JP5578868B2 - 光源格子、該光源格子を備えたx線位相コントラスト像の撮像装置、x線コンピューター断層撮影システム - Google Patents

光源格子、該光源格子を備えたx線位相コントラスト像の撮像装置、x線コンピューター断層撮影システム Download PDF

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Description

本発明は、電磁波強度の空間変調に用いられる光源格子(遮蔽格子)、該光源格子を備えたX線位相コントラスト像の撮像装置、X線コンピューター断層撮影システムに関する。
電磁波は、その波長の長さに起因する特性により、様々な被検体の撮影に用いられている。
電磁波の一種のX線は高い物質透過性を持ち、被検体の内部構造の観察が可能であることから、産業分野や医療分野で透過撮像装置に用いられている。
近年、X線の屈折や干渉を利用した撮像方法についても開発が行なわれている。これらのX線撮像方法においては、一つのX線を空間的に複数のビームに分割する技術が用いられている。
例えば、特許文献1に開示されている干渉縞から位相変化を撮像する方法であるタルボ・ロー干渉法では、X線光源と撮像系との間に配置されているX線用光源格子によりX線を複数の細ビームにすることで、空間的な可干渉性を確保している。
また、被検体によるX線の屈折を利用して撮像画像の高コントラスト化を行う屈折法では、X線を複数のビームにすることで、屈折現象を検出器上でのビームの移動として検出できるようにしている。
WO2006/131235号明細書
光源格子を位相コントラスト像の撮像に用いる際、一つの電磁波を空間的に複数のビームに分割するには、複数の開口を有する光源格子を電磁波源と撮像系との間に設けるのが一般的である。
その際、ビームの間隔、いわゆる周期は撮像条件に応じて決定される。
光源格子は剛体であることが多く、とりわけ透過力の高いX線の領域においては、遮蔽能の高い重い金属で光源格子を作製する必要がある。
しかしながら、光源格子の周期は、上記したように撮像条件に応じたものが必要とされる。
したがって、このような撮像条件に合わせるため、いくつもの複数の光源格子を予め用意しておくことが必要となり、金属などの剛体で光源格子を作製した場合等において、準備に手間を要し、コスト高となる。
本発明は、上記課題に鑑み、複数の光源格子を予め用意しておく必要がなく、撮像条件に合わせて周期を変更することが可能となる光源格子、該光源格子を備えたX線位相コントラスト像の撮像装置、X線コンピューター断層撮影システムの提供を目的とする。
本発明は、つぎのように構成した光源格子、該光源格子を備えたX線位相コントラスト像の撮像装置、X線コンピューター断層撮影システムを提供するものである。
本発明の光源格子は、磁波を空間的に複数のビームに分割する光源格子であって、
数の開口が設けられた第1の基板と、複数の開口が設けられた第2の基板とを備え、
前記第1の基板と前記第2の基板とは積層しており、
前記第1の基板と前記第2の基板との重なりにおいて、前記第1の基板に設けられた開口と前記第2の基板に設けられた開口とによって形成された開配列を有し、
記第1の基板と前記第2の基板との面方向における相対位置を変えることによって、前記配列の周期を第1の周期から該第1の周期とは異なる第2の周期に変更ることが可能に構成されていることを特徴とする。
また、本発明のX線位相コントラスト像の撮像装置は、上記した光源格子と、前記光源格子からの電磁波が入射する位相格子と、前記位相格子からの電磁波が入射する振幅格子と、前記振幅格子からの電磁波の強度分布を撮像する撮像素子と、を備えることを特徴とする。
また、本発明のX線コンピューター断層撮影システムは、上記した撮像装置を有することを特徴とする。
本発明によれば、複数の光源格子を予め用意しておく必要がなく、撮像条件に合わせて周期を変更することが可能となる光源格子、該光源格子を備えたX線位相コントラスト像の撮像装置、X線コンピューター断層撮影システムを実現することができる。
