JP5595314B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）におけるパッケージ構造に適用して有効な技術に関する。

日本特開２００２−２２２９１３号公報（特許文献１）または、これに対応する米国特許公開２００２−９６７５５号公報（特許文献２）には、主に同一サイズの半導体チップをパッケージ内に積層して実装する場合において、下層チップのワイヤボンディング完了後に、その上方から、下面にダイボンド用接着剤層を有する上層チップを押し付けることにより、チップの平坦性を確保した積層ダイボンドを実現する技術が開示されている。

日本特開２００１−３０８２６２号公報（特許文献３）または、これに対応する米国特許第６５４５３６５号公報（特許文献４）には、半導体チップをパッケージ内に積層して実装する場合において、下層チップのワイヤボンディング完了後に、ボンディングワイヤとチップ間の短絡等がないように、下層チップの上面に十分な量のダイボンド樹脂を塗布して、上層チップをその上に積層ダイボンドする技術が開示されている。

日本特開２００６−１２８１６９号公報（特許文献５）には、主に同一サイズの半導体チップをパッケージ内に積層して実装する場合において、下層チップのワイヤボンディング完了後に、その上方から、下面にダイボンド用接着剤層を有する上層チップを押し付けることにより、ワイヤと上層チップとの短絡及びワイヤ相互間の短絡を有効に防止する技術が開示されている。すなわち、このダイボンド用接着剤層は、ワイヤが入り込みにくい上半層とワイヤが入り込みやすい下半層から構成されている。

特開２００２−２２２９１３号公報 米国特許公開２００２−９６７５５号公報 特開２００１−３０８２６２号公報 米国特許第６５４５３６５号公報 特開２００６−１２８１６９号公報

一般に、半導体装置の小型化を実現するためには、半導体チップ上に別の半導体チップを積層する構造が有効とされている。本願発明者は、このような積層型の半導体装置において、外部端子となる電極（リード）と、それぞれの半導体チップとを、ワイヤを介して電気的に接続する構成について検討したところ、以下の課題を発見した。すなわち、上段側に配置された半導体チップと電気的に接続されるワイヤの長さは、下段側に配置された半導体チップの厚さの分だけ、下段側に配置された半導体チップと電気的に接続されるワイヤの長さよりも長くなる。この結果、上段の半導体チップに対して行う信号処理（入出力）の速度が、下段の半導体チップに対して行う信号処理（入出力）の速度に比べて、遅くなる。

本願発明は、これらの課題を解決するためになされたものである。

本発明の目的は、信頼性の高い積層型の半導体装置を提供することにある。

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。

すなわち、本願の一つの発明は、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップを対応する機能を有する第１の高周波信号用ボンディングパッド及び第２の高周波信号用ボンディングパッドが相互に近接し、前記第２の半導体チップが上になるように積層したアンテナスイッチモジュール等の半導体装置に於いて、外部端子の内、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドに最も近接した高周波信号用メタル端子と前記第２の高周波信号用ボンディングパッドを第１のボンディングワイヤにより相互接続し、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドと、その他の高周波信号用メタル端子を第２のボンディングワイヤにより相互接続したものである。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。

すなわち、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップを対応する機能を有する第１の高周波信号用ボンディングパッド及び第２の高周波信号用ボンディングパッドが相互に近接し、前記第２の半導体チップが上になるように積層したアンテナスイッチモジュール等の半導体装置に於いて、外部端子の内、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドに最も近接した高周波信号用メタル端子と前記第２の高周波信号用ボンディングパッドを第１のボンディングワイヤにより相互接続し、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドと、その他の高周波信号用メタル端子を第２のボンディングワイヤにより相互接続したので、対応する機能を有するボンディングパッドおよび外部端子間でワイヤの長さが揃うので、両経路の間でインピーダンスのバランスが保持できるメリットがある。

本願の各実施の形態の半導体装置の主要な応用例である携帯電話端末等の回路構成の概要等を説明するための携帯電話端末の回路構成図である。 本願の一実施の形態の半導体装置（基本形態）の一例であるアンテナスイッチモジュールを構成する下側の半導体チップの概略回路構成図である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールを構成する上側の半導体チップの概略回路構成図である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール内における下側の半導体チップの各ボンディングパッドとアンテナスイッチモジュールの外部端子との間の接続関係を示すアンテナスイッチモジュールの上面図（見やすいように上側のチップ等を取り除いている）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール内における主に上側の半導体チップの各ボンディングパッドとアンテナスイッチモジュールの外部端子との間の接続関係を示すアンテナスイッチモジュールの上面図（見やすいように上部の封止樹脂等を取り除いている）である。 図５のアンテナスイッチモジュールのパッケージ上面図である。 図５のアンテナスイッチモジュールのパッケージ下面図である。 図６のアンテナスイッチモジュールのＸ−Ｘ’断面に対応する模式的断面図である。 図８のウエッジボンディング周辺切り出し部Ｒ１の拡大断面図である。 図８のウエッジボンディング周辺切り出し部Ｒ２の拡大断面図である。 図８のボールボンディング周辺切り出し部Ｒ３の拡大断面図である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するためのプロセスブロックフロー図である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中のウエハ断面図（ウエハ準備工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中のウエハ断面図（バックグラインディング工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中のウエハ断面図（ＤＡＦ貼り付け工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中のウエハ等の斜視図（ウエハダイシング工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための図１６に対応する製造工程途中のウエハ断面図（ウエハダイシング工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の半導体チップ等の断面図（下側半導体チップのダイボンディング工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の半導体チップ等の断面図（下側半導体チップのワイヤボンディング工程）である。 図１９のウエッジボンディング周辺切り出し部Ｒ４の拡大断面図である。 図１９のボールボンディング周辺切り出し部Ｒ５の拡大断面図である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の半導体チップ等の断面図（上側半導体チップのダイボンディング工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の半導体チップ等の断面図（上側半導体チップのワイヤボンディング工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の半導体チップ等の断面図（樹脂封止工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の樹脂封止体等の断面図（金属ベースシート剥離工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の樹脂封止体等の断面図（パッケージダイシング工程）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール構造の変形例（同一チップサイズの積層）を説明するための携帯電話端末の回路構成図である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール構造の前記変形例（図２７）を構成する上側の半導体チップの概略回路構成図である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの前記変形例（図２７）における下側の半導体チップの各ボンディングパッドとアンテナスイッチモジュールの外部端子との間の接続関係を示すアンテナスイッチモジュールの上面図（見やすいように上側のチップ等を取り除いている）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの前記変形例（図２７）における、主に上側の半導体チップの各ボンディングパッドとアンテナスイッチモジュールの外部端子との間の接続関係を示すアンテナスイッチモジュールの上面図（見やすいように上部の封止樹脂等を取り除いている）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの前記変形例（図２７）に対応するアンテナスイッチモジュール全体の模式的断面図（基本形態における図８に対応する）である。 図３１のウエッジボンディング周辺切り出し部Ｒ２の拡大断面図である。 図３０のアンテナスイッチモジュール局所切り出し領域Ｒ６の拡大上面図である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールにおけるチップ配置の変形例１（上側チップが下側チップのワイヤにオーバラップしない場合）を示す基本形態の図８に対応する模式的断面図である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールにおけるチップ配置の変形例２（上側チップが下側チップのボンディングパッドの一部にオーバラップする場合）を示す基本形態の図８に対応する模式的断面図である。

〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。

１．以下を含む半導体装置：
（ａ）第１の表側主面および第１の裏側主面を有し、矩形形状の第１の半導体チップ；
（ｂ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に搭載され、第２の表側主面および第２の裏側主面を有し、矩形形状の第２の半導体チップ；
（ｃ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に設けられた第１の高周波信号用ボンディングパッド；
（ｄ）前記第２の半導体チップの前記第２の表側主面上に、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドに近接するように設けられた第２の高周波信号用ボンディングパッド；
（ｅ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に、前記第１の半導体チップの第１の辺に沿って設けられた第１の高周波信号用外部端子；
（ｆ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に設けられた第２の高周波信号用外部端子、
ここで、前記第１の高周波信号用外部端子は、前記第２の高周波信号用外部端子と比較して、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドにより近接しており、前記半導体装置は、更に以下を含む：
（ｇ）前記第２の高周波信号用ボンディングパッドと前記第１の高周波信号用外部端子とを相互接続する第１のボンディングワイヤ；
（ｈ）前記第１の高周波信号用ボンディングパッドと前記第２の高周波信号用外部端子とを相互接続する第２のボンディングワイヤ。

２．前記１項の半導体装置において、前記第２の半導体チップは、前記第１の半導体チップ上であって、平面的に前記第１の表側主面の内部に、第１の接着剤層を介して搭載され、前記第２のボンディングワイヤの一部分は、前記第１の接着剤層内にある。

３．前記１または２項の半導体装置において、更に以下を含む：
（ｉ）前記第１の辺に沿って前記第１の表側主面上に設けられた前記第１の高周波信号用ボンディングパッドを含む第１の高周波信号用ボンディングパッド群；
（ｊ）前記第１の辺に沿った前記第２の半導体チップの第２の辺に沿って、前記第２の表側主面上に設けられ、前記第２の高周波信号用ボンディングパッドを含む第２の高周波信号用ボンディングパッド群。

４．前記３項の半導体装置において、前記第２の半導体チップは、前記第２の辺が前記第１の辺に近接するように、偏心されて搭載されている。

５．前記１から４項のいずれか一つの半導体装置において、更に以下を含む：
（ｋ）前記第１の半導体チップの一つの辺の近傍であって前記第１の表側主面上に設けられた第１の接地用ボンディングパッド；
（ｌ）前記一つの辺に沿った前記第２の半導体チップの他の一つの辺の近傍であって前記第２の表側主面上に設けられた第２の接地用ボンディングパッド。

６．前記１から５項のいずれか一つの半導体装置において、前記第２の高周波信号用ボンディングパッドと前記第１のボンディングワイヤ、および、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドと前記第２のボンディングワイヤは、それぞれスタッドバンプを介して接続されている。

７．前記２から６項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の接着剤層の厚さは、前記スタッドバンプの高さと前記ワイヤ径の和よりも大きい。

８．前記６または７項の半導体装置において、前記スタッドバンプの高さ、前記第２のボンディングワイヤの径、および、前記第２の半導体チップの前記第２の裏側主面と前記第２のボンディングワイヤの側面上端との距離は、それぞれほぼ等しい。

９．前記１から８項のいずれか一つの半導体装置において、更に以下を含む：
（ｍ）前記第１の半導体チップ、前記第２の半導体チップ、前記第１の高周波信号用外部端子、前記第２の高周波信号用外部端子、前記第１のボンディングワイヤ、および前記第２のボンディングワイヤを一体に封止する封止樹脂体；
（ｎ）前記第１の半導体チップの前記第１の裏側主面を覆う第２の接着剤層、
ここで、前記第２の接着剤層の下面は、前記封止樹脂体の下面から露出している。

