JP6372614B2 - 放射線源およびそれを備えた放射線位相差撮影装置 - Google Patents

Description

本発明は、物体を透過した放射線の位相差を利用して物体の内部構造をイメージングすることができる放射線位相差撮影装置およびそれに備えられる放射線源に関する。

従来、物体に放射線を透過させて物体の内部構造をイメージングする放射線撮影装置として様々なものが考え出されている。このような放射線撮影装置の一般的なものとしては、物体に放射線を当て、物体を通過させることにより放射線の投影像を撮影するものである。このような投影像には、放射線を通しやすさに応じて濃淡が現れており、これが物体の内部構造を表している。

このような放射線撮影装置では、ある程度放射線を吸収する性質を有する物体しか撮影することができない。例えば生体軟部組織などは、放射線をほとんど吸収しない。一般的な装置でこのような組織を撮影したとしても、投影像にはほとんど何も写らない。このように放射線を吸収しない物体の内部構造をイメージングしようとするときは、一般的な放射線撮影装置では原理上の限界がある。

そこで、透過放射線の位相差を利用して物体の内部構造をイメージングする放射線位相差撮影装置が考え出されてきている。このような装置は、タルボ干渉を利用して物体の内部構造をイメージングする。

タルボ干渉について説明する。図１４の放射線源５３からは、位相のそろった放射線が照射されている。この放射線がスダレ状となっている位相格子５５を通過させると、位相格子５５から所定の距離（タルボ距離）離れた投影面上に位相格子５５の像が現れる。この像を自己像と呼ぶ。自己像は、単なる位相格子５５の投影像ではない。自己像は、投影面が位相格子５５からタルボ距離だけ離れた位置でしか生じない。自己像は、光の干渉によって生じた干渉縞から構成される。タルボ距離において位相格子５５の自己像が現れる理由は放射線源５３から生じる放射線の位相がそろっているからである。放射線の位相が乱れると、タルボ距離に表れる自己像も乱れる。

放射線位相差撮影装置は自己像の乱れを利用して物体の内部構造をイメージングする。放射線源と位相格子５５との間に物体を置いたものとする。この物体は、放射線をほとんど吸収しないので、物体に入射した放射線のほとんどは位相格子５５側に出射する。

放射線は物体を完全に素通りであったかいうとそうではない。放射線の位相が物体を通過する間に変わるのである。物体を出射した放射線は位相が変化したまま位相格子５５を通過する。この放射線をタルボ距離に置いた投影面で観察すると、位相格子５５の自己像に乱れが生じている。この自己像の乱れの程度は放射線の位相変化を表している。

物体を透過した放射線の位相が具体的にどの程度変更するかは、放射線が物体のどこを通過したかによって変わる。仮に物体が均質な構成であれば、放射線の位相の変化は物体のどこを通っても同じである。しかし、一般的に物体は何らかの内部構造を有している。このような物体に放射線を透過させると位相の変化が同じとならないのである。

したがって、位相の変化が分かれば物体の内部構造を知ることができる。位相の変化はタルボ距離における位相格子５５の自己像を観察することで知ることができる。このような自己像の検出は放射線検出器によって行われる。放射線検出器は放射線を検出する検出面を有しており、自己像をこの検出面に投影させることにより、放射線検出器は自己像のイメージングをすることができる（例えば特許文献１参照）。

このような放射線位相差撮影装置に備えられる放射線源５３としては、コヒーレントな放射線を出力するものが選択される。コヒーレントな放射線とは、位相が揃っている放射線をいう。放射線位相差撮影装置は、放射線が被写体を透過するときに生じる放射線の位相の変化を検出しようとするものである。したがって、被写体に当てる前の放射線は位相が揃っている必要がある。