本発明の実施形態1における光源格子の構成例を説明する図。 本発明の実施形態1における光源格子の構成例を説明する図。 本発明の実施形態2における光源格子の構成例を説明する図。 本発明の実施形態2における光源格子の構成例を説明する図。 本発明の実施形態2の第1変形例における光源格子の構成例を説明する図。 本発明の実施形態2の第2変形例における光源格子の構成例を説明する図。 図7(a)は本発明の実施例1におけるタルボ・ロー干渉法を用いたX線位相コントラスト像の撮像装置の構成例を説明する図。図7(b)は実施例1における光源格子のパターンの元になる点の座標の表。 図8(a)は本発明の実施例2におけるX線屈折法による構成例を説明する図。図8(b)は実施例2に係る光源格子におけるパターンの元になる点の座標の表。
つぎに、本発明の実施形態における電磁波源と撮像系との間に設けられ、電磁波源から照射された電磁波を空間的に複数のビームに分割して位相コントラスト像を撮像する際に用いられる光源格子の構成例について説明する。
[実施形態1]
実施形態1では、積層した多数の開口を有する2つの基板を相対的に面方向に回転させ、これら基板の相対位置を変えることで、開口配列周期を変更する光源格子の構成例について説明する。
相対的な回転の中心となる基準は、開口を兼ねていてもよいし、開口とは別の基準点を有してもよい。
まず、図1(a)と図1(b)とを用いて、回転の基準を兼ねる1つの開口を含む複数の開口を有し、積層することで光源格子を構成する2つの基板の構成例について説明する。
本実施形態の光源格子は、複数の開口を備えている第1の基板と、複数の開口を備えている第2の基板とが積層して構成され、これらの第1の基板と第2の基板との重なりにおいて上記複数の開口によって形成された2次元配列による開口配列を有している。
これらを具体的に説明すると、図1(a)は、本実施形態における第1の基板の構成を説明する正視図である。第1の基板は、所望の電磁波に適する遮蔽部材2で構成された基板上に、所望の電磁波が透過する開口部4を有する。
例えば、光源格子20(図7(a)参照)によって実現する第1の周期12(図2(a)参照)の正方配列開口と、
第2の周期14の正方配列開口とを、各々の正方配列において基準となる1つの開口が重なり、かつ正方配列の軸が平行となるように重ね合わせたパターンにおいて、対応する開口同士を連続した開口でつなげて1つの開口にする。
基準となる1つの開口は、正方配列のどの位置でもよい。
例えば、第1の周期12をaマイクロメートル、第2の周期14(図2(b)参照)をbマイクロメートルとすると、
基準1となる1つの開口を原点に第1の周期12の正方配列の座標(x1、y1)は(a×n、a×m)、第2の周期14の正方配列の座標(x2、y2)は(b×n、b×m)と表せる。
ここで、n、m、は整数であり、同じnとmの組み合わせの座標が対応する座標である。
対応する(x1、y1)と(x2、y2)とをつなげ、(n、m)番目の開口である第1の基板6の開口部4とする。
図1(b)は、本実施形態における第2の基板の構成を説明する正視図である。第2の基板は、第1の基板と同様に、所望の電磁波に適する遮蔽部材2で構成された基板上に、電磁波が透過する開口部4を有する。
例えば、光源格子20(図7(a)参照)によって実現する第1の周期12の正方配列開口と、
第2の周期14の正方配列開口とを、各々の正方配列において基準となる1つの開口を基準1として、各々の正方配列の対応する軸がある回転角度θ16となるように重ね合わせたパターンにおいて、対応する開口同士をつなげて1つの連続した開口にする。
例えば、第1の周期12をaマイクロメートル、第2の周期14をbマイクロメートルとする。
これにより、基準1となる1つの開口を原点に第1の周期12の正方配列の座標(x1、y1)は(a×n、a×m)と表せ、第2の周期14の正方配列の座標(x3、y3)は(Rnm×cos(θ+θnm)、Rnm×sin(θ+θnm))と表せる。