１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１のボンディングワイヤ、および前記第２のボンディングワイヤは、それぞれ逆ボンディング方式によりボンディングされている。

１１．前記１から１０項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、それぞれアンテナスイッチを内蔵している。

１２．前記１から１１項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の高周波信号用ボンディングパッド群および前記第２の高周波信号用ボンディングパッド群を構成する各高周波信号用ボンディングパッドは、アンテナ経由高周波信号用ボンディングパッドである。

１３．前記１２項の半導体装置において、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドおよび前記第２の高周波信号用ボンディングパッドは、同一周波数帯域のアンテナ経由高周波信号用ボンディングパッドである。

１４．前記９から１３項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の接着剤層および前記第２の接着剤層は、それぞれＤＡＦ部材である。

１５．前記９から１４項のいずれか一つの半導体装置において、前記半導体装置のパッケージ形式は、ＰＬＰ方式である。

１６．前記１および５から１５項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、ほぼ同じ大きさで、それらの各辺がほぼ一致するように搭載されている。

１７．前記１６項の半導体装置において、前記第１のボンディングワイヤは、前記第１の高周波信号用外部端子の前記第２の高周波信号用ボンディングパッドに近い側にボンディングされており、前記第２のボンディングワイヤは、前記第２の高周波信号用外部端子の前記第１の高周波信号用ボンディングパッドに近い側にボンディングされている。

１８．前記５から１７項のいずれか一つの半導体装置において、前記一つの辺および前記他の一つの辺は、それぞれ前記第１の辺及び前記第２の辺とは異なる辺である。

１９．前記１から１８項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の高周波信号用外部端子は、入力端子又は出力端子のいずれか一方の機能を有し、前記第２の高周波信号用外部端子は、前記一方の機能と同じ機能を有する。

２０．前記９から１９項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の接着剤層は、前記第２の接着剤層よりも厚い。

２１．以下を含む半導体装置：
（ａ）第１の表側主面および第１の裏側主面を有し、矩形形状の第１の半導体チップ；
（ｂ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に搭載され、第２の表側主面および第２の裏側主面を有し、矩形形状の第２の半導体チップ；
（ｃ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に設けられた第１の高周波信号用ボンディングパッド；
（ｄ）前記第２の半導体チップの前記第２の表側主面上に設けられた第２の高周波信号用ボンディングパッド；
（ｅ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に、前記第１の半導体チップの第１の辺に沿って設けられた第１の高周波信号用外部端子；
（ｆ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に設けられた第２の高周波信号用外部端子、
ここで、前記第１の高周波信号用外部端子は、前記第２の高周波信号用外部端子と比較して、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドにより近接しており、前記半導体装置は、更に以下を含む：
（ｇ）前記第２の高周波信号用ボンディングパッドと前記第１の高周波信号用外部端子とを相互接続する第１のボンディングワイヤ；
（ｈ）前記第１の高周波信号用ボンディングパッドと前記第２の高周波信号用外部端子とを相互接続する第２のボンディングワイヤ。

次に、本願において開示される発明のその他の実施の形態について概要を説明する。

１．以下を含む半導体装置：
（ａ）第１の表側主面および第１の裏側主面を有し、矩形形状の第１の半導体チップ；
（ｂ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に搭載され、第２の表側主面および第２の裏側主面を有し、矩形形状の第２の半導体チップ；
（ｃ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に、その第１の辺に沿って設けられ、第１の高周波信号用ボンディングパッドを含む第１の高周波信号用ボンディングパッド群；
（ｄ）前記第１の辺に沿った前記第２の半導体チップの第２の辺に沿って、前記第２の半導体チップの前記第２の表側主面上に、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドに近接するように設けられ、第２の高周波信号用ボンディングパッドを含む第２の高周波信号用ボンディングパッド群；
（ｅ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に、前記第１の辺に沿って設けられ、第１の高周波信号用外部端子および第２の高周波信号用外部端子を含む高周波信号用外部端子群、
ここで、前記第１の高周波信号用外部端子は、前記高周波信号用外部端子群の中で前記第１の高周波信号用ボンディングパッドに最も近接しており、前記半導体装置は、更に以下を含む：
（ｆ）前記第２の高周波信号用ボンディングパッドと前記第１の高周波信号用外部端子とを相互接続する第１のボンディングワイヤ；
（ｇ）前記第１の高周波信号用ボンディングパッドと前記第２の高周波信号用外部端子とを相互接続する第２のボンディングワイヤ。

２．前記１項の半導体装置において、前記第２の半導体チップは、前記第１の半導体チップ上であって、平面的に前記第１の表側主面の内部に、第１の接着剤層を介して搭載され、前記第２のボンディングワイヤの一部分は、前記第１の接着剤層内にある。

３．前記１または２項の半導体装置において、前記第２の半導体チップは、前記第２の辺が前記第１の辺に近接するように、偏心されて搭載されている。

４．前記１項の半導体装置において、前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、ほぼ同じ大きさで、それらの各辺がほぼ一致するように搭載されている。

５．前記４項の半導体装置において、前記第１のボンディングワイヤは、前記第１の高周波信号用外部端子の前記第２の高周波信号用ボンディングパッドに近い側にボンディングされており、前記第２のボンディングワイヤは、前記第２の高周波信号用外部端子の前記第１の高周波信号用ボンディングパッドに近い側にボンディングされている。

６．前記１から５項のいずれか一つの半導体装置において、更に以下を含む：
（ｈ）前記第１の半導体チップの一つの辺の近傍であって前記第１の表側主面上に設けられた第１の接地用ボンディングパッド；
（ｉ）前記一つの辺に沿った前記第２の半導体チップの他の一つの辺の近傍であって前記第２の表側主面上に設けられた第２の接地用ボンディングパッド。

７．前記１から６項のいずれか一つの半導体装置において、前記第２の高周波信号用ボンディングパッドと前記第１のボンディングワイヤ、および、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドと前記第２のボンディングワイヤは、それぞれスタッドバンプを介して接続されている。

８．前記２から７項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の接着剤層の厚さは、前記スタッドバンプの高さと前記ワイヤ径の和よりも大きい。

９．前記７または８項の半導体装置において、前記スタッドバンプの高さ、前記第２のボンディングワイヤの径、および、前記第２の半導体チップの前記第２の裏側主面と前記第２のボンディングワイヤの側面上端との距離は、それぞれほぼ等しい。

１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体装置において、更に以下を含む：
（ｊ）前記第１の半導体チップ、前記第２の半導体チップ、前記第１の高周波信号用外部端子、前記第２の高周波信号用外部端子、前記第１のボンディングワイヤ、および前記第２のボンディングワイヤを一体に封止する封止樹脂体；
（ｋ）前記第１の半導体チップの前記第１の裏側主面を覆う第２の接着剤層、
ここで、前記第２の接着剤層の下面は、前記封止樹脂体の下面から露出している。

１１．前記１から１０項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１のボンディングワイヤ、および前記第２のボンディングワイヤは、それぞれ逆ボンディング方式によりボンディングされている。

１２．前記１から１１項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、それぞれアンテナスイッチを内蔵している。

１３．前記１から１２項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の高周波信号用ボンディングパッド群および前記第２の高周波信号用ボンディングパッド群を構成する各高周波信号用ボンディングパッドは、アンテナ経由高周波信号用ボンディングパッドである。

１４．前記１３項の半導体装置において、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドおよび前記第２の高周波信号用ボンディングパッドは、同一周波数帯域のアンテナ経由高周波信号用ボンディングパッドである。

１５．前記１０から１４項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の接着剤層および前記第２の接着剤層は、それぞれＤＡＦ部材である。

１６．前記１０から１５項のいずれか一つの半導体装置において、前記半導体装置のパッケージ形式は、ＰＬＰ方式である。

１７．前記６から１６項のいずれか一つの半導体装置において、前記一つの辺および前記他の一つの辺は、それぞれ前記第１の辺及び前記第２の辺とは異なる辺である。

１８．前記１から１７項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の高周波信号用外部端子は、入力端子又は出力端子のいずれか一方の機能を有し、前記第２の高周波信号用外部端子は、前記一方の機能と同じ機能を有する。

１９．前記１０から１８項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の接着剤層は、前記第２の接着剤層よりも厚い。

次に、本願において開示される発明の更にその他の実施の形態について概要を説明する。

１．以下を含む半導体装置：
（ａ）第１の表側主面および第１の裏側主面を有し、矩形形状の第１の半導体チップ；
（ｂ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に搭載され、第２の表側主面および第２の裏側主面を有し、矩形形状の第２の半導体チップ；
（ｃ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に設けられた第１の信号用ボンディングパッド；
（ｄ）前記第２の半導体チップの前記第２の表側主面上に、前記第１の信号用ボンディングパッドに近接するように設けられた第２の信号用ボンディングパッド；
（ｅ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に、前記第１の半導体チップの第１の辺に沿って設けられた第１の信号用外部端子；
（ｆ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に設けられた第２の信号用外部端子、
ここで、前記第１の信号用外部端子は、前記第２の信号用外部端子と比較して、前記第１の信号用ボンディングパッドにより近接しており、前記半導体装置は、更に以下を含む：
（ｇ）前記第２の信号用ボンディングパッドと前記第１の信号用外部端子とを相互接続する第１のボンディングワイヤ；
（ｈ）前記第１の信号用ボンディングパッドと前記第２の信号用外部端子とを相互接続する第２のボンディングワイヤ。

２．前記１項の半導体装置において、前記第２の半導体チップは、前記第１の半導体チップ上であって、平面的に前記第１の表側主面の内部に、第１の接着剤層を介して搭載され、前記第２のボンディングワイヤの一部分は、前記第１の接着剤層内にある。

３．前記１または２項の半導体装置において、更に以下を含む：
（ｉ）前記第１の辺に沿って前記第１の表側主面上に設けられた前記第１の信号用ボンディングパッドを含む第１の信号用ボンディングパッド群；
（ｊ）前記第１の辺に沿った前記第２の半導体チップの第２の辺に沿って、前記第２の表側主面上に設けられ、前記第２の信号用ボンディングパッドを含む第２の信号用ボンディングパッド群。

４．前記３項の半導体装置において、前記第２の半導体チップは、前記第２の辺が前記第１の辺に近接するように、偏心されて搭載されている。

５．前記１から４項のいずれか一つの半導体装置において、更に以下を含む：
（ｋ）前記第１の半導体チップの一つの辺の近傍であって前記第１の表側主面上に設けられた第１の接地用ボンディングパッド；
（ｌ）前記一つの辺に沿った前記第２の半導体チップの他の一つの辺の近傍であって前記第２の表側主面上に設けられた第２の接地用ボンディングパッド。

６．前記１から５項のいずれか一つの半導体装置において、前記第２の信号用ボンディングパッドと前記第１のボンディングワイヤ、および、前記第１の信号用ボンディングパッドと前記第２のボンディングワイヤは、それぞれスタッドバンプを介して接続されている。

