JP5603105B2 - 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法 - Google Patents

集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5603105B2
JP5603105B2 JP2010048400A JP2010048400A JP5603105B2 JP 5603105 B2 JP5603105 B2 JP 5603105B2 JP 2010048400 A JP2010048400 A JP 2010048400A JP 2010048400 A JP2010048400 A JP 2010048400A JP 5603105 B2 JP5603105 B2 JP 5603105B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
irradiation
focused ion
charged particle
observation
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010048400A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011187185A (ja
Inventor
啓一 田中
洋 山本
欣 満
純一 田代
利昭 藤井
Original Assignee
株式会社日立ハイテクサイエンス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立ハイテクサイエンス filed Critical 株式会社日立ハイテクサイエンス
Priority to JP2010048400A priority Critical patent/JP5603105B2/ja
Publication of JP2011187185A publication Critical patent/JP2011187185A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5603105B2 publication Critical patent/JP5603105B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、集束イオンビームを用いた試料の断面加工観察に関するものである。
従来半導体などの試料の断面を加工観察する手法として、FIB(集束イオンビーム)−SEM装置を用いることが広く知られている。FIB−SEM装置によれば、集束イオンビームで加工した断面を、試料を移動させることなく、その場でSEMにより観察することができる。
そして、SEM観察した断面をさらに集束イオンビームで加工し新たな断面を形成、観察するという工程を連続して繰り返し行うことも知られている。断面観察像を確認しながら断面加工を進めることで、所望の断面に到達したときに断面加工を終了することができる。上記の技術を用いて試料内部の欠陥を加工観察する方法が開示されている(特許文献1参照)。
特開平11−273613号公報
しかしながら、従来の装置では、集束イオンビームで形成した全ての断面をSEM観察するため、断面加工観察プロセスに多くの時間がかかっていた。特に近年、半導体デバイスの縮小化に伴い、観察対象も微細化したため、断面と断面の間隔を小さくしなければならない。これによりSEM観察する回数が多くなり、プロセスに多くの時間がかかっていた。
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、効率の良い断面加工観察プロセスを実現する集束イオンビーム装置を提供することである。
上記の目的を達成するために、この発明は以下の手段を提供している。
本発明に係る断面加工観察方法は、試料の表面と略垂直な方向から集束イオンビームを試料の断面付近に走査照射し、試料から発生する二次粒子またはX線を検出する検出工程と、二次粒子またはX線の検出信号の変化を検出する信号変化検出工程と、検出信号の変化により荷電粒子ビームを断面に走査照射して断面像を取得する工程と、集束イオンビームを照射して断面を除去して次の断面を形成する断面形成工程と、集束イオンビームを照射して形成した断面に、荷電粒子ビームを照射して観察像を取得する観察像取得工程と、断面形成工程と観察像取得工程を繰り返し実行する。これにより、二次荷電粒子の検出信号から断面観察開始点を検出することができる。従って、断面観察開始点までは断面観察を行わないので効率よく断面加工観察を行うことができる。
本発明に係る断面加工観察方法は、荷電粒子ビームが、電子ビームまたは、電界電離型イオン源から放出されたガスイオンビームである。これにより、断面の高分解能観察が可能である。
本発明に係る断面加工観察方法は、集束イオンビームと荷電粒子ビームが略垂直に交差する。これにより、集束イオンビームで作成した断面に対して、観察用のビームを断面に対して略垂直に照射することができるため、分解能の高い観察像を試料傾斜する操作なく取得することができる。これにより効率よく断面加工観察を行うことができる。
本発明に係る断面加工観察方法は、複数の前記観察像と、前記断面間の距離情報より三次元像を構築する。これにより、断面の二次元観察像から複数の断面を取得した領域の三次元像を構築することができる。
