JP5572375B2 - ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン - Google Patents

ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン Download PDF

Info

Publication number
JP5572375B2
JP5572375B2 JP2009282310A JP2009282310A JP5572375B2 JP 5572375 B2 JP5572375 B2 JP 5572375B2 JP 2009282310 A JP2009282310 A JP 2009282310A JP 2009282310 A JP2009282310 A JP 2009282310A JP 5572375 B2 JP5572375 B2 JP 5572375B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
developer
acid
general formula
carbon atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009282310A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010164958A5 (enrdf_load_stackoverflow
JP2010164958A (ja
Inventor
聡 上村
晋司 樽谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2009282310A priority Critical patent/JP5572375B2/ja
Publication of JP2010164958A publication Critical patent/JP2010164958A/ja
Publication of JP2010164958A5 publication Critical patent/JP2010164958A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5572375B2 publication Critical patent/JP5572375B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
JP2009282310A 2008-12-15 2009-12-11 ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン Active JP5572375B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009282310A JP5572375B2 (ja) 2008-12-15 2009-12-11 ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008318988 2008-12-15
JP2008318988 2008-12-15
JP2009282310A JP5572375B2 (ja) 2008-12-15 2009-12-11 ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010164958A JP2010164958A (ja) 2010-07-29
JP2010164958A5 JP2010164958A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2012-08-16
JP5572375B2 true JP5572375B2 (ja) 2014-08-13