７．前記２から６項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の接着剤層の厚さは、前記スタッドバンプの高さと前記ワイヤ径の和よりも大きい。

８．前記６または７項の半導体装置において、前記スタッドバンプの高さ、前記第２のボンディングワイヤの径、および、前記第２の半導体チップの前記第２の裏側主面と前記第２のボンディングワイヤの側面上端との距離は、それぞれほぼ等しい。

９．前記１から８項のいずれか一つの半導体装置において、更に以下を含む：
（ｍ）前記第１の半導体チップ、前記第２の半導体チップ、前記第１の信号用外部端子、前記第２の信号用外部端子、前記第１のボンディングワイヤ、および前記第２のボンディングワイヤを一体に封止する封止樹脂体；
（ｎ）前記第１の半導体チップの前記第１の裏側主面を覆う第２の接着剤層、
ここで、前記第２の接着剤層の下面は、前記封止樹脂体の下面から露出している。

１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１のボンディングワイヤ、および前記第２のボンディングワイヤは、それぞれ逆ボンディング方式によりボンディングされている。

１１．前記１から１０項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、それぞれアンテナスイッチを内蔵している。

１２．前記１から１１項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の信号用ボンディングパッド群および前記第２の信号用ボンディングパッド群を構成する各信号用ボンディングパッドは、アンテナ経由信号用ボンディングパッドである。

１３．前記１２項の半導体装置において、前記第１の信号用ボンディングパッドおよび前記第２の信号用ボンディングパッドは、同一周波数帯域のアンテナ経由信号用ボンディングパッドである。

１４．前記９から１３項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の接着剤層および前記第２の接着剤層は、それぞれＤＡＦ部材である。

１５．前記９から１４項のいずれか一つの半導体装置において、前記半導体装置のパッケージ形式は、ＰＬＰ方式である。

１６．前記１および５から１５項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、ほぼ同じ大きさで、それらの各辺がほぼ一致するように搭載されている。

１７．前記１６項の半導体装置において、前記第１のボンディングワイヤは、前記第１の信号用外部端子の前記第２の信号用ボンディングパッドに近い側にボンディングされており、前記第２のボンディングワイヤは、前記第２の信号用外部端子の前記第１の信号用ボンディングパッドに近い側にボンディングされている。

１８．前記５から１７項のいずれか一つの半導体装置において、前記一つの辺および前記他の一つの辺は、それぞれ前記第１の辺及び前記第２の辺とは異なる辺である。

１９．前記１から１８項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の信号用外部端子は、入力端子又は出力端子のいずれか一方の機能を有し、前記第２の信号用外部端子は、前記一方の機能と同じ機能を有する。

２０．前記９から１９項のいずれか一つの半導体装置において、前記第１の接着剤層は、前記第２の接着剤層よりも厚い。

〔本願における記載形式、基本的用語、用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。

更に、本願において、「半導体装置」または「半導体集積回路装置」というときは、主に、単一チップのもの、および複数チップからなるものを含み、半導体チップ等が基材（リードフレーム、金属板、金属基体、絶縁フィルム、樹脂基体、セラミック基体等）上に搭載されたもの、または、半導体チップ等が保持部材（封止樹脂体、セラミック筐体、樹脂筐体、金属筐体等）によって一体に保持されたものをいう。なお、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）、マルチチップモジュール等を含むことはいうまでもない。ここで、半導体チップとは、各種トランジスタ（能動素子）単体、および、それらを中心に、抵抗、コンデンサ等を半導体チップ等（たとえば単結晶シリコン基板）上に集積したもの（複数の半導体チップ等をパッケージに集積したモジュール等を含む）をいう。また、主にシリコン系半導体チップにおける各種トランジスタの代表的なものとしては、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に代表されるＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を例示することができる。このとき、集積回路構成の代表的なものとしては、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを組み合わせたＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型集積回路に代表されるＣＭＩＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型集積回路を例示することができる。

更に、主に化合物系半導体チップにおける各種トランジスタの代表的なものとしては、ＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等がある。

２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかに、そうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。同様に、「酸化シリコン膜」、「酸化シリコン系絶縁膜」等と言っても、比較的純粋な非ドープ酸化シリコン(Undoped Silicon Dioxide)だけでなく、FSG（Fluorosilicate Glass）、TEOSベース酸化シリコン(TEOS-based silicon oxide)、SiOC(Silicon Oxicarbide)またはカーボンドープ酸化シリコン(Carbon-doped Silicon oxide)またはOSG(Organosilicate glass)、PSG(Phosphorus Silicate Glass)、BPSG(Borophosphosilicate Glass)等の熱酸化膜、CVD酸化膜、SOG(Spin ON Glass)、ナノクラスタリングシリカ（Nano-Clustering Silica:NCS）等の塗布系酸化シリコン、これらと同様な部材に空孔を導入したシリカ系Low-k絶縁膜（ポーラス系絶縁膜）、およびこれらを主要な構成要素とする他のシリコン系絶縁膜との複合膜等を含むことは言うまでもない。

また、酸化シリコン系絶縁膜と並んで、半導体分野で常用されているシリコン系絶縁膜としては、窒化シリコン系絶縁膜がある。この系統の属する材料としては、ＳｉＮ，ＳｉＣＮ，ＳｉＮＨ，ＳｉＣＮＨ等がある。ここで、「窒化シリコン」というときは、特にそうでない旨明示したときを除き、ＳｉＮおよびＳｉＮＨの両方を含む。同様に、「ＳｉＣＮ」というときは、特にそうでない旨明示したときを除き、ＳｉＣＮおよびＳｉＣＮＨの両方を含む。

３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。

４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。

５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、ＳＯＩ基板、ＬＣＤガラス基板等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。

また、「半導体チップ」、「集積回路チップ」、「チップ」等というときは、半導体基板や絶縁基板上に形成された単体、集積回路を指す。現在汎用されている半導体チップは、「シリコン系半導体チップ」と「化合物系半導体チップ」に分類される。「化合物系半導体チップ」に対応する半導体の典型的な例は、ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＡｌＧａＡｓ，ＳｉＣ，ＩｎＳｂ，ＩｎＰ等（これらの複合基板を含む）である。一方、シリコン系半導体チップに対応する半導体の典型的な例は、単結晶シリコン基板、エピタキシャルシリコン基板等の上に作られたものである。なお、本願においては、ＳｉＧｅ系デバイス（厳密には化合物半導体であるが）は、シリコン基板上に集積される場合が多いので、便宜上、単体ＳｉＧｅ系デバイスおよびシリコン系半導体基板上に集積されたものを含めて「シリコン系」に分類する。

６．本願の実施の形態で主に取り扱うパッケージ形態は、通常、ＰＬＰ（Ｐｌａｔｉｎｇ Ｌｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅ）方式と呼ばれる。

更に、本願の実施の形態で例示する化合物系半導体チップは、たとえば携帯電話等に使用される高周波アンテナスイッチであり、シリコン系半導体チップは、たとえば、その制御チップ（高周波アンテナスイッチの制御機能を有するチップ）である。

また、本願において、チップ、パッケージ、リード、外部端子及びその部分について、「上面」または「表面」、「下面」または「裏面」というときは、特にそうでない旨明示する場合を除き、リードフレームに関して、チップがある側の面を空間の方向に係らず、「上面」または「表面」と呼び、その反対側の面を「下面」または「裏面」と呼ぶ。

なお、ワイヤボンディングは、通常、キャピラリ等のボンディングツールを用いて、加熱、ボンディング加圧および超音波振動をほぼ同時に印加するサーモソニック（Ｔｈｅｒｍｏｓｏｎｉｃ）方式によって、実行されるが、本願においては、チップ＆リード間をボンディングする場合、第１ボンディング点をチップ側とし、第２ボンディング点を接続リード側とするものを「順方向ボンディング」と呼び、その逆を「逆方向ボンディング」と呼ぶ。また、２チップ間をボンディングする場合、第１ボンディング点をチップＡ側とし、第２ボンディング点をチップＢ側とするものを「チップＡに関する順方向ボンディング」と呼び、その逆を「チップＡに関する逆方向ボンディング」と呼ぶ。

なお、逆方向ボンディングにおいては、一般に、第１ボンディング点では、ボール直上のワイヤ方向はほぼ鉛直方向（すなわち、ワイヤと水辺面のなす角度は９０度に近い）であり、第２ボンディング点においては、ワイヤの方向は水平面に近い角度か、比較的浅い傾きを持つ（すなわち、ワイヤと水辺面のなす角度は９０度よりも小さい）。

ここで、本願に於いては、主に逆方向ボンディングの例を中心に説明するが、順方向ボンディングを全体に又は一部に使用してもよい。逆方向ボンディングの方が、ワイヤ高さが低くなるメリットがあるが、チップ同士を連結する場合は、いずれか一方は、順方向ボンディングとなる。なお、このような場合、上側チップに関する逆方向ボンディングとすると、ワイヤ高さが低くなるメリットを享有できる。

また、本願においては、半導体チップをダイパッド上に配置（搭載）することを「間接ダイボンディング」と呼び、ダイパッド外にボンディングすることを「直接ダイボンディング」と呼ぶことにする。

なお、本願に於いては、チップの裏面に介在させる接着剤層として、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を用いた例を主に説明する。ここで、ＤＡＦとは、ダイボンディング前にすでに貼られてい居る接着剤層のことで、通常は、ウエハ段階で貼り付けされ、ダイシングのときにウエハとともに個々のチップに分割される。なお、もちろんＤＡＦを使用しないダイボンディングも可能であるが、ＤＡＦを使用すると工程が簡単になる等のメリットがある。

７．本願に於いて、ボンディングパッド、外部端子等に於いて、「高周波信号用」というときは、携帯電話（一般に移動体通信）の受信または発振周波数の内の低い方の周波数程度または、それよりも高い周波数の領域を指すものとする。

８．「ダイシング」とは、ウエハをここのチップに分割することで、「ペレタイズ」とも言う。ブレードによるものだけでなく、レーザによるもの（熱溶断方式、２光子吸収により変質層を形成するものを含む）も含む。

９．「ＭＡＰ(Mold Array Process)方式」とは、配線基板（ガラス・エポキシ配線基板、フレキシブル配線基板等の印刷回路基板、およびポリイミド粘着テープ等の上にリードフレームを貼り付けたテープバックアップリードフレーム等を含む）や金属板などの主面上の多数の単位デバイス領域のそれぞれに半導体チップ（単数又は複数）を固着して、これらの多数の単位デバイス領域を一括してレジンで封止した後、ダイシングして個々の単位デバイス領域（半導体素子）に分割するパッケージ方式を言う。印刷回路基板を使用する場合は、配線基板ごと分割する。テープバックアップリードフレームの場合は、封止後にテープを剥がして、粘着剤を除去した後に、必要なリードメッキ等をした後に分割する。金属板の場合も、封止後に金属板を剥離した後、分割する。