位相の揃った放射線は、放射線の発生領域が狭い放射線源５３から発生させることができる。しかし、このような放射線源５３は放射線の出力が弱いという難点がある。

そこで、従来構成として、より高出力な放射線源５３を用いる構成が採用されている。放射線源５３の出力を高くしようとするとそれだけ、放射線の発生領域を広くする必要があり、放射線のコヒーレント性が失われる。従来構成は、放射線のコヒーレント性を担保する目的で、放射線を図１５左側に示すようなマルチスリットに通過させるようにしている。このマルチスリットは、放射線を吸収する部材で構成されており図１５右側に示すように複数のスリットが設けられている。放射線はスリットの開口部からしかマルチスリットを通過できない。

１つのスリットを通過した放射線は、高いコヒーレント性を有している。これだけであれば放射線の出力は弱いままである。しかし、マルチスリットは複数のスリットを有している。したがって、マルチスリットを通過する放射線の線量はマルチスリットに設けられているスリットの数に応じて増える。この工夫により、放射線源５３の線量は撮影に用いることができほどに高いものとなる。

国際特許公開第２００９１０４５６０号公報

しかしながら、従来構成の放射線源は、次のような問題点がある。
すなわち、従来構成の放射線源は、それでも低い線量の放射線しか出力することができない。高いコヒーレント性を維持するには、マルチスリットを構成する各スリットの幅を十分に狭くする必要があるからである。

コヒーレント性と線量とはトレードオフの関係にある。コヒーレント性を高めようとすると、マルチスリットを構成する各スリットの幅を狭くする必要があり、マルチスリットを通過する放射線が少なくなる。逆にマルチスリットを通過する放射線を多くしようと思えば、各スリットの幅を広くする必要があり、コヒーレント性は低下する。

従来の放射線源は、マルチスリットを構成する各スリットの幅を十分に狭くすることで高いコヒーレント性が要求される撮影に適した構成にしている。しかし、放射線源を用いた撮影には様々なタイプのものがあり、コヒーレント性よりも線量を優先したい撮影もある。

従来構成では、マルチスリットを構成する各スリットの幅を調整できるような構成とはなっていないので、撮影目的に合わせてスリット幅を変更するようなことはできない。

本発明は、この様な事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、マルチスリットを構成する各スリットの幅を変更できるようにすることで、線量とコヒーレント性の調節をすることができる放射線源を提供することにある。

本発明は上述の課題を解決するために次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る放射線源は、単一の発生点で生じた放射線を透過させるスリットがスリットの延伸方向に直交する方向である直交方向に一定のピッチで配列されており、スリットが設けられていない部分に入射した放射線を吸収するマルチスリットと、スリットの延伸方向についての放射線の広がりを制限することにより、マルチスリットの一部に入射した放射線のみを出力させる遮蔽体と、放射線の発生点および遮蔽体とマルチスリットとの相対位置をスリットの延伸方向に移動させる移動部を備え、マルチスリットに設けられているスリットの各々には直交方向についての幅が狭い部分と広い部分とが設けられていることを特徴とするものである。

［作用・効果］本発明によれば、マルチスリットを構成する各スリットの幅を変更できるようにすることで、線量とコヒーレント性の調節をすることができる。すなわち、本発明のマルチスリットに設けられているスリットの各々には幅が狭い部分と広い部分とが設けられている。マルチスリットにおけるスリット幅が狭い部分に放射線を照射すると、マルチスリットを通過する放射線のコヒーレント性は高く線量は小さくなる。また、マルチスリットにおけるスリット幅が広い部分に放射線を照射すると、マルチスリットを通過する放射線のコヒーレント性は低く線量は大きくなる。本発明によれば、移動部を備えることによりマルチスリットにおける放射線が当たる部分を変更することができるので、撮影の目的に合わせて放射線の線量およびコヒーレント性の調整が可能となる。

また、上述の放射線源において、マルチスリットに設けられているスリットは、直交方向についての幅が延伸方向の一端から他端に向けて次第に大きくなるテーパ状となっていればより望ましい。

［作用・効果］上述の構成は、本発明の放射線源を具体的にしたものとなっている。スリットがテーパ状となっていれば、放射線の線量およびコヒーレント性の調整が無段階的に実行できる。