本発明に係る集束イオンビーム装置は、試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射系と、試料上の集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射系と、試料から発生する二次粒子またはX線を検出する検出器と、検出器で検出した検出信号の変化を検出し、荷電粒子ビームの照射を開始する信号を荷電粒子ビーム照射系に送信する処理を行う処理機構と、を有する。これにより、二次粒子またはX線の検出信号から荷電粒子ビームの照射開始点を決定し、照射を開始することができる。
本発明に係る集束イオンビーム装置は、試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射系と、試料上の前記集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射系と、集束イオンビームのビーム電流を測定する電流測定器と、電流測定器で検出した電流信号の変化を検出し、荷電粒子ビームの照射を開始する信号を荷電粒子ビーム照射系に送信する処理を行う処理機構と、を有する。これにより、集束イオンビームのビーム電流変化から荷電粒子ビームの照射開始点を決定し、照射を開始することができる。
本発明に係る集束イオンビーム装置は、処理機構が、検出器で検出した検出信号を記憶する記憶機構と、検出器で新たに検出した検出信号と記憶機構に記憶した検出信号を比較する比較機構と、比較機構で比較した値が基準に達した場合、荷電粒子ビームの照射を開始する信号を荷電粒子ビーム照射系に送信する信号送信機構とを有する。これにより記憶した信号と新たな信号を比較して、その変化量が基準値に達した場合に荷電粒子ビームを照射開始することができる。
本発明に係る集束イオンビーム装置は、処理機構が、電流測定器で検出した検出信号を記憶する記憶機構と、電流測定器で新たに検出した検出信号と記憶機構に記憶した検出信号を比較する比較機構と、比較機構で比較した値が基準に達した場合、荷電粒子ビームの照射を開始する信号を荷電粒子ビーム照射系に送信する信号送信機構とを有する。
本発明に係る集束イオンビーム装置は、荷電粒子ビーム照射系が、電子ビーム照射系または、電界電離型イオン源を有するガスイオンビーム照射系である。
本発明に係る集束イオンビーム装置は、集束イオンビーム照射系のビーム軸と荷電粒子ビーム照射系のビーム軸とが略垂直に交差する。これにより、試料ステージを動作させることなく、集束イオンビームで形成した断面に対して略垂直に荷電粒子ビームを照射することができる。
本発明に係る集束イオンビーム装置は、集束イオンビームを照射し形成した断面の観察像を記憶する記憶機構と、観察像と断面間の距離から三次元像を構築する三次元像構築機構と、を有する。これにより複数の観察像を記憶し、記憶した観察像を断面間の距離に並べて三次元像を構築することができる。
本発明に係る集束イオンビーム装置によれば、観察不要箇所を観察することなくプロセスを実行することができるので、効率の良い断面加工観察を行うことができる。
本発明に係る集束イオンビーム装置の構成図である。 本発明に係る集束イオンビーム装置の構成図である。 本発明に係る処理機構の構成図である。 本発明に係る断面加工観察の説明図である。(a)試料上面図、(b)試料断面図 本発明に係る断面加工観察の説明図である。(a)試料断面図、(b)輝度信号とビーム照射位置の関係図 本発明に係る断面加工観察の説明図である。(a)試料断面図、(b)観察像重ね合わせの説明図、(c)3次元像の説明図 本発明に係る断面加工観察の説明図である。(a)試料断面図、(b)ビーム電流信号とビーム照射位置の関係図
以下、本発明に係る集束イオンビーム装置の実施形態について説明する。
(1)集束イオンビーム装置
本実施形態の集束イオンビーム装置は、図1に示すように、集束イオンビーム照射系1と、電子ビーム照射系2と、試料ステージ6を備えている。集束イオンビーム照射系1から照射した集束イオンビーム3と、電子ビーム照射系2から照射した電子ビーム4は試料ステージ6に載置した試料5上の同一領域に照射可能である。また、電子ビーム照射系2の代わりに電界電離型イオン源を搭載したイオンビーム照射系を用いても良い。その場合、イオン種として、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)、水素(H)、酸素(O)、窒素(N)等のガスなどを用いる。
そして、試料5から発生する二次電子や二次イオンなどの荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器7aを備えている。二次荷電粒子検出器7aで検出した検出信号は、像形成部9に送信する。また、反射電子検出器7bを備えて電子ビーム4から反射される反射電子を検出することができる。反射電子検出器7bは電子ビーム照射系2の内部に配置することも可能である。また、X線検出器7cを備えて試料5から発生するX線を検出することができる。また、図示していないが、試料5から発生する試料5の材質の粒子を検出する検出器を備え、マススペクトルを取得することも可能である。
