JP2015135322A

JP2015135322A - Ｘ線遮蔽格子およびその製造方法

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Publication number: JP2015135322A
Application number: JP2014246332A
Authority: JP
Inventors: 佐藤　玄太; Genta Sato; 玄太佐藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2013-12-20
Filing date: 2014-12-04
Publication date: 2015-07-27
Also published as: US20150179292A1

Abstract

【課題】低コストで、高アスペクト比とすることが可能となるＸ線遮蔽格子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の部分格子が積層したＸ線遮蔽格子であって、前記複数の部分格子の夫々は、Ｘ線遮蔽部とＸ線透過部とが第一の周期で配列された格子要素が第二の周期で配列された構造を有し、前記複数の部分格子の夫々の前記第一の周期同士は等しく、前記複数の部分格子の夫々の前記第二の周期同士が異なるように構成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、Ｘ線遮蔽格子およびその製造方法に関する。

Ｘ線をはじめとする放射線を利用した被検体の撮影装置は医療診断や非破壊検査において多目的に利用される。

近年、放射線強度パターンの被検体の有無に因る変化を撮像し、撮影後の画像に処理によって被検体による吸収強度や位相変調、散乱強度に関する画像を取得することが試みられている。例えば、Ｘ線回折格子を用いた干渉計により発生する干渉パターンを検出する方法（トールボット干渉法）などがある。

これらの強度パターンは、一般的な検出器の画素よりも小さな周期を有する場合がある。その場合、強度パターンと同程度の周期を有するＸ線遮蔽格子（以下、分析格子と呼ぶことがある）を用い、強度パターンの画像を得る方法を用いる。

Ｘ線などの透過性の高い放射線を用いる場合、分析格子は高いアスペクト比が必要となり、作製が容易でない。また、可干渉性のないＸ線源を干渉計の光源として用いる場合、線源格子と呼ばれるＸ線遮蔽格子を用いて可干渉性を付与する方法（トールボットラウ干渉法）を用いる。線源格子も、分析格子と同様に高いアスペクト比が必要となる。本発明及び本明細書において、単にＸ線遮蔽格子というときには、線源格子と分析格子の両方を含むこととする。

特許文献１には、高いアスペクト比の分析格子の製造方法として、低いアスペクト比の分析格子を多層に重ねて作製する方法が記載されている。尚、特許文献１において、重ねる分析格子はナノインプリントを用いて製造されている。

特開２０１２−９３１１７号公報

特許文献１の製造方法は、発散するＸ線に対応するため、周期の異なる複数の遮蔽格子を用いている。よって、周期の異なる複数の分析格子を製造するためには、周期毎に金型を作製することが必要となり、コストが高くなる。これは、ナノインプリント以外の方法で遮蔽格子を製造する場合であっても同様である。

Ｘ線遮蔽格子の製造方法においては、ナノインプリント以外にフォトリソグラフィやＬＩＧＡプロセスが一般的に用いられるが、これらの技術を用いる場合、周期毎にフォトマスクを作製することが必要となり、コストが高くなる。

そこで、本発明は、低コストで、高アスペクト比とすることが可能となるＸ線遮蔽格子およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面としてのＸ線遮蔽格子は、複数の部分格子が積層したＸ線遮蔽格子であって、前記複数の部分格子の夫々は、Ｘ線遮蔽部とＸ線透過部とが第一の周期で配列された格子要素が第二の周期で配列された構造を有し、前記複数の部分格子の夫々の前記第一の周期同士は等しく、前記複数の部分格子の夫々の前記第二の周期同士が異なることを特徴とする。

本発明のその他の側面に関しては、発明を実施するための形態で説明をする。

本発明によれば、低コストで、高アスペクト比とすることが可能となるＸ線遮蔽格子およびその製造方法を実現することができる。

本発明の実施形態に係る回折格子の断面構造を説明する模式図。本発明の実施形態に係る回折格子における一次元パターンの部分格子を説明する模式図。本発明の実施形態に係る回折格子における二次元パターンの部分格子を説明する模式図。本発明の実施形態に係る回折格子における一次元パターンの部分格子を説明する模式図。本発明の実施形態に係る回折格子における部分格子の構造を説明する模式図。本発明の実施形態に係る回折格子の断面構造を説明する模式図。本発明の実施例１に係る回折格子の作製プロセスを説明する模式図。本発明の実施例６に係る回折格子の作製プロセスを説明する模式図。本発明の実施例５に係る回折格子の作製プロセスを説明する模式図。