また、上述のマルチスリットにおいてスリットの幅が一定の狭い幅となっている領域と、スリットの幅が一定の広い幅となっている領域を有すればより望ましい。

［作用・効果］上述の構成は、本発明の放射線源を具体的にしたものとなっている。スリットの幅が一定となっている領域を複数有する構成となっていれば、マルチスリットを通過した放射線のコヒーレント性は、部分的にムラがなく一定となる。

本発明によれば、マルチスリットを構成する各スリットの幅を変更できるようにすることで、線量とコヒーレント性の調節をすることができる。すなわち、本発明のマルチスリットに設けられているスリットの各々には幅が狭い部分と広い部分とが設けられている。本発明によれば、移動部を備えることによりマルチスリットにおける放射線が当たる部分を変更することができるので、撮影の目的に合わせて放射線の線量およびコヒーレント性の調整が可能となる。

実施例１に係るＸ線源を説明する機能ブロック図である。 実施例１に係る遮蔽体を説明する平面図である。 実施例１に係るマルチスリットを説明する平面図である。 実施例１に係るＸ線ビームを説明する模式図である。 実施例１に係るＸ線量及びコヒーレント性の調整について説明する模式図である。 実施例１に係るＸ線量及びコヒーレント性の調整について説明する模式図である。 実施例１に係るＸ線量及びコヒーレント性の調整について説明する模式図である。 実施例１に係るＸ線量及びコヒーレント性の調整について説明する模式図である。 実施例１に係るＸ線源を搭載した装置を説明する機能ブロック図である。 実施例１に係るＸ線源を搭載した装置を説明する模式図である。 実施例１に係る吸収格子を説明する模式図である。 本発明に係る変形例を説明する模式図である。 本発明に係る変形例を説明する模式図である。 従来構成の装置を説明する模式図である。 従来構成の装置を説明する模式図である。

次に、本発明を実施するための形態について図を参照しながら説明する。本発明に係る放射線源は、放射線位相差撮影装置を想定しているが、他の装置に搭載することもできる。Ｘ線は、本発明の放射線に相当する。

図１は、本発明に係るＸ線源３の構成を示す機能ブロック図である。図１に示すように本発明に係るＸ線源３は、電子が衝突する陽極３ａと、陽極３ａから放射されたＸ線の広がりを制限する遮蔽体３ｂと、遮蔽体３ｂを通過してきたＸ線を入射させるマルチスリット３ｃとを備えている。

陽極３ａは、電子のターゲットであり、高速の電子を衝突させるとＸ線が発生する。Ｘ線は、単一の焦点ｐで生じる。遮蔽体３ｂは、図２に示すように、Ｘ線を通過させる窓Ｗを有しているＸ線を吸収する部材で構成される。窓Ｗは遮蔽体３ｂに設けられた貫通孔である。窓Ｗを通過したＸ線ビームは、図２の縦方向Ｙに幅狭で横方向Ｘに幅広のファン状のビームとなる。このＸ線ビームは、焦点ｐから奥行き方向Ｚに向かうビームであり、図１においては、縦方向Ｙに幅狭で紙面貫通方向に幅広のビームである。遮蔽体３ｂは、スリットＳの延伸方向についてのＸ線の広がりを制限することにより、マルチスリット３ｃの一部に入射したＸ線のみを出力させる。

図１に示すように遮蔽体３ｂを出射したファン状のＸ線ビームは、マルチスリット３ｃに入射する。マルチスリット３ｃは加工がしやすい例えば金などの素材で構成され、Ｘ線が透過しない程度の厚みを有している。