１０．「電鋳（Ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ）パッケージ」とは、金属板上に電鋳（電気メッキの一種）によりリード電極、タブ電極（アイランド部またはダイパッド部）等を形成して、チップボンディング、ワイヤボンディング、レジン封止等の後、デバイス部分（単一又は複数の単位デバイス領域）と金属板を分離することによって製造されるパッケージである。以下の実施の形態は、主に金属板を用いたＭＡＰ方式の電鋳パッケージについて説明する。電鋳パッケージの一つのメリットは、配線基板等を使用しない分、高さを稼げるところにある。電鋳パッケージ方式は、電気メッキによってリード（外部端子）を形成するので、ＰＬＰ（ＰｌａｔｉｎｇＬｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅ）方式とも呼ばれる。

「ＭＡＰ方式の電鋳パッケージプロセス」では、金属板上に電鋳によりリード電極等を形成して、チップボンディング、ワイヤボンディング、レジン封止等をすることで、半導体チップ、ボンディングワイヤ、およびリード電極等をレジンで封止した「レジン封止体」と金属板とを含む「金属板レジン封止体複合体」（中間生産物）を製造した後、金属板を剥がすことで、分離されたレジン封止体を得る。ここで、「金属板」は、通常、ほぼ無垢の金属板（必要な表面処理をしたものを含む）であるが、メッキ面と反対側の主面に有機樹脂テープ（コーティング含む）を貼り付ける等の補強処理をしてもよい。

ＭＡＰ方式の電鋳パッケージプロセスの一つのメリットは、リード等がタイバー等と一体に形成されていないため、ダイシングが容易である点（樹脂とメタルを同時に切断しないで済む）にある。テープバックアップリードフレーム方式のように、粘着テープを使用しないので、剥がした後の粘着剤汚染を除去する必要がない。また、封止処理の下面である基板（金属板）が剛性の小さい樹脂ではなく、剛性の大きい金属板のため、樹脂バリが出にくい、また、ワイヤボンディングにおける超音波の効果が損なわれない等のメリットがある。また、樹脂シートのたわみによるパッケージ下面の平坦性低下等の回避も可能である。

〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。

また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。

１．本願の各実施の形態の半導体装置の主要な応用例である携帯電話端末等の回路構成の概要説明（主に図１）
ここでは、本願の各実施の形態の半導体装置の主要な応用例である携帯電話端末を例に取り具体的に説明するが、応用分野は、これに限らず、一般の移動体通信、その他、高周波を扱う電子装置に適用できることは言うまでもない。

図１は本願の各実施の形態の半導体装置の主要な応用例である携帯電話端末等の回路構成の概要等を説明するための携帯電話端末の回路構成図である。これに基づいて、本願の各実施の形態の半導体装置の主要な応用例である携帯電話端末等の回路構成の概要を説明する。

図１に示すように、携帯電話端末は、単一又は複数のアンテナＡＮＴ、送受信や周波数帯等を切り替えるアンテナスイッチモジュールＳＷＭ、主に高周波信号のアナログ処理等を行う高周波信号処理チップＲＦＩＣ、ベースバンドにおける通信信号処理を行うベースバンド回路ＢＢ、スピーカＳＰ、液晶ディスプレイ＆入力キーＬＣＤ、マイクロフォンＭＰ、および、これらのためのインターフェース回路ＩＦ等から構成されている。これらの内、高周波信号処理チップＲＦＩＣは、通常、シリコン系半導体集積回路チップで構成されており、一方、アンテナスイッチモジュールＳＷＭを構成する第１の半導体チップ２ａおよび第２の半導体チップ２ｂは、通常、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓ等の化合物系半導体集積回路チップ（化合物系半導体チップ）で構成されている。一般的に、アンテナスイッチモジュールＳＷＭと高周波信号処理チップＲＦＩＣは、単一の高周波モジュールＲＦＭを構成しており、本願発明の各実施の形態の半導体装置は、このうちのアンテナスイッチモジュールＳＷＭを主な対象としている。

なお、具体的に例示するとすれば、たとえば第１の半導体チップ２ａは、８００ＭＨｚから１ＧＨｚ等の低周波数帯域、および１．７ＧＨｚから２．２ＧＨｚ等の高周波数帯域のＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ）およびＰＣＮ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）等の移動体通信プロトコルをカバーしており、第２の半導体チップ２ｂは、８００ＭＨｚから１ＧＨｚ等の低周波数帯域等のＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）等の移動体通信プロトコルをカバーしている。

２．本願の一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール構造等の説明（主に図２から図１１）
ここでは、アンテナスイッチモジュールを例にとり、本願発明の実施の形態を説明するが、本願発明は、それに限定されるものではなく、半導体チップを関そうする場合に、ワイヤの長さをそろえる必要のある技術分野に広く適用できることは言うまでもない。

本願で主に説明するパッケージ形状は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）であるが、他のパッケージ形状にも適用できることは言うまでもない。

図２は本願の一実施の形態の半導体装置（基本形態）の一例であるアンテナスイッチモジュールを構成する下側の半導体チップの概略回路構成図である。図３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールを構成する上側の半導体チップの概略回路構成図である。図４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール内における下側の半導体チップの各ボンディングパッドとアンテナスイッチモジュールの外部端子との間の接続関係を示すアンテナスイッチモジュールの上面図（見やすいように上側のチップ等を取り除いている）である。図５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール内における主に上側の半導体チップの各ボンディングパッドとアンテナスイッチモジュールの外部端子との間の接続関係を示すアンテナスイッチモジュールの上面図（見やすいように上部の封止樹脂等を取り除いている）である。図６は図５のアンテナスイッチモジュールのパッケージ上面図である。図７は図５のアンテナスイッチモジュールのパッケージ下面図である。図８は図６のアンテナスイッチモジュールのＸ−Ｘ’断面に対応する模式的断面図である。図９は図８のウエッジボンディング周辺切り出し部Ｒ１の拡大断面図である。図１０は図８のウエッジボンディング周辺切り出し部Ｒ２の拡大断面図である。図１１は図８のボールボンディング周辺切り出し部Ｒ３の拡大断面図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール構造等を説明する。

まず、アンテナスイッチモジュールＳＷＭ、すなわち本願の一実施の形態の半導体装置の一例である半導体パッケージ１０の概略の構造を図６、図７及び図８から図１１により説明する。図６、図７及び図８からわかるように、半導体パッケージ１０は、比較的薄い直方体構造（たとえば１．５ミリメートル角、厚さ０．５ミリメートル程度）をしており、平面的に見ると比較的正方形に近い矩形形状（ほぼ正方形又は長方形）である。

図６又は図７に示すように、レジン封止体９の上面９ａには、特に何も露出していないのに対して、レジン封止体９の下面９ｂの中央部には、通常厚さのダイアタッチフィルム（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）３ａすなわち下側の半導体チップ２ａ（第１の半導体チップ）の下側の半導体チップの裏側主面２ａｂ（第１の裏側主面）の第２の接着剤層３ａ（図８）が露出している。このダイアタッチフィルム３ａの周辺には、複数のメタル端子５が露出している。なお、ダイアタッチフィルム３ａの材料としては、たとえば、封止レジンと比較的材質が類似しているカーボランダム等の着色剤を含有したエポキシ系接着剤が望ましい。

次に、図６のＸ−Ｘ’断面を模式的に図８に示す。図８に示すように、レジン封止体９の下面９ｂ部には、ダイアタッチフィルム３ａ、複数のメタル端子５があり、ダイアタッチフィルム３ａ上には、下側の半導体チップ２ａ（第１の半導体チップ）がある（たとえば、ＧａＡｓ系の化合物半導体チップであり、寸法は、たとえば、０．８ミリメートル角、厚さ０．１ミリメートル程度）。下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａ（第１の表側主面）には、厚膜ダイアタッチフィルム３ｂ（第１の接着剤層）を介して、上側の半導体チップ２ｂ（第２の半導体チップ）が、その裏側主面２ｂｂ（第２の裏側主面）がダイアタッチフィルム３ｂに接するように、搭載されている。上側の半導体チップ２ｂ（たとえば、ＧａＡｓ系の化合物半導体チップであり、寸法は、たとえば、０．４ミリメートル角、厚さ０．１ミリメートル程度）の表側主面２ｂａ（第２の表側主面）上には、たとえば金ボンディングパッド等の複数のボンディングパッド８（図９）が設けられており、これらのボンディングパッド８は、メタル端子５との間で、金スタッドバンプ７等を介して、ボンディングワイヤ６（例えば、径が２０マイクロメートル程度の金ボンディングワイヤ）によって、逆方向ボンディングされている。すなわち、図９から図１１に示すように、メタル端子５側が、ボールボンディング部６ｂ（第１ボンディング部）となっており、ボンディングパッド８側が、ウエッジボンディング部６ｗ（第２ボンディング部）となっている。

同様に、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａにも、たとえば金ボンディングパッド等の複数のボンディングパッド８（図１０）が設けられており、これらのボンディングパッド８は、金スタッドバンプ７等を介して、ボンディングワイヤ６（例えば、径ＷＤが２０マイクロメートル程度の金ボンディングワイヤ）によって、メタル端子５との間で逆方向ボンディングされている。ここで、図１０におけるボンディングワイヤ６の上下のスペースの典型的な距離を例示すると、水平部ワイヤ下面高さＷＨ（スタッドバンプ高さ）は、たとえば２０マイクロメートル程度、下側チップのワイヤの側面上端と上側チップの下面との間隔ＷＣは、２０マイクロメートル程度である。また、上側の半導体チップのＤＡＦ厚さＴ２（上下チップ間間隔または第１の接着剤層の厚さ）は、たとえば６０マイクロメートル程度である。一方、図８に示す通常厚さのダイアタッチフィルム３ａ（第２の接着剤層）の厚さ、すなわち、第２の接着剤層の厚さＴ１は、たとえば３０マイクロメートル程度である。ここで、上側の半導体チップのＤＡＦ厚さＴ２（上下チップ間間隔または第１の接着剤層の厚さ）は、第２の接着剤層の厚さＴ１と同様の厚さでもよいが、第２の接着剤層の厚さＴ１よりも厚くすることによって、上側の半導体チップ２ｂ（第２の半導体チップ）の表側主面２ｂａ（第２の表側主面）を水平に保つことができ、上側の半導体チップ２ｂのワイヤボンディングをスムースに実行できる等のメリットがある。ＤＡＦ厚さＴ２の好適な厚さの範囲は、下限はスタッドバンプおよびワイヤの径から決まり、ほぼ４０マイクロメートル程度であり、上限はダイシング等におけるブレードの寿命等で決まり、ほぼ１００マイクロメートル程度である。