像形成部9において、二次荷電粒子検出器7aまたは反射電子検出器7bが送信した検出信号と、集束イオンビーム照射系1または電子ビーム照射系2で集束イオンビーム3または電子ビーム4を走査照射した照射信号により二次電子像、二次イオン像、または反射電子像を形成する。形成した像を表示部10に表示する。
また、試料5にガス銃12から原料ガスを吹き付け、集束イオンビーム3または電子ビーム4を照射することで、ビーム照射領域にデポジション膜を形成することができる。原料ガスはガス源13に収容し、バルブ13aでガス供給を制御する。原料ガスとしては、例えば、フェナントレン、ナフタレンなどのカーボン系ガス、プラチナやタングステンなどの金属を含有する金属化合物ガスなどを用いることができる。また、原料ガスとして、エッチングガスを用いた場合、ビーム照射領域をガス・アシステッド・エッチングすることができる。エッチングガスとしては、例えば、フッ化キセノン、塩素、ヨウ素、三フッ化塩素、一酸化フッ素、水などを用いることが可能である。
(2)垂直配置照射系
また、本実施形態の集束イオンビーム装置は、図2に示すように、集束イオンビーム照射系1と電子ビーム照射系3が試料ステージ6に設置されている試料5の位置で略垂直に交差する構成を備えている。ところで、電子ビームやイオンビームの照射系の対物レンズは試料面に近いほうが、試料にビーム径の小さいビームを照射することができる。そのため、高分解能観察や微細加工を行うためには、照射系を試料に近い位置に配置することが望ましい。しかし、照射系の試料側の先端部は、一般に円錐上になっているため、集束イオンビーム照射系1と電子ビーム照射系2がなす角が小さく、かつ、試料5に近い位置で配置すると照射系同士がぶつかってしまう。そこで、図2のように集束イオンビーム照射系1と電子ビーム照射系2を略垂直に配置することにより、照射系を試料5に近い位置に配置しても照射系同士がぶつかることはない配置を実現している。
また、集束イオンビーム3で形成した試料5の断面に対して、電子ビーム4を断面に対して略垂直に走査照射することができる。略垂直に電子ビーム4を照射することで、高分解能の観察像を取得することができる。また、集束イオンビーム3による断面形成後、試料ステージ6を動作させずに電子ビーム4で断面観察することができるので、断面形成、断面観察を複数回繰り返す断面加工観察プロセスにかかる時間を大幅に短縮することができる。
また、電子ビーム4の照射方向に透過電子検出器16を備えている。これにより、試料5を透過可能な加速電圧で加速させた電子ビーム4を試料5に照射し、透過電子を透過電子検出器16で検出することで試料5の透過電子像を取得することができる。
(3)断面加工観察
次に、本実施形態の断面加工観察方法について説明する。図4は断面加工観察方法を説明する試料5の図であり、図4(a)は試料5の上面図、図4(b)は断面図である。まず、試料5の表面5aに集束イオンビーム3を走査照射して加工領域付近の観察像を取得する。加工領域付近の観察像で断面加工観察を行う領域に加工枠41を設定する。加工領域は試料5の断面5bを含む領域である。断面5bはあらかじめ集束イオンビーム3で形成しても、他の装置で形成してもよい。加工枠41は集束イオンビーム3の照射により取得した観察像上に設定する。集束イオンビーム3の走査は、主走査方向を断面5bと略平行の方向とし、副走査方向を断面5bと略垂直な方向とする。集束イオンビーム3は、主走査方向にライン走査し、次に副走査方向に隣のラインを走査する。
図4(b)に示すように試料5の表面5aと略垂直な方向から集束イオンビーム3eを主走査方向に走査照射する。これにより断面5bの次の断面5cが形成される。断面5cに電子ビーム4bを走査照射して断面5cの観察像を取得する。次に集束イオンビーム3fを走査照射し、次の断面5dを形成する。ここで断面5dに電子ビーム4cを走査照射して断面5dの観察像を取得する。同様に、集束イオンビーム3gを走査照射し、次の断面5eを形成し、断面5eに電子ビーム4dを走査照射して断面5eの観察像を取得する。これを繰り返し実行し、複数の断面の観察像を取得する。
断面と断面の間隔は集束イオンビーム3の副走査方向への送り幅、つまり照射間隔と、電子ビーム4による観察像取得間隔により設定することができる。試料5について微細な観察を行いたい場合、断面と断面の間隔を小さくすることが好ましい。ただし、その場合、観察像取得数が大きくなるため断面加工観察プロセスにかかる時間が大きく、また、観察像を記憶するための記憶装置の容量も大きいものが必要となる。ここで、ビーム送り幅1nmの場合について説明する。
集束イオンビーム3を試料5の表面5aに照射して取得した二次電子像を用いて加工枠41を設定する。この二次電子像の像分解能は10nm程度であり、ビーム送り幅よりも大きい。加工枠41の加工開始側の辺は断面5b上に設定することが好ましいが、実際は図4(a)のように断面5bよりも左側に設定する。ビーム送り幅よりも大きい分解能の観察像で加工枠41を設定するため、正確に加工開始側の辺を断面5b上に設定できないためである。しかし、断面5bよりも左側に加工枠41を設定しても断面5bに達するまで集束イオンビーム3は試料5の表面5aを加工しないので、新たな断面は形成されない。すなわち、集束イオンビーム3を空打ちすることになる。空打ちする場合でも、副走査方向に対して、ビーム送り幅1nm進む毎に、電子ビーム4を断面5aに走査照射し、観察像を取得する。断面5aの加工が始まるまでの間のプロセスは無駄であり、特にビーム送り幅を小さくするほど、この無駄は大きくなる。そこで、本発明では、断面観察開始点を検出することで、集束イオンビーム3の空打ち期間中は電子ビーム4照射による観察像取得を行わないことで、プロセスの無駄な時間を削減する。
