JP5570114B2 - 近赤外線吸収剤およびその分散液 - Google Patents
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Description
〔1〕インジウム錫酸化物(ITO)粉末またはアンチモン錫酸化物(ATO)粉末の表面が、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート、テトラエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、テトラエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、テトラエチレングリコール−ジ−ヘプタノエート、およびトリエチレングリコール−ジ−ヘプタノエートからなる群より選択された少なくとも1種によって表面処理されてなる近赤外線吸収剤であって、上記選択された少なくとも1種からなる溶媒または上記選択された少なくとも1種を主成分とする溶媒に分散して使用されることを特徴とする近赤外線吸収剤。
〔2〕インジウム錫酸化物(ITO)粉末またはアンチモン錫酸化物(ATO)粉末の表面が、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート、テトラエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、テトラエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、テトラエチレングリコール−ジ−ヘプタノエート、およびトリエチレングリコール−ジ−ヘプタノエートからなる群より選択された少なくとも1種によって表面処理されてなる近赤外線吸収剤が、上記選択された少なくとも1種からなる溶媒または上記選択された少なくとも1種を主成分とする溶媒に分散されていることを特徴とする近赤外線吸収剤分散液。
本発明の近赤外線吸収剤は、インジウム錫酸化物(ITO)粉末またはアンチモン錫酸化物(ATO)粉末の表面が、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート、テトラエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、テトラエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、テトラエチレングリコール−ジ−ヘプタノエート、およびトリエチレングリコール−ジ−ヘプタノエートからなる群より選択された少なくとも1種によって表面処理されてなる近赤外線吸収剤であって、上記選択された少なくとも1種からなる溶媒または上記選択された少なくとも1種を主成分とする溶媒に分散して使用されることを特徴とする近赤外線吸収剤である。
〔ITO粉末の合成〕
InCl3水溶液(In金属 350g含有)900mLと、55%SnCl4水溶液144gとを混合し、この混合水溶液を、NH4HCO31900gを含有するアルカリ水溶液6Lに加えて60℃の液温で30分間反応させ、反応後、イオン交換水によって繰り返し傾斜洗浄を行った。上澄み液の電気伝導度が5000Ω・cm以上になったところで沈殿(In/Sn共沈水酸化物)を濾別し、110℃で一晩乾燥した後、大気中、550℃で3時間焼成し、粉砕して凝集体をほぐし、ITO粉末440gを得た。
上記ITO粉末40gを、表面処理剤として用いた表1に示す溶媒に浸して、ITO粉末に下記溶媒を含浸させた後、ガラスシャーレに入れ、窒素ガス雰囲気下、330℃にて2時間加熱処理した。
表面処理されたITO粉末10gを分散混合溶媒に加え、この混合溶媒をジルコニアビーズによって60分間攪拌して分散液を調製した。分散混合溶媒は表1に示す表面処理剤30gにリン酸エステル系分散剤1gおよびエタノール3gを加えたものを用いた。
上記分散液を、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエートで0.7質量%まで希釈した。この希釈液を光路長1mmのガラスセルに入れ、分光透過率を日立自記分光光度計(U−4000)を用い、規格(JIS R 3216−1998)に従って測定した。さらに、ヘーズをスガ試験機製ヘーズコンピュータ(HZ-2)を用い、規格(JIS K 7136)に従って測定した。測定結果を表1に示す。
実施例1:表面処理剤としてトリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエートを用いた。
実施例2:表面処理剤としてトリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエートに無水エタノールおよび水を含む混合溶液を用いた。
実施例3:表面処理剤としてトリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエートにオクチル酸、無水エタノール、および水を含む混合溶液を用いた。
比較例1:表面処理剤として無水エタノールを用いた。
比較例2:表面処理剤として無水エタノールに水を加えた混合溶液を用いた。
比較例3:表面処理剤としてオクチル酸を用いた。
比較例4:表面処理剤として水を用いた。
比較例5:表面処理剤を含浸させずに窒素ガス雰囲気下、330℃にて2時間加熱処理した。
Claims (2)
- インジウム錫酸化物(ITO)粉末またはアンチモン錫酸化物(ATO)粉末の表面が、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート、テトラエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、テトラエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、テトラエチレングリコール−ジ−ヘプタノエート、およびトリエチレングリコール−ジ−ヘプタノエートからなる群より選択された少なくとも1種によって表面処理されてなる近赤外線吸収剤であって、上記選択された少なくとも1種からなる溶媒または上記選択された少なくとも1種を主成分とする溶媒に分散して使用されることを特徴とする近赤外線吸収剤。
- インジウム錫酸化物(ITO)粉末またはアンチモン錫酸化物(ATO)粉末の表面が、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート、テトラエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、テトラエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、テトラエチレングリコール−ジ−ヘプタノエート、およびトリエチレングリコール−ジ−ヘプタノエートからなる群より選択された少なくとも1種によって表面処理されてなる近赤外線吸収剤が、上記選択された少なくとも1種からなる溶媒または上記選択された少なくとも1種を主成分とする溶媒に分散されていることを特徴とする近赤外線吸収剤分散液。
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