マルチスリット移動機構３ｄは、図１に示すようにマルチスリット３ｃを陽極３ａおよび遮蔽体３ｂに対して縦方向Ｙに移動させる構成である。マルチスリット移動機構３ｄによりマルチスリット３ｃの移動を行うと、マルチスリット３ｃが陽極３ａ上の焦点および遮蔽体３ｂに対して移動することになるので、マルチスリット３ｃがファン状のＸ線ビームに対して移動することになる。すると、マルチスリット３ｃ上におけるファン状のＸ線ビームが入射する位置が変化することになる。マルチスリット移動制御部３ｅは、マルチスリット移動機構３ｄを制御する構成である。操作パネル３ｆは、マルチスリット３ｃの移動に関する操作者の指示を入力する構成である。操作パネル３ｆに操作者の入力の指示があると、マルチスリット移動制御部３ｅは、マルチスリット移動機構３ｄを制御することにより、操作者が指示したマルチスリット３ｃの移動を実現する。このように、マルチスリット移動機構３ｄは、Ｘ線の発生点および遮蔽体３ｂとマルチスリット３ｃとの相対位置をスリットＳの延伸方向（縦方向Ｙ）に移動させる。マルチスリット移動機構３ｄは本発明の移動部に相当する。

図３は、本発明のマルチスリット３ｃを図示している。マルチスリット３ｃは、縦方向Ｙに伸びるスリットＳが横方向Ｘに配列した構成となっている。スリットＳの各々はマルチスリット３ｃの貫通孔である。スリットＳは、横方向Ｘに等間隔に配列されている。

図３は、マルチスリット３ｃの構成を示している。マルチスリット３ｃは矩形の形状をしている。マルチスリット３ｃに設けられているスリットＳは、マルチスリット３ｃの上端から下端に向けて伸びた細長状となっている。このスリットＳの形状は特徴的なものとなっている。すなわち、スリットＳの横幅は、マルチスリット３ｃの上端部から下端部に向かうに従い次第に広くなっており、スリットＳは全体としてテーパ状となっている。より具体的には、スリットＳは縦方向Ｙに伸びる中心軸Ｃを中心に左右対称の台形の形状となっている。マルチスリット３ｃに設けられているスリットＳの全ては、同一形状をしており、上側が幅狭で下側が幅広である。

マルチスリット３ｃに設けられているスリットＳの各々は、横方向Ｘに配列している。スリットＳの中心軸Ｃは、一定の配列ピッチＤだけ離されている。したがって、スリットＳの配列ピッチは、一定となっている。また、各スリットＳを横切る線分を考えたとき、線分上における各スリットＳの横幅は同一となる。この横幅の関係は、線分をどこに設定しても成り立つ。

図３においては、遮蔽体３ｂを出射したファン状のＸ線ビームがマルチスリット３ｃに入射する様子が示されている。ファン状のＸ線ビームは、マルチスリット３ｃの一部領域にしか入射しない。ファン状のＸ線ビームは、マルチスリット３ｃに吸収されることになる。マルチスリット３ｃにはスリットＳが設けられているので、このスリットＳを通過することができたＸ線のみがマルチスリット３ｃから出射することができる。したがって、遮蔽体３ｂを出射したファン状のＸ線ビームは、マルチスリット３ｃを通過することにより図４に示すように複数の断片に分断される。各断片の離間距離はスリットＳの配列ピッチＤとなる。

このように、本発明のマルチスリット３ｃは、単一の発生点で生じたＸ線を透過させるスリットＳがスリットＳの延伸方向（縦方向Ｙ）に直交する方向である直交方向（横方向Ｘ）に一定のピッチで配列されており、スリットＳが設けられていない部分に入射したＸ線を吸収する構成となっている。そして、マルチスリット３ｃに設けられているスリットＳの各々には直交方向（横方向Ｘ）についての幅が狭い部分と広い部分とが設けられている。マルチスリット３ｃに設けられているスリットＳは、直交方向（横方向Ｘ）についての幅が延伸方向（縦方向Ｙ）の一端から他端に向けて次第に大きくなるテーパ状となっている。

マルチスリット移動機構３ｄがマルチスリット３ｃを上下に移動させると、これに伴ってファン状のＸ線ビームが入射するマルチスリット３ｃ上の領域が上下に移動する。なお、マルチスリット３ｃを上に移動させると、ファン状のＸ線ビームが入射するマルチスリット３ｃ上の領域は下に移動する。同様に、マルチスリット３ｃを下に移動させると、ファン状のＸ線ビームが入射するマルチスリット３ｃ上の領域は上に移動する。