次に、図１で説明したアンテナスイッチモジュールＲＦＭを構成する各半導体チップの役割等を説明する。図２に第１の半導体チップ２ａの模式的内部構造と外部パッド（ボンディングパッド）の役割を示す。図２に示すように、半導体チップ２ａ内には、アンテナスイッチＳＷ１が設けられており、アンテナ端子Ａａとの接続を低帯域入力端子Ｉａ１、低帯域出力端子Ｏａ１、高帯域入力端子Ｉａ２、高帯域出力端子Ｏａ２のいずれかから選択する構造となっており、その駆動はアンテナスイッチ制御端子Ｖａｃを介して行われる。端子としては、これらのほかに、電源端子Ｖａｄおよびグランド端子Ｇａがある。

ここで、アンテナ端子Ａａ、低帯域入力端子Ｉａ１、低帯域出力端子Ｏａ１、高帯域入力端子Ｉａ２、高帯域出力端子Ｏａ等は、他の端子とは取り扱う信号の性質が異なるので、「高周波信号用端子」または「高周波信号用ボンディングパッド」（あるいは、単に「信号用端子」または「信号用ボンディングパッド」）という。また、特にアンテナを経由する信号であることを示すときは、「アンテナ経由高周波信号用端子」または「アンテナ経由高周波信号用ボンディングパッド」（あるいは、単に「アンテナ経由信号用端子」または「アンテナ経由信号用ボンディングパッド」）という（以下の対応するアンテナスイッチモジュールＳＷＭの端子について同じ）。

同様に、図３に示すように、半導体チップ２ｂ内には、アンテナスイッチＳＷ２が設けられており、アンテナ端子Ａｂとの接続を低帯域入力端子Ｉｂ１、低帯域出力端子Ｏｂ１のいずれかから選択する構造となっており、その駆動はアンテナスイッチ制御端子Ｖｂｃを介して行われる。端子としては、これらのほかに、電源端子Ｖｂｄおよびグランド端子Ｇｂがある。

ここで、先に説明したように、アンテナ端子Ａｂ、低帯域入力端子Ｉｂ１、低帯域出力端子Ｏｂ１等は、他の端子とは取り扱う信号の性質が異なるので、「高周波信号用端子」または「高周波信号用ボンディングパッド」（あるいは、単に「信号用端子」または「信号用ボンディングパッド」）という。また、特にアンテナを経由する信号であることを示すときは、「アンテナ経由高周波信号用端子」または「アンテナ経由高周波信号用ボンディングパッド」（あるいは、単に「アンテナ経由信号用端子」または「アンテナ経由信号用ボンディングパッド」）という（以下の対応するアンテナスイッチモジュールＳＷＭの端子について同じ）。

次に、図４、図５及び図８により、平面的なボンディングパッド−外部端子間のボンディングワイヤ接続関係を説明する。図４に示すように、図２及び図３の端子に対応する複数の外部端子５は、アンテナ端子Ａａ、アンテナ端子Ａｂ、低帯域入力端子Ｉａ１、低帯域入力端子Ｉｂ１、低帯域出力端子Ｏａ１、低帯域出力端子Ｏｂ１、高帯域入力端子Ｉａ２、高帯域出力端子Ｏａ２等の高周波信号用メタル端子５（信号用メタル端子またはアンテナ経由高周波信号用メタル端子）と、アンテナスイッチ制御端子Ｖａｃ、アンテナスイッチ制御端子Ｖｂｃ、電源端子Ｖａｄ、電源端子Ｖｂｄ、グランド端子Ｇａ、グランド端子Ｇｂ等のそれ以外のメタル端子５から構成されている。ここで、たとえば、下側の半導体チップ２ａ（第１の半導体チップ）の第１の辺１１にそって設けられた第１の高周波信号用ボンディングパッド群１４に注目すると、第１の高周波信号用ボンディングパッド８ａは、これに最も近接する第１の高周波信号用メタル端子５ａには接続されず、より遠い第２の高周波信号用メタル端子５ｂと第２のボンディングワイヤ６ｙにより接続されている。

一方、図５に示すように、上側の半導体チップ２ｂ（第２の半導体チップ）は、その第２の辺１２が、下側の半導体チップ２ａ（第１の半導体チップ）の第１の辺１１に沿って近接するように偏心して搭載されており、上側の半導体チップ２ｂ上の前記第２の辺１２に沿って設けられた第２の高周波信号用ボンディングパッド群１５の内、第２の高周波信号用ボンディングパッド８ｂに着目すると、この第２の高周波信号用ボンディングパッド８ｂは、このパッドに最も近接する第１の高周波信号用メタル端子５ａと第１のボンディングワイヤ６ｘにより相互接続されている。ここで、これらのワイヤの好適なワイヤ長は、この例では、たとえば、０．６ミリメートル程度である。

すなわち、図８（図４及び図５を参照）に示すように、メタル端子５（外部端子）は、メタル端子の上面の高さ範囲を表す矢印ＬＳで示すように、下側の半導体チップ２ａ（第１の半導体チップ）の表側主面２ａａ（第１の表側主面）、又は、これを含む平面に関して、その裏側主面２ａｂ（第１の裏側主面）側に配置されているので、メタル端子５（外部端子）の上面は、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａよりも低い位置になっている。これは、半導体チップ２ａの厚さがメタル端子５の厚さよりも大きいためである。また、半導体チップ２ａはダイアタッチフィルム（接着層）３ａ上に配置されているため、このダイアタッチフィルム３ａの下面（図８でいう下側の面）から半導体チップ２ａの表側主面２ａａ（第１の表側主面）までの距離（全高）は、メタル端子５の下面（図８でいう下側の面）から上面（図８でいう上側の面）までの距離（全高）よりも大きいためである。上側の半導体チップ２ｂ（第２の半導体チップ）の表側主面２ｂａ（第２の表側主面）は、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａよりも、更に高い位置にあるので、同一の平面的位置にあるメタル端子５との接続を考えると、上側の半導体チップ２ｂとの相互接続の方が、ワイヤ長が長くなる傾向にある。従って、図４に示すように、高周波信号用ボンディングパッドに関する限り、下側の半導体チップ２ａに於いては、敢えて、最も近接したメタル端子５を避けて、相互接続を取り、上側の半導体チップ２ｂとの相互接続に関しては、できるだけ、最も近接したメタル端子５と接続するようにしている。

なお、本実施の形態では、図５に示すように、上側の半導体チップ２ｂの表側主面２ｂａに形成された複数のボンディングパッドのうち、高周波信号用のボンディングパッドは、第２の辺１２側にしか配置されていない。すなわち、この第２の辺と対向する辺には、高周波信号用のボンディングパッドは配置されていない。そのため、図５でいう右辺側に配置された複数のメタル端子５の数個（ここでは、２つ）には、上側の半導体チップ２ｂと電気的に接続されるボンディングワイヤが接続されない。そのため、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａに形成された複数の高周波信号用のボンディングパッドのうち、半導体チップ２ａの右辺側（図５でいう向かって右側の辺）に配置された高周波信号用のボンディングパッドは、このボンディングパッドに最も近接するメタル端子５とボンディングワイヤを介して電気的に接続することが可能である。しかしながら、この場合、形成されるボンディングワイヤの長さが最も短くなる。言い換えると、上段の半導体チップ２ｂの高周波信号用のボンディングパッドと電気的に接続されるボンディングワイヤ６ｘの長さよりも短くなってしまう。本実施の形態では、半導体チップ２ａの右辺側（図５でいう向かって右側の辺）に配置された高周波信号用のボンディングパッドが扱う周波数帯域は、上段の半導体チップ２ｂの高周波信号用のボンディングパッドが扱う周波数帯域と大きく異なるため、ワイヤ長を合わせていないが、それぞれのボンディングパッドが扱う周波数帯域が近い場合には、インピーダンスのバランスを保持することが好ましい場合がある。そこで、本実施の形態の変形例として、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａに形成された複数の高周波信号用のボンディングパッドのうち、半導体チップ２ａの右辺側（図５でいう向かって右側の辺）に配置された高周波信号用のボンディングパッドを、下側の半導体チップ２ａのうち、図５における左辺側に位置する高周波信号用のボンディングワイヤのように、このボンディングパッドに最も近接するメタル端子５よりも遠くに位置するメタル端子５と、電気的に接続してもよい。

３．本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法の説明（主に図１２から図２６）
このセクションでは、セクション２で説明したアンテナスイッチモジュールに関する製造方法の一例を模式的に説明する。この例は、セクション４又は５で説明する各種の変形例にも、ほぼそのまま適用できるので、以下重複説明は原則として省略する。

図１２は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するためのプロセスブロックフロー図である。図１３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中のウエハ断面図（ウエハ準備工程）である。図１４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中のウエハ断面図（バックグラインディング工程）である。図１５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中のウエハ断面図（ＤＡＦ貼り付け工程）である。図１６は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中のウエハ等の斜視図（ウエハダイシング工程）である。図１７は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための図１６に対応する製造工程途中のウエハ断面図（ウエハダイシング工程）である。図１８は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の半導体チップ等の断面図（下側半導体チップのダイボンディング工程）である。図１９は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の半導体チップ等の断面図（下側半導体チップのワイヤボンディング工程）である。図２０は図１９のウエッジボンディング周辺切り出し部Ｒ４の拡大断面図である。図２１は図１９のボールボンディング周辺切り出し部Ｒ５の拡大断面図である。図２２は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の半導体チップ等の断面図（上側半導体チップのダイボンディング工程）である。図２３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の半導体チップ等の断面図（上側半導体チップのワイヤボンディング工程）である。図２４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の半導体チップ等の断面図（樹脂封止工程）である図２５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の樹脂封止体等の断面図（金属ベースシート剥離工程）である。図２６は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明するための製造工程途中の樹脂封止体等の断面図（パッケージダイシング工程）である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの製造方法を説明する。

先ず、図１３に示すように、ウエハ工程をほぼ完了したＧａＡｓウエハ１等を準備する。このウエハ１の表側主面１ａ（第１の主面）、すなわち裏側主面１ｂ（第２の主面）と反対の面には、アンテナスイッチ等のデバイスが形成されている。なお、通常、下側の半導体チップ２ａと上側の半導体チップ２ｂは、別々のウエハ（上側チップ用ウエハ１ｙおよび下側チップ用ウエハ１ｘ）から取得するので、論理的には、２枚のウエハを準備する必要がある。しかし、たとえば、同一サイズの半導体チップ等で、同一のウエハ上に作製する場合は、単一のウエハを準備するだけでもよい。

次に、図１４に示すように、ウエハ１（１ｘ、１ｙ）の表側主面１ａにＢＧ（Ｂａｃｋ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）テープ３３を貼り付けた状態で、裏面研削工程５１ａ、５１ｂを実行する。

次に、図１５に示すように、下側チップ用ウエハ１ｘおよび上側チップ用ウエハ１ｙの裏面１ｂに、通常厚さ（たとえば３０マイクロメートル程度）のダイアタッチフィルム３ａ（第２の接着剤層）および厚膜（たとえば６０マイクロメートル程度）のダイアタッチフィルム３ｂ（第１の接着剤層）をそれぞれ貼り付ける（図１２の通常ＤＡＦ貼り付け工程５２ａ、厚膜ＤＡＦ貼り付け工程５２ｂ）。