以下に、本発明の実施形態におけるＸ線遮蔽格子およびその製造方法について、図を用いて説明する。

なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

［実施形態］
本実施形態におけるＸ線遮蔽格子は、図１に示すような断面構造を備えている。
遮蔽格子は基板２４の上に作製される。遮蔽格子は、アスペクト比の低い複数の部分格子２６、１２６、２２６が重なった層構造を有する。

図１においては、本実施形態の遮蔽格子は、簡便のため、部分格子２６、１２６、２２６が三層重なった例を示しているが、本発明はこのような構成に限られるものではない。

複数の部分格子の夫々は、格子要素３０が同一面内に配列された構造を有している。
図２に、同一平面に複数の格子要素が配列されて構成された遮蔽格子の一例として、帯状のＸ線遮蔽部２２ａが１次元パターンで配列された部分格子２２６の模式図を示す。

部分格子２２６において、複数の格子要素３０、１３０、２３０が第２の周期Ｐ２ａで配列されており、格子要素間には、間隔ｄａが存在する。格子要素の夫々においては、Ｘ線遮蔽部２２ａとＸ線透過部２０ａとが第一の周期Ｐ１で第一の周期方向３４に配列されている。格子要素３０の第一の周期Ｐ１は、すべての部分格子２６、１２６、２２６において同じ周期とされている。これに対して、第２の周期は部分格子同士で異なる。そのため、図１に示すように、一方の部分格子２６（第１の部分格子ともいう）における格子要素同士の間隔と、該部分格子に積層される他方の部分格子１２６（第２の部分格子ともいう）における格子要素同士の間隔ｄｂとが異なる。第二の部分格子１２６の間隔ｄｂと、それに積層されるもう一方の部分格子２２６（第３の部分格子ともいう）における格子要素の間隔ｄａと、も異なる。図１おいては、第１の部分格子２６における格子要素の間隔ｄｃが０であるため、図示していない。このように、ｄａ＞ｄｂ＞ｄｃであると、第１の部分格子２６における第２の周期よりも第２の部分格子１２６における第２の周期の方が大きく、第２の部分格子１２６における第２の周期よりも第３の部分格子２２６における第２の周期の方が大きくなる。これにより、Ｘ線透過領域と、Ｘ線遮蔽領域の基板２４に対する角度を、格子面内の位置に応じて変更することができる。尚、Ｘ線透過領域は、部分格子２６、１２６、２２６同士の対応するＸ線透過部２０ａ、２０ｂ、２０ｃが重なって構成される領域である。同様に、Ｘ線遮蔽領域は、部分格子２６、１２６、２２６同士の対応するＸ線遮蔽部２２ａ、２２ｂ、２２ｃが重なって構成される領域である。このように、Ｘ線透過領域とＸ線遮蔽領域と基板との角度を変更することにより、例えば、Ｘ線透過領域の延伸方向を任意のＸ線の入射方向に近づけることができ、Ｘ線のケラレを軽減する効果を得ることができる。

例えば、図１において、基板２４の、第１の部分格子２６が設けられて面の反対側から発散Ｘ線が入射するものとする。Ｘ線の入射する面に近い第１の部分格子の第二の周期を、Ｘ線の出射する面に近い第２の部分格子の第二の周期よりも小さくすることが望ましい。また、第２の部分格子の第二の周期を、第２の部分格子よりもＸ線の出射する面に近い第３の部分格子の第二の周期よりも小さくすることが望ましい。言い換えると、第二の周期は、Ｘ線の入射する面との距離に応じて単調増加することが望ましい。但し、遮蔽格子単体でみたときに、部分格子同士で第二の周期が単調増加または単調減少していれば、Ｘ線の入射する面との距離に応じて第二の周期が単調増加するように用いることができる。尚、単調増加とは、ｘの増加に伴い、ｙが常に増加するものだけでなく、ｙが不変の箇所があるものも含む。同様に、単調減少とは、ｘの減少に伴い、ｙが常に減少するものだけでなく、ｙが不変の箇所があるものも含む。つまり、本明細書及び本発明において、Ｘ線の入射する面との距離に応じて第二の周期が段階的に増加するものも、Ｘ線の入射する面との距離に応じて第二の周期が単調増加しているものとする。図１に示すように、異なる部分格子間で対応する格子要素３０の一組が重なるよう部分格子を積層し、格子要素３０内のＸ線透過領域が基板２４に垂直になるように、部分格子を積層する。