マルチスリット移動機構３ｄによりマルチスリット３ｃの位置を変動させると、Ｘ線源３から照射されるＸ線の線質を調整することができるのでこの点について説明する。図５は、マルチスリット３ｃを移動させることにより、遮蔽体３ｂを出射したファン状のＸ線ビームがマルチスリット３ｃの上端部に入射している様子を示している。この場合、Ｘ線ビームは幅狭のスリットＳを通過することになるので、マルチスリット３ｃから出射するＸ線ビームの線量は小さくなる。しかし、このＸ線ビームは狭いスリットを透過したものであるのでコヒーレント性が高いものとなっている。

図６は、マルチスリット３ｃと遮蔽体３ｂを出射したファン状のＸ線ビームが図５で説明した位置関係にあるときにマルチスリット３ｃを通過したＸ線ビームを示している。Ｘ線ビームは図４で説明したようにマルチスリット３ｃにより断片化されている。図６の場合、各断片の横幅は狭いものとなっている。しかしながら、各断片の離間距離はスリットＳの配列ピッチＤのままである。

図７は、マルチスリット３ｃを移動させることにより、遮蔽体３ｂを出射したファン状のＸ線ビームがマルチスリット３ｃの下端部に入射している様子を示している。この場合、Ｘ線ビームは幅広のスリットＳを通過することになるので、マルチスリット３ｃから出射するＸ線ビームの線量は大きくなる。しかし、このＸ線ビームは広いスリットを透過したものであるのでコヒーレント性が低いものとなる。

図８は、マルチスリット３ｃと遮蔽体３ｂを出射したファン状のＸ線ビームが図７で説明した位置関係にあるときにマルチスリット３ｃを通過したＸ線ビームを示している。Ｘ線ビームは図４で説明したようにマルチスリット３ｃにより断片化されている。図８の場合、各断片の横幅は広いものとなっている。しかしながら、各断片の離間距離はスリットＳの配列ピッチＤのままである。

このように、マルチスリット３ｃを移動させると、マルチスリット３ｃを通過するＸ線の線量とコヒーレント性は変化し、断片化されたＸ線ビームの各断片の離間距離は変化しない。

図９は、本発明に係る撮影装置１の全体構成を示している。撮影装置１は、図９に示すように被写体Ｍを載置する載置台２と、載置台２の上側に設けられるとともにＸ線ビームを照射するＸ線源３と、Ｘ線源３から生じ、載置台２上の被写体Ｍを透過してきたＸ線を検出するＦＰＤ（フラットパネルディテクタ）４を備えている。ＦＰＤ４と載置台２との挟まれる位置にはタルボ干渉を生じさせる位相格子５が設けられている。Ｘ線源３から照射されるＸ線ビームとは図４で説明したようなマルチスリット３ｃ通過後のＸ線ビームのことである。

撮影装置１は、タルボ干渉を利用した放射線撮影装置である。したがって、Ｘ線源３は位相のそろったＸ線ビームを出力する構成となっている。また、位相格子５とＦＰＤ４との間の距離は、タルボ距離に設定されている。この設定により位相格子５の自己像がＦＰＤ４のＸ線を検出する検出面上に現れることになる。

図４で説明したＸ線ビームの断片の離間距離はタルボ距離を決定するファクターのうちの一つである。本発明によれば、マルチスリット３ｃを移動させても断片の離間距離が変化することがない。したがって、マルチスリット３ｃを移動させることによりＸ線源３の線量およびコヒーレント性を調節したとしても、タルボ距離が変動してしまうことがない。

