子ビームを断面に走査照射して断面像を取得する工程と、集束イオンビームを照射して断面を除去して次の断面を形成する断面形成工程と、集束イオンビームを照射して形成した断面に、荷電粒子ビームを照射して観察像を取得する観察像取得工程と、断面形成工程と観察像取得工程を繰り返し実行する。これにより、二次荷電粒子の検出信号から断面観察開始点を検出することができる。従って、断面観察開始点までは断面観察を行わないので効率よく断面加工観察を行うことができる。
本実施形態の集束イオンビーム装置は、図1に示すように、集束イオンビーム照射系1と、電子ビーム照射系2と、試料ステージ6を備えている。集束イオンビーム照射系1から照射した集束イオンビーム3と、電子ビーム照射系2から照射した電子ビーム4は試料ステージ6に載置した試料5上の同一領域に照射可能である。また、電子ビーム照射系2の代わりに電界電離型イオン源を搭載したイオンビーム照射系を用いても良い。その場合、イオン種として、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)、水素(H2)、酸素(O2)、窒素(N2)等のガスなどを用いる。
また、本実施形態の集束イオンビーム装置は、図2に示すように、集束イオンビーム照射系1と電子ビーム照射系3が試料ステージ6に設置されている試料5の位置で略垂直に交差する構成を備えている。ところで、電子ビームやイオンビームの照射系の対物レンズは試料面に近いほうが、試料にビーム径の小さいビームを照射することができる。そのため、高分解能観察や微細加工を行うためには、照射系を試料に近い位置に配置することが望ましい。しかし、照射系の試料側の先端部は、一般に円錐上になっているため、集束イオンビーム照射系1と電子ビーム照射系2がなす角が小さく、かつ、試料5に近い位置で配置すると照射系同士がぶつかってしまう。そこで、図2のように集束イオンビーム照射系1と電子ビーム照射系2を略垂直に配置することにより、照射系を試料5に近い位置に配置しても照射系同士がぶつかることはない配置を実現している。
次に、本実施形態の断面加工観察方法について説明する。図4は断面加工観察方法を説明する試料5の図であり、図4(a)は試料5の上面図、図4(b)は断面図である。まず、試料5の表面5aに集束イオンビーム3を走査照射して加工領域付近の観察像を取得する。加工領域付近の観察像で断面加工観察を行う領域に加工枠41を設定する。加工領域は試料5の断面5bを含む領域である。断面5bはあらかじめ集束イオンビーム3で形成しても、他の装置で形成してもよい。加工枠41は集束イオンビーム3の照射により取得した観察像上に設定する。集束イオンビーム3の走査は、主走査方向を断面5bと略平行の方向とし、副走査方向を断面5bと略垂直な方向とする。集束イオンビーム3は、主走査方向にライン走査し、次に副走査方向に隣のラインを走査する。
図6(a)に示すように、上記で説明した方法により複数の断面を形成し、その観察像を取得する。取得した観察像とビーム送り幅情報を像記憶部14に記憶する。三次元像形成部15で、記憶した観察像とビーム送り幅情報から複数の観察像を組み合わせで三次元像を構築し、表示部10に表示する。三次元像の構築は、図6(b)に示すように断面5b、5c、5d、5eの観察像60b、60c、60d、60eを、観察像と観察像の間隔が画像のスケールとして、ビーム送り幅程度になるように配置し、観察像を半透明な画像になるように画像処理する。これにより、図6(c)に示すように三次元像61を構築することができる。三次元像61によれば、断面加工観察処理をした領域に含まれる構造物61aを立体的に認識することができる。
二次電子の検出信号から断面観察開始点を検出する代わりに、集束イオンビーム3のビーム電流信号から断面観察開始点を検出することについて説明する。図7(a)に示すように、試料5を挟んで、集束イオンビーム照射系1に対峙する位置に電流測定器17に接続したファラデーカップ17aを配置する。集束イオンビーム3a、3b、3c、3dの順に照射していく。図7(b)はビーム電流量とビーム照射位置の関係図である。横軸は図7(a)に対応する集束イオンビーム3照射位置で、縦軸は照射位置におけるビーム電流量71の信号強度である。集束イオンビーム3a、3bの照射ではビーム電流量は変化していない。集束イオンビーム3cの照射でビーム電流量は小さくなっている。これは集束イオンビーム3cが、試料5の表面5aと断面5bのなす角に照射されたため、ファラデーカップ17aに到達したビーム電流が減少したためである。この集束イオンビーム3の照射によるビーム電流検出信号の変化を用いて、断面5bの位置を検出する。この方法によればビーム送り幅が集束イオンビーム3の照射による二次電子像の分解能よりも小さくても正確に断面5bの位置を識別することができる。
2…電子ビーム照射系
3…集束イオンビーム
4…電子ビーム
5…試料
6…試料ステージ
7a…二次電子検出器
7b…反射電子検出器
7c…X線検出器
8…ビーム制御部
9…像形成部
10…表示部
11…処理機構
12…ガス銃
13…ガス源
13a…バルブ
14…像記憶部
15…三次元像形成部
16…透過電子検出器
17…電流測定器
21…記憶機構
22…比較機構
23…信号送信機構
41…加工枠
51…輝度
60b,c,d,e…観察像
61…三次元像
Claims (13)
- 集束イオンビームを照射し試料の断面を除去し次の断面を形成する断面形成工程と、該次の断面に荷電粒子ビームを照射し観察像を取得する観察像取得工程と、を繰り返し実行する断面加工観察方法において、
前記試料の表面と略垂直な方向から前記集束イオンビームを前記断面付近に走査照射し、前記試料から発生する二次粒子またはX線を検出する検出工程と、
前記断面に起因する前記二次粒子またはX線の検出信号の変化を検出する信号変化検出工程と、
前記検出信号の変化を検出した場合に、前記荷電粒子ビームを前記断面に走査照射して断面像を取得し、その後、前記断面形成工程と前記観察像取得工程の繰り返しを実行する断面加工観察方法。 - 前記荷電粒子ビームは、電子ビームである請求項1に記載の断面加工観察方法。
- 前記荷電粒子ビームは、電界電離型イオン源から放出されたガスイオンビームである請求項1に記載の断面加工観察方法。
- 前記集束イオンビームと前記荷電粒子ビームは略垂直に交差する請求項1から3のいずれか一つに記載の断面加工観察方法。
- 複数の前記観察像と、前記断面間の距離情報より三次元像を構築する請求項1から4のいずれか一つに記載の断面加工観察方法。
