JP5585159B2 - コネクタ、電子装置、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、図3及び4を参照して、第1実施形態に従った電子装置100及びコネクタ130の概略構成を説明する。
厚さ1.95mm程度のフレームに、格子状に配列されたピッチ1.27mm、直径0.75mm程度の貫通孔を形成する。貫通孔の内壁にCuめっきを行い、貫通孔の周辺にAuパッドを形成する。貫通孔に長さ2.15mm程度、直径0.7mm程度の棒状の、Ni:49%、Ti:51%の組成比を有するNiTi合金を挿通する。フレームのLGAパッケージ側及びシステムボード側の双方において、フレームから突出したNiTi合金の部分に、例えばAgフィラーを含有する導電性ゴムを嵌合させる。以上により、非加圧時の総高さが2.3mm程度のコラムを形成する。
続いて、図9を参照して、第2実施形態に従ったLGAコネクタ230の構成を説明する。LGAコネクタ230は、図3に示した電子装置100において、LGAコネクタ130に代えて用いることができる。図9は、図5に対応して、コネクタ230の一部と、該コネクタによって接続される半導体装置(LGAパッケージと称する)110及び配線基板(システムボードと称する)120の一部とを示している。なお、コネクタ130とコネクタ230とで共通する要素については、類似の参照符号を付し、その機能及び材料についての詳細な説明を省略する。
厚さ1.95mm程度のフレームに、格子状に配列されたピッチ1.27mm、直径0.75mm程度の貫通孔を形成する。貫通孔の内壁にCuめっきを行い、貫通孔の周辺にAuパッドを形成する。貫通孔に長さ2.17mm程度、直径0.7mm程度の棒状の、Ni:49%、Ti:51%の組成比を有するNiTi合金を挿通する。フレームのLGAパッケージ側及びシステムボード側の双方において、フレームから突出したNiTi合金を囲むように、30μm〜70μmφの銅線を50μmピッチで巻いた長さ0.18mm程度のバネを配置する。各バネの基端をAuパッドに導電性接着剤で固定する。各バネの先端に、例えば導電性シリコーンゴムパッドを導電性接着剤で固定する。
110 半導体装置(LGAパッケージ)
111 パッケージ基板
112 パッド(ランド)
113 半導体チップ
120 配線基板(システムボード)
122 電極パッド
130、230 コネクタ(LGAコネクタ)
131、231 フレーム
132、232 貫通孔
133、233 金属膜
134、234 金属パッド
140、240 コラム
141、142 導電性エラストマー
141a、142a 挿入孔
141b、142b 接触面
143、243 金属部(形状記憶合金)
151 ボルスタープレート
152 ヒートスプレッダ
153 ヒートシンクベース
154 バネ付きネジ
244、245 導電性バネ
246、247 導電性パッド
Claims (6)
- 電気絶縁性のフレ−ムと、
前記フレームに備えられた貫通孔と、
前記貫通孔内に配置され且つ前記フレームから突出する接続端子であり、形状記憶合金を含む金属部を備えた接続端子と、
前記金属部の前記フレームからの突出部の周囲に巻かれたバネと、
を有することを特徴とするコネクタ。 - 前記接続端子は前記フレームからの前記突出部の先端に導電性エラストマーを有する、ことを特徴とする請求項1記載のコネクタ。
- 前記金属部は、前記フレームの厚さより大きい長さを有し、且つ前記フレームの両面から突出している、ことを特徴とする請求項1又は2記載のコネクタ。
- 前記貫通孔の内壁に金属膜が形成されている、ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載のコネクタ。
- 配線基板と、
前記配線基板の上方に設けられた半導体装置と、
フレーム及び接続端子を有し、前記配線基板と前記半導体装置とを電気的に接続するコネクタと
を有し、
前記接続端子は前記フレームの貫通孔内に配置され且つ前記フレームから突出し、前記接続端子は形状記憶合金を含む金属部を備え、前記金属部の前記フレームからの突出部の周囲にバネが巻かれている、ことを特徴とする電子装置。 - フレ−ムと、前記フレームに備えられた貫通孔と、前記貫通孔内に配置され且つ前記フレームから突出する接続端子であり、形状記憶合金を含む金属部を備えた接続端子と、前記金属部の前記フレームからの突出部の周囲に巻かれたバネと、を有するコネクタを配線基板上に配置する工程と、
前記コネクタ上に半導体装置を配置し、前記接続端子を前記配線基板及び前記半導体装置と電気的に接続する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
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