加工枠41を設定し、集束イオンビーム3の照射を開始する。図5(a)に示すように、集束イオンビーム3a、3b、3c、3dの順に照射していく。ここで、集束イオンビーム3は、断面5bと略垂直に走査照射してもよし、断面5bと略平行に走査し、3a、3b、3c、3dの順に走査ラインを順次移動させてもよい。さらに、集束イオンビーム3d、3c、3b、3aの順にしてもよく、また、ランダムに照射してもよい。この間、電子ビーム4照射による観察像取得は行わない。図5(b)は輝度信号とビーム照射位置の関係図である。横軸は図5(a)に対応する集束イオンビーム3照射位置で、縦軸は照射位置における輝度51の信号強度である。集束イオンビーム3a、3bの照射では輝度は変化していない。集束イオンビーム3cの照射で輝度は大きくなっている。これは集束イオンビーム3cが、試料5の表面5aと断面5bのなす角に照射されたため、二次電子が多く発生したことによるものである。この集束イオンビーム3の照射による二次電子検出信号の変化を用いて、断面5bの位置を検出する。この方法によればビーム送り幅が集束イオンビーム3の照射による二次電子像の分解能よりも小さくても正確に断面5bの位置を識別することができる。ここで、二次電子の検出信号を用いた場合について説明したが、二次電子の代わりに、試料5から発生する二次イオンやX線、または試料5の材質の粒子の検出信号を用いてもよい。
断面5bの位置検出は処理機構11で処理する。図3は処理機構11の構成図である。集束イオンビーム3a、3b、3c、3d照射で発生した二次電子検出信号とビーム照射位置情報を像形成部9から比較機構22に順次送られる。記憶機構21に集束イオンビーム3a照射の輝度情報を記憶し、比較機構22で集束イオンビーム3b照射の輝度情報と記憶装置21に記憶している集束イオンビーム3a照射の輝度情報を比較する。変化量が基準値以下であれば、集束イオンビーム3b照射の輝度情報を記憶装置21に記憶する。次に、集束イオンビーム3c照射の輝度情報と集束イオンビーム3b照射の輝度情報を比較し、変化量が基準値以上であれば、信号送信機構23からビーム制御部8に観察開始信号を送信する。これにより、断面5bに電子ビーム4aを走査照射し、観察像を取得する。次に集束イオンビーム3eを照射して断面5cを形成し、電子ビーム4bを照射して観察像を取得する。これを繰り返し実行し、複数の断面の観察像を取得する。
(4)三次元像構築
図6(a)に示すように、上記で説明した方法により複数の断面を形成し、その観察像を取得する。取得した観察像とビーム送り幅情報を像記憶部14に記憶する。三次元像形成部15で、記憶した観察像とビーム送り幅情報から複数の観察像を組み合わせで三次元像を構築し、表示部10に表示する。三次元像の構築は、図6(b)に示すように断面5b、5c、5d、5eの観察像60b、60c、60d、60eを、観察像と観察像の間隔が画像のスケールとして、ビーム送り幅程度になるように配置し、観察像を半透明な画像になるように画像処理する。これにより、図6(c)に示すように三次元像61を構築することができる。三次元像61によれば、断面加工観察処理をした領域に含まれる構造物61aを立体的に認識することができる。
(5)集束イオンビーム電流検出
二次電子の検出信号から断面観察開始点を検出する代わりに、集束イオンビーム3のビーム電流信号から断面観察開始点を検出することについて説明する。図7(a)に示すように、試料5を挟んで、集束イオンビーム照射系1に対峙する位置に電流測定器17に接続したファラデーカップ17aを配置する。集束イオンビーム3a、3b、3c、3dの順に照射していく。図7(b)はビーム電流量とビーム照射位置の関係図である。横軸は図7(a)に対応する集束イオンビーム3照射位置で、縦軸は照射位置におけるビーム電流量71の信号強度である。集束イオンビーム3a、3bの照射ではビーム電流量は変化していない。集束イオンビーム3cの照射でビーム電流量は小さくなっている。これは集束イオンビーム3cが、試料5の表面5aと断面5bのなす角に照射されたため、ファラデーカップ17aに到達したビーム電流が減少したためである。この集束イオンビーム3の照射によるビーム電流検出信号の変化を用いて、断面5bの位置を検出する。この方法によればビーム送り幅が集束イオンビーム3の照射による二次電子像の分解能よりも小さくても正確に断面5bの位置を識別することができる。
1…集束イオンビーム照射系
2…電子ビーム照射系
3…集束イオンビーム
4…電子ビーム
5…試料
6…試料ステージ
7a…二次電子検出器
7b…反射電子検出器
7c…X線検出器
8…ビーム制御部
9…像形成部
10…表示部
11…処理機構
12…ガス銃
13…ガス源
13a…バルブ
14…像記憶部
15…三次元像形成部
16…透過電子検出器
17…電流測定器
21…記憶機構
22…比較機構
23…信号送信機構
41…加工枠
51…輝度
60b,c,d,e…観察像
61…三次元像