ここで、θは前記回転角度、n及びmは整数、Rnm=b×(n×n+m×m)^(1/2)、θnm=arctan(m/n)である。
対応する(x1、y1)と(x3、y3)とをつなげ、第2の基板6の開口部4とする。
(x1、y1)と(x2、y2)とをつなげる場合、または、(x1、y1)と(x3、y3)とをつなげる場合、直線であってもよいし、曲線であってもよい。
開口部4の幅は、光源格子20で得たい開口幅に対応しており、所望の開口幅を実現する開口部4の幅でよい。開口部4全体に渡り同じ開口幅でもよいし、異なる開口幅でもよい。開口幅を変えることで、周期と同時に、光源格子20の開口幅も変えることができる。
つぎに、図2(a)と図2(b)とを用いて、2つの基板を積層して構成する光源格子について説明する。
図2(a)は、第1の周期12の正方配列が重なるように第1の基板6と第2の基板8とを積層した構成を説明する図である。
図2(a)に示すように、第1の基板6の開口部と第2の基板8の開口部で構成される開口配列10は、第1の周期12の正方配列に相当する位置に形成される。
次に、第2の基板を時計回り回転角度θ16だけ基準1を中心に回転する。
図2(b)は、第2の基板を回転角度θ回転させて第1の基板と積層した光源格子の構成を説明する図である。
図2(b)に示すように、第1の基板6の開口部と第2の基板8の開口部で構成される開口配列10は、第2の周期14の正方配列に相当する位置に形成される。
すなわち、第1の基板6に対する第2の基板8の角度を変えることで周期が変化する開口配列10を有する光源格子となる。
開口配列10の形状は、第1の基板と第2の基板との角度で変化する。
第1の周期12の開口部3と第2の周期14の開口部5は連続した開口部でつなげてもよいし、非連続の開口部でつなげてもよい。
図2(c)に第2の基板の変形例を示す。図2(c)に示すように、非連続にすることによって、光源格子を構成した場合に第1の周期12の開口配列10と第2の周期14の開口配列10との個々の形状を均一にすることができる。
また、非連続の場合、第1の周期12と第2の周期14との間の周期に相当する第3の周期の開口部7を、第1の周期12の開口部3と第2の周期14の開口部5との間に有する構成とする。
これにより、離散的な周期ではあるが、形状の一定な開口配列10を有する光源格子を構成することができる。
本実施例において、例えば3×3の正方配列の光源格子20の例を説明しているが、配列の数は個々の開口部4が重ならなければ、いくつでもよい。
また、縦方向と横方向の配列数が異なり、例えば3×4の配列でもよい。
[実施形態2]
実施形態2では、積層した多数の開口を有する2つの基板を相対的に並進させることで、開口配列周期を変更することができる光源格子の構成例について説明する。
まず、図3(a)と図3(b)とを用いて、積層する多数の開口を有する2つの基板の構成例について説明する。
図3(a)は、本実施形態における第1の基板の構成を説明する正視図である。第1の基板は、実施形態1と同様に、所望の電磁波に適する遮蔽部材2で構成された基板上に、所望の電磁波が透過する開口部4を有する。
例えば、光源格子20によって実現する第1の周期12の正方配列開口と第2の周期14の正方配列開口とを、各々の正方配列の軸が平行かつ基準となる1つの開口が重なる位置から、
一つの軸、例えば横軸方向に距離dだけずらして重ね合わせたパターンにおいて、対応する開口同士を連続した開口でつなげて1つの開口にする。
例えば、第1の周期12をaマイクロメートル、第2の周期14をbマイクロメートルとする。
これにより、基準となる1つの開口を原点に第1の周期12の正方配列の座標(x1、y1)は(a×n、a×m)、第2の周期14の正方配列の座標(x2、y2)は(b×n+d、b×m)で表される。
ここで、n、m、は整数であり、同じnとmの組み合わせの座標が対応する座標である。
対応する(x1、y1)と(x2、y2)とをつなげ、第1の基板6の開口部4とする。