このように部分格子を積層したときの格子要素３０を光軸格子要素と呼ぶ。基板２４から遠い部分格子２６ほど第二の周期を大きくすることで、光軸格子要素から遠い領域ほど、基板２４に対してＸ線透過領域およびＸ線遮蔽領域（複数の部分格子のそれぞれのＸ線遮蔽部２２ａ、２２ｂ、２２ｃで構成される領域）が斜めになる。
これにより基板２４から入射する発散Ｘ線に対して発生するケラレを軽減することができる。

第一の周期方向３４に平行な格子要素３０の辺の長さは、第二の周期よりも短いことが望ましい。そうすれば、格子要素同士の間隔ｄ（ｄａ、ｄｂ、ｄｃ）は、０以上の値となり、隣り合う格子要素３０、１３０、２３０のうちの隣り合う２つが重なることを防ぐことができる。格子要素３０が重なる場合には、Ｘ線透過領域にＸ線遮蔽領域が重なることが生じやすく、Ｘ線の透過量が減少する。

また、図６に示すように、格子要素同士の間隔はＸ線遮蔽材料で満たしてもよい。第一の周期方向３４に平行な格子要素３０の辺の長さが第二の周期Ｐ２ａよりも短い場合、格子要素同士の間隙が生じるが、この間隙が大きすぎる場合、Ｘ線の透過が多すぎて分析格子や線源格子として利用した場合に局所的な干渉縞の劣化を生じる。その場合、格子要素同士の間隙をＸ線遮蔽材用で充填することで、干渉縞の劣化を防ぐことができる。

格子要素３０において、Ｘ線遮蔽部とＸ線透過部とが１方向に配列されていても良いし、２以上の方向に配列されていても良い。Ｘ線遮蔽部とＸ線透過部とが１方向に配列されている場合、格子要素は１次元パターンの形状を有するといい、２方向に配列されている場合、格子要素は２次元パターンの形状を有するという。
２次元パターンには、例えば図３（ａ）に示す網戸状のパターンがある。図３（ａ）の部分格子は、網戸状のパターンを有する格子要素４０を複数有する。網戸状の格子要素は、パターンの周期方向として、ｙ方向４２と、ｙ方向と交わるｘ方向４６とを有する。

２次元パターンの形状を有する格子要素を２方向に配列する場合、Ｘ線のケラレを軽減するために、第二の周期方向４２においても、部分格子同士で第二の周期が異なることが望ましい。これにより、どちらの周期方向においてもＸ線透過領域２０の基板に対する角度を面内で変更することが可能となる。尚、図３（ａ）には、ｙ方向における第二の周期Ｐ２ａと、ｘ方向における第二の周期Ｐ２ａとが等しい場合を示したが、ｘ方向とｙ方向とにおいて、異なる周期で格子要素が配列されていても良い。
２次元パターンの形状を有する格子要素は、図３（ｂ）に示す遮蔽部５１がチェッカー状（市松格子状）に配置されている格子要素５０であってもよいし、それ以外でもよい。

また、格子要素のＸ線透過部の形状は、図３（ａ）や図３（ｂ）に示す矩形（四角形）であってもよいし、それ以外でもよい。例えば、円形であってもよい。
また、格子要素は、Ｘ線遮蔽部とＸ線透過部との配列方向とは異なる方向に周期をもって配置されてもよい。

例えば、１次元パターンの格子要素を配列する場合、図４に示すように、格子要素６０におけるＸ線遮蔽部とＸ線透過部との配列方向（ｙ方向）６２に直交する方向（ｘ方向）６６に、第三の周期Ｐ３で格子要素を配置するとよい。
パターンの消失を防ぐために、Ｘ線遮蔽部とＸ線透過部との配列方向に直交する方向６６では、格子要素間に間隔がないことが望ましい。そのため、Ｘ線透過領域とＸ線遮蔽領域の角度を調整するために必要な第二の周期とは別の、例えば、格子要素の辺の長さに等しい第三の周期Ｐ３で、格子要素を配置することが望ましい。