Claims (13)

  1. 集束イオンビームを照射し試料の断面を除去し次の断面を形成する断面形成工程と、該次の断面に荷電粒子ビームを照射し観察像を取得する観察像取得工程と、を繰り返し実行する断面加工観察方法において、
    前記試料の表面と略垂直な方向から前記集束イオンビームを前記断面付近に走査照射し、前記試料から発生する二次粒子またはX線を検出する検出工程と、
    前記断面に起因する前記二次粒子またはX線の検出信号の変化を検出する信号変化検出工程と、
    前記検出信号の変化を検出した場合に、前記荷電粒子ビームを前記断面に走査照射して断面像を取得し、その後、前記断面形成工程と前記観察像取得工程の繰り返しを実行する断面加工観察方法。
  2. 前記荷電粒子ビームは、電子ビームである請求項1に記載の断面加工観察方法。
  3. 前記荷電粒子ビームは、電界電離型イオン源から放出されたガスイオンビームである請求項1に記載の断面加工観察方法。
  4. 前記集束イオンビームと前記荷電粒子ビームは略垂直に交差する請求項1から3のいずれか一つに記載の断面加工観察方法。
  5. 複数の前記観察像と、前記断面間の距離情報より三次元像を構築する請求項1から4のいずれか一つに記載の断面加工観察方法。
  6. 試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射系と、
    前記試料上の前記集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射系と、
    前記試料に前記集束イオンビームを照射することにより発生する二次粒子を検出する検出器と、
    前記検出器で検出した検出信号が前記試料の断面に起因して変化した場合、前記断面の断面像を取得するための前記荷電粒子ビームの照射を開始する信号を前記荷電粒子ビーム照射系に送信する処理を行う処理機構と、を有する集束イオンビーム装置。
  7. 試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射系と、
    前記試料上の前記集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射系と、
    前記集束イオンビームのビーム電流を測定する電流測定器と、
    前記電流測定器で前記試料の断面に起因する電流信号の変化を検出した場合前記断面の断面像を取得するための前記荷電粒子ビームの照射を開始する信号を前記荷電粒子ビーム照射系に送信する処理を行う処理機構と、を有する集束イオンビーム装置。
  8. 前記処理機構は、
    前記検出器で検出した検出信号を記憶する記憶機構と、
    前記検出器で新たに検出した検出信号と前記記憶機構に記憶した検出信号を比較する比較機構と、
    前記比較機構で比較した値が基準に達した場合、前記荷電粒子ビームの照射を開始する信号を前記荷電粒子ビーム照射系に送信する信号送信機構とを有する請求項6に記載の集束イオンビーム装置。
  9. 前記処理機構は、
    前記電流測定器で検出した検出信号を記憶する記憶機構と、
    前記電流測定器で新たに検出した検出信号と前記記憶機構に記憶した検出信号を比較する比較機構と、
    前記比較機構で比較した値が基準に達した場合、前記荷電粒子ビームの照射を開始する信号を前記荷電粒子ビーム照射系に送信する信号送信機構とを有する請求項7に記載の集束イオンビーム装置。
  10. 前記荷電粒子ビーム照射系は、電子ビーム照射系である請求項6から9のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
  11. 前記荷電粒子ビーム照射系は、電界電離型イオン源を有するガスイオンビーム照射系である請求項6から9のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
  12. 前記集束イオンビーム照射系のビーム軸と前記荷電粒子ビーム照射系のビーム軸とは略垂直に交差する請求項6から11のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
  13. 前記集束イオンビームを照射し形成した断面の観察像を記憶する記憶機構と、
    前記観察像と断面間の距離から三次元像を構築する三次元像構築機構と、を有する請求項6から12のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
JP2010048400A 2010-03-04 2010-03-04 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法 Active JP5603105B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010048400A JP5603105B2 (ja) 2010-03-04 2010-03-04 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010048400A JP5603105B2 (ja) 2010-03-04 2010-03-04 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011187185A JP2011187185A (ja) 2011-09-22
JP5603105B2 true JP5603105B2 (ja) 2014-10-08

