JP5598454B2 - 有害物除去装置 - Google Patents
有害物除去装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5598454B2 JP5598454B2 JP2011230445A JP2011230445A JP5598454B2 JP 5598454 B2 JP5598454 B2 JP 5598454B2 JP 2011230445 A JP2011230445 A JP 2011230445A JP 2011230445 A JP2011230445 A JP 2011230445A JP 5598454 B2 JP5598454 B2 JP 5598454B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- harmful substance
- cooling
- harmful
- substance removing
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013056 hazardous product Substances 0.000 title 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 73
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 38
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- -1 phosphorus compound Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 51
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 6
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 6
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
このようなものであれば、落下した有害物によって目詰まりを起こしてガス閉塞が発生するのを抑制でき、掃除の頻度をより低減できるものとなる。
このようなものであれば、ガス導入口から導入された排出ガスを有害物除去装置内でより長く滞留させることができ、有害物をより析出し易くすることができる。
このような、特に化合物半導体の薄膜成長時に使用されるPH3に由来する有害なリンを除去するものであれば、化合物半導体の薄膜成長において本発明を特に有効に適応できる。
上記したように、従来の有害物除去装置では有害物の析出可能量が少なく、一旦冷却水配管の表面(析出表面)全体に有害物が一様に析出してしまうとガス冷却効率が急激に低下し、それ以上有害物が析出しなくなってしまう。そのため、有害物除去装置の掃除を頻繁にしなければならず生産性が低下する原因となっている。
図2は本発明の有害物除去装置の一例を示す概略図である。図2に示すように、有害物除去装置1は冷却室7を有し、この冷却室7には化合物半導体薄膜形成装置10からの排出ガスを冷却室7内に導入するガス導入口3が設けられている。
また、冷却水配管2の周囲には金属メッシュ5が配置されている。この金属メッシュ5は、その少なくとも一部が冷却水配管2に接触しており、冷却水配管2によって金属メッシュ5も冷却されるようになっている。この冷却された冷却水配管2及び金属メッシュ5の表面に排出ガス中の有害物が析出し、排出ガスから有害物が除去される。有害物が除去された後、排出ガスはガス排出口4から除害筒11へと排出される。
また、図2に示すように、冷却室7の下方に貯蔵室8を設け、冷却室7から落下する有害物を貯めることができるように構成することが好ましい。このようにすれば、上記したような有害物の自然落下によって有害物除去効率が低下しにくい状態を保ちつつ、有害物を効率的に貯蔵室8に貯めることができ、排出ガスを系外に出すためのガス排出口4及び除害筒11などが析出する有害物によって目詰まりを起こすのに要する時間を更に大幅に増加させることが可能となる。
また、図2に示すように、多孔板から成る円筒部材6を冷却室内に配置することが好ましい。
このようにすれば、導入された排出ガスの流路を蛇行させて長くし、ガスの流速を遅くすることができる。これにより、排出ガスの有害物除去装置内での滞留時間を長くすることができるので、有害物の析出量をより増加することができる。
或いは、円筒部材の代わりに仕切り板を設けて排出ガスの流路を長くするように構成しても良い。
また、本発明の有害物除去装置は、有害物としてリン系化合物を除去できるものであることが好ましい。このようなものであれば、特に原料ガスとしてPH3を用いる化合物半導体の薄膜成長において本発明を有効に適応できる。
図2に示すような本発明の有害物除去装置を図1に示すように化合物半導体薄膜形成装置の排気ポンプの後段に設置した。ここで、有害物除去装置として、SUS製の冷却水配管に接触するように金属メッシュとしての金属たわしをその周囲に設け、冷却水配管の内側にSUS製の多孔板(パンチングボード)から成る円筒部材を設けたものを用いた。
そして、化合物半導体薄膜形成装置で厚さ200μmのn型GaAs単結晶基板上に、MOVPE法により組成式AlGaInPにて表される化合物にて各々構成されたn型クラッド層(1.0μm)、活性層(0.6μm)、p型クラッド層(1.0μm)をこの順序で積層し、その上面にp型GaP電流拡散層を成長させるエピタキシャル成長を行なった。
このように、本発明の有害物除去装置は有害物の除去効率を向上できることが確認できた。
図4に示す本発明の金属メッシュを有さない従来の有害物除去装置を用いた以外、実施例と同様にエピタキシャル成長を繰り返し行い、実施例と同様に評価した。
その結果を図3に示す。図3に示すように、実施例の結果と比べ、PH3の積算量の増加に伴って冷却効率が著しく低下しており、析出しなくなるまでの間の析出量も少なく、有害物除去装置の清掃をより短期間で行う必要があることが確認できた。
5…金属メッシュ、 6…円筒部材、 7…冷却室、 8…貯蔵室、
10…化合物半導体薄膜形成装置、 11…除害筒、 12…排出ポンプ。
Claims (4)
- 化合物半導体薄膜形成装置から排出されるガスを冷却室内に導入するガス導入口と、前記冷却室内に設けられ、前記導入口から導入される前記排出ガスを冷却する冷却水配管とを有し、前記冷却室内で前記排出ガスを冷却することで析出する有害物を除去可能な有害物除去装置であって、
前記冷却水配管と接触した状態で該冷却水配管の周囲に配置され、金属細線を塊状にした金属メッシュを有するものであることを特徴とする有害物除去装置。 - 前記冷却室の下方に位置し、該冷却室から落下する有害物を貯める貯蔵室を有するものであることを特徴とする請求項1に記載の有害物除去装置。
- 前記冷却室内に配置され、多孔板から成る円筒部材を有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有害物除去装置。
- 前記有害物がリン系化合物であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の有害物除去装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011230445A JP5598454B2 (ja) | 2011-10-20 | 2011-10-20 | 有害物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011230445A JP5598454B2 (ja) | 2011-10-20 | 2011-10-20 | 有害物除去装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013089835A JP2013089835A (ja) | 2013-05-13 |