以下に、本発明の実施例について説明する。実施例に係る遮蔽格子は、分析格子にも線源格子にも適用することができる。

［実施例１］
実施例１として、ＬＩＧＡプロセスにより作製する１次元パターンの格子要素３０を用いた遮蔽格子について説明する。
本実施例での部分格子２６は図２に示すものが用いられる。図７を用いてそのプロセスについて説明する。
光が照射された領域が現像工程で除去されるポジティブフォトレジストを用いた第一のフォトレジスト層８０を６インチの第二のシリコンウェハ１３６上（基板上）に厚さ５０μｍで塗布する（図７（ａ））。
次に、ピッチ１０μｍ、Ｌ／Ｓ＝１／１、５０００周期で長さ１００ｍｍの帯状パターンが配列したフォトマスク８６を用いて、光源８４によりフォトレジスト層８０をパターニングする（図７（ｂ））。
ステップ＆リピートにより、シリコンウェハ８２の全面にパターンを焼き付ける。その際のフォトマスク８６の移動量としての第一のステップ周期８８（第１の部分格子の第二の周期に相当する）は５００００．０μｍとする（図７（ｃ））。
現像後のパターン９０にメッキにより金９２を充填し、第１の部分格子を作製する。金９２がパターン９０を超えて成長した場合、研磨などで平坦にしてもよい（図７（ｄ）、（ｅ））。
次に第二のフォトレジスト層９４を塗布する（図７（ｆ））。
次に、シリコンウェハ８２の中央におけるステップが第一のフォトレジスト層８０の対応するステップと一致するようにフォトマスク８６をアライメントし、露光を行う（図７（ｇ））。
次に、第二のステップ周期９６を５０００２．５μｍとして、ステップ＆リピートによりシリコンウェハ８２の全面に露光を行う（図７（ｈ））。その後、現像と金メッキを行うことで、第２の部分格子を作製する（図７（ｉ）、（ｊ））。
第三のステップ周期を５０００５．０μｍとして同様のプロセスを繰り返し、第３の部分格子を作製する。
これにより、１５０ｃｍの距離にあるＸ線源からの発散Ｘ線に対応した金の厚さが１５０μｍ、周期１０μｍの遮蔽格子ができる。

［実施例２］
実施例２として、格子要素６０がＸ線遮蔽部とＸ線透過部との配列方向（ｙ方向）６２と該配列方向と直交する方向（ｘ方向）６６とに配置された部分格子を有する遮蔽格子の構成例について説明する。
本実施例の部分格子を、図４を用いて説明する。
実施例１とは、フォトマスク８６に形成された帯状パターンの長さが５０ｍｍである点と、ステップ＆リピートにおけるフォトマスク８６の移動方法が異なる。
その他の点では実施例１と同様であるため、説明を省略する。
ｙ方向へのステップ周期と異なる第四のステップ周期（Ｐ３に相当）で、ｘ方向６６へフォトマスクを移動する。
具体的には、第四のステップ周期での移動は５００００．０μｍであり、すべての部分格子（第１〜第３の部分格子）において共通である。
一方、ｙ方向へのステップ周期については、実施例１と同じである。
部分格子の作製プロセスにおいて、実施例１と同様のステップ周期と第四のステップ周期を移動量として、マトリクス状にステップ＆リピートを繰り返し、部分格子を作製する。これにより、１５０ｃｍの距離にあるＸ線源からの発散Ｘ線に対応した金の厚さが１５０μｍ、周期１０μｍの１次元遮蔽格子ができる。