Family

ID=44793264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010048400A Active JP5603105B2 (ja) 2010-03-04 2010-03-04 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5603105B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5822642B2 (ja) * 2011-10-18 2015-11-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び試料加工・観察方法
JP6355318B2 (ja) * 2012-11-15 2018-07-11 株式会社日立ハイテクサイエンス 断面加工観察方法及び装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06162987A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Hitachi Ltd 試料処理装置
JP3401426B2 (ja) * 1998-03-23 2003-04-28 日本電子株式会社 Fib−sem装置における試料加工方法およびfib−sem装置
JP4664041B2 (ja) * 2004-10-27 2011-04-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム装置及び試料作製方法
JP5127148B2 (ja) * 2006-03-16 2013-01-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンビーム加工装置
JP2008091221A (ja) * 2006-10-02 2008-04-17 Hitachi High-Tech Science Systems Corp イオンビーム加工装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011187185A (ja) 2011-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5763298B2 (ja) 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法
JP5564299B2 (ja) 試料加工観察方法
TWI442440B (zh) Composite focusing ion beam device and the use of this processing observation method, processing methods
JP2011159483A (ja) 電子顕微鏡及び試料分析方法
JP5101845B2 (ja) 集束イオンビーム装置ならびにそれを用いた試料断面作製方法および薄片試料作製方法
JP2006173017A (ja) 荷電粒子線装置と荷電粒子線顕微方法
US20100288924A1 (en) Composite focused ion beam device, process observation method using the same,and processing method
JP5364049B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置、および試料作成方法
JP6403196B2 (ja) 画像評価方法および荷電粒子ビーム装置
TW201942943A (zh) 帶電粒子束裝置、試料加工觀察方法
JP2001176440A (ja) イオンビーム装置およびオージェマイクロプローブ
US9934938B2 (en) Focused ion beam apparatus, method for observing cross-section of sample by using the same, and storage medium
JP5603105B2 (ja) 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法
US8471202B2 (en) Method for producing a representation of an object by means of a particle beam, as well as a particle beam device for carrying out the method
US20170323763A1 (en) Charged Particle Beam Device
JP2001210263A (ja) 走査電子顕微鏡、そのダイナミックフォーカス制御方法および半導体デバイスの表面および断面形状の把握方法
JP5432028B2 (ja) 集束イオンビーム装置、チップ先端構造検査方法及びチップ先端構造再生方法
JP6433515B2 (ja) ミラーイオン顕微鏡およびイオンビーム制御方法
JP6349429B2 (ja) 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法
JP6114319B2 (ja) 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法
US10204759B2 (en) Composite beam apparatus
JP5952046B2 (ja) 複合荷電粒子ビーム装置
JP5878960B2 (ja) 電子顕微鏡
JP2004253182A (ja) 不良解析装置
US20200312617A1 (en) Charged particle beam apparatus and control method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20121122

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131203

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140203

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140729

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140821

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5603105

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250