図3(b)は、本実施形態における第2の基板の構成を説明する正視図である。
第2の基板は、第1の基板と同様に、所望の電磁波に適する遮蔽部材2で構成された基板上に、所望の電磁波が透過する開口部4を有する。
例えば、光源格子20によって実現する第1の周期12の正方配列開口と第2の周期14の正方配列開口とを、各々の正方配列の軸が平行かつ基準となる1つの開口が重なる位置から、
一つの軸、例えば縦軸方向(並進方向)に移動距離dだけずらして重ね合わせたパターンにおいて、対応する開口同士を連続した開口でつなげて1つの開口にする。
例えば、第1の周期12をaマイクロメートル、第2の周期14をbマイクロメートルとする。
これにより、基準となる1つの開口を原点に第1の周期12の正方配列の座標(x1、y1)は(a×n、a×m)、第2の周期14の正方配列の座標(x3、y3)は(b×n、b×m+d)で表される。
対応する(x1、y1)と(x3、y3)とをつなげ、第1の基板6の開口部4とする。
(x1、y1)と(x2、y2)とをつなげる場合、または、(x1、y1)と(x3、y3)とをつなげる場合、直線であってもよいし、曲線であってもよい。
開口部4の幅は、光源格子20で得たい開口幅に対応しており、所望の開口幅を実現する開口部4の幅でよい。開口部4全体に渡り同じ開口幅でもよいし、異なる開口幅でもよい。
開口幅を変えることで、周期と同時に、光源格子20の開口幅も変えることができる。
つぎに、図4(a)と図4(b)とを用いて、本実施形態における2つの基板を積層して構成する光源格子20について説明する。
図4(a)は、第1の周期12の正方配列が重なるように第1の基板6と第2の基板8とを積層した光源格子の構成を説明する図である。
図4(a)に示すように、第1の基板6の開口部4と第2の基板8の開口部で構成される開口配列10は、第1の周期12の正方配列に相当する位置に形成される。
次に、第2の基板を縦軸と横軸の両方向に距離dだけ並進移動する。
図4(b)は、第2の基板を縦軸と横軸方向に距離dだけ並進させた光源格子20の構成を説明する図である。
図4(b)に示すように、第1の基板6の開口部4と第2の基板8の開口部で構成される開口配列10は、第2の周期14の正方配列に相当する位置に形成される。
すなわち、第1の基板6に対する第2の基板8の位置を並進移動することで周期が変化する開口配列10を有する光源格子20となる。第1の基板と第2の基板の積層する向きは、正方配列の直交する軸が重なり合う角度であればよい。
図5(a)と図5(b)に、本実施形態における第1の基板と第2の基板の積層する場合の変形例をそれぞれ示す。
例えば、図5(a)と図5(b)に示すように、第1の基板に対して、第2の基板8の場合と比べて、180度回転させた位置で積層してもよい。
図5(a)に示すように、第1の周期12を有する開口配列10の形状が図4(a)に示す開口配列10よりも円形に近く、また、図5(b)に示すように第2の周期14を有する開口配列10の形状が図4(b)の開口配列10よりも円形に近く、形状が均一になる。
また、図6(a)と図6(b)に本実施形態の第1の基板と第2の基板の変形例をそれぞれ示す。
図6(a)と図6(b)に示すように、第1の基板及び第2の基板の開口部4は、実施形態1の場合と同様、開口配列の周期毎に独立であってもよい。
独立とすることで、第1の周期12と第2の周期14との間の周期となる位置における開口配列10の形状の均一性が向上する。
また、第1の周期12と第2の周期14との間の他方の周期の正方配列に相当する開口部4を有してもよい。
本実施形態において、例えば3×3の正方配列の光源格子20の例を説明しているが、配列の数は個々の開口部4が重ならなければ、いくつでもよい。
また、縦方向と横方向の配列数が異なり、例えば3×4の配列でもよい。
以下に、本発明の実施例について説明する。
[実施例1]
実施例1においては、X線位相イメージングに用いられるX線用光源格子について、図7を用いて説明する。
