JPH06224134A - 気相結晶成長装置 - Google Patents
気相結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH06224134A JPH06224134A JP1216693A JP1216693A JPH06224134A JP H06224134 A JPH06224134 A JP H06224134A JP 1216693 A JP1216693 A JP 1216693A JP 1216693 A JP1216693 A JP 1216693A JP H06224134 A JPH06224134 A JP H06224134A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphorus
- crystal growth
- vapor
- growth apparatus
- phase crystal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リン系の結晶成長を行う気相結晶成長装置に
おいて、メンテナンス時にリン系堆積物の発生を防止
し、安全にメンテナンスを行う。 【構成】 リン系堆積物の付着するところにヒータ６を
設け、堆積物７中に含まれる黄リンを赤リンに変化させ
る。 【効果】 メンテナンス時にリン系堆積物の発火を防止
でき、メンテナンスの安全性が向上する。
おいて、メンテナンス時にリン系堆積物の発生を防止
し、安全にメンテナンスを行う。 【構成】 リン系堆積物の付着するところにヒータ６を
設け、堆積物７中に含まれる黄リンを赤リンに変化させ
る。 【効果】 メンテナンス時にリン系堆積物の発火を防止
でき、メンテナンスの安全性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩｎＰ系化合物半導
体の結晶成長等に用いる気相結晶成長装置に関するもの
である。
体の結晶成長等に用いる気相結晶成長装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の気相結晶成長装置を示す
断面図であり、図において、１は反応管、２は反応管１
の周囲に配置された高周波コイル、３は結晶成長を行う
ウエハ（図示せず）を搭載するサセプタ、４はフラン
ジ、５は排ガス配管、６はリン系堆積物である。
断面図であり、図において、１は反応管、２は反応管１
の周囲に配置された高周波コイル、３は結晶成長を行う
ウエハ（図示せず）を搭載するサセプタ、４はフラン
ジ、５は排ガス配管、６はリン系堆積物である。
【０００３】次に気相結晶成長方法について説明する。
反応管１に導入されたＰＨ3 ，ＡｓＨ3 ，有機金属等の
ガスは、高周波コイル２で加熱されたサセプタ３上にセ
ットされたウエハ（図示せず）上に、ＩｎＰやＧａＡｓ
等の単結晶として析出するが、未反応の上記ガスは反応
管１の壁面，フランジ４，排ガス配管５等で冷却されて
ここに堆積する。原料ガスとしてＰＨ3 を用いると、堆
積物はリンを含んだリン系堆積物となる。
反応管１に導入されたＰＨ3 ，ＡｓＨ3 ，有機金属等の
ガスは、高周波コイル２で加熱されたサセプタ３上にセ
ットされたウエハ（図示せず）上に、ＩｎＰやＧａＡｓ
等の単結晶として析出するが、未反応の上記ガスは反応
管１の壁面，フランジ４，排ガス配管５等で冷却されて
ここに堆積する。原料ガスとしてＰＨ3 を用いると、堆
積物はリンを含んだリン系堆積物となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の気相結晶成長装
置は以上のように構成されているので、原料ガスとして
ＰＨ3 を用いると、リン系堆積物が反応管，フランジ，
排ガス配管等に堆積し、特にリン系堆積物が化学的に活
発な黄リンを含むと、メンテナンス時にこれらの箇所が
空気に触れると自然発火し、危険である等の問題点があ
った。
置は以上のように構成されているので、原料ガスとして
ＰＨ3 を用いると、リン系堆積物が反応管，フランジ，
排ガス配管等に堆積し、特にリン系堆積物が化学的に活
発な黄リンを含むと、メンテナンス時にこれらの箇所が
空気に触れると自然発火し、危険である等の問題点があ
った。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、ＩｎＰ系化合物半導体の結晶
成長時に生じるリン系の堆積物による作業の危険性を低
減することのできる気相結晶成長装置を提供することを
目的とする。
るためになされたもので、ＩｎＰ系化合物半導体の結晶
成長時に生じるリン系の堆積物による作業の危険性を低
減することのできる気相結晶成長装置を提供することを
目的とする。
【０００６】
【問題を解決するための手段】この発明に係る気相結晶
成長装置は、リン系堆積物の堆積する箇所に加熱手段を
配置してリン系堆積物を化学的に安定なものにするよう
にしたものである。
成長装置は、リン系堆積物の堆積する箇所に加熱手段を
配置してリン系堆積物を化学的に安定なものにするよう
にしたものである。
【０００７】また、リン系堆積物の堆積する箇所にリン
系堆積物を加熱して揮発させる加熱揮発手段と、該揮発
したリン系堆積物を捕集する捕集手段を設けたものであ
る。
系堆積物を加熱して揮発させる加熱揮発手段と、該揮発