次に、図１６及び図１７に示すように、下側チップ用ウエハ１ｘおよび上側チップ用ウエハ１ｙの裏面１ｂを、それぞれダイシングテープ３２を介して、ダイシングフレーム３１に固定する。続いて、その状態で、ＸＹ方向（直交する方向）に回転ブレード等により、ダイシング溝３４（ダイシングライン）を形成することにより、下側チップ用ウエハ１ｘおよび上側チップ用ウエハ１ｙをそれぞれ個別の下側の半導体チップ２ａ（第１の半導体チップ）および上側の半導体チップ２ｂ（第２の半導体チップ）に分離する（図１２のウエハダイシング工程５３ａ、５３ｂ）。

次に、図１８に示すように、たとえば、ステンレス等の薄板で構成された金属ベースシート４（たとえば、厚さ０．１５ミリメートル程度）上に、電気メッキ等により、複数のメタル端子５（外部端子）を形成する。すなわち、洗浄したステンレススチール板４の上面に、たとえば５０マイクロメートル程度のレジストフィルムを貼り付け、フォトリソグラフィの手法により外部端子に対応する開口パターンを形成する。続けて、この開口に電気メッキによって、０．３マイクロメートル程度の金メッキ層を形成する（他に錫、半田、パラジウム等がある）。金メッキ液としては、たとえば亜硫酸金等を含む非シアン系金メッキ液が環境面からして好適であるが、シアン系金メッキ液でもよい。更に、その上に電気メッキによって、６０マイクロメートル程度のニッケル層を形成する。ニッケル・メッキ液としてはスルファミン酸ニッケル系のものが電鋳プロセス上好適であるが、その他の常用のニッケル・メッキ液でもよい。最後に、電気メッキによって、たとえば５マイクロメートル程度の銀層を形成する（金層でもよい。ただし、若干貴い）。銀メッキ液としては、たとえばシアン系銀メッキ液等がある。その後、レジストフィルムを除去して、メタル端子５を有する構造体を得る。なお、この金メッキ層（実装用金属膜）および銀メッキ層（ワイヤ・ボンディング用金属膜）は必須ではない。

続いて、ダイシングテープ３２上の個々に分離された下側の半導体チップ２ａをピックアップして、金属ベースシート４上にダイアタッチフィルム３ａを介して、表側主面２ａａ（第１の表側主面）が上を向くようにダイボンディングする（図１２の下側の半導体チップに対応するダイボンディング工程５４ａ）。なお、ダイボンディング温度は、たとえば、摂氏８０度程度である。

続いて、ダイアタッチフィルム３ａのキュアを進行させるためのベーク処理（たとえば摂氏１６０度程度）を実行する（図１２の下側の半導体チップに対応するダイボンディング後ベーク工程５５ａ）。

次に、図１９に示すように、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａ上のボンディングパッド８（図２０）とメタル端子５の間を金ワイヤ等のボンディングワイヤ６を用いて、逆ボンディング方式でワイヤボンディング工程（図１２の下側の半導体チップに対応するワイヤボンディング工程５６ａ）を実行する。すなわち、図２０に示すように、ボンディングパッド８側が、ウエッジボンディング部６ｗ（ボンディングワイヤの第２ボンディング部）となっており、図２１に示すように、メタル端子５側がボールボンディング部６ｂ（ボンディングワイヤの第１ボンディング部）となっている。

次に、図２２に示すように、ダイシングテープ３２上（図１６又は図１７）の個々に分離された上側の半導体チップ２ｂをピックアップして、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａ上にダイアタッチフィルム３ｂを介して、表側主面２ｂａ（第２の表側主面）が上を向くようにダイボンディングする（図１２の上側の半導体チップに対応するダイボンディング工程５４ｂ）。なお、ダイボンディング温度は、たとえば、摂氏８０度程度である。

続いて、ダイアタッチフィルム３ｂのキュアを進行させるためのベーク処理（たとえば摂氏１６０度程度）を実行する（図１２の上側の半導体チップに対応するダイボンディング後ベーク工程５５ｂ）。

次に、図２３に示すように、上側の半導体チップ２ｂの表側主面２ｂａ上のボンディングパッド８（図９）とメタル端子５の間を金ワイヤ等のボンディングワイヤ６を用いて、逆ボンディング方式でワイヤボンディング工程（図１２の下側の半導体チップに対応するワイヤボンディング工程５６ｂ）を実行する。すなわち、図２０に示すように、ボンディングパッド８側が、ウエッジボンディング部６ｗ（ボンディングワイヤの第２ボンディング部）となっており、図２１に示すように、メタル端子５側がボールボンディング部６ｂ（ボンディングワイヤの第１ボンディング部）となっている。

次に、図２４に示すように、金属ベースシート４（ステンレスシート）上に集積された半導体チップ２ａ，２ｂ、メタル端子５、ワイヤ６等からなるチップ−端子集合体をモールド金型のキャビティ等にセットして、たとえばエポキシ系樹脂等を用いて、たとえばトランスファモールド（圧縮モールドでも良い）等により、金属ベースシート４の上面部分を封止して、レジン封止体９を形成する（図１２のモールド工程５７）。

続いて、封止レジン部材の最終硬化のためのポストモールドベーク５８（図１２）をたとえばバッチプロセス等により実行する。好適なベーク条件としては、摂氏１７０から１８０度（たとえば１７５度）の範囲で、数時間程度（たとえば５時間程度）を例示することができる。

次に、図２５に示すように、レジン封止体９の裏面９ｂの金属ベースシート４を剥離する（図１２の金属板剥離工程）。

次に、図２６に示すように、たとえば、回転ブレード等により、ダイシング溝３４を形成することにより、レジン封止体９を個々のパッケージ１０に分離する（図１２のパッケージダイシング工程６０）。

４．本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール構造の変形例（同一チップサイズの積層）の説明（主に図２７から図３３）
このセクションで説明する例は、セクション１および２で説明したアンテナスイッチモジュールの変形例である。ここでは、セクション１および２と異なる部分のみを説明する。

図２７は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール構造の変形例（同一チップサイズの積層）を説明するための携帯電話端末の回路構成図である。図２８は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール構造の前記変形例（図２７）を構成する上側の半導体チップの概略回路構成図である。図２９は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの前記変形例（図２７）における下側の半導体チップの各ボンディングパッドとアンテナスイッチモジュールの外部端子との間の接続関係を示すアンテナスイッチモジュールの上面図（見やすいように上側のチップ等を取り除いている）である。図３０は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの前記変形例（図２７）における、主に上側の半導体チップの各ボンディングパッドとアンテナスイッチモジュールの外部端子との間の接続関係を示すアンテナスイッチモジュールの上面図（見やすいように上部の封止樹脂等を取り除いている）である。図３１は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールの前記変形例（図２７）に対応するアンテナスイッチモジュール全体の模式的断面図（基本形態における図８に対応する）である。図３２は図３１のウエッジボンディング周辺切り出し部Ｒ２の拡大断面図である。図３３は図３０のアンテナスイッチモジュール局所切り出し領域Ｒ６の拡大上面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュール構造の変形例（同一チップサイズの積層）を説明する。

図２７に示すように、セクション１および２で説明したアンテナスイッチモジュールとの相違は、上側の半導体チップ２ｂ（第２の半導体チップ）が、単一周波数帯域のみでなく、複数の周波数帯域をカバーしている点である。従って、異なっている上側の半導体チップ２ｂの各ボンディングパッドの役割を図２８（図３に対応）に基づいて説明する。

なお、具体的に例示するとすれば、たとえば第１の半導体チップ２ａは、８００ＭＨｚから１ＧＨｚ等の低周波数帯域、および１．７ＧＨｚから２．２ＧＨｚ等の高周波数帯域のＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ）およびＰＣＮ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）等の移動体通信プロトコルをカバーしており、第２の半導体チップ２ｂは、８００ＭＨｚから１ＧＨｚ等の低周波数帯域、および１．７ＧＨｚから２．２ＧＨｚ等の高周波数帯域等のＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）等の移動体通信プロトコルをカバーしている。

図２８に示すように、半導体チップ２ｂ（たとえば、ＧａＡｓ系の化合物半導体チップであり、寸法は、たとえば、０．８ミリメートル角、厚さ０．１ミリメートル程度）内には、アンテナスイッチＳＷ２が設けられており、アンテナ端子Ａｂとの接続を低帯域入力端子Ｉｂ１、低帯域出力端子Ｏｂ１、高帯域入力端子Ｉｂ２、高帯域出力端子Ｏｂ２のいずれかから選択する構造となっており、その駆動はアンテナスイッチ制御端子Ｖｂｃを介して行われる。端子としては、これらのほかに、電源端子Ｖｂｄおよびグランド端子Ｇｂがある。

ここで、先に説明したように、アンテナ端子Ａｂ、低帯域入力端子Ｉｂ１、低帯域出力端子Ｏｂ１、高帯域入力端子Ｉｂ２、高帯域出力端子Ｏｂ２等は、他の端子とは取り扱う信号の性質が異なるので、「高周波信号用端子」または「高周波信号用ボンディングパッド」（あるいは、単に「信号用端子」または「信号用ボンディングパッド」）という。また、特にアンテナを経由する信号であることを示すときは、「アンテナ経由高周波信号用端子」または「アンテナ経由高周波信号用ボンディングパッド」（あるいは、単に「アンテナ経由信号用端子」または「アンテナ経由信号用ボンディングパッド」）という（以下の対応するアンテナスイッチモジュールＳＷＭの端子について同じ）。

次に、図２９から図３１により、平面的なボンディングパッド−外部端子間のボンディングワイヤ接続関係を説明する。図２９に示すように、図２及び図２８の端子に対応する複数の外部端子５は、アンテナ端子Ａａ、アンテナ端子Ａｂ、低帯域入力端子Ｉａ１、低帯域入力端子Ｉｂ１、低帯域出力端子Ｏａ１、低帯域出力端子Ｏｂ１、高帯域入力端子Ｉａ２、高帯域出力端子Ｏａ２、高帯域入力端子Ｉｂ２、高帯域出力端子Ｏｂ２等の高周波信号用メタル端子５（信号用メタル端子またはアンテナ経由高周波信号用メタル端子）と、アンテナスイッチ制御端子Ｖａｃ、アンテナスイッチ制御端子Ｖｂｃ、電源端子Ｖａｄ、電源端子Ｖｂｄ、グランド端子Ｇａ、グランド端子Ｇｂ等のそれ以外のメタル端子５から構成されている。ここで、たとえば、下側の半導体チップ２ａ（第１の半導体チップ）の第１の辺１１にそって設けられた第１の高周波信号用ボンディングパッド群１４に注目すると、第１の高周波信号用ボンディングパッド８ａは、これに最も近接する第１の高周波信号用メタル端子５ａには接続されず、より遠い第２の高周波信号用メタル端子５ｂと第２のボンディングワイヤ６ｙにより接続されている。