4インチ径の両面研磨200μm厚によるシリコンウェハー表面にレジストコート後、フォトリソグラフィ法により2つの10mm角のエリアに次のような異なるレジストパターンを作製する。
図7(b)は、本実施例におけるレジストパターンの元になる点の座標を、第1の周期a=24μm、第2の周期b=20μm、回転角度θ=5度の条件で、μm単位で算出した値である。
レジストパターンのうち、一方は図7(b)に示す座標(x1、y1)と(x2、y2)の(n、m)=(0,0)を除いた対応する点同士を結ぶ幅5μmの線である。
また、他方は図7(b)に示す座標(x1、y1)と(x3、y3)の(n、m)=(0,0)を除いた対応する点同士を結ぶ幅5μmの線であって、これらは共にレジストを残すパターンである。
次に、Deep−RIEにより、シリコンウェハーに深さ40μmまで異方性エッチング加工を行った後、レジストパターンをアッシャ−により除去する。
次に、ウェハー上にチタン−金のスパッタ膜を形成させ、電解めっきのシード層とする。電解めっき装置に、めっき液として日本エレクトロプレイティングエンジニヤーズ株式会社製・テンペレックス209Aを入れ、めっき液を温度60℃、電流密度0.2A/dm2の条件で400分間めっきする。
基板表面に付着した金は、ダイヤモンドスラリーを用いたバフ研磨を行い除去する。
その後、10mm角の領域をダイシングにより切り出す。これにより、5μmの開口幅を持つX線透過領域を有する、二つの基板を得る。
次に、二つの基板を、(n,m)=(0,0)の点が重なり、かつ(x1、y1)に対応する位置が重なるように位置調整機構42、例えば高精度ステッピングモーターを搭載したステージに1枚ずつ取り付ける。位置調整機構42は、高精度ステッピングモーターでもよいし、例えば、圧電アクチュエーターでもよいし、手動の精密調整スクリューでもよい。
搭載のステージは、少なくとも面内回転動作するステッピングモーターを使用する。2枚の基板は、互いに物理的に干渉しないよう、かつ可能な限り近づけて配置する。
どちらか一方の基板を、ステッピングモーターにより(n,m)=(0,0)を中心に基板のX線透過領域が重なるように回転移動する。
つぎに、このようにして作製されたX線用光源格子20を配置して構成された本実施例における図7(a)に示すタルボ・ロー干渉法を用いたX線位相コントラスト像の撮像装置の構成例について説明する。
図7(a)に示すように、X線光源18の下流に光源格子20を配置し、該光源格子20の下流には、被検体24、X線用位相格子26、X線用振幅格子28、X線撮像素子30を順に配置する。
X線エネルギー17.5keV(0.71オングストローム)のX線光源18の前面に(x1、y1)の開口部が重なるように調整し周期を24μmとした光源格子20を配置する。
位相格子26として縦横周期8μmのπ変調の二次元位相格子を用いた場合、光源格子20と位相格子26の距離32を677mmとすると、タルボ・ロー干渉により、位相格子26から135mm離れたタルボ距離34にタルボ像が現れる。
タルボ距離34に縦横周期4μmの網状の振幅格子28とX線撮像素子30を配置し、タルボ像と振幅格子28によって作られるモアレ像をX線撮像素子30で撮像する。
得られたモアレ像からフーリエ変換法を用いて位相情報を抽出し、積分することで位相像を得る。
被検体24の厚みや撮像したい拡大率よって、光源格子20と位相格子26との距離32は調整される。
例えば、光源格子と位相格子との距離32を677mmから564mmへと短縮し拡大率を大きくする場合、タルボ・ロー干渉の条件を満たすために光源格子の周期も24μmから20μmへ変更する。
ステッピングモーターにより基準点(n,m)=(0,0)を中心に5度回転させると、対応する第1の基板の点(x2、y2)と第2の基板の点(x3、y3)とが重なり、光源格子20の周期が24μmから20μmへと小さくなる。
これにより、タルボ距離34が141mmの位置に拡大された被検体のタルボ像がタルボ・ロー干渉により結像し、モアレ縞から位相像を得る。