したリン系堆積物を捕集する捕集手段を設けたものであ
る。
【０００８】
【作用】この発明においては、加熱手段によってリン系
堆積物を加熱し、化学的に活性の高い黄りんを活性の低
い赤リンに変化させることにより、発火が起こりにくく
なる。
堆積物を加熱し、化学的に活性の高い黄りんを活性の低
い赤リンに変化させることにより、発火が起こりにくく
なる。
【０００９】また、加熱揮発手段によってリン系堆積物
を加熱して蒸気圧の高いリン系堆積物を、捕集手段内で
再析出させることにより、リン系堆積物を空気と接触さ
せずに装置のメンテナンスを行うようにしたものであ
る。
を加熱して蒸気圧の高いリン系堆積物を、捕集手段内で
再析出させることにより、リン系堆積物を空気と接触さ
せずに装置のメンテナンスを行うようにしたものであ
る。
【００１０】
【実施例】実施例１．この発明の第１の実施例による気
相結晶成長装置を図について説明する。図１において、
図３と同一符号は同一または相当部分を示し、６は反応
管１の下流からフランジ４さらには排ガス配管５上流に
かけて配置されたヒータ（堆積物加熱手段）である。
相結晶成長装置を図について説明する。図１において、
図３と同一符号は同一または相当部分を示し、６は反応
管１の下流からフランジ４さらには排ガス配管５上流に
かけて配置されたヒータ（堆積物加熱手段）である。
【００１１】次に結晶成長時における上記ヒータの作用
について説明する。反応管１，フランジ４，排ガス配管
５等に付着したリン系堆積物７は、反応管１，フランジ
４，排ガス配管５に設置されたヒータ６により加熱され
る。このとき充分にＰＨ3 のガスを流したまま加熱を行
うと、リン系堆積物７を揮発させることなく、次なる変
化を起こさせることができる。
について説明する。反応管１，フランジ４，排ガス配管
５等に付着したリン系堆積物７は、反応管１，フランジ
４，排ガス配管５に設置されたヒータ６により加熱され
る。このとき充分にＰＨ3 のガスを流したまま加熱を行
うと、リン系堆積物７を揮発させることなく、次なる変
化を起こさせることができる。
【００１２】
【化１】
【００１３】リン系堆積物の黄リンを発火点の高い赤リ
ンに変態させることにより、メンテナンス時（室温）に
リン系堆積物が空気と接触しても発火することはなく、
安全にメンテナンスを行うことができる。
ンに変態させることにより、メンテナンス時（室温）に
リン系堆積物が空気と接触しても発火することはなく、
安全にメンテナンスを行うことができる。
【００１４】このように本実施例によれば、リン系堆積
物７の堆積しやすい部分にヒータ６を配置して堆積物７
を加熱して、発火点が低く発火しやすい黄リンを発火点
の高い赤リンに変化させるようにしたから、メンテナン
ス時に空気に触れても自然発火することがなくなり、作
業の危険性を低減することができる。
物７の堆積しやすい部分にヒータ６を配置して堆積物７
を加熱して、発火点が低く発火しやすい黄リンを発火点
の高い赤リンに変化させるようにしたから、メンテナン
ス時に空気に触れても自然発火することがなくなり、作
業の危険性を低減することができる。
【００１５】実施例２．次に本発明の第２の実施例によ
る気相結晶成長装置について説明する。図２において、
８は排ガス配管５途中に配置されたリントラップ（捕集
手段）、１０，１３はリントラップ８と排ガス配管５と
を接続するための配管継手、９，１１、１２，１４はそ
れぞれ配管継手１０，１３の前後に設けられたバルブで
ある。またヒータ６は本実施例における加熱揮発手段を
構成するものとなっている。
る気相結晶成長装置について説明する。図２において、
８は排ガス配管５途中に配置されたリントラップ（捕集
手段）、１０，１３はリントラップ８と排ガス配管５と
を接続するための配管継手、９，１１、１２，１４はそ
れぞれ配管継手１０，１３の前後に設けられたバルブで
ある。またヒータ６は本実施例における加熱揮発手段を
構成するものとなっている。
【００１６】次に折衝成長時における上記ヒータの作用
について説明する。反応管１，フランジ４，排ガス配管
５等に付着したリン系堆積物７は、反応管１，フランジ
４，排ガス配管５に設置されたヒータ６により加熱され
る。このとき十分にＰＨ3 等のリン系ガスを流さずに
（できれば減圧状態で）加熱を行うと、リン系堆積物７
は揮発し、リントラップ８内に析出する（黄リンの蒸気
圧は１９７℃で１００mmＨｇ）（図２(a) 参照）。リン
トラップ８内には細かいメッシュ状のフィルタを設ける
か、冷却水配管を通す等すれば効果的である（図２(b)
参照）。
について説明する。反応管１，フランジ４，排ガス配管
５等に付着したリン系堆積物７は、反応管１，フランジ
４，排ガス配管５に設置されたヒータ６により加熱され
る。このとき十分にＰＨ3 等のリン系ガスを流さずに
（できれば減圧状態で）加熱を行うと、リン系堆積物７
は揮発し、リントラップ８内に析出する（黄リンの蒸気
圧は１９７℃で１００mmＨｇ）（図２(a) 参照）。リン
トラップ８内には細かいメッシュ状のフィルタを設ける
か、冷却水配管を通す等すれば効果的である（図２(b)
参照）。
【００１７】そして装置のメンテナンス時にはバルブ
９，１１，１２，１４を閉じ、配管継手１０，１３を切
離し、リントラップ８をＮ2 ガス雰囲気のグローブボッ
クス（図示せず）内でクリーニング処理する。
９，１１，１２，１４を閉じ、配管継手１０，１３を切