撮像系移動機構１３は、図１０に示すようにＸ線源３，ＦＰＤ４，位相格子５を互いの位置関係を保った状態で載置台２に対して移動させる構成である。撮像系移動機構１３により、Ｘ線源３，ＦＰＤ４，位相格子５は、載置台２に平行な方向に移動することができる。撮像系移動機構１３は、Ｘ線源３，位相格子５，およびＦＰＤ４の位置関係が保たれたままＦＰＤ４の検出面で被写体Ｍの投影が直線的に移動するように撮像系３，４，５および被写体Ｍの相対位置を変更させる。撮像系３，４，５は、Ｘ線を照射するＸ線源３と、図１１に示すように放射線を吸収する１方向に伸びる吸収線５ａが１方向と直交する方向に配列されている位相格子５と、放射線を検出する検出素子が縦横に配列された検出面でタルボ干渉によって生じる位相格子５の自己像を検出するＦＰＤ４とから構成される。

図１１に示す位相格子５の吸収線５ａの伸びる方向は、Ｘ線源３のマルチスリット３ｃのスリットＳの伸びる方向に一致している。

実施例１の場合、撮像系３，４，５に対する被写体Ｍの相対位置の変更は被写体Ｍを動かさずに撮像系３，４，５を移動させることで実行される。なお、撮像系移動制御部１４は、撮像系移動機構１３を制御する目的で設けられている。

Ｘ線源制御部６は、Ｘ線源３を制御する目的で設けられている。撮影中、Ｘ線源制御部６は、パルス状にＸ線ビームを繰り返し出力するようにＸ線源３を制御する。Ｘ線源３がＸ線ビームを出力する度に、ＦＰＤ４は載置台２上の被写体Ｍおよび位相格子５を透過してきたＸ線を検出し検出データを自己像生成部１１に送出する。このように本発明の装置は、Ｘ線撮影を連写することにより自己像を生成する構成となっている。

Ｘ線撮影の連写は、Ｘ線源制御部６と撮像系移動制御部１４とが互いに協働して実現される。Ｘ線撮影の連写結果は、自己像生成部１１に送出され、そこで互いにつなぎ合わされて単一の自己像となる。透視画像生成部１２は、自己像生成部１１より生成された自己像に基づいて被写体Ｍで生じたＸ線の位相差がイメージングされた透視画像を生成する。

なお、本発明のＸ線源３によれば、マルチスリット３ｃを移動させることによりコヒーレント性を優先した撮影もできれば、Ｘ線量を優先した撮影もできる。本発明によれば、撮影の目的に合わせてＸ線の線質を適切なものにすることができる。

図９に示す主制御部２１は、各部６，１１，１２，１４を統括的に制御する目的で設けられている。この主制御部２１は、ＣＰＵによって構成され、各種のプログラムを実行することにより各部を実現している。また、これら各部は、これらを担当する演算装置に分割して実行されてもよい。各部は必要に応じて記憶部２７にアクセスすることができる。操作卓２５は、操作者の指示を入力する目的で設けられている。また、表示部２６は、透視像を表示する目的で設けられている。

以上のように、本発明によれば、マルチスリット３ｃを構成する各スリットＳの幅を変更できるようにすることで、線量とコヒーレント性の調節をすることができる。すなわち、本発明のマルチスリット３ｃに設けられているスリットＳの各々には幅が狭い部分と広い部分とが設けられている。マルチスリット３ｃにおけるスリットＳ幅が狭い部分にＸ線を照射すると、マルチスリット３ｃを通過するＸ線のコヒーレント性は高く線量は小さくなる。また、マルチスリット３ｃにおけるスリットＳ幅が広い部分にＸ線を照射すると、マルチスリット３ｃを通過するＸ線のコヒーレント性は低く線量は大きくなる。本発明によれば、移動部を備えることによりマルチスリット３ｃにおけるＸ線が当たる部分を変更することができるので、撮影の目的に合わせてＸ線の線量およびコヒーレント性の調整が可能となる。