[実施例2]
実施例2においては、X線屈折法イメージングに用いられるX線用光源格子について、図8を用いて説明する。
まず、実施例1と同様の方法により、二つの基板を作製する。
図8(b)は、本実施例におけるレジストパターンの元になる点の座標を、第1の周期a=20μm、第2の周期b=25μm、移動距離d=5μmの条件で、μm単位で算出した値である。
レジストパターンのうち、一方は図8(b)に示す座標(x1、y1)と(x2、y2)との対応する点同士を結ぶ幅10μmの線である。
また、他方は図8(b)に示す座標(x1、y1)と(x3、y3)の対応する点同士を結ぶ幅5μmの線であって、これらは共にレジストを残すパターンである。実施例1と同様に、4インチ径の両面研磨200μm厚によるシリコンウェハーにエッチングと電解めっきを行い、バフ研磨後ダイシングにより10mm角の5μmの開口幅を持つX線透過領域を有する二つの基板を得る。
次に、二つの基板を、(n,m)=(0,0)の点が重なり、かつ(x1、y1)に対応する位置が重なるように位置調整機構42、例えば高精度ステッピングモーターを搭載したステージに1枚ずつ取り付ける。
位置調整機構42は、高精度ステッピングモーターでもよいし、例えば、圧電アクチュエーターでもよいし、手動の精密調整スクリューでもよい。
高精度ステッピングモーター搭載のステージは、縦横両軸に少なくとも5μm動作するものを使用する。2枚の基板は、互いに物理的に干渉しないよう、かつ可能な限り近づけて配置する。
どちらか一方の基板を、ステッピングモーターにより基板のX線透過領域が重なるように並進移動する。
このようにして作製されたX線用光源格子20を二つの基板上の対応する(x1、y1)の座標重なり、開口部の周期が20μmとなるように調整し、焦点サイズが10μmのX線光源18の下流30cmに配置する。
つぎに、本実施例における図8(a)に示すX線屈折法を用いたX線位相コントラスト像の撮像装置の構成例について説明する。
図8(a)に示すように、光源格子20の下流には、被検体24、X線撮像素子30を順に配置する。
被検体24は光源格子20近傍に配置する。X線撮像素子30は、1ピクセルの大きさ38が100μmとする。
光源格子20とX線撮像格子30との距離40が120cmの場合、光源格子20を透過したX線は、X線撮像素子30上で直径65μmのスポットが周期100μmで並ぶ。被検体24での屈折がない場合、X線は直線の軌跡36で進む。一方、被検体24での屈折がある場合、被検体を透過後X線の軌跡は曲がり、X線撮像素子30上でのスポットの位置はずれる。
このずれが被検体の屈折率に相当し、スポットのずれを解析することで、被検体24の屈折率分布を像として得る。
被検体24での屈折が大きい場合、屈折後のX線の軌道22が大きく曲がり、隣あうスポットの位置が入れ替わり、屈折情報にエラーが発生する。
その場合、光源格子20の周期を大きくし、光源格子20とX線撮像素子30の距離40を短くすることで、大きな屈折角度のX線でもX線撮像素子30上でのスポットのずれを抑制し、スポット径を小さくする。
光源格子20の二つの基板を立て横両方向に5μm移動させると、周期は20μmから25μmになる。
この光源格子20を用い、X線撮像素子30の距離40を120cmから90cmに短縮することで、スポットの直径が65μmから50μmと小さくなり、かつ、スポットの変位を抑えることができる。
また、本発明は、上記した実施例1及び実施例2で説明したX線位相コントラスト像の撮像装置を組み込んで、X線コンピューター断層撮影システムを構成することができる。
1:基準
2:遮蔽部材
3:第1の周期の開口部
4:基板の開口部
5:第2の周期の開口部
6:第1の基板
8:第2の基板
10:開口配列
12:第1の周期
14:第2の周期

Claims (8)

  1. 電磁波を空間的に複数のビームに分割する光源格子であって、
    複数の開口が設けられた第1の基板と、複数の開口が設けられた第2の基板とを備え、