離し、リントラップ８をＮ2 ガス雰囲気のグローブボッ
クス（図示せず）内でクリーニング処理する。
【００１８】このように本実施例によれば、リン系堆積
物７の堆積しやすい領域にヒータ６を設けてリン系堆積
物７を揮発させ、これを排ガス配管５途中に配置したリ
ントラップ８内に析出させ、メンテナンス時にリントラ
ップ８を成長装置から取り外してクリーニング処理する
ようにしたから、メンテナンス時に黄リンが空気に触れ
て自然発火する危険がなくなり、作業の安全性を高める
ことができる。
物７の堆積しやすい領域にヒータ６を設けてリン系堆積
物７を揮発させ、これを排ガス配管５途中に配置したリ
ントラップ８内に析出させ、メンテナンス時にリントラ
ップ８を成長装置から取り外してクリーニング処理する
ようにしたから、メンテナンス時に黄リンが空気に触れ
て自然発火する危険がなくなり、作業の安全性を高める
ことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る気相結晶
成長装置によれば、反応管，フランジ，排ガス配管部
等、堆積物の発生しやすいところにヒータを設けて堆積
物に含まれる黄リンを赤リンに変化させるようにしたか
ら、あるいはヒータによってリン系堆積物を蒸発させて
これをリントラップ内に捕集するようにしたので、メン
テナンス時にリン系堆積物の自然発火を防止でき、安全
性の向上を図ることができる効果がある。
成長装置によれば、反応管，フランジ，排ガス配管部
等、堆積物の発生しやすいところにヒータを設けて堆積
物に含まれる黄リンを赤リンに変化させるようにしたか
ら、あるいはヒータによってリン系堆積物を蒸発させて
これをリントラップ内に捕集するようにしたので、メン
テナンス時にリン系堆積物の自然発火を防止でき、安全
性の向上を図ることができる効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例による気相結晶成長装
置を示す断面図。
置を示す断面図。
【図２】この発明の第２の実施例を示す気相結晶成長装
置を示す断面図。
置を示す断面図。
【図３】従来の気相結晶成長装置を示す断面図。
１ 反応管 ２ 高周波コイル ３ サセプタ ４ フランジ ５ 排ガス配管 ６ ヒータ ７ リン系堆積物 ８ リントラップ ９ バルブ １０ 配管継手 １１ バルブ １２ バルブ １３ 配管継手 １４ バルブ
Claims (2)
- 【請求項１】 リン系の材料ガスを用いて気相結晶成長
を行う気相結晶成長装置において、 成長管から排ガス配管にかけての通路に堆積したリン系
の堆積物を加熱する加熱手段を設け、 該加熱手段により上記堆積物に含まれる黄リンを赤リン
に変化させるようにしたことを特徴とする気相結晶装
置。 - 【請求項２】 リン系の材料ガスを用いて気相結晶成長
を行う気相結晶成長装置において、 成長管から排ガス配管にかけての通路に堆積したリン系
の堆積物を加熱し、これを揮発させる加熱揮発手段と、 上記排ガス配管途中に着脱自在に配置され、上記揮発し
た堆積物を析出させて捕集する捕集手段とを備えたこと
を特徴とする気相結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1216693A JPH06224134A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 気相結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1216693A JPH06224134A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 気相結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224134A true JPH06224134A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11797857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1216693A Pending JPH06224134A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 気相結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224134A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013089835A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 有害物除去装置 |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP1216693A patent/JPH06224134A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013089835A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 有害物除去装置 |
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