- 試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射系と、
前記試料上の前記集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射系と、
前記試料に前記集束イオンビームを照射することにより発生する二次粒子を検出する検出器と、
前記検出器で検出した検出信号が前記試料の断面に起因して変化した場合、前記断面の断面像を取得するための前記荷電粒子ビームの照射を開始する信号を前記荷電粒子ビーム照射系に送信する処理を行う処理機構と、を有する集束イオンビーム装置。 - 試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射系と、
前記試料上の前記集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射系と、
前記集束イオンビームのビーム電流を測定する電流測定器と、
前記電流測定器で前記試料の断面に起因する電流信号の変化を検出した場合、前記断面の断面像を取得するための前記荷電粒子ビームの照射を開始する信号を前記荷電粒子ビーム照射系に送信する処理を行う処理機構と、を有する集束イオンビーム装置。 - 前記処理機構は、
前記検出器で検出した検出信号を記憶する記憶機構と、
前記検出器で新たに検出した検出信号と前記記憶機構に記憶した検出信号を比較する比較機構と、
前記比較機構で比較した値が基準に達した場合、前記荷電粒子ビームの照射を開始する信号を前記荷電粒子ビーム照射系に送信する信号送信機構とを有する請求項6に記載の集束イオンビーム装置。 - 前記処理機構は、
前記電流測定器で検出した検出信号を記憶する記憶機構と、
前記電流測定器で新たに検出した検出信号と前記記憶機構に記憶した検出信号を比較する比較機構と、
前記比較機構で比較した値が基準に達した場合、前記荷電粒子ビームの照射を開始する信号を前記荷電粒子ビーム照射系に送信する信号送信機構とを有する請求項7に記載の集束イオンビーム装置。 - 前記荷電粒子ビーム照射系は、電子ビーム照射系である請求項6から9のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
- 前記荷電粒子ビーム照射系は、電界電離型イオン源を有するガスイオンビーム照射系である請求項6から9のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
- 前記集束イオンビーム照射系のビーム軸と前記荷電粒子ビーム照射系のビーム軸とは略垂直に交差する請求項6から11のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
- 前記集束イオンビームを照射し形成した断面の観察像を記憶する記憶機構と、
前記観察像と断面間の距離から三次元像を構築する三次元像構築機構と、を有する請求項6から12のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010048400A JP5603105B2 (ja) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010048400A JP5603105B2 (ja) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187185A JP2011187185A (ja) | 2011-09-22 |
JP5603105B2 true JP5603105B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=44793264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010048400A Active JP5603105B2 (ja) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5603105B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5822642B2 (ja) * | 2011-10-18 | 2015-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び試料加工・観察方法 |
JP6355318B2 (ja) | 2012-11-15 | 2018-07-11 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工観察方法及び装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06162987A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | 試料処理装置 |
JP3401426B2 (ja) * | 1998-03-23 | 2003-04-28 | 日本電子株式会社 | Fib−sem装置における試料加工方法およびfib−sem装置 |
JP4664041B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2011-04-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置及び試料作製方法 |
JP5127148B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2013-01-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置 |
JP2008091221A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | イオンビーム加工装置及び方法 |
-
2010
- 2010-03-04 JP JP2010048400A patent/JP5603105B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011187185A (ja) | 2011-09-22 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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