    前記第1の基板と前記第2の基板とは積層しており、
    前記第1の基板と前記第2の基板との重なりにおいて、前記第1の基板に設けられた開口と前記第2の基板に設けられた開口とによって形成された開口の配列を有し、
    前記第2の基板と平行な面内において、前記第1の基板と前記第2の基板との相対位置を変えることによって、
    前記配列の周期を第1の周期から該第1の周期とは異なる第2の周期に変更することが可能に構成されていることを特徴とする光源格子。
  2. 前記第1の基板と前記第2の基板とを基準を中心として前記面内において相対的に回転させることで、前記配列の周期を前記第1の周期から前記第2の周期へ変更することが可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光源格子。
  3. 前記第1の基板における前記準となる1つの開口を原点に前記第1の周期の正方配列の座標を(x1、y1)とし、前記第の基板における前記第2の周期の正方配列の座標を(x2、y2)とし、前記第2の基板における前記第2の周期の正方配列の座標を(x3、y3)とするとき、
    前記第1の基板は、(x1、y1)=(a×n、a×m)で表される点(x1、y1)と、(x2、y2)=(b×n、b×m)で表される点(x2、y2)とを結ぶ、(n、m)番目の開口を有し、
    前記第2の基板は(x1、y1)=(a×n、a×m)で表される点(x1、y1)と、(x3、y3)=(Rnm×cos(θ+θnm)、Rnm×sin(θ+θnm))で表される点(x3、y3)とを結ぶ、
    前記第1の基板における(n、m)番目の開口に対応する開口を有することを特徴とする請求項2に記載の光源格子。
    但し、
    a:前記第1の周期
    b:前記第2の周
    θ:前記回転角度
    n、m:整数
    Rnm:=b×(n×n+m×m)^(1/2)
    θnm:=arctan(m/n)
  4. 前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記面内において相対的に並進移動させることで、前記配列の周期を前記第1の周期から前記第2の周期へ変更することが可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光源格子。
  5. 前記第1の基板における基準となる1つの開口を原点に前記第1の周期の正方配列の座標を(x1、y1)とし、前記第の基板における前記第2の周期の正方配列の座標(x2、y2)とし、前記第2の基板における前記第2の周期の正方配列の座標を(x3、y3)とするとき、
    前記第1の基板は、(x1、y1)=(a×n、a×m)で表される点(x1、y1)と、(x2、y2)=(b×n+d、b×m)で表される点(x2、y2)とを結ぶ、(n、m)番目の開口を有し、
    前記第2の基板は、前記(x1、y1)=(a×n、a×m)で表される点(x1、y1)と、(x3、y3)=(b×n、b×m+d)で表される点(x3、y3)とを結ぶ、前記第1の基板における(n、m)番目の開口に対応する開口を有することを特徴とする請求項4に記載の光源格子。
    但し、
    a:前記第1の周期
    b:前記第2の周期
    n、m:整数、
    d:前記並進方向の移動距離
  6. 請求項1から5のいずれか1項に記載の光源格子と、前記光源格子からの電磁波が入射する位相格子と、前記位相格子からの電磁波が入射する振幅格子と、前記振幅格子からの電磁波の強度分布を撮像する撮像素子と、を備えることを特徴とする撮像装置。
  7. 前記電磁波はX線であることを特徴とする請求項6に記載の撮像装置。
  8. 請求項7に記載の撮像装置を有することを特徴とするX線コンピューター断層撮影システム。
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