また、スリットＳがテーパ状となっていれば、Ｘ線の線量およびコヒーレント性の調整が無段階的に実行できる。

本発明は、上述のような構成に限られず下記のように変形実施することができる。

（１）図３によれば、マルチスリット３ｃに設けられるスリットＳはテーパ状となっていたが本発明はこの構成に限られない。図１２に示すように、スリットＳが複数の領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３で構成されていてもよい。スリットＳの領域Ｒ１における横幅は、狭い幅で一定となっており、スリットＳの領域Ｒ２における横幅は、中間的な幅で一定となっており、スリットＳの領域Ｒ３における横幅は、広い幅で一定となっている。そして、遮蔽体３ｂを出射したファン状のＸ線ビームの縦の幅は、領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の縦の幅よりも小さくなっている。つまり、マルチスリット３ｃは、スリットＳの幅が一定の狭い幅となっている領域Ｒ１と、スリットの幅が一定の広い幅となっている領域Ｒ３を有する。

このようにすることで、遮蔽体３ｂから出射したファン状のＸ線ビームを領域Ｒ１のみに入射させることもできれば、領域Ｒ２のみに入射させることもできる。同様に、遮蔽体３ｂから出射したファン状のＸ線ビームを領域Ｒ３のみに入射させることもできる。

領域Ｒ１内においてスリットＳの横幅は一定である。したがって、遮蔽体３ｂから出射したファン状のＸ線ビームを領域Ｒ１のみに入射させれば、Ｘ線ビームは、一定の幅のスリットを通過することになる。すると、マルチスリット３ｃを通過したＸ線ビームのコヒーレント性は、部分的にムラがなく一定となる。同様にマルチスリット３ｃを通過したＸ線ビームの線量は、部分的にムラがなく一定となる。このような事情は遮蔽体３ｂから出射したファン状のＸ線ビームを領域Ｒ２，Ｒ３に当てた場合についても同様となる。

図１２は、スリットの幅が異なる３つの領域を有していたが、領域の数は自由に調節することができる。

（２）図１によれば、遮蔽体３ｂが陽極３ａおよびマルチスリット３ｃの挟まれる位置に配置されていたが、本発明はこの構成に限られない。図１３に示すようにマルチスリット３ｃが陽極３ａおよび遮蔽体３ｂの挟まれる位置に配置されていてもよい。

（３）図１によれば、陽極３ａおよび遮蔽体３ｂに対してマルチスリット３ｃが移動する構成となっていたが、この構成に代えてマルチスリット３ｃに対して陽極３ａおよび遮蔽体３ｂが移動するような構成としてもよい。

（４）図９によれば、ＦＰＤ４におけるＸ線が入射する入射面には何も設けられていなかったが、入射面を覆うように吸収格子を配置してもよい。吸収格子は、図１１で説明したような位相格子５と同様な形状であり、所定のピッチで吸収線が平行に配列した構成となっている。

以上のように、本発明は、医用分野に適している。

Ｓ スリット
３ｂ 遮蔽体
３ｃ マルチスリット
３ｄ マルチスリット移動機構（移動部）

Claims (4)

1. 単一の発生点で生じた放射線を透過させるスリットが前記スリットの延伸方向に直交する方向である直交方向に一定のピッチで配列されており、前記スリットが設けられていない部分に入射した放射線を吸収するマルチスリットと、
   前記スリットの延伸方向についての放射線の広がりを制限することにより、マルチスリットの一部に入射した放射線のみを出力させる遮蔽体と、
   放射線の発生点および前記遮蔽体と前記マルチスリットとの相対位置を前記スリットの延伸方向に移動させる移動部を備え、
   前記マルチスリットに設けられている前記スリットの各々には、直交方向についての幅が狭い部分と広い部分とが設けられていることを特徴とする放射線源。
2. 請求項１に記載の放射線源において、
   前記マルチスリットに設けられている前記スリットは、直交方向についての幅が延伸方向の一端から他端に向けて次第に大きくなるテーパ状となっていることを特徴とする放射線源。
3. 請求項１に記載の放射線源において、
   前記スリットの幅が一定の狭い幅となっている領域と、前記スリットの幅が一定の広い幅となっている領域とを前記マルチスリットが有していることを特徴とする放射線源。
4. 請求項１に記載の放射線源を備えることを特徴とする放射線位相差撮影装置。
   

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