一方、図３０に示すように、上側の半導体チップ２ｂ（第２の半導体チップ）は、その第２の辺１２が、下側の半導体チップ２ａ（第１の半導体チップ）とほぼ同じ大きさで、且つ、ほぼ同じ平面的形状をしており、半導体チップ２ａの第１の辺１１にほぼ一致するように搭載されており、上側の半導体チップ２ｂ上の前記第２の辺１２に沿って設けられた第２の高周波信号用ボンディングパッド群１５の内、第２の高周波信号用ボンディングパッド８ｂに着目すると、この第２の高周波信号用ボンディングパッド８ｂは、このパッドに最も近接する第１の高周波信号用メタル端子５ａと第１のボンディングワイヤ６ｘにより相互接続されている。ここで、これらのワイヤの好適なワイヤ長は、この例では、たとえば、０．６ミリメートル程度である。

すなわち、図３１（図２９及び図３０を参照）に示すように、メタル端子５（外部端子）は、メタル端子の上面の高さ範囲を表す矢印ＬＳで示すように、下側の半導体チップ２ａ（第１の半導体チップ）の表側主面２ａａ（第１の表側主面）又は、これを含む平面に関して、その裏側主面２ａｂ（第１の裏側主面）側に配置されているので、メタル端子５（外部端子）の上面は、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａよりも低い位置になっている。上側の半導体チップ２ｂ（第２の半導体チップ）の表側主面２ｂａ（第２の表側主面）は、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａよりも、更に高い位置にあるので、同一の平面的位置にあるメタル端子５との接続を考えると、上側の半導体チップ２ｂとの相互接続の方が、ワイヤ長が長くなる傾向にある。従って、図２９に示すように、高周波信号用ボンディングパッドに関する限り、下側の半導体チップ２ａに於いては、敢えて、最も近接したメタル端子５を避けて、相互接続を取り、上側の半導体チップ２ｂとの相互接続に関しては、できるだけ、最も近接したメタル端子５と接続するようにしている。

なお、図３２に示すように、図９から図１１と同様に、ワイヤ６は、逆ボンディング方式によって、各ボンディングパッド８と各メタル端子５（外部端子）間に相互接続されている。この場合は、必然的に、下側の半導体チップ２ａ（第１の半導体チップ）の表側主面２ａａ（第１の表側主面）とメタル端子５（外部端子）間を結ぶボンディングワイヤ６の一部は、ダイアタッチフィルム３ｂ（第１の接着剤層）に埋め込まれることになる。

なお、この例のように、上下の半導体チップが平面形状的に、ほぼ合同で且つ両方の各辺が一致するように搭載される場合には、チップ厚さの関係で、十分に両ワイヤの長さをそろえることができない場合がある。すなわち、普通に接続すると、第１のボンディングワイヤ６ｘが長くなりすぎる場合である。そのような場合には、図３３に示すように、各メタル端子５（外部端子）の上面を、そこに接続されるワイヤ６の延長方向に垂直な平面とメタル端子５の上面との交線Ｃ１，Ｃ２（ワイヤに直交するパッドの中心線）を境に、相互接続されるボンディングパッド８に近い側と遠い側に２分割して、第１のボンディングワイヤ６ｘをボンディングパッド８ｂに近い側にボンディングし、第２のボンディングワイヤ６ｙを第１の高周波信号用ボンディングパッド８ａから遠い側にボンディングするようにすれば良い。

５．本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールにおけるチップ配置の変形例等の説明（主に図３４および図３５）
このセクションで説明する変形例は、セクション２の図８に対応し、上側の半導体チップ２ｂと下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａ上のボンディングパッド８（または、その上のスタッドバンプ７）、すなわち、ボンディングワイヤのウエッジボンディング部６ｗ（ボンディングワイヤの第２ボンディング部）との相互関係に関するものである。なお、以下の各図に於いて、ボンディングパッドと外部端子との接続関係は、上下チップの中心一等の関係を除き、ほぼ一致しているので、ここでは説明を繰り返さない。

また、以下の各図のように、上下のチップの機能的に対応する高周波信号用ボンディングパッド同士は、基本的に空間的に近接している。ただし、相互に近接することは必須ではない。

図３４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールにおけるチップ配置の変形例１（上側チップが下側チップのワイヤにオーバラップしない場合）を示す基本形態の図８に対応する模式的断面図である。図３５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールにおけるチップ配置の変形例２（上側チップが下側チップのボンディングパッドの一部にオーバラップする場合）を示す基本形態の図８に対応する模式的断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の一例であるアンテナスイッチモジュールにおけるチップ配置の変形例等を説明する。

図８の例では、上側の半導体チップ２ｂは偏心して、配置されており、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａ上の一部のボンディングパッド８をその下面のダイアタッチフィルム３ｂ（第１の接着剤層）がほぼ完全に被覆している。言い換えれば、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａ上の一部のボンディングパッド８に、平面的に上側の半導体チップ２ｂがオーバラップしている。

これに対して、図３４の例では、上側の半導体チップ２ｂは偏心しておらず（偏心させても良い）、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａ上のいずれのボンディングパッド８とも平面的にオーバラップしていない。なお、本変形例では、上側の半導体チップ２ｂの表面側主面２ｂａ（あるいは、裏面側主面２ｂｂ）における中央部が、下側の半導体チップ２ａの表面側主面２ａａ（あるいは、裏面側主面２ａｂ）における中央部と平面的に重なるように、上側の半導体チップ２ｂを下側の半導体チップ２ａ上に配置（搭載、積層）している。

一方、図３５の例では、上側の半導体チップ２ｂは偏心していないが（偏心させても良い）、下側の半導体チップ２ａの表側主面２ａａ上の少なくとも一部のボンディングパッド８と平面的にオーバラップしている。これら図３４および図３５の例においても、図４、図５、図２９、図３０、および図３３で適用したようなボンディング方式が適用できる。

６．前記実施の形態等に対する考察並びに補足的説明
このセクションでは、本願発明、先の実施の形態、変形例等に関する一般的な考察並びに補足的説明を行う。

各実施の形態および変形例では、相互に近接して上下に積層配置された複数チップ上の相互にワイヤ長をそろえるべきワイヤボンディングパッドと、これらと対応する外部端子の配置に関する改良に対応している。すなわち、上側のチップのワイヤボンディングパッドと接続すべき外部端子の位置関係を優先的に最も近接する配置とし、それと対となる下側のチップのワイヤボンディングパッドと接続すべき外部端子の位置関係をあえて離れた位置とすることにより、両方のワイヤ長をほぼ同一にしている。

これは、たとえば、携帯電話等の移動体通信における携帯端末におけるアンテナスイッチモジュールにおいては、取り扱う信号の波長がワイヤ長と同程度になるため、たとえば、同一の帯域を担当する同一の機能（例えば出力端子）を有するワイヤボンディングパッドの対は、ほぼ同一のワイヤ長にする必要があるからである。

なお、このようなワイヤ長をあるボンディングパッド群の間で、そろえる必要は、前記の例に限らず、種々の理由により必要となることはいうまでもない。

７．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、前記実施の形態では、本願発明を主にノンリード型パッケージを例に取り具体的に説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、その他のパッケージにも適用できることは言うまでもない。

また、前記実施の形態では、本願発明を主に高周波アンテナモジュール（マルチチップモジュール）を例にとり具体的に説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、他の用途のマルチチップモジュール等にも適用できることは言うまでもない。更に、搭載チップの組み合わせは、シリコン系半導体チップおよびＧａＡｓ（またはＡｌＧａＡｓ）系半導体チップ（化合物系半導体チップ）の組み合わせに限らず、シリコン系チップ同士の組み合わせでも、シリコン系チップと他の化合物系半導体チップとの組み合わせでも良い。

なお、前記実施の形態では、本願発明の製造プロセスをＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）プロセスを例に具体的に説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、個別封止型のパッケージングプロセスにも適用できることは言うまでもない。