JP5598454B2 true JP5598454B2 (ja) | 2014-10-01 |
Family
ID=48533441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011230445A Active JP5598454B2 (ja) | 2011-10-20 | 2011-10-20 | 有害物除去装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5598454B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224134A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 気相結晶成長装置 |
JP3651140B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2005-05-25 | ソニー株式会社 | トラップシステム及びこれを用いた半導体成長装置 |
JPH10113532A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | I C Irebun:Kk | 半導体薄膜形成装置の排出ガスの有害物除去装置 |
JP4455719B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2010-04-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | 排ガス濾過装置 |
JP2002118065A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体ガスの処理方法およびフィルタ装置 |
JP2004346378A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2006218374A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Hitachi Cable Ltd | 有機化合物捕集装置 |
WO2008036849A2 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | Applied Materials, Inc. | Particle trap / filter for recirculating a dilution gas in a plasma enhanced chemical vapor deposition system |
-
2011
- 2011-10-20 JP JP2011230445A patent/JP5598454B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013089835A (ja) | 2013-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4092927B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体、iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 | |
US20140227864A1 (en) | Method for Producing Group III Nitride Semiconductor | |
WO2008096168A1 (en) | Production of semiconductor devices | |
JP2011187965A (ja) | 窒化物半導体構造とその製造方法および発光素子 | |
JP4865047B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
EP1668709B1 (en) | Methods for producing a nitride semiconductor product, a light-emitting device, a light-emitting diode, a laser device and a lamp using the nitride semiconductor product | |
JP2015034115A (ja) | 半導体ナノワイヤの製造方法及び光半導体装置の製造方法 | |
JP3940673B2 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法、および窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
US9202976B2 (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same | |
JP2007317752A (ja) | テンプレート基板 | |
JP2006060164A (ja) | 窒化物半導体デバイスおよび窒化物半導体結晶成長方法 | |
JP2008166393A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2007314360A (ja) | テンプレート基板 | |
JP5598454B2 (ja) | 有害物除去装置 | |
JP2008244074A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2009141085A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP5640896B2 (ja) | 気相成長方法及び発光素子用基板の製造方法 | |
JP4844086B2 (ja) | 半導体製造方法及びサテライト | |
JP3288300B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
JP6516482B2 (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 | |
JP2008303136A (ja) | 化合物半導体基板の製造方法 | |
JP4241051B2 (ja) | Iii−v族化合物半導体層の成長方法および半導体発光素子の製造方法 | |
US9595633B2 (en) | Method for producing light-emitting device and method for producing group III nitride semiconductor | |
JPH11103134A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006310886A (ja) | 3−5族化合物半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131021 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140623 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140715 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5598454 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |