JP5589486B2 - 焦電型光検出器、焦電型光検出装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、焦電型光検出器、焦電型光検出装置及び電子機器等に関する。

熱型光検出装置として、焦電型またはボロメーター型の赤外線検出装置が知られている。赤外線検出装置は、受光した赤外線の光量（温度）によって焦電体材料の自発分極量が変化すること（焦電効果またはパイロ電子効果）を利用して焦電体の両端に起電力（分極による電荷）を生じさせるか（焦電型）、または温度によって抵抗値を変化させて（ボロメーター型）、赤外線を検出している。焦電型赤外線検出装置は、ボロメーター型赤外線検出装置と比較して、製造工程が複雑である反面、検出感度が優れるという利点がある。

焦電型赤外線検出装置のセルは、上部電極と下部電極とに接続された焦電体を含むキャパシターを有し、電極や焦電体の材料に関して、各種の提案がなされている（特許文献１）。

また、上部電極と下部電極とに接続された強誘電体を含むキャパシターは強誘電体メモリに用いられており、強誘電体メモリに適した電極や強誘電体の材料に関しても、各種の提案がなされている（特許文献２，３）

特開２００８−２３２８９６号公報 特開２００９−７１２４２号公報 特開２００９−１２９９７２号公報

焦電型赤外線検出装置が強誘電体メモリと異なる顕著な点は、焦電体材料の自発分極量が温度によって変化すること（焦電効果）を利用することから、キャパシターから熱が逃げ難い構造とすることにある。

本発明の幾つかの態様では、焦電体を有するキャパシターの熱が、キャパシターを支持する支持部材を介して逃げ難くした構造を有する焦電型光検出器、焦電型光検出装置及び電子機器を提供することにある。

（１）本発明の一態様に係る焦電型光検出器は、
第１電極と第２電極との間に焦電体を含み、温度に基づいて分極量が変化するキャパシターと、
第１面と、前記第１面と対向する第２面とを含み、前記第１面が空洞部と面し、前記第２面に、前記キャパシターを搭載して支持する支持部材と、
前記支持部材を支持する固定部と、
を有し、
前記第２面上に配置される前記第１電極の熱コンダクタンスが、前記第２電極の熱コンダクタンスよりも小さいことを特徴とする。

こうすると、キャパシターは、赤外線に起因した熱が第１電極を介して焦電体に伝達されやすく、しかも、焦電体の熱が第２電極を介して支持部材に逃げ難くなり、焦電型光検出器の信号感度が向上する。なお、第２電極よりも支持部材側に位置する第１電極は、支持部材の第１面に直接載置されても良いし、他の層を介在させて載置されても良い。

（２）本発明の一態様では、前記第１電極は前記第２電極よりも厚くすることができる。

第１電極の熱コンダクタンスＧ１は、Ｇ１＝λ１／Ｔ１（λ１：熱伝導率、Ｔ１：厚さ）で示され、第２電極の熱コンダクタンスＧ２は、Ｇ２＝λ２／Ｔ２（λ２：熱伝導率、Ｔ２：厚さ）で示される。熱コンダクタンスの関係をＧ１＜Ｇ２とするためには、第１，第２電極の熱伝導率がλ１＝λ２となり、第１電極の厚さＴ１が第２電極の厚さＴ２よりも厚ければ（Ｔ１＞Ｔ２）、Ｇ１＜Ｇ２の関係を満足できる。

（３）本発明の一態様では、前記第１電極、前記第２電極及び前記焦電体は、特定の結晶面に優先配向され、前記第１電極は、前記焦電体を前記特定の結晶面に優先配向させるシード層を有し、前記第２電極は、前記焦電体と接する位置に、前記焦電体と結晶配向が整合する配向整合層を有し、前記シード層は前記配向整合層よりも厚く形成することができる。

シード層と配向整合層とは、その配向機能上、例えば同一または同種の材料にて形成されることがある。シード層が配向整合層よりも厚く形成されれば、第１電極中のシード層の熱コンダクタンスを第２電極中の配向整合層の熱コンダクタンスよりも小さくし易くなり、Ｇ１＜Ｇ２が成立し易くなる。

（４）本発明の一態様では、前記第１電極は、前記支持部材と前記シード層との間に、前記シード層が前記特定の結晶面に優先配向するように制御する配向制御層をさらに有することができる。

こうすると、配向制御層の存在によってシード層が配向制御層と同一の優先配向方位を持つことができ、シード層の特性が向上する。しかも、少なくとも一層の第２電極に対して第１電極は少なくとも二層となり、Ｇ１＜Ｇ２の関係が成立し易くなる。

（５）本発明の一態様では、前記第１電極は、前記シード層と前記配向制御層との間に、還元ガスに対してバリア性を有る第１還元ガスバリア層をさらに有することができる。

キャパシターの焦電体は還元ガスにより酸素欠損が生じると、特性が劣化する。支持部材側からの還元性阻害要因は、キャパシターにて支持部材側に位置する第１電極内の第１還元ガスバリア層にてブロックできる。なお、第１還元ガスバリア層では、配向制御層と同一の優先配向方位を持つことができる。しかも、少なくとも一層の第２電極に対して第１電極は少なくとも三層となり、Ｇ１＜Ｇ２の関係が成立し易くなる。

（６）本発明の一態様では、前記第１電極は、前記配向制御層と前記支持部材との間に密着層をさらに有することができる。

配向制御層は、下地層との間に凹凸やボイドがあると配向制御性が劣化するので、密着層を設けて配向制御性を確保している。しかも、少なくとも一層の第２電極に対して第１電極は少なくとも四層となり、Ｇ１＜Ｇ２の関係が成立し易くなる。なお、密着層は、配向制御層に比べて支持部材との密着性が高い層である。

（７）本発明の一態様では、前記第２電極は、前記配向整合層が前記焦電体と接する面とは逆の面に、還元ガスに対してバリア性を有する第２還元ガスバリア層をさらに有することができる。

こうすると、キャパシターの上方からの還元性阻害要因は、第２電極内の第２還元ガスバリア層にてブロックできる。なお、第２還元ガスバリア層では、配向整合層と同一の優先配向方位を持つことができる。

（８）本発明の一態様では、前記第２電極は、前記第２還元ガスバリア層が前記配向制御層と接する面とは逆の面に低抵抗層をさらに有し、前記配向制御層と前記低抵抗層とは同一材料にて形成され、前記配向制御層は前記低抵抗層よりも厚くすることができる。

こうすると、第２還元ガスバリア層が配線プラグに接続された時の接触抵抗増大の問題を解消できる上、低抵抗層よりも厚い配向制御層が第２電極に増設されるので、Ｇ１＜Ｇ２の関係が成立し易くなる。なお、低抵抗層は、第２電極に接続される配線プラグとの接触抵抗が第２還元ガスバリア層に比べて小さい層である。また、低抵抗層では、第２還元ガスバリア層と同一の優先配向方位を持つことができる。

（９）本発明の一態様では、前記第１還元ガスバリア層と前記第２還元ガスバリア層とは同一材料にて形成され、前記第１還元ガスバリア層は前記第２還元ガスバリア層よりも厚くすることができる。

こうすると、トータル膜厚では第１電極が第２電極よりも厚くなるので、Ｇ１＜Ｇ２の関係が成立し易くなる。

（１０）本発明の一態様では、前記第１還元ガスバリア層と前記第２還元ガスバリア層とは同一材料にて形成され、前記第２還元ガスバリア層は前記第１還元ガスバリア層よりも厚くすることができる。

このように、第２還元ガスバリア層を厚くしてバリア性を増大させることで、特に配線プラグからの還元性阻害因子をブロックできる効果が大きくなる。なお、こうすると、第１，第２還元ガスバリア層同士の比較では第１電極の熱コンダクタンスが大きくなるが、他の材料の材質（熱伝達率）や及び膜厚を調整することで、Ｇ１＜Ｇ２の関係を成立させることができる。

（１１）本発明の一態様では、前記特定の結晶面を（１１１）面とすることができる。焦電係数を大きくするには結晶面が（１１１）面であるよりもむしろ（１００）面などが好ましいが、結晶面を（１１１）面とすると、印加電界方向に対して分極を制御しやくなる。

（１２）本発明の一態様では、前記キャパシターの前記第２電極側から入射される光入射経路にて前記キャパシターよりも上流側に配置され、光を吸収して得られた熱を前記キャパシターに伝達する光吸収部材がさらに設けられ、前記第２電極は、前記光吸収部材を透過した光を前記光吸収部材に反射させることができる。

こうすると、無駄に通過する光を光吸収部材に戻して発熱に寄与させることができる。検出波長をλとしたとき、多重反射がλ／４の距離間で生ずるように反射板（第２電極）の位置を設定できる。なお、反射板の機能は第２電極中で最も光吸収部材に近い金属が受け持つことになる。

（１３）本発明の他の態様に係る焦電型光検出装置は、上述した焦電型光検出器を二軸方向に沿って二次元配置して構成される。この焦電型光検出装置は、各セルの焦電型光検出器にて検出感度が高められるので、明瞭な光（温度）分布画像を提供できる。

（１４）本発明のさらに他の態様に係る電子機器は、上述した焦電型光検出器または焦電型光検出装置を有し、１セル分または複数セルの焦電型光検出器をセンサーとして用いることで、光（温度）分布画像を出力するサーモグラフィー、車載用ナイトビジョンまたは監視カメラの他、物体の物理情報の解析（測定）を行う物体の解析機器（測定機器）、火や発熱を検知するセキュリティー機器、工場などに設けられるＦＡ（Factory Automation）機器などに最適である。

本発明の実施形態に係る焦電型赤外線検出器のキャパシター構造を説明するための概略断面図である。 本発明の実施形態に係る焦電型赤外線検出装置の概略平面図である。 図２に示す焦電型赤外線検出装置の１セル分の焦電型検出器の概略断面図である。 犠牲層上に形成される支持部材及び赤外線検出素子を示す製造工程の概略断面図である。 配線プラグ付近の還元ガスバリア性を強化した変形例を示す概略断面図である。 熱型光検出器または熱型光検出装置を含む電子機器のブロック図である。 図７（Ａ）、図７（Ｂ）は焦電型光検出器を二次元配置した焦電型光検出装置の構成例を示す図である。

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。

１．焦電型赤外線検出装置
図１に示すキャパシター構造（後述）を各セルがそれぞれ備えた複数セルの焦電型赤外線検出器（広義には焦電型光検出器）が直交二軸方向に配列された焦電型赤外線検出装置（広義には焦電型光検出装置）を、図２に示す。なお、１セル分のみの焦電型赤外線検出器にて焦電型赤外線検出装置が構成されても良い。図２において、基部（固定部ともいう）１００から複数のポスト１０４が立設され、例えば２本のポスト１０４に支持された１セル分の焦電型赤外線検出器２００が、直交二軸方向に配列されている。１セル分の焦電型赤外線検出器２００が占める領域は、例えば３０×３０μｍである。

図２に示すように、焦電型赤外線検出器２００は、２本のポスト１０４に連結された支持部材（メンブレム）２１０と、赤外線検出素子（広義には焦電型光検出素子）２２０と、を含んでいる。１セル分の焦電型赤外線検出素子２２０が占める領域は、例えば１０×１０μｍである。

１セル分の焦電型赤外線検出器２００は、２本のポスト１０４と接続される以外は非接触とされ、焦電型赤外線検出器２００の下方には空洞部１０２（図３参照）が形成され、平面視で焦電型赤外線検出器２００の周囲には、空洞部１０２に連通する開口部１０２Ａが配置される。これにより、１セル分の焦電型赤外線検出器２００は、基部１００や他のセルの焦電型赤外線検出器２００から熱的に分離されている。

支持部材２１０は、赤外線検出素子２２０を搭載して支持する搭載部２１０Ａと、搭載部２１０Ａに連結された２本のアーム２１０Ｂとを有し、２本のアーム２１０Ｂの自由端部がポスト１０４に連結されている。２本のアーム２１０Ｂは、赤外線検出素子２２０を熱分離するために、細幅でかつ冗長に延在形成される。

図２は、上部電極に接続される配線層より上方の部材を省略した平面図であり、図２には赤外線検出素子２２０に接続された第１電極（下部電極）配線層２２２及び第２電極（上部電極）配線層２２４が示されている。第１，第２電極配線層２２２，２２４の各々は、アーム２１０Ｂに沿って延在され、ポスト１０４を介して基部１００内の回路に接続される。第１，第２電極配線層２２２，２２４も、赤外線検出素子２２０を熱分離するために、細幅でかつ冗長に延在形成される。

２．焦電型赤外線検出器の概要
図３は、図２に示す焦電型赤外線検出器２００の断面図である。また、図４は、製造工程途中の焦電型赤外線検出器２００の部分断面図である。図４では、図３の空洞部１０２が犠牲層１５０により埋め込まれている。この犠牲層１５０は、支持部材２１０及び焦電型赤外線検出素子２２０の形成工程前から形成工程後まで存在しており、焦電型赤外線検出素子２２０の形成工程後に等方性エッチングにより除去されるものである。

図３に示すように、基部１００は、基板例えばシリコン基板１１０と、シリコン基板１１０上の層間絶縁膜にて形成されるスペーサー層１２０とを含んでいる。ポスト１０４は、スペーサー層１２０をエッチングすることで形成されている。ポスト１０４には、第１，第２電極配線層２２２，２２４の一方に接続されるプラグ１０６を配置することができる。このプラグ１０６は、シリコン基板１１０に設けられる行選択回路（行ドライバー）か、または列線を介して光検出器からのデータを読み出す読み出し回路に接続される。空洞部１０２は、スペーサー層１２０をエッチングすることで、ポスト１０４と同時に形成される。図２に示す開口部１０２Ａは、支持部材２１０をパターンエッチングすることで形成される。

支持部材２１０上に搭載される赤外線検出素子２２０は、キャパシター２３０を含んでいる。キャパシター２３０は、焦電体２３２と、焦電体２３２の下面に接続される第１電極（下部電極）２３４と、焦電体２３２の上面に接続される第２電極（上部電極）２３６とを含んでいる。第１電極２３４は、支持部材２１０の第１層部材（例えばＳｉＯ_２）との密着性を高める密着層２３４Ｄを含むことができる。

キャパシター２３０は、キャパシター２３０の形成後の工程で還元ガス（水素、水蒸気、ＯＨ基、メチル基など）がキャパシター２３０に侵入することを抑制する還元ガスバリア層２４０に覆われている。キャパシター２３０の焦電体（例えばＰＺＴ等）２３２は酸化物であり、酸化物が還元されると酸素欠損を生じて、焦電効果が損なわれるからである。

還元ガスバリア層２４０は、図４に示すように、第１バリア層２４２と第２バリア層２４４とを含む。第１バリア層２４２は、例えば酸化アルミニウムＡｌ_２Ｏ_３をスパッタ法により成膜して形成することができる。スパッタ法では還元ガスが用いられないので、キャパシター２３０が還元されることはない第２水素バリア層２４４は、例えば酸化アルミニウムＡｌ_２Ｏ_３を例えば原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ:Atomic Layer Chemical Vapor Deposition）法により成膜して形成すことができる。通常のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法は還元ガスを用いるが、第１層バリア層２４２によりキャパシター２３０は還元ガスから隔離される。

ここで、還元ガスバリア層２４０のトータル膜厚は５０〜７０ｎｍ、例えば６０ｎｍとする。このとき、ＣＶＤ法で形成される第１バリア層２４２の膜厚は原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法により形成される第２バリア層２４４よりも厚く、薄くても３５〜６５ｎｍ例えば４０ｎｍとなる。これに対して、原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法により形成される第２バリア層２４４の膜厚は薄くでき、例えば酸化アルミニウムＡｌ_２Ｏ_３を５〜３０ｎｍ例えば２０ｎｍで成膜して形成される。原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法は、スパッタ法等と比較して、優れた埋め込み特性を有するため、微細化に対応することが可能となり、第１，第２バリア層２４２，２４４にて還元ガスバリア性を高めることができる。また、スパッタ法で成膜される第１バリア層２４２は第２バリア層２４４に比べて緻密ではないが、それが効を奏して伝熱率を下げる要因となるので、キャパシター２３０からの熱の散逸を防止できる。

還元ガスバリア層２４０上には層間絶縁膜２５０が形成されている。一般に、層間絶縁膜２５０の原料ガス（ＴＥＯＳ）が化学反応する際には、水素ガスや水蒸気等の還元ガスが発生する。キャパシター２３０の周囲に設けた還元ガスバリア層２４０は、この層間絶縁膜２５０の形成中に発生する還元ガスからキャパシター２３０を保護するものである。

層間絶縁膜２５０上に、図２にも示した第１電極（下部電極）配線層２２２と第２電極（上部電極）配線層２２４とが配置される。層間絶縁膜２５０には、電極配線形成前に予め、第１コンタクトホール２５２と第２コンタクトホール２５４が形成される。その際、還元ガスバリア層２４０にも同様にコンタクトホールが形成される。第１コンタクトホール２５２に埋め込まれた第１プラグ２２６により、第１電極（下部電極）２３４と第１電極配線層２２２とが導通される。同様に第２コンタクトホール２５４に埋め込まれた第２プラグ２２８により、第２電極（上部電極）２３６と第２電極配線層２２４とが導通される。

ここで、層間絶縁膜２５０が存在しないと、第１電極（下部電極）配線層２２２と第２電極（上部電極）配線層２２４をパターンエッチングする際に、その下層の還元ガスバリア層２４０の第２バリア層２４４がエッチングされて、バリア性が低下してしまう。層間絶縁膜２５０は、還元ガスバリア層２４０のバリア性を担保する上で必要である。

ここで、層間絶縁膜２５０は水素含有率が低いことが好ましい。そこで、層間絶縁膜２５０はアニーリングにより脱ガス処理される。こうして、層間絶縁膜２５０の水素含有率は、第１，第２電極配線層２２２，２２４を覆うパッシベーション膜２６０よりも低くされる。

なお、キャパシター２３０の天面の還元ガスバリア層２４０は、層間絶縁膜２５０の形成時にはコンタクトホールがなく閉じているので、層間絶縁膜２５０の形成中の還元ガスがキャパシター２３０に侵入することはない。しかし、還元ガスバリア層２４０にコンタクトホールが形成された後は、バリア性が劣化する。これを防止する一例として、例えば図４に示すように第１，第２プラグ２２６，２２８を複数層２２８Ａ，２２８Ｂ（図４では第２プラグ２２８のみ図示）とし、その第１層２２８Ａにバリアメタル層を採用している。第１層２２８Ａのバリアメタルにより還元ガスバリア性が担保される。第１層２２８Ａのバリアメタルは、チタンＴｉのように拡散性の高いものは好ましくなく、拡散性が少なくかつ還元ガスバリア性の高いチタン・アルミ・ナイトライドＴｉＡｌＮを採用できる。なお、コンタクトホールからの還元ガスの侵入を絶つ方法として、図５に示すように、少なくとも第２プラグ２２８を包囲して還元性ガスバリア層２９０を増設しても良い。この還元性ガスバリア層２９０は、第２プラグ２２８のバリアメタル２２８Ａを併用しても良いし、バリアメタル２２８Ａを排除しても良い。なお、還元性ガスバリア層２９０は、第１プラグ２２６を被覆しても良い。

第１，第２電極配線層２２２，２２４を覆って、ＳｉＯ_２またはＳｉＮのパッシベーション膜２６０が設けられている。少なくともキャパシター２３０の上方には、パッシベーション膜２６０上に赤外線吸収体（広義には光吸収部材）２７０が設けられている。パッシベーション膜２６０もＳｉＯ_２またはＳｉＮにて形成されるが、赤外線吸収体２７０のパターンエッチングの必要上、下層のパッシベーション膜２６０とはエッチング選択比が大きい異種材料とすることが好ましい。この赤外線吸収体２７０に赤外線が図２の矢印方向から入射され、赤外線吸収体２７０は吸収した赤外線量に応じて発熱する。その熱が焦電体２３２に伝熱されることで、キャパシター２３０の自発分極量が熱によって変化し、自発分極による電荷を検出することで赤外線を検出できる。なお、赤外線吸収体２７０はキャパシター２３０と別個に設けるものに限らず、キャパシター２３０内に赤外線吸収体２７０が存在する場合には不要となる。

パッシベーション膜２６０や赤外線吸収体２７０のＣＶＤ形成時に還元ガスが発生しても、キャパシター２３０は還元ガスバリア層２４０及び第１，第２プラグ２２６，２２８中のバリアメタルにより保護される。

この赤外線吸収体２７０を含む赤外線検出器２００の外表面を覆って、還元ガスバリア層２８０が設けられている。この還元ガスバリア層２８０は、赤外線吸収体２７０に入射する赤外線（波長帯域は８〜１４μｍ）の透過率を高くするために、例えば還元ガスバリア層２４０よりも薄肉に形成される必要がある。このために、原子の大きさレベルで膜厚が調整できる原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法が採用される。通常のＣＶＤ法では厚すぎて赤外線透過率が悪化してしまうからである。本実施形態では、例えば酸化アルミニウムＡｌ_２Ｏ_３を１０〜５０ｎｍ、例えば２０ｎｍの厚さで成膜して形成される。上述の通り、原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法は、スパッタ法等と比較して、優れた埋め込み特性を有するため、微細化に対応して原子レベルで緻密な膜を形成することが可能となり、薄くても還元ガスバリア性を高めることができる。

また、基部１００側では、空洞部１０２を規定する壁部、つまり空洞部を規定する底壁１００Ａと側壁１０４Ａには、焦電型赤外線検出器２００を製造する過程で空洞部１０２に埋め込まれていた犠牲層１５０（図４参照）を等方性エッチングする時のエッチングストップ膜１３０が形成されている。同様に、支持部材２１０の下面（犠牲層１５０の上面）にもエッチングストップ膜１４０が形成されている。本実施形態では、エッチングストップ膜１３０，１４０と同一材料により還元ガスバリア膜２８０を形成している。つまり、エッチングストップ膜１３０，１４０も還元ガスバリア性を有することになる。このエッチングストップ膜１３０，１４０も、酸化アルミニウムＡｌ_２Ｏ_３が原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法により膜厚２０〜５０ｎｍで成膜されて形成される。

エッチングストップ膜１４０が還元ガスバリア性を有することで、犠牲層１５０をフッ酸により還元雰囲気で等方性エッチングしたとき、支持部材２１０を透過してキャパシター２３０に還元ガスが侵入することを抑制できる。また、基部１００を覆うエッチングストップ膜１３０が還元ガスバリア性を有することで、基部１００内に配置される回路のトランジスタや配線が還元されて劣化することを抑制できる。

３．キャパシターの構造
３．１．熱コンダクタンス
図１は、本実施形態のキャパシター２３０の構造をより詳細に説明するための概略断面図である。上述した通り、キャパシター２３０は、第１電極（下部電極）２３４と第２電極（上部電極）２３６との間に焦電体２３２を含む。このキャパシター２３０は、支持部材２１０が空洞部１０２と面する第１面（図１の下面）と対向する第２面（図１の上面）に搭載して支持される。そして、入射された赤外線の光量（温度）によって焦電体２３２の自発分極量が変化すること（焦電効果またはパイロ電子効果）を利用して赤外線を検出できる。本実施形態では、入射された赤外線が赤外線吸収体２７０にて吸収されて赤外線吸収体２７０が発熱し、赤外線吸収体２７０と焦電体２３２との間にある固体熱伝導路を介して、赤外線吸収体２７０の発熱が伝達される。

本実施形態のキャパシター２３０では、支持部材２１０と接する第１電極（下部電極）２３４の熱コンダクタンスＣ１を、第２電極（上部電極）２３６の熱コンダクタンスＣ２よりも小さくしている。こうすると、キャパシター２３０は、赤外線に起因した熱が第２電極（上部電極）２３６を介して焦電体２３２に伝達されやすく、しかも、焦電体２３２の熱が第１電極（下部電極）２３４を介して支持部材２１０に逃げ難くなり、赤外線検出素子２２０の信号感度が向上する。

なお、キャパシター２３０が搭載される本実施形態の支持部材２１０は、図１及び図４に示すように、単層では残留応力によって反りが生じるので、引張及び圧縮の双方の残留応力に反りを発生させる応力を相殺させるように、複数層例えば三層で形成されている。

キャパシター２３０側から順に、第１層部材２１２は酸化膜（例えばＳｉＯ_２）、第２層部材２１４は窒化膜（例えばＳｉ_３Ｎ_４）、第３層部材２１６は酸化膜（例えば第１層部材２１２と同一材料でＳｉＯ_２）としている。酸化膜と窒化膜の応力方向が逆なので、支持部材に反りを生じさせる応力を相殺できる。なお、窒化膜（例えばＳｉ_３Ｎ_４）は還元ガスバリア性を有するので、支持部材２１０の第２層部材２１４でもキャパシター２３０の焦電体２３２に支持部材２１０側から侵入する還元性阻害要因をブロックする機能がある。

上述した特性を有するキャパシター２３０の構造を、図１を参照してさらに詳細に説明する。先ず、第１電極（下部電極）２３４の厚さＴ１は、第２電極（上部電極）２３６よりも厚い（Ｔ１＞Ｔ２）である。第１電極（下部電極）２３４の熱伝導率をλ１とすると、第１電極（下部電極）２３４の熱コンダクタンスＧ１は、Ｇ１＝λ１／Ｔ１となる。第２電極（上部電極）２３６の熱伝導率をλ２としたとき、第２電極（上部電極）２３６の熱コンダクタンスＧ２は、Ｇ２＝λ２／Ｔ２となる。

熱コンダクタンスの関係をＣ１＜Ｃ２とするためには、例えば第１，第２電極２３４，２３６の材質を例えば共に白金ＰｔまたはイリジウムＩｒ等の同一の単一材料とすれば、λ１＝λ２となり、図１からＴ１＞Ｔ２であるのでＧ１＜Ｇ２の関係を満足できる。

そこで先ず、第１，第２電極２３４，２３６の各々を、それぞれ同一材料にて形成することについて考察する。キャパシター２３０は、焦電体２３２の結晶方向を揃えるために、焦電体２３２が形成される下層の第１電極２３４との界面の結晶格子レベルを整合させる必要がある。つまり、第１電極２３４は結晶のシード層としての機能を有するが、白金Ｐｔは自己配向性が強いので、第１電極２３４として好ましい。イリジウムＩｒもシード層材料として好適である。

また、第２電極（上部電極）２３６は、焦電体２３２の結晶性を崩さずに、第１電極２３４、焦電体２３２から第２電極２３６に至るまで結晶配向が連続的につながることが好ましい。そのため、第２電極２３６は第１電極２３４と同一材料にて形成することが好ましい。

このように、第２電極２３６を第１電極２３４と同一材料例えばＰｔまたはＩｒ等の金属にて形成すると、第２電極２３６の上面を反射面とすることができる。この場合、図１に示すように、赤外線吸収体２７０の頂面から第２電極２３６の頂面までの距離Ｌをλ／４（λは赤外線の検出波長）とすると良い。こうすると、赤外線吸収体２７０の頂面と第２電極２３６の頂面との間で、検出波長λの赤外線が多重反射されるので、検出波長λの赤外線を赤外線吸収体２７０にて効率よく吸収できる。

３．２．電極多層構造
次に、図１に示す本実施形態のキャパシター２３０の構造について説明する。図１に示すキャパシター２３０は、焦電体２３２、第１電極２３４及び第２電極２３６の優先配向方位が、例えば（１１１）配向で揃えられている。（１１１）面方位に優先配向されることで、他の面方位に（１１１）配向の配向率が例えば９０％以上に制御される。焦電係数を大きくするには（１１１）配向よりもむしろ（１００）配向などが好ましいが、印加電界方向に対して分極を制御しやくするために（１１１）配向としている。ただし、優先配向方位はこれに限定されない。

第１電極２３４は、支持部材２１０から順に、第１電極２３４を例えば（１１１）面に優先配向するように配向制御する配向制御層（例えばＩｒ）２３４Ａと、第１還元ガスバリア層（例えばＩｒＯｘ）２３４Ｂと、優先配向のシード層（例えばＰｔ）２３４Ｃとを含むことができる。

第２電極２３６は、焦電体２３２側から順に、焦電体２３２と結晶配向が整合する配向整合層（例えばＰｔ）２３６Ａと、第２還元ガスバリア層（例えばＩｒＯｘ）２３６Ｂと、第２電極２３６に接続される第２プラグ２２８との接合面を低抵抗化する低抵抗層（例えばＩｒ）２３６Ｃとを含むことができる。

本実施形態にてキャパシター２３０の第１，第２電極２３４，２３６を多層構造とした理由は、熱容量の小さい赤外線検出素子２２０でありながら、能力を低めずに低ダメージで加工して界面での結晶格子レベルを整合させ、しかも、キャパシター２３０の周囲が製造時または使用時に還元雰囲気となっても焦電体（酸化物）２３２を還元ガスから隔離することにある。

焦電体２３２は例えばＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３の総称：チタン酸ジルコン酸鉛）またはＰＺＴＮ（ＰＺＴにＮｂを添加したものの総称）等を例えば（１１１）面方位で優先配向させて結晶成長させている。ＰＺＴＮを用いると、薄膜になっても還元され難く酸化欠損を抑制できる点で好ましい。焦電体２３２を配向結晶化させるために、焦電体２３２の下層の第１電極２３４の形成段階から配向結晶化させている。

このために、下部電極２３４には配向制御層として機能するＩｒ層２３４Ａがスパッタ法で形成される。なお、図１に示すように、配向制御層２３４Ａの下に密着層２３４Ｄとしてたとえばチタン・アルミ・ナイトライド（ＴｉＡｌＮ）層または窒化チタン（ＴｉＮ）層を形成すると良い。支持部材２１０の材質によっては密着性が確保しにくいからである。また、密着層２３４Ｄの下層に位置する支持部材２１０の第１層部材２１２をＳｉＯ２で形成するとき、第１層部材２１２はポリシリコンよりもグレインが小さい材料またはアモルファス材料にて形成することが好ましい。こうすると、支持部材２１０がキャパシター２３０を搭載する表面の平滑性を確保できるからである。もし、配向制御層２３４Ａが形成される面が粗面であると、結晶成長中に粗面の凹凸が反映されてしまうから好ましくない。

第１電極２３４中にて還元ガスバリア層として機能するＩｒＯｘ層２３４Ｂは、キャパシター２３０の下方からの還元性の阻害因子から焦電体２３２を隔離するために、還元ガスバリア性を呈する支持部材２１０の第２層部材（例えばＳｉ_３Ｎ_４）２１４及び支持部材２１０のエッチングストップ膜（例えばＡｌ_２Ｏ_３）１４０と共に用いられる。例えば焦電体（セラミック）２３２の焼成時や他のアニール工程での基部１００からの脱ガスや、犠牲層１５０の等方性エッチング工程に用いる還元ガスが、還元性阻害因子となる。

なお、焦電体２３２の焼成工程中など、高温処理時にはキャパシター２３０内部で蒸発気体が生成されることがあるが、その蒸発気体の逃げ道が、図４の矢印Ａに示すように、支持部材２１０の第１層部材２１２にて確保される。つまり、キャパシター２３０内部で発生する蒸発気体を逃がすには、第１層部材２１２にはガスバリア性を備えず、第２層部材２１４にガスバリア性を備える方が良い。

また、ＩｒＯｘ層２３４Ｂは、それ自体の結晶性は少ないが、Ｉｒ層２３４Ａとは金属−金属酸化物の関係となって相性が良いので、Ｉｒ層２３４Ａと同一の優先配向方位を持つことができる。

第１電極２３４中にてシード層として機能するＰｔ層２３４Ｃが、焦電体２３２の優先配向のシード層となり、（１１１）配向される。本実施形態では、Ｐｔ層２３４Ｃは二層構造となっている。第１層目のＰｔ層で（１１１）配向の基礎をつくり、第２層目のＰｔ層で表面にマイクロラフネスを形成して、焦電体２３２の優先配向のシード層として機能させる。焦電体２３２は、シード層２３４Ｃにならつて（１１１）配向される。

第２電極２３６では、スパッタ法で成膜されるとは物理的に界面が荒れ、トラップサイトが生じて特性が劣化する虞があるので、第１電極２３４、焦電体２３２、第２電極２３６の結晶配向が連続的につながるように、結晶レベル格子整合の再構築を行なっている。

第２電極２３６中のＰｔ層２３６Ａはスパッタ法で形成されるが、スパッタ直後で界面の結晶方向は不連続となる。そこで、その後にアニール処理してＰｔ層２３６Ａを再結晶化させている。つまり、Ｐｔ層２３６Ａは、焦電体２３２と結晶配向が整合する配向整合層として機能する。

第２電極２３６中のＩｒＯｘ層２３６Ｂは、キャパシター２３０の上方からの還元性劣化因子のバリアとして機能する。また、第２電極２３６中のＩｒ層２３６Ｃは、ＩｒＯｘ層２３６Ｂの抵抗値が大きいので、第２プラグ２２８との間の抵抗値を低抵抗化させるために用いられる。Ｉｒ層２３６Ｃは、ＩｒＯｘ層２３６Ｂと金属酸化物−金属の関係で相性がよく、ＩｒＯｘ層２３６Ｂと同一の優先配向方位を持つことができる。

このように、本実施形態では、第１，第２電極２３４，２３６は、焦電体２３２側から順に、Ｐｔ、ＩｒＯｘ、Ｉｒと多層に配置され、焦電体２３２を中心として、形成材料が対称配置されている。

ただし、第１，第２電極２３４，２３６を形成する多層構造の各層の厚さは、焦電体２３２を中心として非対称となっている。先ず、第１電極２３４のトータル厚さＴ１と、第２電極２３６のトータル厚さＴ２とは、上述したよりも関係（Ｔ１＞Ｔ２）を満足している。ここで、第１電極２３４のＩｒ層２３４Ａ、ＩｒＯｘ層２３４Ｂ、Ｐｔ層２３４Ｃの各熱伝導率をλ１、λ２、λ３とし、各厚さをＴ１１、Ｔ１２、Ｔ１３とする。第２電極２３６のＩｒ層２３６Ｃ、ＩｒＯｘ層２３６Ｂ、Ｐｔ層２３６Ａの各熱伝導率は第１電極２３４と同じくλ１、λ２、λ３となり、その各厚さをＴ２１、Ｔ２２、Ｔ２３とする。

また、第１電極２３４のＩｒ層２３４Ａ、ＩｒＯｘ層２３４Ｂ、Ｐｔ層２３４Ｃの各熱コンダクタンスをＧ１１、Ｇ１２、Ｇ１３とすると、Ｇ１１＝λ１／Ｔ１１、Ｇ１２＝λ２／Ｔ１２、Ｇ１３＝λ３／Ｔ１３となる。第２電極２３６のＩｒ層２３６Ｃ、ＩｒＯｘ層２３６Ｂ、Ｐｔ層２３６Ａの各熱コンダクタンスをＧ２１、Ｇ２２、Ｇ２３とすると、Ｇ２１＝λ１／Ｔ２１、Ｇ２２＝λ２／Ｔ２２、Ｇ２３＝λ３／Ｔ２３となる。

第１電極２３４のトータル熱コンダクタンスＧ１は、１／Ｇ１＝（１／Ｇ１１）＋（１／Ｇ１２）＋（１／Ｇ１３）で表わされるので、
Ｇ１＝（Ｇ１１×Ｇ１２×Ｇ１３）／（Ｇ１１＋Ｇ１２＋Ｇ１３）…（１）
同様に、第２電極２３６のトータル熱コンダクタンスＧ２は、１／Ｇ２＝（１／Ｇ２１）＋（１／Ｇ２２）＋（１／Ｇ２３）で表わされるので、
Ｇ２＝（Ｇ２１×Ｇ２２×Ｇ２３）／（Ｇ２１＋Ｇ２２＋Ｇ２３）…（２）
となる。

次に、第１，第２電極２３４，２３６を形成する多層構造の各層の厚さは、Ｔ１１＋Ｔ１２＋Ｔ１３＝Ｔ１＞Ｔ２＝Ｔ２１＋Ｔ２２＋Ｔ２３を満たす条件下でほぼ次の通りの関係である。

Ｉｒ層２３４Ａ，２３６Ｃ Ｔ１１：Ｔ２１＝１：０．７
ＩｒＯｘ層２３４Ｂ，２３６Ｂ Ｔ１２：Ｔ２２＝０．３：１
Ｐｔ層２３４Ｃ，２３６Ａ Ｔ１３：Ｔ２３＝３：１
このような膜厚関係とした理由は以下の通りである。まず、Ｉｒ層２３４Ａ，２３６Ｃについて言えば、第１電極２３４中のＩｒ層２３４Ａは配向制御層として機能するから、配向性を有するには所定の膜厚が必要であるのに対して、第２電極２３６のＩｒ層２３６Ｃの目的は低抵抗化にあり、薄くするほど低抵抗化を実現できる。

次に、ＩｒＯｘ層２３４Ｂ，２３６Ｂについて言えば、キャパシター２３０の下方及び上方からの還元性阻害因子のバリア性は他のバリア膜（第２層部材２１４、還元性ガスバリア層２４０、エッチングストップ膜兼還元性ガスバリア層１４０，２８０）を併用しており、第１電極２３４のＩｒＯｘ層２３４Ｂは薄くしているが、第２電極ＩｒＯｘ層２３６Ｂは第２プラグ２２８でのバリア性が低いことに備えて厚くしている。

最後に、Ｐｔ層２３４Ｃ，２３６Ａに関して言えば、第１電極２３４中のＰｔ層２３４Ｃは焦電体２３２の優先配向を決定付けるシード層として機能するから所定の膜厚が必要であるのに対して、第２電極２３６のＰｔ層２３６Ａの目的は焦電体２３２の配向と整合する配向整合層として機能するので、第１電極２３４中のＰｔ層２３４Ｃよりも薄く形成しても良い。

また、第１電極２３４のＩｒ層２３４Ａ、ＩｒＯｘ層２３４Ｂ、Ｐｔ層２３４Ｃの肉厚比は、例えばＴ１１：Ｔ１２：Ｔ１３＝１０：３：１５とし、第２電極２３６のＩｒ層２３６Ｃ、ＩｒＯｘ層２３６Ｂ、Ｐｔ層２３６Ａの肉厚比は、例えばＴ２１：Ｔ２２：Ｔ２３＝７：１０：５とした。

ここで、Ｐｔの熱伝達率λ３＝７１．６（Ｗ／ｍ・Ｋ）であり、Ｉｒの熱伝達率λ１は、λ１＝１４７（Ｗ／ｍ・Ｋ）とＰｔの熱伝達率λ３のほぼ２倍である。ＩｒＯｘの熱伝導率λ２は熱度や酸素／金属比（Ｏ／Ｍ）によって変化するが、Ｉｒの熱伝達率λ１を超えることはない。上述した膜厚の関係と熱伝達率の関係を式（１）（２）に代入してＧ１，Ｇ２の大小関係を求めると、Ｇ１＜Ｇ２が成立することが分かる。このように、本実施形態のように第１，第２電極２３４，２３６を多層構造にしても、熱伝達率と膜厚の関係からＧ１＜Ｇ２が満足される。

また、上述した通り、第１電極２３４が支持部材２１０との接合面に密着層２３４Ｄを有する場合には、第１電極２３４の熱コンダクタンスＧ１はより小さくなるので、Ｇ１＜Ｇ２の関係を満足し易くなる。

なお、キャパシター２３０のエッチングマスクはエッチングの進行に従い劣化するので、多層構造とするほどキャパシター２３０の側壁は、図１に示すように上側ほど狭く下側ほど広いテーパ形状となる。しかし、水平面に対するテーパ角は８０度程なので、キャパシター２３０の全高がナノメートルオーダーであることを考慮すれば、第２電極２３６に対する第１電極２３４の面積拡大は小さい。よって、第１，第２電極２３４，２３６の熱コンダクタンスの関係から、第１電極２３４での熱伝達量を第２電極２３６での熱伝達量よりも小さくできる。

３．３．キャパシター構造の変形例
以上の通り、キャパシター２３０の第１，第２電極２３４，２３６の各々について、単層構造及び多層構造を説明したが、キャパシター２３０の機能を維持しながら、熱コンダクタンスの関係をＧ１＜Ｇ２とする他の種々の組み合わせが考えられる。

先ず、第２電極２３６のＩｒ層２３６Ｃを削除することができる。この場合、第２プラグ２２８の材料に例えばＩｒを用いれば、同様に低抵抗化の目的は達成されるからである。こうすると、第２電極２３６の熱コンダクタンスＧ２は図１の場合よりも大きくなるので、Ｇ１＜Ｇ２の関係を満足させ易くなる。また、この場合には、図１に示すＬ＝λ／４を規定する反射面は、第２電極２３６のＰｔ層２３６Ａに代わるが、同様に多重反射面を担保できる。

次に、図１の第２電極２３６中のＩｒＯｘ層２３６Ｂの厚さを、第１電極２３４中のＩｒＯｘ層２３４Ｂと同一厚さ以下とすることができる。上述の通り、キャパシター２３０の下方及び上方からの還元性阻害因子のバリア性は他のバリア膜（第２層部材２１４、還元性ガスバリア層２４０、エッチングストップ膜兼還元性ガスバリア層１４０，２８０）を併用しているからで、第２プラグ２２８での還元ガスバリア性が例えば図５のようにして高められれば、第２電極２３６中のＩｒＯｘ層２３６Ｂの厚さを第１電極２３４中のＩｒＯｘ層２３４Ｂより厚くする必要はない。こうすると、第２電極２３６の熱コンダクタンスＧ２はより大きくなり、よりＧ１＜Ｇ２の関係を成立がし易くなる。

次に、図１の第１電極２３４中のＩｒＯｘ層２３４Ｂを削除することができる。ＩｒＯｘ層２３４Ｂを削除しても、Ｉｒ層２３４ＡとＰｔ層２３４Ｃとの結晶の連続性は妨げられないので、結晶配向に関して何ら問題はない。ＩｒＯｘ層２３４Ｂを削除することで、キャパシター２３０はその下方からの還元性阻害因子に対してバリア膜を持たないことになる。ただし、キャパシター２３０を支持する支持部材２１０にて第２層部材２１４が、支持部材２１０の下面にはエッチングストップ膜１４０が、それぞれ存在し、第２層部材２１４及びエッチングストップ膜１４０が還元ガスバリア性を有する膜で形成されれば、キャパシター２３０はその下方からの還元性阻害因子に対するバリア性を担保できる。

ここで、第１電極２３４中のＩｒＯｘ層２３４Ｂを削除すると、第１電極２３４の熱コンダクタンスＧ１は大きくなる。よって、Ｇ１＜Ｇ２の関係を成立させるには、第２電極２３６の熱コンダクタンスＧ２も大きくする必要が生ずるかもしれない。その場合、例えば第２電極２３６中のＩｒＯｘ層２３６Ｂを削除することが考えられる。ＩｒＯｘ層２３６Ｂを削除できれば、Ｉｒ層２３６Ｃもまた不要となる。Ｉｒ層２３６Ｃに代えてＰｔ層２３６Ａが低抵抗層として機能するからである。キャパシター２３０の上方からの還元性阻害因子についてのバリア性は、上述した還元性ガスバリア膜２４０や、図４に示すバリアメタル２２８Ａや、あるいは図５の還元性ガスバリア層２９０により担保できる。

図１の第２電極２３４は上述した通りＰｔ層２３６Ａのみで形成したとき、第１電極２３４は、Ｐｔ層２３４Ｃの単層か、Ｉｒ層２３４Ａ及びＰｔ層２３４Ｃの二層か、あるいは図１の通りＩｒ層２３４Ａ、ＩｒＯｘ層２３４Ｂ及びＰｔ層２３４Ｃの三層とすることができる。これらの場合のいずれでも、例えば第１電極２３４のＰｔ層２３４Ａの厚さＴ１１を第２電極２３６のＰｔ層２３６Ｃの厚さＴ２１よりも厚くすれば（Ｔ１１＞Ｔ２１）、Ｇ１＜Ｇ２の関係を容易に成立させることができる。

４．電子機器
図６に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の構成例を示す。この電子機器は、光学系４００、センサーデバイス（焦電型光検出装置）４１０、画像処理部４２０、処理部４３０、記憶部４４０、操作部４５０、表示部４６０を含む。なお本実施形態の電子機器は図６の構成に限定されず、その構成要素の一部（例えば光学系、操作部、表示部等）を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。

光学系４００は、例えば１又は複数のレンズや、これらのレンズを駆動する駆動部などを含む。そしてセンサーデバイス４１０への物体像の結像などを行う。また必要であればフォーカス調整なども行う。

センサーデバイス４１０は、上述した本実施形態の焦電型光検出器２００を二次元配列させて構成され、複数の行線（ワード線、走査線）と複数の列線（データ線）が設けられる。センサーデバイス４１０は、二次元配列された光検出器に加えて、行選択回路（行ドライバー）と、列線を介して光検出器からのデータを読み出す読み出し回路と、Ａ／Ｄ変換部等を含むことができる。二次元配列された各光検出器からのデータを順次読み出すことで、物体像の撮像処理を行うことができる。

画像処理部４２０は、センサーデバイス４１０からのデジタルの画像データ（画素データ）に基づいて、画像補正処理などの各種の画像処理を行う。

処理部４３０は、電子機器の全体の制御を行ったり、電子機器内の各ブロックの制御を行う。この処理部４３０は、例えばＣＰＵ等により実現される。記憶部４４０は、各種の情報を記憶するものであり、例えば処理部４３０や画像処理部４２０のワーク領域として機能する。操作部４５０は、ユーザが電子機器を操作するためのインターフェースとなるものであり、例えば各種ボタンやＧＵＩ（Graphical User Interface）画面などにより実現される。表示部４６０は、例えばセンサーデバイス４１０により取得された画像やＧＵＩ画面などを表示するものであり、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの各種のディスプレイにより実現される。

このように、１セル分の焦電型光検出器を赤外線センサー等のセンサーとして用いる他、１セル分の焦電型光検出器を直交二軸方向に二次元配置することでセンサーデバイス４１０を構成することができ、こうすると熱（光）分布画像を提供することができる。このセンサーデバイス４１０を用いて、サーモグラフィー、車載用ナイトビジョンあるいは監視カメラなどの電子機器を構成することができる。

もちろん、１セル分または複数セルの焦電型光検出器をセンサーとして用いることで物体の物理情報の解析（測定）を行う解析機器（測定機器）、火や発熱を検知するセキュリティー機器、工場などに設けられるＦＡ（Factory Automation）機器などの各種の電子機器を構成することもできる。

図７（Ａ）に図６のセンサーデバイス４１０の構成例を示す。このセンサーデバイスは、センサーアレイ５００と、行選択回路（行ドライバー）５１０と、読み出し回路５２０を含む。またＡ／Ｄ変換部５３０、制御回路５５０を含むことができる。このセンサーデバイスを用いることで、例えばナイトビジョン機器などに用いられる赤外線カメラなどを実現できる。

センサーアレイ５００には、例えば図２に示すように二軸方向に複数のセンサーセルが配列（配置）される。また複数の行線（ワード線、走査線）と複数の列線（データ線）が設けられる。なお行線及び列線の一方の本数が１本であってもよい。例えば行線が１本である場合には、図７（Ａ）において行線に沿った方向（横方向）に複数のセンサーセルが配列される。一方、列線が１本である場合には、列線に沿った方向（縦方向）に複数のセンサーセルが配列される。

図７（Ｂ）に示すように、センサーアレイ５００の各センサーセルは、各行線と各列線の交差位置に対応する場所に配置（形成）される。例えば図７（Ｂ）のセンサーセルは、行線ＷＬ１と列線ＤＬ１の交差位置に対応する場所に配置されている。他のセンサーセルも同様である。

行選択回路５１０は、１又は複数の行線に接続される。そして各行線の選択動作を行う。例えば図７（Ｂ）のようなＱＶＧＡ（３２０×２４０画素）のセンサーアレイ５００（焦点面アレイ）を例にとれば、行線ＷＬ０、ＷＬ１、ＷＬ２・・・・ＷＬ２３９を順次選択（走査）する動作を行う。即ちこれらの行線を選択する信号（ワード選択信号）をセンサーアレイ５００に出力する。

読み出し回路５２０は、１又は複数の列線に接続される。そして各列線の読み出し動作を行う。ＱＶＧＡのセンサーアレイ５００を例にとれば、列線ＤＬ０、ＤＬ１、ＤＬ２・・・・ＤＬ３１９からの検出信号（検出電流、検出電荷）を読み出す動作を行う。

Ａ／Ｄ変換部５３０は、読み出し回路５２０において取得された検出電圧（測定電圧、到達電圧）をデジタルデータにＡ／Ｄ変換する処理を行う。そしてＡ／Ｄ変換後のデジタルデータＤＯＵＴを出力する。具体的には、Ａ／Ｄ変換部５３０には、複数の列線の各列線に対応して各Ａ／Ｄ変換器が設けられる。そして、各Ａ／Ｄ変換器は、対応する列線において読み出し回路５２０により取得された検出電圧のＡ／Ｄ変換処理を行う。なお、複数の列線に対応して１つのＡ／Ｄ変換器を設け、この１つのＡ／Ｄ変換器を用いて、複数の列線の検出電圧を時分割にＡ／Ｄ変換してもよい。

制御回路５５０（タイミング生成回路）は、各種の制御信号を生成して、行選択回路５１０、読み出し回路５２０、Ａ／Ｄ変換部５３０に出力する。例えば充電や放電（リセット）の制御信号を生成して出力する。或いは、各回路のタイミングを制御する信号を生成して出力する。

以上、いくつかの実施形態について説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるものである。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。

１００ 基部（固定部）、１０２ 空洞部、１３０，１４０ 還元ガスバリア層（エッチングストップ膜）、２００ 焦電型光検出器、２１０ 支持部材、２２０ 赤外線検出素子、２２２，２２４ 第１，第２電極配線層、２２６，２２８ 第１，第２プラグ、２２８Ａ バリアメタル、２３０ キャパシター、２３２ 焦電体、２３４ 第１電極、２３４Ａ 配向制御層、２３４Ｂ 第１還元ガスバリア層、２３４Ｃ シード層、２３４Ｄ 密着層、２３６ 第２電極、２３６Ａ 配向整合層、２３６Ｂ 第２還元ガスバリア層、２３６Ｃ 低抵抗層、２４０ 還元ガスバリア層、２５０ 層間絶縁膜、２６０ パッシベーション膜、２７０ 光吸収部材（赤外線吸収体）、２８０ 還元ガスバリア層（エッチングストップ膜）、２９０ 還元ガスバリア層

Claims (7)

1. 第１電極と第２電極との間に焦電体を含み、温度に基づいて分極量が変化するキャパシターと、
   第１面と、前記第１面と対向する第２面とを含み、前記第１面が空洞部と面し、前記第２面に、前記キャパシターを搭載して支持する支持部材と、
   前記支持部材を支持する固定部と、
   を有し、
   前記第２面上に配置される前記第１電極は、
   前記焦電体を特定の結晶面に優先配向させるシード層と、
   前記支持部材と前記シード層との間にて、前記シード層が前記特定の結晶面に優先配向するように制御する配向制御層と、
   前記シード層と前記配向制御層との間に、還元ガスに対してバリア性を有する第１還元ガスバリア層と、
   を含み、
   前記第２電極は、
   前記焦電体と結晶配向が整合する配向整合層と、
   前記配向整合層が前記焦電体と接する面とは逆の面に形成され、還元ガスに対してバリア性を有する第２還元ガスバリア層と、
   前記第２還元ガスバリア層が前記配向整合層と接する面とは逆の面に形成される低抵抗層と、
   を含み、
   前記第１電極の膜厚Ｔ１は前記第２電極の膜厚Ｔ２よりも厚く、前記第１電極中の前記シード層の厚さをＴ１３とし、前記第２電極中の前記配向整合層の厚さをＴ２３としたとき、Ｔ１３≧３×Ｔ２３であり、前記第１電極の熱コンダクタンスが、前記第２電極の熱コンダクタンスよりも小さいことを特徴とする焦電型光検出器。
2. 請求項１において、
   前記第１電極は、前記配向制御層と前記支持部材との間に密着層をさらに有することを特徴とする焦電型光検出器。
3. 請求項１または２において、
   前記特定の結晶面が、（１１１）面であることを特徴とする焦電型光検出器。
4. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記キャパシターの前記第２電極側から入射される光入射経路にて前記キャパシターよりも上流側に配置され、光を吸収して得られた熱を前記キャパシターに伝達する光吸収部材がさらに設けられ、
   前記第２電極は、前記光吸収部材を透過した光を前記光吸収部材に反射させることを特徴とする焦電型光検出器。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の焦電型光検出器を二軸方向に沿って二次元配置したことを特徴とする焦電型光検出装置。
6. 請求項１乃至４のいずれかに記載の焦電型光検出器を有することを特徴とする電子機器。
7. 請求項５に記載の焦電型光検出装置を有することを特徴とする電子機器。

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