Family

ID=42581117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009282310A Active JP5572375B2 (ja) 2008-12-15 2009-12-11 ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5572375B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012023349A1 (ja) * 2010-08-18 2012-02-23 Jsr株式会社 パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
JP5848869B2 (ja) * 2010-08-25 2016-01-27 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
KR20130108302A (ko) 2010-09-16 2013-10-02 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 화학증폭형 레지스트 조성물, 및 레지스트 막
WO2012043415A1 (ja) * 2010-09-29 2012-04-05 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
WO2012046543A1 (ja) * 2010-10-04 2012-04-12 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
JP5856414B2 (ja) * 2010-10-06 2016-02-09 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
KR101921367B1 (ko) * 2010-10-19 2018-11-22 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 형성 방법 및 감방사선성 수지 조성물
WO2012077433A1 (ja) * 2010-12-07 2012-06-14 Jsr株式会社 パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
WO2012101942A1 (ja) 2011-01-28 2012-08-02 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
JP5035466B1 (ja) * 2011-02-04 2012-09-26 Ｊｓｒ株式会社 レジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物
JP5629610B2 (ja) * 2011-02-28 2014-11-26 富士フイルム株式会社 ネガ型パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜
JP5715852B2 (ja) 2011-02-28 2015-05-13 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜
JP5307171B2 (ja) 2011-02-28 2013-10-02 富士フイルム株式会社 レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びネガ型パターン形成方法
JP5856508B2 (ja) * 2011-04-13 2016-02-09 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5353943B2 (ja) * 2011-04-28 2013-11-27 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
KR20140047045A (ko) * 2011-06-10 2014-04-21 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 용제 현상 네거티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 블록 코폴리머를 함유하는 층의 패턴 형성 방법
JP5857522B2 (ja) * 2011-08-16 2016-02-10 Jsr株式会社 化合物及びフォトレジスト組成物
JP5501318B2 (ja) 2011-09-22 2014-05-21 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
JP5618958B2 (ja) 2011-09-22 2014-11-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP2013079232A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP5906076B2 (ja) * 2011-12-16 2016-04-20 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP6182865B2 (ja) * 2012-01-17 2017-08-23 住友化学株式会社 レジストパターンの製造方法
JP6144875B2 (ja) * 2012-03-14 2017-06-07 東京応化工業株式会社 溶剤現像ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5798964B2 (ja) 2012-03-27 2015-10-21 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、これらを用いる電子デバイスの製造方法
TWI527792B (zh) * 2012-06-26 2016-04-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑、含該光酸產生劑之光阻劑及含該光阻劑之經塗覆物件
TWI602015B (zh) 2012-07-18 2017-10-11 住友化學股份有限公司 光阻組成物及光阻圖案之產生方法
JP5953158B2 (ja) 2012-07-26 2016-07-20 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及び該方法に使用するための感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
WO2014017144A1 (ja) * 2012-07-27 2014-01-30 Jsr株式会社 ネガ型レジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物
JP6175226B2 (ja) * 2012-09-28 2017-08-02 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、半導体製造用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び電子デバイスの製造方法
JP5764589B2 (ja) 2012-10-31 2015-08-19 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
JP6014507B2 (ja) 2013-02-05 2016-10-25 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
JP6002705B2 (ja) 2013-03-01 2016-10-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及び、電子デバイスの製造方法
JP6126878B2 (ja) 2013-03-15 2017-05-10 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及び電子デバイスの製造方法
JP6229285B2 (ja) * 2013-03-28 2017-11-15 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5728517B2 (ja) 2013-04-02 2015-06-03 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
JP6464152B2 (ja) * 2014-05-12 2019-02-06 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
WO2016027546A1 (ja) 2014-08-22 2016-02-25 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
KR101966671B1 (ko) 2014-09-30 2019-04-09 후지필름 가부시키가이샤 레지스트막의 패터닝용 유기계 처리액, 레지스트막의 패터닝용 유기계 처리액의 제조 방법, 및 레지스트막의 패터닝용 유기계 처리액의 수용 용기와, 이들을 사용한 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP6520490B2 (ja) * 2015-07-08 2019-05-29 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
WO2017170428A1 (ja) 2016-03-31 2017-10-05 富士フイルム株式会社 電子材料製造用薬液の製造方法、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法、電子材料製造用薬液、容器、及び、品質検査方法
JP6902832B2 (ja) * 2016-06-28 2021-07-14 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤
JPWO2018123388A1 (ja) 2016-12-28 2019-10-31 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性組成物、パターン形成方法並びに金属含有樹脂及びその製造方法
JP7610510B2 (ja) 2019-07-30 2025-01-08 株式会社ダイセル 単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4329462B2 (ja) * 2003-09-04 2009-09-09 Ｊｓｒ株式会社 酸発生剤、スルホン酸とその誘導体および感放射線性樹脂組成物
JP4443898B2 (ja) * 2003-11-13 2010-03-31 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4296448B2 (ja) * 2006-11-22 2009-07-15 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4554665B2 (ja) * 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP4844436B2 (ja) * 2007-03-07 2011-12-28 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010164958A (ja) 2010-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5572375B2 (ja) ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン
JP5624906B2 (ja) パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
JP6086620B2 (ja) パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP5560115B2 (ja) パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
JP5639755B2 (ja) 有機溶剤を含有する現像液を用いたパターン形成方法及びこれに用いるリンス液
JP5894762B2 (ja) パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP5542043B2 (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
JP5723744B2 (ja) パターン形成方法、積層レジストパターン、有機溶剤現像用の積層膜、レジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP5850607B2 (ja) パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
JP5879218B2 (ja) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、感活性光線性又は感放射線性膜
JP5690703B2 (ja) ネガ型パターン形成方法及びレジストパターン
KR20140012113A (ko) 패턴 형성 방법, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스
JP2014010183A (ja) パターン形成方法及び該方法に使用するための感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
JP5557621B2 (ja) パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
JP2012113003A (ja) パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
JP5572501B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法
JP5557568B2 (ja) パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
JP5629520B2 (ja) パターン形成方法及びこの方法に用いられる有機系処理液
JP5298217B2 (ja) パターン形成方法、これを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
JP5934467B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法
WO2015016194A1 (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP2013020090A (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20111216

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120629

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120629

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20120914

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20121004

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130917

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140603

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140630

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5572375

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250