［実施例３］
実施例３として、格子要素のパターンを２次元とした遮蔽格子の構成例について説明する。

本実施例は、実施例１とフォトマスク８６の形状と露光時の動作が異なる。
本実施例の部分格子を、図３（ａ）を用いて説明する。
格子要素４０は、Ｘ線遮蔽部４１が網戸状に配置した形状を有する。
Ｘ線遮蔽部とＸ線透過部との配列方向のうちの一方（本実施例ではｙ方向と呼ぶ）４２とそれに直交する方向（本実施例ではｘ方向と呼ぶ）４６とにおいて、Ｘ線遮蔽部４１はピッチ１０μｍ、Ｌ／Ｓ＝１／１のパターンである。
フォトマスク８６上には、ｙ方向４２とｘ方向４６とに５０００周期のパターンが形成され、マスクパターンとしては５０ｍｍ×５０ｍｍの面積となる。
ステップ＆リピートによりフォトレジストを露光し、マトリックス状に走査を行う。
ｙ方向４２におけるステップ周期と、ｘ方向におけるステップ周期とは同じである。
第一の部分格子のステップ周期は５００００．０μｍ、第二の部分格子のステップ周期は５０００２．５μｍ、第三の部分格子のステップ周期は５０００５．０μｍである。
これにより、１５０ｃｍの距離にあるＸ線源からの発散Ｘ線に対応した金の厚さが１５０μｍ、周期１０μｍの網戸状遮蔽格子ができる。

［実施例４］
実施例４として、部分格子内において、一方の格子要素と他方の格子要素の間隙がＸ線遮蔽材料で充填されている格子の製造方法の例について説明する。

製造方法の一例として、ＬＩＧＡプロセスを用いた場合を説明する。
実施例３とのプロセスの違いとして、ポジティブレジストではなく、ネガティブレジストを用いる点で異なる。他の工程は、実施例３と同様である。
ネガティブレジストを用いることで、図６に示すように、マスクパターンによりＸ線透過部２０ａが形成される。
各部分格子を作製する工程において、格子要素内にメッキを行うと、格子要素間の間隙にも同時に金を充填することができる。
結果として、図５に示すように、格子要素間にＸ線遮蔽材料７０が充填された網戸状遮蔽格子ができる。

［実施例５］
実施例５として、第一の部分格子とは別の基板に作製した第二の部分格子を用いた遮蔽格子の製造方法の例について図９を用いて説明する。

本実施例は、第二の部分格子を作製する工程が実施例１と異なる。部分格子のパターンは実施例１と同じである。また、第一の部分格子を作製する工程は実施例１と同じである（図９（ａ）から図９（ｅ））ため、説明を省略する。

第二のフォトレジスト層１３４を第二のシリコンウェハ１３６上（第二の基板）に厚さ５０μｍで塗布する（図９（ｆ））。次に、第二のステップ周期１３８を５０００２．５μｍとして、ステップ＆リピートによりシリコンウェハ８２の全面に露光を行う（図９（ｈ））。その後、現像と金メッキを行うことで、第２の部分格子を作製する（図９（ｉ））。最後に、第一の部分格子と第二の部分格子を対向させて第一のシリコンウェハ１２２と第二のシリコンウェハ１３６をアライメントし接合する（図９（ｊ））。このとき、第一のシリコンウェハ１２２の中央における第一のフォトレジスト層１２０の対応するステップと第二のシリコンウェハ１３６の中央における第二のフォトレジスト層１３４の対応するステップとが一致するようにアライメントを行う。このようにして、１５０ｃｍの距離にあるＸ線源からの発散Ｘ線に対応した金の厚さが１００μｍ、周期１０μｍの遮蔽格子ができる。接合の方法として、樹脂接合やシリコン直接接合、金属接合を用いてもよい。接合する面の間に、接合層を設けても良い。また、第一のシリコンウェハ１２２や第二のシリコンウェハ１３６と一方または両方と部分格子を接合しても良い。接合のため、部分格子のない領域にアライメントマークを設けても良い。なお、接合する部分格子は二つでもよいし、それ以上でも良い。三つ以上の部分格子を接合する場合には、シリコンウェハを除去しても良い。

［実施例６］
実施例６として、インプリント技術により１次元パターンの格子要素３０を用いた遮蔽格子の製造方法の例について図８を用いて説明する。

部分格子のパターンは実施例１と同じである。実施例１におけるフォトレジスト層の替わりにＵＶ硬化樹脂層１００、フォトマスク８６の替わりに透明金型１０６を使う点で異なる。

シリコンウェハ１０２状に第一のＵＶ硬化樹脂層１００を塗布する（図８（ａ））。
次に、透明金型１０６をＵＶ硬化樹脂層１００に押し付け、紫外線１０４により硬化する（図８（ｂ））。

透明金型１０６には、高さ５０μｍ、ピッチ１０μｍ、Ｌ／Ｓ＝１／１、５０００周期で帯状突起パターンが配列している。

透明金型１０６をＵＶ硬化樹脂層１００から一旦剥離後、第一の移動距離１０８として５００００．０μｍ併進させて、再びＵＶ硬化樹脂層１００にパターニングを行うことを繰り返す（図８（ｃ））。