１ ウエハ（ＧａＡｓウエハ）
１ａ ウエハの表側主面（第１の主面）
１ｂ ウエハの裏側主面（第２の主面）
１ｘ 下側チップ用ウエハ
１ｙ 上側チップ用ウエハ
２ 半導体チップ又はチップ領域（ＧａＡｓチップ）
２ａ 下側の半導体チップ（第１の半導体チップ）
２ａａ 下側の半導体チップの表側主面（第１の表側主面）
２ａｂ 下側の半導体チップの裏側主面（第１の裏側主面）
２ｂ 上側の半導体チップ（第２の半導体チップ）
２ｂａ 上側の半導体チップの表側主面（第２の表側主面）
２ｂｂ 上側の半導体チップの裏側主面（第２の裏側主面）
３ 接着剤層すなわちダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）
３ａ 通常厚さのダイアタッチフィルム３ａ（第２の接着剤層）
３ｂ 厚膜ダイアタッチフィルム（第１の接着剤層）
４ 金属ベースシート（ステンレスシート）
５ メタル端子（外部端子）
５ａ 第１の高周波信号用メタル端子
５ｂ 第２の高周波信号用メタル端子
６ ボンディングワイヤ
６ｂ ボンディングワイヤのボールボンディング部（ボンディングワイヤの第１ボンディング部）
６ｗ ボンディングワイヤのウエッジボンディング部（ボンディングワイヤの第２ボンディング部）
６ｘ 第１のボンディングワイヤ
６ｙ 第２のボンディングワイヤ
７ スタッドバンプ
８ ボンディングパッド（金ボンディングパッド）
８ａ 第１の高周波信号用ボンディングパッド
８ｂ 第２の高周波信号用ボンディングパッド
９ レジン封止体または封止レジン部材
９ａ レジン封止体または半導体パッケージの上面
９ｂ レジン封止体または半導体パッケージの下面
１０ 半導体パッケージ
１１ 第１の辺
１２ 第２の辺
１４ 第１の高周波信号用ボンディングパッド群
１５ 第２の高周波信号用ボンディングパッド群
３１ ダイシングフレーム
３２ ダイシングテープ
３３ ＢＧテープ
３４ ダイシング溝（ダイシングライン）
５１ａ 下側の半導体チップに対応するウエハの裏面研削工程
５１ｂ 上側の半導体チップに対応するウエハの裏面研削工程
５２ａ 下側の半導体チップに対応する通常ＤＡＦ貼り付け工程
５２ｂ 上側の半導体チップに対応する厚膜ＤＡＦ貼り付け工程
５３ａ 下側の半導体チップに対応するウエハダイシング工程
５３ｂ 上側の半導体チップに対応するウエハダイシング工程
５４ａ 下側の半導体チップに対応するダイボンディング工程
５４ｂ 上側の半導体チップに対応するダイボンディング工程
５５ａ 下側の半導体チップに対応するダイボンディング後ベーク工程
５５ｂ 上側の半導体チップに対応するダイボンディング後ベーク工程
５６ａ 下側の半導体チップに対応するワイヤボンディング工程
５６ｂ 上側の半導体チップに対応するワイヤボンディング工程
５７ モールド工程
５８ ポストモールドベーク工程
５９ 金属板剥離工程
６０ パッケージダイシング工程
Ａａ 下側の半導体チップのアンテナ端子（または対応するボンディングパッド）
Ａｂ 上側の半導体チップのアンテナ端子（または対応するボンディングパッド）
ＡＮＴ アンテナ
ＢＢ ベースバンド回路
Ｃ１，Ｃ２ ワイヤに直交するパッドの中心線
Ｉａ１ 下側の半導体チップの低帯域入力端子（または対応するボンディングパッド）
Ｉａ２ 下側の半導体チップの高帯域入力端子（または対応するボンディングパッド）
Ｉｂ１ 上側の半導体チップの低帯域入力端子（または対応するボンディングパッド）
Ｉｂ２ 上側の半導体チップの高帯域入力端子（または対応するボンディングパッド）
ＩＦ インターフェース回路
Ｇａ 下側の半導体チップのグランド端子（または対応するボンディングパッド）
Ｇｂ 上側の半導体チップのグランド端子（または対応するボンディングパッド）
ＭＰ マイクロフォン
ＬＣＤ 液晶ディスプレイ＆入力キー等
ＬＳ メタル端子の上面の高さ範囲を表す矢印
Ｏａ１ 下側の半導体チップの低帯域出力端子（または対応するボンディングパッド）
Ｏａ２ 下側の半導体チップの高帯域出力端子（または対応するボンディングパッド）
Ｏｂ１ 上側の半導体チップの低帯域出力端子（または対応するボンディングパッド）
Ｏｂ２ 上側の半導体チップの高帯域出力端子（または対応するボンディングパッド）
Ｒ１ ウエッジボンディング周辺切り出し部
Ｒ２ ウエッジボンディング周辺切り出し部
Ｒ３ ボールボンディング周辺切り出し部
Ｒ４ ウエッジボンディング周辺切り出し部
Ｒ５ ボールボンディング周辺切り出し部
Ｒ６ アンテナスイッチモジュール局所切り出し領域
ＲＦＩＣ 高周波信号処理チップ
ＲＦＭ 高周波モジュール
ＳＰ スピーカまたはイヤホーン
ＳＷ１ 下側の半導体チップ内のアンテナスイッチ
ＳＷ２ 上側の半導体チップ内のアンテナスイッチ
ＳＷＭ アンテナスイッチモジュール
Ｔ１ 下側の半導体チップのＤＡＦ厚さ（第２の接着剤層の厚さ）
Ｔ２ 上側の半導体チップのＤＡＦ厚さ（上下チップ間間隔または第１の接着剤層の厚さ）
Ｖａｃ 下側の半導体チップのアンテナスイッチ制御端子（または対応するボンディングパッド）
Ｖａｄ 下側の半導体チップの電源端子（または対応するボンディングパッド）
Ｖｂｃ 上側の半導体チップのアンテナスイッチ制御端子（または対応するボンディングパッド）
Ｖｂｄ 上側の半導体チップの電源端子（または対応するボンディングパッド）
ＷＣ 下側チップのワイヤの側面上端と上側チップの下面との間隔
ＷＤ ワイヤ直径
ＷＨ 水平部ワイヤ下面高さ（スタッドバンプ高さ）

Claims (20)

1. 以下を含む半導体装置：
   （ａ）第１の表側主面および第１の裏側主面を有し、矩形形状の第１の半導体チップ；
   （ｂ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に搭載され、第２の表側主面および第２の裏側主面を有し、矩形形状の第２の半導体チップ；
   （ｃ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に設けられた第１の帯域に対応する第１の高周波信号用ボンディングパッド；
   （ｄ）前記第２の半導体チップの前記第２の表側主面上に、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドに近接するように設けられた第２の帯域に対応する第２の高周波信号用ボンディングパッド；
   （ｅ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に、前記第１の半導体チップの第１の辺に沿って設けられた第１の高周波信号用外部端子；
   （ｆ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に、前記第１の半導体チップの第１の辺に沿って設けられた第２の高周波信号用外部端子、
   ここで、前記第１の高周波信号用外部端子は、前記第２の高周波信号用外部端子と比較して、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドにより近接しており、前記半導体装置は、更に以下を含む：
   （ｇ）前記第２の高周波信号用ボンディングパッドと前記第１の高周波信号用外部端子とを相互接続する第１のボンディングワイヤ；
   （ｈ）前記第１の高周波信号用ボンディングパッドと前記第２の高周波信号用外部端子とを相互接続する第２のボンディングワイヤ、
   ここで、前記第１の帯域と前記第２の帯域は、実質的に同一帯域であり、前記第１ボンディングワイヤと前記第２ボンディングワイヤは、実質的に同一の長さを有する。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、前記第２の半導体チップは、前記第１の半導体チップ上であって、平面的に前記第１の表側主面の内部に、第１の接着剤層を介して搭載され、前記第２のボンディングワイヤの一部分は、前記第１の接着剤層内にある。
3. 請求項２に記載の半導体装置において、更に以下を含む：
   （ｉ）前記第１の辺に沿って前記第１の表側主面上に設けられた前記第１の高周波信号用ボンディングパッドを含む第１の高周波信号用ボンディングパッド群；
   （ｊ）前記第１の辺に沿った前記第２の半導体チップの第２の辺に沿って、前記第２の表側主面上に設けられ、前記第２の高周波信号用ボンディングパッドを含む第２の高周波信号用ボンディングパッド群。
4. 請求項３に記載の半導体装置において、前記第２の半導体チップは、前記第２の辺が前記第１の辺に近接するように、偏心されて搭載されている。
5. 請求項４に記載の半導体装置において、更に以下を含む：
   （ｋ）前記第１の半導体チップの一つの辺の近傍であって前記第１の表側主面上に設けられた第１の接地用ボンディングパッド；
   （ｌ）前記一つの辺に沿った前記第２の半導体チップの他の一つの辺の近傍であって前記第２の表側主面上に設けられた第２の接地用ボンディングパッド。
6. 請求項５に記載の半導体装置において、前記第２の高周波信号用ボンディングパッドと前記第１のボンディングワイヤ、および、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドと前記第２のボンディングワイヤは、それぞれスタッドバンプを介して接続されている。
7. 請求項６に記載の半導体装置において、前記第１の接着剤層の厚さは、前記スタッドバンプの高さと前記ワイヤ径の和よりも大きい。
8. 請求項７に記載の半導体装置において、前記スタッドバンプの高さ、前記第２のボンディングワイヤの径、および、前記第２の半導体チップの前記第２の裏側主面と前記第２のボンディングワイヤの側面上端との距離は、それぞれほぼ等しい。
9. 請求項８に記載の半導体装置において、更に以下を含む：
   （ｍ）前記第１の半導体チップ、前記第２の半導体チップ、前記第１の高周波信号用外部端子、前記第２の高周波信号用外部端子、前記第１のボンディングワイヤ、および前記第２のボンディングワイヤを一体に封止する封止樹脂体；
   （ｎ）前記第１の半導体チップの前記第１の裏側主面を覆う第２の接着剤層、
   ここで、前記第２の接着剤層の下面は、前記封止樹脂体の下面から露出している。
10. 請求項９に記載の半導体装置において、前記第１のボンディングワイヤ、および前記第２のボンディングワイヤは、それぞれ逆ボンディング方式によりボンディングされている。
11. 請求項１０に記載の半導体装置において、前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、それぞれアンテナスイッチを内蔵している。
12. 請求項１１に記載の半導体装置において、前記第１の高周波信号用ボンディングパッド群および前記第２の高周波信号用ボンディングパッド群を構成する各高周波信号用ボンディングパッドは、アンテナ経由高周波信号用ボンディングパッドである。
13. 請求項１２に記載の半導体装置において、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドおよび前記第２の高周波信号用ボンディングパッドは、同一周波数帯域のアンテナ経由高周波信号用ボンディングパッドである。
14. 請求項１３に記載の半導体装置において、前記第１の接着剤層および前記第２の接着剤層は、それぞれＤＡＦ部材である。
15. 請求項１４に記載の半導体装置において、前記半導体装置のパッケージ形式は、ＰＬＰ方式である。
16. 請求項１に記載の半導体装置において、前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、ほぼ同じ大きさで、それらの各辺がほぼ一致するように搭載され、
    前記第1の高周波信号用ボンディングパッドと前記第２の高周波信号用ボンディングパッドは、平面視において重なっている。
17. 請求項１６に記載の半導体装置において、前記第１のボンディングワイヤは、前記第１の高周波信号用外部端子の前記第２の高周波信号用ボンディングパッドに近い側にボンディングされており、前記第２のボンディングワイヤは、前記第２の高周波信号用外部端子の前記第１の高周波信号用ボンディングパッドに近い側にボンディングされている。
18. 請求項５に記載の半導体装置において、前記一つの辺および前記他の一つの辺は、それぞれ前記第１の辺及び前記第２の辺とは異なる辺である。
19. 請求項１に記載の半導体装置において、前記第１の高周波信号用外部端子は、入力端子又は出力端子のいずれか一方の機能を有し、前記第２の高周波信号用外部端子は、前記一方の機能と同じ機能を有する。
20. 以下を含む半導体装置：
    （ａ）第１の表側主面および第１の裏側主面を有し、矩形形状の第１の半導体チップ；
    （ｂ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に搭載され、第２の表側主面および第２の裏側主面を有し、矩形形状の第２の半導体チップ；
    （ｃ）前記第１の半導体チップの前記第１の表側主面上に設けられた第１の帯域に対応する第１の高周波信号用ボンディングパッド；
    （ｄ）前記第２の半導体チップの前記第２の表側主面上に設けられた第２の帯域に対応する第２の高周波信号用ボンディングパッド；
    （ｅ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に、前記第１の半導体チップの第１の辺に沿って設けられた第１の高周波信号用外部端子；
    （ｆ）前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップの外部であって前記第１の表側主面に関して前記第１の裏側主面側に、前記第１の半導体チップの第１の辺に沿って設けられた第２の高周波信号用外部端子、
    ここで、前記第１の高周波信号用外部端子は、前記第２の高周波信号用外部端子と比較して、前記第１の高周波信号用ボンディングパッドにより近接しており、前記半導体装置は、更に以下を含む：
    （ｇ）前記第２の高周波信号用ボンディングパッドと前記第１の高周波信号用外部端子とを相互接続する第１のボンディングワイヤ；
    （ｈ）前記第１の高周波信号用ボンディングパッドと前記第２の高周波信号用外部端子とを相互接続する第２のボンディングワイヤ、
    ここで、前記第１の帯域と前記第２の帯域は、実質的に同一帯域であり、前記第１ボンディングワイヤと前記第２ボンディングワイヤは、実質的に同一の長さを有する。

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