次に、作製されたパターン１１０にメッキにより金１０２を充填する（図８（ｄ）、（ｅ））。同様のプロセスを第二のＵＶ硬化樹脂層１１４、第三のＵＶ硬化樹脂層に行う（図８（ｆ）、（ｇ））。

この際、第二のＵＶ硬化樹脂層をパターニングする透明金型１０６の移動距離１１６として５０００２．５μｍ移動させ（図８（ｈ））、また第三のＵＶ硬化樹脂層をパターニングする透明金型１０６の移動距離として５０００５．０μｍとする。

このようにして、１５０ｃｍの距離にあるＸ線源からの発散Ｘ線に対応した金の厚さが１５０μｍ、周期１０μｍの遮蔽格子ができる（図８（ｉ）、（ｊ））。

２０ａ部分格子のＸ線透過部
２０ｂ部分格子のＸ線透過部
２０ｃ部分格子のＸ線透過部
２２ａ部分格子のＸ線遮蔽部
２２ｂ部分格子のＸ線遮蔽部
２２ｃ部分格子のＸ線遮蔽部
２４支持基板
２６部分格子
３０格子要素

Claims

複数の部分格子が積層したＸ線遮蔽格子であって、
前記複数の部分格子の夫々は、Ｘ線遮蔽部とＸ線透過部とが第一の周期で配列された格子要素が第二の周期で配列された構造を有し、
前記複数の部分格子の夫々の前記第一の周期は等しく、
前記複数の部分格子の夫々の前記第二の周期が異なることを特徴とするＸ線遮蔽格子。
前記Ｘ線の入射する側に近い一方の部分格子の第二の周期は、前記Ｘ線の出射する側に近い他方の部分格子の第二の周期に比べて短いことを特徴とする請求項１に記載のＸ線遮蔽格子。
前記格子要素の辺の長さが前記第二の周期よりも短いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＸ線遮蔽格子。
前記複数の部分格子の夫々において、前記格子要素同士の間隙が、Ｘ線遮蔽材料で満たされていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＸ線遮蔽格子。
前記格子要素において、前記Ｘ線遮蔽部と前記Ｘ線透過部とが二つ以上の方向に配列され、
前記複数の部分格子のそれぞれにおいて、格子要素が二つ以上の方向に配列されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のＸ線遮蔽格子。
前記格子要素において、前記Ｘ線遮蔽部と前記Ｘ線透過部とが、網戸状に配列されていることを特徴とする請求項５に記載のＸ線遮蔽格子。
前記格子要素において、前記Ｘ線遮蔽部と前記Ｘ線透過部とが、チェッカー状に配列されていることを特徴とする請求項５に記載のＸ線遮蔽格子。
前記格子要素は前記第一の周期の方向と交わる方向に第三の周期で配列され、前記第三の周期は前記第二の周期とは異なる周期であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＸ線遮蔽格子。
複数の部分格子が積層したＸ線遮蔽格子の製造方法であって、
Ｘ線遮蔽部とＸ線透過部とが第一の周期で配列された格子要素を第二の周期で配列して第一の部分格子を形成する工程と、
Ｘ線遮蔽部とＸ線透過部とが第一の周期で配列された格子要素を、第二の周期で配列して第二の部分格子を形成する工程と、
を有し、
前記第二の部分格子を形成する工程における前記第二の周期が、前記第一の部分格子を形成する工程における前記第二の周期と異なることを特徴とするＸ線遮蔽格子の製造方法。
前記第一と第二の部分格子を形成する工程に、
前記第一の周期のパターンを有するマスクを用い、ステップ＆リピートにより基板上に形成されたレジスト層を露光してパターニングするプロセスが用いられることを特徴とする請求項９に記載のＸ線遮蔽格子の製造方法。
前記第一と第二の部分格子を形成する工程に、
前記第一の周期のパターンを有する金型を、基板上に形成されたＵＶ硬化樹脂に押し付け、紫外線により硬化させてパターニングするインプリントによるプロセスが用いられることを特徴とする請求項９に記載のＸ線遮蔽格子の製造方法。